Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 237 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK360N15T2 IXYS IXFK360N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.42 грн
3+329.75 грн
10+306.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3 IXYS IXFK400N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf IXFK40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1266.43 грн
3+1155.06 грн
500+1069.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50P IXFK44N50P IXYS IXFK44N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1405.53 грн
3+1280.81 грн
25+1185.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1413.26 грн
3+1300.37 грн
10+1209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1193.01 грн
3+1088.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85X IXYS IXFK50N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100X IXFK52N100X IXYS IXFK(X)52N100X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 260ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF IXFK64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS IXFK(X)64N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1101.24 грн
2+922.18 грн
4+839.59 грн
100+827.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1193.01 грн
3+1097.31 грн
10+1019.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf IXFK66N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1239.38 грн
2+872.82 грн
4+794.74 грн
25+789.36 грн
100+766.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1473.15 грн
3+1343.22 грн
25+1244.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1568.78 грн
2+1086.13 грн
3+988.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK80N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1410.08 грн
3+1333.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1183.35 грн
2+919.39 грн
4+836.90 грн
100+816.27 грн
1000+804.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFK90N60X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2 IXFK94N50P2 IXYS IXFx94N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1416.16 грн
3+1291.06 грн
25+1235.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50P IXFL100N50P IXYS IXFL100N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Case: ISOPLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 625W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFL132N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2399.54 грн
2+2188.09 грн
25+2070.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3906.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS IXFL38N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 520W
Gate charge: 0.35µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2439.15 грн
2+2224.42 грн
3+2141.14 грн
25+2104.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS IXFL44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1082.89 грн
3+1023.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf IXFL60N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1054.87 грн
3+967.83 грн
10+896.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 82A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 82A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P IXYS IXFN102N30P.pdf IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6228.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS IXFN120N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3454.42 грн
100+3256.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SK IXYS IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS IXFN140N20P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXYS description IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS IXFN150N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4244.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXYS IXFN160N30T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2316.95 грн
2+2191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30P IXFN170N30P IXYS IXFN170N30P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS IXFN170N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 270ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1933.93 грн
2+1763.33 грн
50+1697.12 грн
100+1632.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2220.83 грн
2+2025.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS IXFN200N10P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1336.94 грн
3+1244.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3343.33 грн
20+3100.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3 Transistor modules MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3028.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2
Виробник: IXYS
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.42 грн
3+329.75 грн
10+306.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3
Виробник: IXYS
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
IXFK420N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1266.43 грн
3+1155.06 грн
500+1069.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50P IXFK44N50P.pdf
IXFK44N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1405.53 грн
3+1280.81 грн
25+1185.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1413.26 грн
3+1300.37 грн
10+1209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1193.01 грн
3+1088.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85X
Виробник: IXYS
IXFK50N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Виробник: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100X IXFK(X)52N100X.pdf
IXFK52N100X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 260ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50P media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFK64N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK(X)64N60P.pdf
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1101.24 грн
2+922.18 грн
4+839.59 грн
100+827.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1193.01 грн
3+1097.31 грн
10+1019.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK66N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1239.38 грн
2+872.82 грн
4+794.74 грн
25+789.36 грн
100+766.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.15 грн
3+1343.22 грн
25+1244.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.78 грн
2+1086.13 грн
3+988.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK80N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1410.08 грн
3+1333.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFK88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.35 грн
2+919.39 грн
4+836.90 грн
100+816.27 грн
1000+804.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK90N60X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2 IXFx94N50P2.pdf
IXFK94N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1416.16 грн
3+1291.06 грн
25+1235.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFK98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50P IXFL100N50P.pdf
IXFL100N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Case: ISOPLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 625W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL132N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3.pdf
IXFL210N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2399.54 грн
2+2188.09 грн
25+2070.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3906.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P.pdf
IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 520W
Gate charge: 0.35µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2439.15 грн
2+2224.42 грн
3+2141.14 грн
25+2104.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXFL44N100P.pdf
IXFL44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1082.89 грн
3+1023.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXFL60N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1054.87 грн
3+967.83 грн
10+896.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3.pdf
IXFN100N50Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 82A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 82A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P IXFN102N30P.pdf
Виробник: IXYS
IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3.pdf
IXFN110N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6228.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2.pdf
IXFN120N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3454.42 грн
100+3256.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SK
Виробник: IXYS
IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS
IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P description IXFN140N20P.pdf
IXFN140N20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description
Виробник: IXYS
IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2.pdf
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4244.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T
Виробник: IXYS
IXFN160N30T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2316.95 грн
2+2191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30P IXFN170N30P.pdf
IXFN170N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2.pdf
IXFN170N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 270ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1933.93 грн
2+1763.33 грн
50+1697.12 грн
100+1632.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2220.83 грн
2+2025.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P description IXFN200N10P.pdf
IXFN200N10P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1336.94 грн
3+1244.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3343.33 грн
20+3100.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
IXFN210N30X3 Transistor modules MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3028.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]