Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (14783) > Сторінка 235 з 247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYA50N65C3-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-12IO7 IXYS VHF25-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Gate current: 25/50mA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1247.40 грн
3+1022.03 грн
10+923.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VGO36-16IO7 VGO36-16IO7 IXYS VGO36-16io7.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 36A
Max. forward impulse current: 280A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Mechanical mounting: screw
Gate current: 65mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1487.46 грн
3+1270.18 грн
5+1202.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-08IO7 VHF25-08IO7 IXYS VHF25-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Gate current: 25/50mA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1190.33 грн
3+976.61 грн
10+878.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 IXYS IXTA(H)1N200P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HV IXTH1N200P3HV IXYS IXTA(H)1N200P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1386.00 грн
3+1155.78 грн
10+1080.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A DSEP2X101-04A IXYS DSEP2X101-04A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 200A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6285.92 грн
10+2652.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110STR IXYS LBA110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-06C DSEI2X30-06C IXYS DSEI2X3x.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 260A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1085.25 грн
5+862.21 грн
10+808.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+596.07 грн
10+445.82 грн
30+388.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.82 грн
10+333.95 грн
50+275.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+732.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+541.72 грн
5+459.28 грн
10+437.41 грн
50+391.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.61 грн
5+155.62 грн
25+137.11 грн
70+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+460.19 грн
10+399.56 грн
50+329.74 грн
100+291.89 грн
250+284.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MKI75-06A7T IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 60A
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7T IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: motors
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKI75-06A7 IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 IXYS IXFK(X)80N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50P IXFX80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25-12NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1612.47 грн
5+1334.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS GBO25-12NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+713.84 грн
5+612.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25-16AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2171.40 грн
5+1968.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1 IXYS GBO25-16NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25-16NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25-12AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609PI IXDD609PI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.20 грн
10+84.12 грн
50+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.00 грн
10+165.71 грн
50+159.82 грн
100+149.73 грн
250+146.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609SI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.86 грн
10+134.59 грн
25+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.09 грн
10+187.58 грн
50+164.87 грн
100+154.78 грн
250+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609D2TR IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.58 грн
10+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190 IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+404.02 грн
10+325.54 грн
50+280.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190S IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965Y IXYS CPC1965G.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Case: SIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 260V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+451.13 грн
10+385.26 грн
25+370.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PM1204 PM1204 IXYS PM1204.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+537.19 грн
10+365.07 грн
50+304.51 грн
100+292.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1205 PM1205 IXYS PM1205.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.500VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 500V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+379.56 грн
10+295.25 грн
100+287.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y IXYS CPC1945Y.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Case: SIP4
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.34Ω
Switched voltage: max. 120V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201 IXYS PD1201.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 400V AC
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+650.42 грн
10+493.77 грн
25+437.41 грн
100+402.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943G IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+583.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1204S PM1204S IXYS PM1204.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+603.32 грн
50+366.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1206 PM1206 IXYS PM1206.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.600VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 600V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP6
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+676.69 грн
50+412.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943GS IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+462.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210S IXYS LCA210.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Case: DIP8
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 85mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.82 грн
50+264.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967J IXYS CPC1967.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Case: i4-pac
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Max. operating current: 1350mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Insulation voltage: 2.5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1192.14 грн
25+1069.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220 IXYS LCA220.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+454.75 грн
10+343.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210 LCA210 IXYS LCA210.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 85mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.61 грн
10+239.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1347.95 грн
3+1103.62 грн
10+989.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2 IXFX74N50P2 IXYS IXFK(X)74N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 77mΩ
Drain current: 74A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS IXGH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 220W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 45ns
Gate charge: 38nC
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh30n60c3-datasheet?assetguid=a74a7c9f-55b8-41f8-9782-8bc72a9bd8b5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-24n100a4-datasheet?assetguid=10de694c-f2b8-4ef8-81d5-7cb713d12062 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 85A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 85A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 145A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-24n100c4-datasheet?assetguid=9e764d41-4809-4a1d-9928-1cb6ca6c9107 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 132A
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA35PD1600TB MCMA35PD1600TB IXYS MCMA35PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 35A; TO240AA; Ufmax: 1.22V; bulk
Case: TO240AA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 78/200mA
Threshold on-voltage: 0.87V
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 35A
Max. load current: 55A
Max. forward impulse current: 520A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1630.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD26-08IO1B MCD26-08IO1B IXYS MCD26-08io1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; bulk
Case: TO240AA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 27A
Max. load current: 42A
Max. forward impulse current: 520A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1472.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-ser.pdf
VHF25-12IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Gate current: 25/50mA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1247.40 грн
3+1022.03 грн
10+923.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VGO36-16IO7 VGO36-16io7.pdf
VGO36-16IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 36A
Max. forward impulse current: 280A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Mechanical mounting: screw
Gate current: 65mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1487.46 грн
3+1270.18 грн
5+1202.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-08IO7 VHF25-ser.pdf
VHF25-08IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Mechanical mounting: screw
Gate current: 25/50mA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1190.33 грн
3+976.61 грн
10+878.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTA(H)1N200P3HV.pdf
IXTH1N200P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HV IXTA(H)1N200P3HV.pdf
IXTH1N200P3HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBT24N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1386.00 грн
3+1155.78 грн
10+1080.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A DSEP2X101-04A.pdf
DSEP2X101-04A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 200A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6285.92 грн
10+2652.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110STR LBA110.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-06C DSEI2X3x.pdf
DSEI2X30-06C
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 260A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.25 грн
5+862.21 грн
10+808.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.07 грн
10+445.82 грн
30+388.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTA120P065T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.82 грн
10+333.95 грн
50+275.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.72 грн
5+459.28 грн
10+437.41 грн
50+391.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.61 грн
5+155.62 грн
25+137.11 грн
70+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.19 грн
10+399.56 грн
50+329.74 грн
100+291.89 грн
250+284.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MKI75-06A7T
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 60A
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7T
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: motors
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKI75-06A7
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXFK(X)80N50Q3.pdf
IXFX80N50Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFX80N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1612.47 грн
5+1334.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.84 грн
5+612.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2171.40 грн
5+1968.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1.pdf
GBO25-16NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609PI IXDD609CI.pdf
IXDD609PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Kind of output: non-inverting
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.20 грн
10+84.12 грн
50+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI.pdf
IXDD609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.00 грн
10+165.71 грн
50+159.82 грн
100+149.73 грн
250+146.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609CI.pdf
IXDD609SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.86 грн
10+134.59 грн
25+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609CI.pdf
IXDD609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.09 грн
10+187.58 грн
50+164.87 грн
100+154.78 грн
250+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609CI.pdf
IXDD609D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.58 грн
10+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190.pdf
PLB190
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.02 грн
10+325.54 грн
50+280.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190.pdf
PLB190S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+402.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR PLB190.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965G.pdf
CPC1965Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Case: SIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 260V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+451.13 грн
10+385.26 грн
25+370.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PM1204 PM1204.pdf
PM1204
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.19 грн
10+365.07 грн
50+304.51 грн
100+292.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1205 PM1205.pdf
PM1205
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.500VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 500V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.56 грн
10+295.25 грн
100+287.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y.pdf
CPC1945Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Case: SIP4
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.34Ω
Switched voltage: max. 120V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201.pdf
PD1201
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 400V AC
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.42 грн
10+493.77 грн
25+437.41 грн
100+402.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943.pdf
CPC1943G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1204S PM1204.pdf
PM1204S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.32 грн
50+366.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PM1206 PM1206.pdf
PM1206
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.600VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 600V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP6
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.69 грн
50+412.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943.pdf
CPC1943GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 0.5A
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Type of relay: solid state
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210.pdf
LCA210S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Case: DIP8
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 85mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.82 грн
50+264.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967.pdf
CPC1967J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Case: i4-pac
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Max. operating current: 1350mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Insulation voltage: 2.5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.14 грн
25+1069.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220.pdf
LCA220
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.75 грн
10+343.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210 LCA210.pdf
LCA210
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 85mA
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 35Ω
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.61 грн
10+239.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFK220N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1347.95 грн
3+1103.62 грн
10+989.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX74N50P2 IXFK(X)74N50P2.pdf
IXFX74N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 77mΩ
Drain current: 74A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 220W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 45ns
Gate charge: 38nC
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3 littelfuse-discrete-igbts-ixxh30n60c3-datasheet?assetguid=a74a7c9f-55b8-41f8-9782-8bc72a9bd8b5
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-24n100a4-datasheet?assetguid=10de694c-f2b8-4ef8-81d5-7cb713d12062
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 85A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 85A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 145A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-24n100c4-datasheet?assetguid=9e764d41-4809-4a1d-9928-1cb6ca6c9107
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 132A
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA35PD1600TB MCMA35PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MCMA35PD1600TB
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 35A; TO240AA; Ufmax: 1.22V; bulk
Case: TO240AA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 78/200mA
Threshold on-voltage: 0.87V
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 35A
Max. load current: 55A
Max. forward impulse current: 520A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1630.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD26-08IO1B MCD26-08io1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCD26-08IO1B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; bulk
Case: TO240AA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward voltage: 1.27V
Load current: 27A
Max. load current: 42A
Max. forward impulse current: 520A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1472.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]