| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA20PG1200DHGLB | IXYS | IXA20PG1200DHGLB IGBT modules |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 30A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Power dissipation: 147W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXA37IF1200HJ | IXYS |
IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBA16N170AHV | IXYS |
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBF20N300 | IXYS |
IXBF20N300 THT IGBT transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXBH10N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXBH10N300HV | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247HV Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Power dissipation: 180W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXBH16N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Gate charge: 72nC Turn-off time: 940ns Collector current: 16A Technology: BiMOSFET™; FRED Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 1.7kV Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXBH24N170 | IXYS |
IXBH24N170 THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBK55N300 | IXYS | IXBK55N300 THT IGBT transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBN42N170A | IXYS | IXBN42N170A IGBT modules |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBN75N170 | IXYS |
IXBN75N170 IGBT modules |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXBN75N170A | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 42A Case: SOT227B Application: for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 500W Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXBOD1-08 | IXYS |
IXBOD1-08 Thyristors - others |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-12R | IXYS |
IXBOD1-12R Thyristors - others |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-13R | IXYS |
IXBOD1-13R Thyristors - others |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-16RD | IXYS |
IXBOD1-16RD Thyristors - others |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-18R | IXYS |
IXBOD1-18R Thyristors - others |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-18RD | IXYS |
IXBOD1-18RD Thyristors - others |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-21R | IXYS |
IXBOD1-21R Thyristors - others |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-26RD | IXYS |
IXBOD1-26RD Thyristors - others |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-36R | IXYS |
IXBOD1-36R Thyristors - others |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBOD1-38R | IXYS |
IXBOD1-38R Thyristors - others |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBT10N170 | IXYS |
IXBT10N170 SMD IGBT transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXBT16N170A | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXBT16N170AHV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268HV Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXBT24N170 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXBT2N250 | IXYS |
IXBT2N250 SMD IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXBX75N170A | IXYS |
IXBX75N170A THT IGBT transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXCP10M90S | IXYS |
IXCP10M90S Integrated circuits - others |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXCY10M45S | IXYS |
IXCY10M45S Integrated circuits - others |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXCY10M90S | IXYS |
IXCY10M90S Integrated circuits - others |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD604D2TR | IXYS |
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD604PI | IXYS |
IXDD604PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD604SI | IXYS |
IXDD604SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD604SIA | IXYS |
IXDD604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 544 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609CI | IXYS |
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609D2TR | IXYS |
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609PI | IXYS |
IXDD609PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609SI | IXYS |
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609SIA | IXYS |
IXDD609SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD609YI | IXYS |
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD614CI | IXYS |
IXDD614CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXDD614PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXDD614SI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 140ns Turn-off time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXDD614YI | IXYS |
IXDD614YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDD630CI | IXYS |
IXDD630CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDF602PI | IXYS |
IXDF602PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDF602SIA | IXYS |
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDF604PI | IXYS |
IXDF604PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDF604SIA | IXYS |
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Technology: NPT Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXDI602PI | IXYS |
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI602SI | IXYS |
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI602SIA | IXYS |
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI604PI | IXYS |
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI604SIA | IXYS |
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI609CI | IXYS |
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 778 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI609SIA | IXYS |
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXDI609YI | IXYS |
IXDI609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IXA20PG1200DHGLB |
Виробник: IXYS
IXA20PG1200DHGLB IGBT modules
IXA20PG1200DHGLB IGBT modules
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1123.35 грн |
| 2+ | 788.24 грн |
| 5+ | 744.94 грн |
| IXA30RG1200DHGLB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 565.92 грн |
| IXA37IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors
IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1476.10 грн |
| 3+ | 1395.41 грн |
| IXBA16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1805.77 грн |
| 2+ | 1707.36 грн |
| IXBF20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
IXBF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4656.62 грн |
| IXBH10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 900.80 грн |
| 30+ | 748.04 грн |
| IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7573.10 грн |
| 3+ | 6447.28 грн |
| 10+ | 5579.68 грн |
| 30+ | 5548.19 грн |
| IXBH16N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1207.08 грн |
| 5+ | 1068.93 грн |
| 10+ | 937.82 грн |
| 30+ | 768.56 грн |
| IXBH24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBH24N170 THT IGBT transistors
IXBH24N170 THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1774.28 грн |
| 2+ | 1677.84 грн |
| IXBK55N300 |
Виробник: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
IXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7982.77 грн |
| IXBN42N170A |
Виробник: IXYS
IXBN42N170A IGBT modules
IXBN42N170A IGBT modules
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2993.54 грн |
| IXBN75N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBN75N170 IGBT modules
IXBN75N170 IGBT modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7849.92 грн |
| IXBN75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5612.53 грн |
| 3+ | 4782.58 грн |
| 10+ | 4133.09 грн |
| IXBOD1-08 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-08 Thyristors - others
IXBOD1-08 Thyristors - others
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1467.78 грн |
| 2+ | 1055.91 грн |
| 4+ | 997.85 грн |
| IXBOD1-12R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-12R Thyristors - others
IXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6000.86 грн |
| IXBOD1-13R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-13R Thyristors - others
IXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6119.93 грн |
| IXBOD1-16RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-16RD Thyristors - others
IXBOD1-16RD Thyristors - others
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7050.86 грн |
| IXBOD1-18R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18R Thyristors - others
IXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6000.86 грн |
| IXBOD1-18RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18RD Thyristors - others
IXBOD1-18RD Thyristors - others
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6195.70 грн |
| IXBOD1-21R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-21R Thyristors - others
IXBOD1-21R Thyristors - others
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6119.93 грн |
| IXBOD1-26RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-26RD Thyristors - others
IXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8226.82 грн |
| IXBOD1-36R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-36R Thyristors - others
IXBOD1-36R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8002.46 грн |
| IXBOD1-38R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-38R Thyristors - others
IXBOD1-38R Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7982.77 грн |
| IXBT10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 979.23 грн |
| 2+ | 718.37 грн |
| 5+ | 679.01 грн |
| IXBT16N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1322.59 грн |
| 3+ | 1120.02 грн |
| 10+ | 968.32 грн |
| IXBT16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1305.63 грн |
| 3+ | 1120.02 грн |
| 10+ | 968.32 грн |
| IXBT24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1621.44 грн |
| 3+ | 1404.12 грн |
| 10+ | 1263.55 грн |
| 30+ | 1216.31 грн |
| IXBT2N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT2N250 SMD IGBT transistors
IXBT2N250 SMD IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1884.49 грн |
| 2+ | 1781.17 грн |
| IXBX75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBX75N170A THT IGBT transistors
IXBX75N170A THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2594.01 грн |
| 2+ | 2452.30 грн |
| IXCP10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCP10M90S Integrated circuits - others
IXCP10M90S Integrated circuits - others
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 379.40 грн |
| 5+ | 265.70 грн |
| 13+ | 250.94 грн |
| IXCY10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCY10M45S Integrated circuits - others
IXCY10M45S Integrated circuits - others
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.18 грн |
| 8+ | 160.40 грн |
| 21+ | 151.55 грн |
| IXCY10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCY10M90S Integrated circuits - others
IXCY10M90S Integrated circuits - others
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.31 грн |
| 5+ | 265.70 грн |
| 13+ | 250.94 грн |
| IXDD604D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 12+ | 102.34 грн |
| 32+ | 97.42 грн |
| IXDD604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDD604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.62 грн |
| 12+ | 104.31 грн |
| 31+ | 98.41 грн |
| IXDD604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD604SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD604SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.84 грн |
| 6+ | 195.83 грн |
| 17+ | 185.01 грн |
| IXDD604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDD604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.22 грн |
| 12+ | 100.38 грн |
| 33+ | 94.47 грн |
| IXDD609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.07 грн |
| 7+ | 188.94 грн |
| 18+ | 178.12 грн |
| IXDD609D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 12+ | 100.38 грн |
| 33+ | 94.47 грн |
| IXDD609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609PI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.50 грн |
| 12+ | 101.36 грн |
| 32+ | 96.44 грн |
| IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.96 грн |
| 7+ | 167.29 грн |
| 20+ | 158.44 грн |
| IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.67 грн |
| 12+ | 99.39 грн |
| 33+ | 93.49 грн |
| IXDD609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 337.01 грн |
| 6+ | 199.77 грн |
| 17+ | 188.94 грн |
| IXDD614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.12 грн |
| 4+ | 306.05 грн |
| 11+ | 289.32 грн |
| 1000+ | 288.18 грн |
| IXDD614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.59 грн |
| 10+ | 148.18 грн |
| 25+ | 135.80 грн |
| IXDD614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.71 грн |
| 10+ | 240.15 грн |
| IXDD614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614YI MOSFET/IGBT drivers
IXDD614YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 662.35 грн |
| 4+ | 309.00 грн |
| 11+ | 292.27 грн |
| IXDD630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD630CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD630CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.05 грн |
| 2+ | 592.41 грн |
| 6+ | 559.94 грн |
| IXDF602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDF602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.32 грн |
| 16+ | 72.82 грн |
| 44+ | 68.88 грн |
| IXDF602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.61 грн |
| 18+ | 64.95 грн |
| 50+ | 61.01 грн |
| IXDF604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDF604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.58 грн |
| 13+ | 95.45 грн |
| 34+ | 89.55 грн |
| IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 12+ | 105.30 грн |
| 31+ | 99.39 грн |
| 100+ | 99.13 грн |
| IXDH20N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Technology: NPT
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Technology: NPT
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.65 грн |
| 3+ | 518.11 грн |
| 10+ | 440.86 грн |
| 30+ | 395.60 грн |
| IXDI602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.59 грн |
| 17+ | 70.85 грн |
| 46+ | 66.92 грн |
| 1000+ | 66.42 грн |
| IXDI602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.15 грн |
| 16+ | 75.77 грн |
| 43+ | 70.85 грн |
| IXDI602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.59 грн |
| 16+ | 72.82 грн |
| 44+ | 68.88 грн |
| IXDI604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.49 грн |
| 12+ | 102.34 грн |
| 32+ | 97.42 грн |
| IXDI604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.20 грн |
| 12+ | 102.34 грн |
| 32+ | 97.42 грн |
| IXDI609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.69 грн |
| 6+ | 214.53 грн |
| 15+ | 202.72 грн |
| 250+ | 202.34 грн |
| IXDI609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.16 грн |
| 12+ | 100.38 грн |
| 33+ | 94.47 грн |








