Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 235 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS IXFH22N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+489.76 грн
4+359.56 грн
9+327.40 грн
270+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+597.95 грн
3+459.23 грн
7+418.00 грн
30+411.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.56 грн
4+333.48 грн
10+303.19 грн
270+299.60 грн
300+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.73 грн
4+337.20 грн
9+306.77 грн
510+295.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH230N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+766.04 грн
3+502.08 грн
6+457.47 грн
120+449.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+570.91 грн
3+408.00 грн
8+371.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS IXF_24N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+936.05 грн
3+884.92 грн
4+825.24 грн
10+792.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS IXFH26N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+613.41 грн
3+444.33 грн
7+404.55 грн
120+400.96 грн
510+388.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+600.85 грн
3+451.78 грн
7+410.83 грн
120+395.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS IXFH26N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+765.07 грн
3+529.09 грн
6+481.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 IXYS IXFH26N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+564.14 грн
3+423.83 грн
8+385.71 грн
120+371.36 грн
510+370.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS IXFH30N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+687.79 грн
3+529.09 грн
6+481.69 грн
30+473.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3 IXFH30N50Q3 IXYS IXFH30N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS IXFH(T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS IXFH(T,Q)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH30N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH340N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFH34N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+740.92 грн
3+467.34 грн
7+442.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+578.63 грн
3+502.08 грн
10+466.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.59 грн
3+455.50 грн
7+414.41 грн
510+399.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXFH36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+889.69 грн
2+693.04 грн
5+630.59 грн
510+606.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH400N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH400N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS IXFH40N50Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1293.47 грн
3+1179.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH40N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFH42N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 IXYS IXFH42N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf description IXFH44N50P THT N channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+962.14 грн
2+666.47 грн
5+629.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFH44N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+805.64 грн
2+557.97 грн
6+507.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 IXFH46N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf IXFH48N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1217.16 грн
2+857.53 грн
4+810.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+715.81 грн
2+598.02 грн
6+544.48 грн
120+537.30 грн
510+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N85X IXYS IXFH50N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf IXFH52N30P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+633.70 грн
3+386.61 грн
8+365.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS IXFH(T)52N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+999.81 грн
2+689.31 грн
3+662.88 грн
5+627.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH54N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 IXFH54N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXYS IXFH56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+862.64 грн
2+566.90 грн
6+535.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXYS IXFH60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+870.37 грн
2+598.30 грн
5+566.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS IXFH60N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS IXFH60N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH69N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF IXFH69N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1062.60 грн
2+672.75 грн
5+635.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1121.53 грн
2+762.45 грн
4+721.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3 IXYS IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1198.39 грн
3+1132.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+975.66 грн
2+615.34 грн
5+581.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH74N20P THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+634.66 грн
3+395.58 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+553.52 грн
4+349.83 грн
9+330.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P.pdf
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.76 грн
4+359.56 грн
9+327.40 грн
270+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.95 грн
3+459.23 грн
7+418.00 грн
30+411.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.56 грн
4+333.48 грн
10+303.19 грн
270+299.60 грн
300+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.73 грн
4+337.20 грн
9+306.77 грн
510+295.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T.pdf
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.04 грн
3+502.08 грн
6+457.47 грн
120+449.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.91 грн
3+408.00 грн
8+371.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXF_24N90P.pdf
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.05 грн
3+884.92 грн
4+825.24 грн
10+792.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P.pdf
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.41 грн
3+444.33 грн
7+404.55 грн
120+400.96 грн
510+388.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3.pdf
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.85 грн
3+451.78 грн
7+410.83 грн
120+395.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P.pdf
IXFH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.07 грн
3+529.09 грн
6+481.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.14 грн
3+423.83 грн
8+385.71 грн
120+371.36 грн
510+370.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P IXFH30N50P.pdf
IXFH30N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.79 грн
3+529.09 грн
6+481.69 грн
30+473.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3 IXFH30N50Q3.pdf
IXFH30N50Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH(T,V)30N60P_S.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH(T,Q)30N60X.pdf
IXFH30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH30N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n50p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.92 грн
3+467.34 грн
7+442.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.63 грн
3+502.08 грн
10+466.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.59 грн
3+455.50 грн
7+414.41 грн
510+399.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFH36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.69 грн
2+693.04 грн
5+630.59 грн
510+606.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH400N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q.pdf
IXFH40N50Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1293.47 грн
3+1179.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH40N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3.pdf
IXFH42N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH44N50P THT N channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+962.14 грн
2+666.47 грн
5+629.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH44N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.64 грн
2+557.97 грн
6+507.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
Виробник: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH48N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1217.16 грн
2+857.53 грн
4+810.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.81 грн
2+598.02 грн
6+544.48 грн
120+537.30 грн
510+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N85X
Виробник: IXYS
IXFH50N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.70 грн
3+386.61 грн
8+365.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH(T)52N50P2.pdf
IXFH52N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+999.81 грн
2+689.31 грн
3+662.88 грн
5+627.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH54N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639
Виробник: IXYS
IXFH54N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.64 грн
2+566.90 грн
6+535.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+870.37 грн
2+598.30 грн
5+566.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2.pdf
IXFH60N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4.pdf
IXFH60N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH69N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH6N120 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.60 грн
2+672.75 грн
5+635.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH6N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1121.53 грн
2+762.45 грн
4+721.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3
Виробник: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1198.39 грн
3+1132.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.66 грн
2+615.34 грн
5+581.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.66 грн
3+395.58 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.52 грн
4+349.83 грн
9+330.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]