Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16271) > Сторінка 235 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+520.85 грн
3+476.81 грн
6+450.32 грн
10+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.46 грн
8+124.76 грн
22+117.92 грн
100+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=350D5F86-1037-44C7-AFE1-4B49E34623C5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Super-Junction-IXKC15N60C5-Datasheet.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1233.10 грн
3+1082.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+702.13 грн
3+434.08 грн
7+410.16 грн
25+408.45 грн
50+394.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 38.6nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1023.29 грн
2+598.15 грн
5+564.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.47 грн
10+107.67 грн
25+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.22Ω
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 110A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4602.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS IXFH60N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Pulsed drain current: 120A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS IXFH60N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+841.09 грн
2+707.52 грн
4+669.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+619.31 грн
3+391.36 грн
7+370.00 грн
30+355.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1164.08 грн
2+709.23 грн
3+683.60 грн
4+669.92 грн
30+644.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS IXXH60N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1523.89 грн
2+1361.21 грн
3+1360.36 грн
10+1312.50 грн
25+1309.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 IXYS DS100516AIXXKX160N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+688.33 грн
2+510.99 грн
6+482.79 грн
10+463.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N IXYS CPC1150N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
On-state resistance: 50Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+412.26 грн
5+201.66 грн
14+190.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+673.60 грн
3+366.58 грн
8+346.92 грн
50+346.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Power dissipation: 540W
Technology: GenX3™
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1294.76 грн
2+631.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+340.48 грн
3+284.55 грн
5+206.79 грн
13+195.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+603.67 грн
3+460.57 грн
6+435.79 грн
30+418.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+650.60 грн
4+305.91 грн
9+288.82 грн
30+277.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.89 грн
5+221.31 грн
13+209.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS IXKH35N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; X-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB IXYS CLA100E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+721.46 грн
3+446.05 грн
6+422.12 грн
30+410.16 грн
60+405.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+534.65 грн
3+367.43 грн
8+347.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+551.21 грн
4+294.80 грн
10+278.57 грн
100+267.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.86 грн
5+225.59 грн
12+213.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+851.21 грн
2+635.74 грн
5+600.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1024.21 грн
2+702.39 грн
4+664.80 грн
10+663.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1108.87 грн
2+763.06 грн
3+762.21 грн
4+721.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.04 грн
7+161.50 грн
17+152.10 грн
100+149.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS IXYP20N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1180.65 грн
2+800.66 грн
4+757.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB IXYS DSB15IM45IB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2998.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.85 грн
3+476.81 грн
6+450.32 грн
10+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFK27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTA08N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.46 грн
8+124.76 грн
22+117.92 грн
100+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 media?resourcetype=datasheets&itemid=350D5F86-1037-44C7-AFE1-4B49E34623C5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Super-Junction-IXKC15N60C5-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTX90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1233.10 грн
3+1082.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.13 грн
3+434.08 грн
7+410.16 грн
25+408.45 грн
50+394.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 38.6nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1023.29 грн
2+598.15 грн
5+564.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.47 грн
10+107.67 грн
25+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.22Ω
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 110A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4602.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2.pdf
IXFH60N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Pulsed drain current: 120A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4.pdf
IXFH60N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+841.09 грн
2+707.52 грн
4+669.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+619.31 грн
3+391.36 грн
7+370.00 грн
30+355.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1164.08 грн
2+709.23 грн
3+683.60 грн
4+669.92 грн
30+644.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4.pdf
IXXH60N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1523.89 грн
2+1361.21 грн
3+1360.36 грн
10+1312.50 грн
25+1309.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 DS100516AIXXKX160N65C4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXX160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+688.33 грн
2+510.99 грн
6+482.79 грн
10+463.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N.pdf
CPC1150N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
On-state resistance: 50Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.26 грн
5+201.66 грн
14+190.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+673.60 грн
3+366.58 грн
8+346.92 грн
50+346.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Power dissipation: 540W
Technology: GenX3™
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1294.76 грн
2+631.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFA22N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+340.48 грн
3+284.55 грн
5+206.79 грн
13+195.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+603.67 грн
3+460.57 грн
6+435.79 грн
30+418.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+650.60 грн
4+305.91 грн
9+288.82 грн
30+277.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFP22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+358.89 грн
5+221.31 грн
13+209.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5.pdf
IXKH35N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; X-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB.pdf
CLA100E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.46 грн
3+446.05 грн
6+422.12 грн
30+410.16 грн
60+405.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.65 грн
3+367.43 грн
8+347.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.21 грн
4+294.80 грн
10+278.57 грн
100+267.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.86 грн
5+225.59 грн
12+213.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.21 грн
2+635.74 грн
5+600.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1024.21 грн
2+702.39 грн
4+664.80 грн
10+663.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1108.87 грн
2+763.06 грн
3+762.21 грн
4+721.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+334.04 грн
7+161.50 грн
17+152.10 грн
100+149.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1180.65 грн
2+800.66 грн
4+757.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFK98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFX78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB.pdf
DSB15IM45IB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2998.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.