Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15414) > Сторінка 241 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CPC1025NTR CPC1025NTR IXYS CPC1025N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 30Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 1.5kV
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Case: SOP4
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UE IX4340UE IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.65 грн
10+55.30 грн
25+48.09 грн
80+41.46 грн
240+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NE IX4340NE IXYS IX4340.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+55.63 грн
25+48.25 грн
100+39.47 грн
300+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NETR IXYS IX4340NE?assetguid=B6D399FA-9C99-4C15-B6C0-B87CEC93F28F Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NTR IX4340NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4340-datasheet?assetguid=628db25e-f5aa-46f2-a8e9-89ea7f36cc00 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UETR IX4340UETR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4340-datasheet?assetguid=628db25e-f5aa-46f2-a8e9-89ea7f36cc00 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TUB MCB20P1200LB-TUB IXYS MCB20P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TRR IXYS MCB20P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T IXTQ50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C-DTE.pdf Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 580ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS IXXH75N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3 IXYS IXXH75N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS IXGN72N60C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Power dissipation: 360W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3 IXYS IXGH72N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1 IXYS IXGX72N60C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135S IXYS LIA135.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135STR IXYS LIA135.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5712U CPC5712U IXYS CPC5712.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOP16; -500÷500uA; 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOP16
Output current: -500...500µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.08 грн
10+111.10 грн
25+94.52 грн
100+76.28 грн
300+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12A DSEP60-12A IXYS DSEP60-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2; 330W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.81V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: HiPerFRED™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 330W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+634.85 грн
3+542.24 грн
5+502.45 грн
10+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AR DSEP60-12AR IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP60-12AR-Datasheet?assetguid=10cd7d84-2ee7-4c08-a9c7-b27e7f1dde17 description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 500A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: HiPerFRED™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 230W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB IXYS littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 60A; 80ns; D3PAK,TO268AA; Ifsm: 500A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 80ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D3PAK; TO268AA
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB DSA70C150HB IXYS DSA70C150HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 35Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.77V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 35A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 215W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.13 грн
5+381.39 грн
10+307.60 грн
50+294.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+836.65 грн
5+646.71 грн
10+568.78 грн
30+549.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+518.77 грн
10+368.13 грн
30+315.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.27 грн
5+315.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS IXTR48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+632.17 грн
3+522.35 грн
10+470.11 грн
30+438.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS IXTN90P20P.pdf Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS IXFA(P)4N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.73 грн
3+218.06 грн
10+192.36 грн
50+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150E1600NA DMA150E1600NA IXYS DMA150E1600NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.6kV; If: 150A; SOT227B; Ufmax: 1.05V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 150A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.05V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3kA
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2385.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150YA1600NA DMA150YA1600NA IXYS DMA150YA1600NA.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase half bridge; Urmax: 1.6kV; If: 150A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: common anode
Version: module
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase half bridge
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 150A
Max. forward impulse current: 0.8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2756.38 грн
3+2216.24 грн
10+2074.46 грн
30+1997.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110 LOC110 IXYS LOC110.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 3.75kV; DIP8
Case: DIP8
Kind of output: photodiode
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.51 грн
5+172.46 грн
10+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110S LOC110S IXYS LOC110.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; OUT: photodiode; 3.75kV
Kind of output: photodiode
Mounting: SMD
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.30 грн
10+218.89 грн
50+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135N CPC1135N IXYS CPC1135N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135NTR CPC1135NTR IXYS CPC1135N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-22MOF1 CS20-22MOF1 IXYS CS20-22moF1.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 18A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT; tube
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 250mA
Load current: 18A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2426.90 грн
3+2199.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA MEK300-06DA IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60X IXFP24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXDN602SIA IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.00 грн
10+69.65 грн
25+61.35 грн
50+56.38 грн
100+55.55 грн
300+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR IXDN602D2TR IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.51 грн
10+77.11 грн
25+65.50 грн
50+60.53 грн
100+54.72 грн
250+53.06 грн
500+51.41 грн
1000+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI IXDN602SI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR IXDN602SITR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108P IXYS LAA108.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.66 грн
25+244.59 грн
30+237.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712 IXYS LCA712.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Case: DIP6
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
On-state resistance: 0.5Ω
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+759.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA IXYS DPF240X200NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 240A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3174.25 грн
3+2626.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA240X200NA DSA240X200NA IXYS DSA240X200NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.87V
Load current: 120A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Max. load current: 240A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16io1 MCC312-16io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC312-16io1-Datasheet?assetguid=e89527f6-52af-4349-a7ba-66bfa2dd339a Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 320Ax2; Ifmax: 520A; Y1-CU
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A x2
Max. load current: 520A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 IXYS VVZ110_VVZ175.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Case: PWS-E
Leads: M6 screws
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 1.35kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R IXYS _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+914.33 грн
5+790.15 грн
10+729.62 грн
30+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+705.39 грн
5+537.27 грн
10+483.38 грн
50+407.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.73 грн
10+203.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N IXYS CPC1130N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.62 грн
10+258.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1025NTR CPC1025N.pdf
CPC1025NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.400VAC
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 30Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 1.5kV
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Case: SOP4
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UE IX4340.pdf
IX4340UE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.65 грн
10+55.30 грн
25+48.09 грн
80+41.46 грн
240+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NE IX4340.pdf
IX4340NE
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+55.63 грн
25+48.25 грн
100+39.47 грн
300+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NETR IX4340NE?assetguid=B6D399FA-9C99-4C15-B6C0-B87CEC93F28F
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4340-datasheet?assetguid=628db25e-f5aa-46f2-a8e9-89ea7f36cc00
IX4340NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4340UETR littelfuse-integrated-circuits-ix4340-datasheet?assetguid=628db25e-f5aa-46f2-a8e9-89ea7f36cc00
IX4340UETR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TUB MCB20P1200LB.pdf
MCB20P1200LB-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TRR MCB20P1200LB.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTQ50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C-DTE.pdf
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 580ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1.pdf
IXXH75N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3.pdf
IXXH75N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1.pdf
IXGN72N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Power dissipation: 360W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3.pdf
IXGH72N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1.pdf
IXGX72N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135S LIA135.pdf
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135STR LIA135.pdf
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5712U CPC5712.pdf
CPC5712U
Виробник: IXYS
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOP16; -500÷500uA; 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOP16
Output current: -500...500µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.08 грн
10+111.10 грн
25+94.52 грн
100+76.28 грн
300+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12A DSEP60-12A.pdf
DSEP60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 500A; TO247-2; 330W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.81V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: HiPerFRED™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 330W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+634.85 грн
3+542.24 грн
5+502.45 грн
10+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AR description Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP60-12AR-Datasheet?assetguid=10cd7d84-2ee7-4c08-a9c7-b27e7f1dde17
DSEP60-12AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 500A; ISOPLUS247™
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: single diode
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: HiPerFRED™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 230W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 60A; 80ns; D3PAK,TO268AA; Ifsm: 500A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Reverse recovery time: 80ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D3PAK; TO268AA
Max. forward voltage: 2.66V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Technology: FRED
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB DSA70C150HB.pdf
DSA70C150HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 35Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.77V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 35A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 215W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.13 грн
5+381.39 грн
10+307.60 грн
50+294.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+836.65 грн
5+646.71 грн
10+568.78 грн
30+549.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.77 грн
10+368.13 грн
30+315.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.27 грн
5+315.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P.pdf
IXTR48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.17 грн
3+522.35 грн
10+470.11 грн
30+438.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTH26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P.pdf
IXTN90P20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTT48P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFA(P)4N100P.pdf
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.73 грн
3+218.06 грн
10+192.36 грн
50+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150E1600NA DMA150E1600NA.pdf
DMA150E1600NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.6kV; If: 150A; SOT227B; Ufmax: 1.05V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 150A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.05V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3kA
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2385.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150YA1600NA DMA150YA1600NA.pdf
DMA150YA1600NA
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase half bridge; Urmax: 1.6kV; If: 150A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: common anode
Version: module
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase half bridge
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 150A
Max. forward impulse current: 0.8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2756.38 грн
3+2216.24 грн
10+2074.46 грн
30+1997.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110 LOC110.pdf
LOC110
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 3.75kV; DIP8
Case: DIP8
Kind of output: photodiode
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+212.51 грн
5+172.46 грн
10+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110S LOC110.pdf
LOC110S
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; OUT: photodiode; 3.75kV
Kind of output: photodiode
Mounting: SMD
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.30 грн
10+218.89 грн
50+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135N CPC1135N.pdf
CPC1135N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135NTR CPC1135N.pdf
CPC1135NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-22MOF1 CS20-22moF1.pdf
CS20-22MOF1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 18A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT; tube
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 250mA
Load current: 18A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2426.90 грн
3+2199.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf
MEK300-06DA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFP24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXD_602.pdf
IXDN602SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.00 грн
10+69.65 грн
25+61.35 грн
50+56.38 грн
100+55.55 грн
300+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR IXD_602.pdf
IXDN602D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.51 грн
10+77.11 грн
25+65.50 грн
50+60.53 грн
100+54.72 грн
250+53.06 грн
500+51.41 грн
1000+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI IXD_602.pdf
IXDN602SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
IXDN602SITR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108.pdf
LAA108P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
On-state resistance: 8Ω
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.66 грн
25+244.59 грн
30+237.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712.pdf
LCA712
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Case: DIP6
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
On-state resistance: 0.5Ω
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+759.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA.pdf
DPF240X200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 240A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3174.25 грн
3+2626.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA240X200NA DSA240X200NA.pdf
DSA240X200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.87V
Load current: 120A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Max. load current: 240A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2.pdf
IXFN520N075T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC312-16io1-Datasheet?assetguid=e89527f6-52af-4349-a7ba-66bfa2dd339a
MCC312-16io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 320Ax2; Ifmax: 520A; Y1-CU
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A x2
Max. load current: 520A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 VVZ110_VVZ175.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Case: PWS-E
Leads: M6 screws
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 1.35kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXYH100N65C3.pdf
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+914.33 грн
5+790.15 грн
10+729.62 грн
30+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXT_32P20T.pdf
IXTP32P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+705.39 грн
5+537.27 грн
10+483.38 грн
50+407.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTP32P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.73 грн
10+203.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C.pdf
IXKK85N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N.pdf
CPC1130N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.62 грн
10+258.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]