Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16536) > Сторінка 237 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA80N25X3 IXYS IXFx80N25X3.pdf IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+793.46 грн
3+521.49 грн
6+492.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.59 грн
10+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284EDE0DB0C5820&compId=IXFP(Q)8N85X_HV.pdf?ci_sign=a8e6404908a41fd6ea4d855574b806b2f1938c58 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+517.29 грн
3+447.15 грн
8+408.58 грн
10+401.88 грн
50+393.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+544.09 грн
3+524.36 грн
6+495.65 грн
50+494.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2308.24 грн
10+2192.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1432.42 грн
3+1353.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 279nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2654.48 грн
5+2257.60 грн
25+1952.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2308.24 грн
5+2043.96 грн
25+1813.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXFB60N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2272.18 грн
2+2071.79 грн
10+1952.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2888.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2276.30 грн
5+1967.45 грн
25+1866.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1024.28 грн
10+925.10 грн
30+820.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+610.04 грн
5+459.07 грн
10+426.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.82 грн
10+296.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+624.46 грн
5+516.70 грн
10+452.60 грн
20+405.71 грн
30+377.96 грн
120+376.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+544.09 грн
3+471.00 грн
10+446.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+837.77 грн
10+665.75 грн
30+521.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+754.30 грн
5+623.03 грн
10+501.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1015.01 грн
5+787.97 грн
10+703.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+890.32 грн
3+800.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1470.47 грн
2+1082.10 грн
3+985.57 грн
30+966.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECD690369AF8BF&compId=IXFH12N100P.pdf?ci_sign=8751df66a55edb8599692f6d06c233eb891e3c87 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+799.64 грн
3+575.33 грн
6+524.36 грн
30+504.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+788.31 грн
3+671.72 грн
10+580.81 грн
30+576.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+669.80 грн
3+581.29 грн
10+494.70 грн
30+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1030.47 грн
10+926.09 грн
30+819.07 грн
120+747.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1187.10 грн
2+959.73 грн
4+908.06 грн
30+906.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1006.76 грн
3+867.47 грн
10+738.70 грн
30+663.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+664.65 грн
30+520.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a IXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1227.65 грн
3+1160.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1298.39 грн
2+1040.11 грн
3+983.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.62 грн
10+323.93 грн
30+310.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+566.76 грн
10+403.43 грн
30+352.12 грн
120+310.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+871.77 грн
2+613.35 грн
6+579.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.62 грн
10+376.60 грн
30+335.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F07820&compId=IXFH22N60P.pdf?ci_sign=4f0fac1497510e424e4db9366eff4aa9b6962356 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+591.49 грн
3+503.79 грн
10+436.33 грн
30+429.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.11 грн
10+354.74 грн
30+313.85 грн
120+310.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+506.99 грн
5+399.45 грн
10+332.03 грн
30+314.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+874.86 грн
3+480.34 грн
7+454.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+757.39 грн
10+604.15 грн
30+473.65 грн
120+468.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+910.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+550.27 грн
10+438.21 грн
30+394.23 грн
120+383.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.70 грн
5+485.90 грн
10+421.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS IXFH26N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+734.72 грн
3+605.14 грн
5+511.92 грн
10+493.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.15 грн
5+455.10 грн
10+395.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 IXFH34N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+850.13 грн
10+675.69 грн
30+496.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 34A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 540W
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.91 грн
3+517.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.91 грн
10+457.08 грн
30+411.45 грн
120+392.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+696.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F63820&compId=IXFH40N50Q.pdf?ci_sign=3f4d61ef909d6e752c1d54406498f3c6045e4fe5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1777.55 грн
3+1521.30 грн
10+1313.77 грн
30+1178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS IXFK44N50P.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+981.00 грн
6+825.73 грн
10+690.85 грн
30+646.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+951.12 грн
10+866.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+810.98 грн
5+634.95 грн
10+558.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+578.09 грн
5+472.98 грн
30+376.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+937.72 грн
3+818.78 грн
10+728.17 грн
30+679.37 грн
120+643.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+728.54 грн
10+573.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A860C1049498BF&compId=IXF_60N50P3.pdf?ci_sign=e076b3a745c1d0793acafb7d1dc93009289b7b73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+798.61 грн
2+638.93 грн
5+614.30 грн
6+580.81 грн
30+560.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+901.66 грн
3+811.82 грн
10+667.89 грн
30+653.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFx80N25X3.pdf
Виробник: IXYS
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.46 грн
3+521.49 грн
6+492.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.59 грн
10+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284EDE0DB0C5820&compId=IXFP(Q)8N85X_HV.pdf?ci_sign=a8e6404908a41fd6ea4d855574b806b2f1938c58
IXFA8N85XHV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.29 грн
3+447.15 грн
8+408.58 грн
10+401.88 грн
50+393.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1
Виробник: IXYS
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.09 грн
3+524.36 грн
6+495.65 грн
50+494.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2308.24 грн
10+2192.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1432.42 грн
3+1353.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99
IXFB300N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 279nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2654.48 грн
5+2257.60 грн
25+1952.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 305nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2308.24 грн
5+2043.96 грн
25+1813.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0
IXFB60N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2272.18 грн
2+2071.79 грн
10+1952.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2888.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2
IXFB82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2276.30 грн
5+1967.45 грн
25+1866.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15
IXFB82N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH100N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.28 грн
10+925.10 грн
30+820.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.04 грн
5+459.07 грн
10+426.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.82 грн
10+296.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.46 грн
5+516.70 грн
10+452.60 грн
20+405.71 грн
30+377.96 грн
120+376.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78
IXFH110N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 85ns
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.09 грн
3+471.00 грн
10+446.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.77 грн
10+665.75 грн
30+521.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.30 грн
5+623.03 грн
10+501.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1015.01 грн
5+787.97 грн
10+703.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23
IXFH120N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.32 грн
3+800.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH120N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1470.47 грн
2+1082.10 грн
3+985.57 грн
30+966.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECD690369AF8BF&compId=IXFH12N100P.pdf?ci_sign=8751df66a55edb8599692f6d06c233eb891e3c87
IXFH12N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.64 грн
3+575.33 грн
6+524.36 грн
30+504.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569
IXFH130N15X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 80ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.31 грн
3+671.72 грн
10+580.81 грн
30+576.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.80 грн
3+581.29 грн
10+494.70 грн
30+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1030.47 грн
10+926.09 грн
30+819.07 грн
120+747.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1187.10 грн
2+959.73 грн
4+908.06 грн
30+906.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c
IXFH15N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.76 грн
3+867.47 грн
10+738.70 грн
30+663.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.65 грн
30+520.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a
Виробник: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.65 грн
3+1160.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.39 грн
2+1040.11 грн
3+983.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.62 грн
10+323.93 грн
30+310.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.76 грн
10+403.43 грн
30+352.12 грн
120+310.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.77 грн
2+613.35 грн
6+579.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.62 грн
10+376.60 грн
30+335.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F07820&compId=IXFH22N60P.pdf?ci_sign=4f0fac1497510e424e4db9366eff4aa9b6962356
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.49 грн
3+503.79 грн
10+436.33 грн
30+429.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.11 грн
10+354.74 грн
30+313.85 грн
120+310.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.99 грн
5+399.45 грн
10+332.03 грн
30+314.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.86 грн
3+480.34 грн
7+454.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa
IXFH230N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.39 грн
10+604.15 грн
30+473.65 грн
120+468.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.27 грн
10+438.21 грн
30+394.23 грн
120+383.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFH26N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.70 грн
5+485.90 грн
10+421.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P.pdf
IXFH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.72 грн
3+605.14 грн
5+511.92 грн
10+493.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.15 грн
5+455.10 грн
10+395.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499
IXFH34N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+850.13 грн
10+675.69 грн
30+496.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 34A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 540W
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.91 грн
3+517.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.91 грн
10+457.08 грн
30+411.45 грн
120+392.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFH36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F63820&compId=IXFH40N50Q.pdf?ci_sign=3f4d61ef909d6e752c1d54406498f3c6045e4fe5
IXFH40N50Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1777.55 грн
3+1521.30 грн
10+1313.77 грн
30+1178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P description IXFK44N50P.pdf
IXFH44N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.00 грн
6+825.73 грн
10+690.85 грн
30+646.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.12 грн
10+866.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+810.98 грн
5+634.95 грн
10+558.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.09 грн
5+472.98 грн
30+376.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d
IXFH52N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.72 грн
3+818.78 грн
10+728.17 грн
30+679.37 грн
120+643.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.54 грн
10+573.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A860C1049498BF&compId=IXF_60N50P3.pdf?ci_sign=e076b3a745c1d0793acafb7d1dc93009289b7b73
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.61 грн
2+638.93 грн
5+614.30 грн
6+580.81 грн
30+560.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d
IXFH6N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+901.66 грн
3+811.82 грн
10+667.89 грн
30+653.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]