Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXDI602SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXDI604PI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDI604SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXDI604SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDI604SIATR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXDI604SITR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI609CI | IXYS |
![]() |
на замовлення 796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDI609PI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI609SI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI609SIA | IXYS |
![]() |
на замовлення 901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDI609SIATR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI609SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXDI609YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -9...9A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXDI614CI | IXYS |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDI614PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 561 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDI614SI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI614YI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI630CI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDI630MCI | IXYS |
![]() |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXDI630MYI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -30...30A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 12.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: inverting Turn-off time: 135ns Turn-on time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDI630YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -30...30A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 12.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: inverting Turn-off time: 135ns Turn-on time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN602D2TR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Number of channels: 2 Output current: -2...2A Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Operating temperature: -40...125°C Turn-on time: 93ns Turn-off time: 93ns Kind of package: reel; tape Case: DFN8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN602PI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Number of channels: 2 Output current: -2...2A Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Operating temperature: -40...125°C Turn-on time: 93ns Turn-off time: 93ns Kind of package: tube Case: DIP8 Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Kind of integrated circuit: gate driver; low-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXDN602SI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXDN602SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Number of channels: 2 Output current: -2...2A Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Operating temperature: -40...125°C Turn-on time: 93ns Turn-off time: 93ns Kind of package: tube Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXDN602SIATR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDN602SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXDN604PI | IXYS |
![]() ![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN604SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN604SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN604SIATR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXDN604SITR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXDN609CI | IXYS |
![]() |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDN609PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXDN609SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -9...9A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 115ns Turn-off time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN609SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 115ns Turn-off time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN609YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -9...9A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 814 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN614CI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 140ns Turn-off time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN614PI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Case: DIP8 Mounting: THT Kind of package: tube Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Operating temperature: -40...125°C Output current: -14...14A Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN614SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SO8-EP Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXDN614SITR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 140ns Turn-off time: 130ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXDN614YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -14...14A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 168 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN630CI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -30...30A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 12.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 135ns Turn-off time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXDN630MCI | IXYS |
![]() |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXDN630MYI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 9÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -30...30A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 9...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 135ns Turn-on time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN630YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -30...30A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 12.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 135ns Turn-on time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXDN75N120 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Technology: NPT Collector current: 150A Power dissipation: 660W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 190A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXEL40N400 | IXYS | IXEL40N400 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXFA10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO263 On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFA10N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXFA110N15T2 | IXYS | IXFA110N15T2 SMD N channel transistors |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXFA12N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFA12N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 180W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18.5nC Reverse recovery time: 155ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFA130N10T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 360W Case: TO263 On-state resistance: 10.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFA130N15X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HiPerFET™; X3-Class Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Reverse recovery time: 80ns On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 390W Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFA14N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXFA14N85XHV | IXYS |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXFA16N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXFA16N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 330W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFA16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IXDI602SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.87 грн |
10+ | 110.73 грн |
12+ | 99.97 грн |
31+ | 94.25 грн |
100+ | 90.45 грн |
IXDI604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.00 грн |
10+ | 113.70 грн |
12+ | 99.97 грн |
25+ | 99.01 грн |
31+ | 94.25 грн |
100+ | 91.40 грн |
200+ | 90.45 грн |
IXDI604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.93 грн |
6+ | 204.69 грн |
15+ | 193.27 грн |
IXDI609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609PI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 173.27 грн |
12+ | 96.16 грн |
32+ | 91.40 грн |
IXDI609SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SIATR MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SIATR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI609SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 288.11 грн |
6+ | 213.55 грн |
10+ | 201.84 грн |
15+ | 194.22 грн |
25+ | 188.51 грн |
50+ | 186.60 грн |
IXDI614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 448.05 грн |
4+ | 314.18 грн |
10+ | 297.04 грн |
IXDI614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI614PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI614PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.54 грн |
8+ | 149.47 грн |
21+ | 141.86 грн |
1000+ | 141.38 грн |
IXDI614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI614SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI614SI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI614YI MOSFET/IGBT drivers
IXDI614YI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI630CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI630CI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI630MCI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
IXDI630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 759.74 грн |
2+ | 560.76 грн |
6+ | 530.30 грн |
IXDI630MYI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 938.14 грн |
3+ | 554.65 грн |
6+ | 504.59 грн |
50+ | 485.55 грн |
IXDI630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 853.04 грн |
2+ | 595.18 грн |
6+ | 541.72 грн |
250+ | 529.34 грн |
500+ | 520.78 грн |
IXDN602D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.45 грн |
10+ | 112.71 грн |
17+ | 69.50 грн |
45+ | 65.69 грн |
250+ | 63.79 грн |
500+ | 62.84 грн |
IXDN602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.86 грн |
10+ | 81.07 грн |
16+ | 70.45 грн |
44+ | 66.64 грн |
100+ | 64.74 грн |
IXDN602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDN602SI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.86 грн |
10+ | 77.12 грн |
17+ | 68.55 грн |
46+ | 64.74 грн |
100+ | 63.79 грн |
300+ | 62.84 грн |
IXDN602SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602SIATR MOSFET/IGBT drivers
IXDN602SIATR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN602SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN602SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDN602SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN604PI |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.87 грн |
10+ | 110.73 грн |
12+ | 99.01 грн |
32+ | 94.25 грн |
100+ | 90.45 грн |
IXDN604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.64 грн |
7+ | 175.00 грн |
19+ | 158.99 грн |
200+ | 156.14 грн |
300+ | 153.28 грн |
IXDN604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.49 грн |
10+ | 99.86 грн |
25+ | 94.25 грн |
IXDN604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 312.71 грн |
6+ | 202.79 грн |
16+ | 192.32 грн |
IXDN609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN609PI MOSFET/IGBT drivers
IXDN609PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.40 грн |
12+ | 96.16 грн |
32+ | 91.40 грн |
IXDN609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.94 грн |
8+ | 155.22 грн |
21+ | 141.86 грн |
100+ | 140.90 грн |
200+ | 136.14 грн |
IXDN609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.74 грн |
10+ | 106.78 грн |
12+ | 96.16 грн |
25+ | 95.21 грн |
32+ | 91.40 грн |
50+ | 90.45 грн |
100+ | 87.59 грн |
IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.53 грн |
7+ | 189.83 грн |
17+ | 172.32 грн |
100+ | 165.66 грн |
IXDN614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 390.64 грн |
4+ | 317.37 грн |
11+ | 288.47 грн |
50+ | 277.05 грн |
IXDN614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -14...14A
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -14...14A
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 292.21 грн |
9+ | 138.41 грн |
24+ | 125.67 грн |
100+ | 122.82 грн |
250+ | 120.91 грн |
IXDN614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 300.41 грн |
5+ | 256.07 грн |
10+ | 225.64 грн |
25+ | 223.73 грн |
IXDN614SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDN614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 561.86 грн |
4+ | 327.25 грн |
10+ | 297.99 грн |
50+ | 285.62 грн |
IXDN630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 772.05 грн |
2+ | 619.90 грн |
6+ | 563.62 грн |
25+ | 555.05 грн |
IXDN630MCI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
IXDN630MCI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 720.78 грн |
2+ | 572.19 грн |
6+ | 540.77 грн |
IXDN630MYI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 9÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 9÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 767.95 грн |
2+ | 619.90 грн |
6+ | 563.62 грн |
10+ | 558.86 грн |
25+ | 541.72 грн |
IXDN630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 737.19 грн |
2+ | 595.18 грн |
6+ | 541.72 грн |
25+ | 521.73 грн |
50+ | 520.78 грн |
IXDN75N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Technology: NPT
Collector current: 150A
Power dissipation: 660W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 190A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Technology: NPT
Collector current: 150A
Power dissipation: 660W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 190A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXEL40N400 |
Виробник: IXYS
IXEL40N400 THT IGBT transistors
IXEL40N400 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA10N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA10N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.81 грн |
3+ | 334.17 грн |
5+ | 242.78 грн |
10+ | 240.87 грн |
13+ | 229.45 грн |
50+ | 225.64 грн |
IXFA110N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
IXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 516.75 грн |
4+ | 326.56 грн |
10+ | 308.47 грн |
IXFA12N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.60 грн |
5+ | 232.34 грн |
14+ | 211.36 грн |
IXFA12N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA130N10T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA130N15X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA14N85XHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFA14N85XHV SMD N channel transistors
IXFA14N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.83 грн |
4+ | 348.45 грн |
9+ | 328.46 грн |
IXFA16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA16N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.10 грн |
3+ | 214.54 грн |
7+ | 159.95 грн |
20+ | 151.38 грн |
IXFA16N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.16 грн |