| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IX2127G | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Output current: -500...250mA Mounting: THT Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Case: DIP8 Supply voltage: 9...12V Kind of package: tube Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX2127N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Output current: -500...250mA Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 Supply voltage: 9...12V Kind of package: tube Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4310N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V Kind of package: tube Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of output: non-inverting Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 5...24V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4340N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -5...5A Number of channels: 2 Supply voltage: 5...20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4340NE | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2 Case: SO8-EP Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -5...5A Number of channels: 2 Supply voltage: 5...20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4340UE | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: MSOP8 Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4426MTR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Supply voltage: 4.5...30V Case: DFN8 Kind of output: inverting Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4426N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: inverting Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4427MTR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: DFN8 Type of integrated circuit: driver Kind of output: non-inverting Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 774 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4427N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of output: non-inverting Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4427NTR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of output: non-inverting Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX4428MTR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Supply voltage: 4.5...30V Case: DFN8 Kind of output: inverting; non-inverting Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IX4428N | IXYS |
IX4428N MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IX9907N | IXYS |
Category: LED driversDescription: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Integrated circuit features: linear dimming; PWM Operating voltage: 650V DC Output current: 1.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IX9908N | IXYS |
Category: LED driversDescription: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Integrated circuit features: linear dimming; PWM Operating voltage: 650V DC Output current: 1.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IX9915N | IXYS |
IX9915N Integrated circuits - others |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXA12IF1200HB | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 13A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-off time: 350ns Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Turn-on time: 110ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: SMPD-B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Electrical mounting: SMT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 30A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Power dissipation: 147W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXA37IF1200HJ | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 37A Power dissipation: 195W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Turn-off time: 350ns Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Turn-on time: 110ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXA70I1200NA | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 65A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mechanical mounting: screw Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Power dissipation: 350W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBA16N170AHV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 65nC Turn-on time: 43ns Turn-off time: 370ns Power dissipation: 150W Collector current: 10A Pulsed collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBF20N300 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Gate charge: 105nC Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Power dissipation: 150W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 34A Pulsed collector current: 130A Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBH10N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBH10N300HV | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247HV Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Power dissipation: 180W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBH16N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Gate charge: 72nC Turn-off time: 940ns Collector current: 16A Technology: BiMOSFET™; FRED Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 1.7kV Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBH24N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Power dissipation: 250W Collector current: 24A Pulsed collector current: 230A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBK55N300 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Mounting: THT Case: TO264 Gate charge: 335nC Turn-off time: 475ns Turn-on time: 637ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBN42N170A | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Power dissipation: 313W Collector current: 21A Pulsed collector current: 265A Gate-emitter voltage: ±20V Technology: BiMOSFET™ Max. off-state voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBN75N170 | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Power dissipation: 625W Collector current: 75A Pulsed collector current: 680A Gate-emitter voltage: ±20V Technology: BiMOSFET™ Max. off-state voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBN75N170A | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 42A Case: SOT227B Application: for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 500W Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXBOD1-12R | IXYS |
IXBOD1-12R Thyristors - others |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-13R | IXYS |
IXBOD1-13R Thyristors - others |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-16RD | IXYS |
IXBOD1-16RD Thyristors - others |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-18R | IXYS |
IXBOD1-18R Thyristors - others |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-18RD | IXYS |
IXBOD1-18RD Thyristors - others |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-21R | IXYS |
IXBOD1-21R Thyristors - others |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IXBOD1-26RD | IXYS |
IXBOD1-26RD Thyristors - others |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXBOD1-36R | IXYS |
Category: Thyristors - othersDescription: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV Type of thyristor: BOD x4 Mounting: THT Max. load current: 0.7A Case: BOD Breakover voltage: 3.6kV Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBOD1-38R | IXYS |
Category: Thyristors - othersDescription: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV Type of thyristor: BOD x4 Mounting: THT Max. load current: 0.7A Case: BOD Breakover voltage: 3.8kV Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBT10N170 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Power dissipation: 140W Collector current: 10A Pulsed collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBT16N170A | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBT16N170AHV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268HV Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBT24N170 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBT2N250 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Gate charge: 10.6nC Turn-off time: 252ns Turn-on time: 310ns Power dissipation: 32W Collector current: 2A Pulsed collector current: 13A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 2.5kV Kind of package: tube Technology: BiMOSFET™ Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXBX75N170A | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 358nC Turn-on time: 65ns Turn-off time: 595ns Power dissipation: 1.04kW Collector current: 65A Pulsed collector current: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXCP10M45S | IXYS |
Category: Integrated circuits - othersDescription: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA Case: TO220AB Mounting: THT Operating voltage: 450V DC Kind of integrated circuit: current regulator Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXCY10M45S | IXYS |
Category: Integrated circuits - othersDescription: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA Case: TO252 Mounting: SMD Operating voltage: 450V DC Kind of integrated circuit: current regulator Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXCY10M90S | IXYS |
IXCY10M90S Integrated circuits - others |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXDD604D2TR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DFN8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD604PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD604SI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD604SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD609CI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Case: TO220-5 Mounting: THT Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -9...9A Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD609D2TR | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Supply voltage: 4.5...35V Case: DFN8 Kind of output: non-inverting Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -9...9A Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXDD609PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXDD609SI | IXYS |
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXDD609SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXDD609YI | IXYS |
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXDD614CI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IX2127G |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.71 грн |
| IX2127N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Output current: -500...250mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Supply voltage: 9...12V
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.86 грн |
| IX4310N |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of output: non-inverting
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...24V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of output: non-inverting
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...24V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.84 грн |
| 10+ | 76.41 грн |
| 25+ | 62.10 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
| 300+ | 40.95 грн |
| 500+ | 37.99 грн |
| 1000+ | 34.83 грн |
| IX4340N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.47 грн |
| 10+ | 70.15 грн |
| 50+ | 56.07 грн |
| 100+ | 51.48 грн |
| 300+ | 45.83 грн |
| IX4340NE |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.96 грн |
| 10+ | 66.67 грн |
| 25+ | 55.69 грн |
| 100+ | 45.55 грн |
| 300+ | 45.45 грн |
| IX4340UE |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.27 грн |
| 10+ | 83.47 грн |
| 25+ | 68.32 грн |
| 80+ | 56.45 грн |
| 240+ | 47.84 грн |
| 560+ | 47.27 грн |
| IX4426MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.68 грн |
| 10+ | 62.60 грн |
| 20+ | 59.33 грн |
| 25+ | 54.54 грн |
| 50+ | 53.58 грн |
| IX4426N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.96 грн |
| 10+ | 68.56 грн |
| 23+ | 50.71 грн |
| 61+ | 47.84 грн |
| IX4427MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.33 грн |
| 10+ | 85.16 грн |
| 25+ | 69.95 грн |
| 100+ | 56.26 грн |
| 250+ | 51.00 грн |
| IX4427N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.32 грн |
| 10+ | 53.36 грн |
| 25+ | 46.12 грн |
| 50+ | 46.02 грн |
| IX4427NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.56 грн |
| 10+ | 73.03 грн |
| 25+ | 61.81 грн |
| 50+ | 56.36 грн |
| 100+ | 51.67 грн |
| 250+ | 46.41 грн |
| 500+ | 45.45 грн |
| IX4428MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Kind of output: inverting; non-inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Kind of output: inverting; non-inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.28 грн |
| 10+ | 56.44 грн |
| 23+ | 50.62 грн |
| 50+ | 48.90 грн |
| 62+ | 47.84 грн |
| 100+ | 47.08 грн |
| 250+ | 46.02 грн |
| IX4428N |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4428N MOSFET/IGBT drivers
IX4428N MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.28 грн |
| 23+ | 50.62 грн |
| 62+ | 47.84 грн |
| IX9907N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Output current: 1.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Output current: 1.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.19 грн |
| IX9908N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Output current: 1.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Output current: 1.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.67 грн |
| 25+ | 44.02 грн |
| 100+ | 39.23 грн |
| 300+ | 36.36 грн |
| IX9915N |
![]() |
Виробник: IXYS
IX9915N Integrated circuits - others
IX9915N Integrated circuits - others
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.40 грн |
| 30+ | 39.23 грн |
| 81+ | 36.36 грн |
| IXA12IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.25 грн |
| 10+ | 328.90 грн |
| 30+ | 271.75 грн |
| 120+ | 239.22 грн |
| 510+ | 237.30 грн |
| IXA20PG1200DHGLB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 873.83 грн |
| 3+ | 739.29 грн |
| 10+ | 693.72 грн |
| IXA30RG1200DHGLB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 550.27 грн |
| IXA37IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 195W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 195W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2049.60 грн |
| 3+ | 1770.71 грн |
| 10+ | 1507.06 грн |
| 30+ | 1352.04 грн |
| IXA70I1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3218.14 грн |
| 3+ | 2790.21 грн |
| 10+ | 2584.48 грн |
| IXBA16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1890.90 грн |
| 2+ | 1724.00 грн |
| 50+ | 1607.53 грн |
| IXBF20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5323.38 грн |
| 3+ | 4695.06 грн |
| 10+ | 4353.72 грн |
| IXBH10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 875.90 грн |
| 30+ | 727.36 грн |
| IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7363.70 грн |
| 3+ | 6269.02 грн |
| 10+ | 5425.40 грн |
| 30+ | 5369.90 грн |
| IXBH16N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1173.70 грн |
| 5+ | 1039.37 грн |
| 10+ | 911.89 грн |
| 30+ | 747.31 грн |
| IXBH24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1857.93 грн |
| 2+ | 1694.20 грн |
| 10+ | 1569.25 грн |
| 30+ | 1568.29 грн |
| IXBK55N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8227.23 грн |
| 10+ | 7750.57 грн |
| IXBN42N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 313W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 313W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3134.67 грн |
| 10+ | 2974.03 грн |
| IXBN75N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8220.02 грн |
| 10+ | 7797.27 грн |
| IXBN75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5457.34 грн |
| 3+ | 4650.34 грн |
| 10+ | 4018.81 грн |
| IXBOD1-12R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-12R Thyristors - others
IXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5834.94 грн |
| IXBOD1-13R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-13R Thyristors - others
IXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5951.67 грн |
| IXBOD1-16RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-16RD Thyristors - others
IXBOD1-16RD Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6856.86 грн |
| IXBOD1-18R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18R Thyristors - others
IXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5834.94 грн |
| IXBOD1-18RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18RD Thyristors - others
IXBOD1-18RD Thyristors - others
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6024.39 грн |
| IXBOD1-21R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-21R Thyristors - others
IXBOD1-21R Thyristors - others
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5951.67 грн |
| IXBOD1-26RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-26RD Thyristors - others
IXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7949.60 грн |
| IXBOD1-36R |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10572.57 грн |
| 3+ | 8942.97 грн |
| 10+ | 7767.79 грн |
| 20+ | 7482.65 грн |
| IXBOD1-38R |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10479.83 грн |
| 3+ | 8942.97 грн |
| 10+ | 7750.57 грн |
| 20+ | 7463.51 грн |
| IXBT10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 761.51 грн |
| 2+ | 725.37 грн |
| 3+ | 635.36 грн |
| IXBT16N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1286.02 грн |
| 3+ | 1089.05 грн |
| 10+ | 941.55 грн |
| IXBT16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1269.53 грн |
| 3+ | 1089.05 грн |
| 10+ | 941.55 грн |
| IXBT24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1576.61 грн |
| 3+ | 1365.29 грн |
| 10+ | 1228.61 грн |
| 30+ | 1182.68 грн |
| IXBT2N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1697.18 грн |
| 3+ | 1484.53 грн |
| 10+ | 1368.31 грн |
| IXBX75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2443.23 грн |
| IXCP10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.01 грн |
| 10+ | 178.86 грн |
| 50+ | 164.58 грн |
| IXCY10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.98 грн |
| 10+ | 172.90 грн |
| 25+ | 146.40 грн |
| 70+ | 141.62 грн |
| IXCY10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCY10M90S Integrated circuits - others
IXCY10M90S Integrated circuits - others
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 470.92 грн |
| 5+ | 258.35 грн |
| 13+ | 244.00 грн |
| IXDD604D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.48 грн |
| 10+ | 104.33 грн |
| 25+ | 92.82 грн |
| 50+ | 90.90 грн |
| IXDD604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.42 грн |
| 10+ | 105.33 грн |
| 50+ | 91.86 грн |
| IXDD604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.25 грн |
| 10+ | 179.85 грн |
| IXDD604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.17 грн |
| 10+ | 117.25 грн |
| 25+ | 96.64 грн |
| 50+ | 87.07 грн |
| IXDD609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Case: TO220-5
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Case: TO220-5
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.77 грн |
| 7+ | 189.79 грн |
| 17+ | 173.19 грн |
| 100+ | 170.32 грн |
| 250+ | 166.49 грн |
| IXDD609D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Supply voltage: 4.5...35V
Case: DFN8
Kind of output: non-inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Supply voltage: 4.5...35V
Case: DFN8
Kind of output: non-inverting
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.48 грн |
| 10+ | 106.32 грн |
| 12+ | 96.64 грн |
| 25+ | 93.77 грн |
| 32+ | 91.86 грн |
| 50+ | 88.99 грн |
| 100+ | 88.03 грн |
| IXDD609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.36 грн |
| 10+ | 104.33 грн |
| 50+ | 89.94 грн |
| IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.13 грн |
| 7+ | 162.67 грн |
| 20+ | 154.05 грн |
| IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.96 грн |
| 10+ | 95.39 грн |
| 25+ | 88.03 грн |
| IXDD609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.74 грн |
| 6+ | 192.33 грн |
| 17+ | 181.80 грн |
| IXDD614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.66 грн |
| 10+ | 279.22 грн |























