Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 241 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1161.72 грн
2+890.88 грн
4+842.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+768.80 грн
3+548.76 грн
6+518.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+539.87 грн
3+393.53 грн
9+371.78 грн
30+371.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+649.54 грн
3+545.80 грн
6+516.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1203.25 грн
2+756.40 грн
5+714.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK100N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1235.96 грн
3+1168.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk102n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK102N30P THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1567.42 грн
2+1016.45 грн
4+961.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXYS IXFK120N30T THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+437.64 грн
8+423.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXYS DS99557FIXFKFX140N30P.pdf IXFK140N30P THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1440.63 грн
3+1362.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXYS IXFK150N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1485.12 грн
3+1404.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1367.46 грн
3+1293.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFK210N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2315.69 грн
2+2190.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b IXFK220N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1298.25 грн
3+1228.05 грн
25+1225.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1778.79 грн
2+1681.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2313.71 грн
2+2187.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1049.92 грн
3+912.82 грн
10+777.17 грн
25+699.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1650.25 грн
2+1560.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2445.90 грн
3+2087.47 грн
10+1801.53 грн
25+1678.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A IXFK420N10T THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1294.29 грн
3+1224.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1651.54 грн
3+1510.41 грн
5+1387.24 грн
10+1307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1447.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1218.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1211.77 грн
2+1103.46 грн
3+1043.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1284.18 грн
5+1080.19 грн
10+946.25 грн
25+889.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1218.16 грн
3+1173.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1366.17 грн
10+1089.43 грн
25+870.11 грн
100+845.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1496.00 грн
3+1414.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1539.73 грн
10+1088.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2060.43 грн
10+1644.92 грн
25+1414.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1435.38 грн
2+973.93 грн
4+920.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFL210N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1145.75 грн
3+1106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2288.99 грн
2+2164.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL38N100P THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1185.53 грн
3+1121.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL44N100P THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1210.25 грн
3+1144.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1078.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+6601.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3673.64 грн
5+3324.76 грн
10+3152.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3129.52 грн
5+2593.68 грн
10+2413.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2253.17 грн
5+1914.97 грн
10+1799.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2295.76 грн
5+1898.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1473.72 грн
3+1380.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3491.56 грн
10+3086.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3469.20 грн
10+3171.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3759.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3205.12 грн
3+2729.22 грн
10+2475.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2606.69 грн
3+2224.04 грн
10+1922.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5669.12 грн
3+4824.91 грн
10+4176.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS IXFN26N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5846.95 грн
3+4978.92 грн
10+4307.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2162.66 грн
5+1776.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS IXFN40N110P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2454.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2215.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS IXFN420N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2435.25 грн
5+2074.12 грн
10+1993.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100P IXFN44N100P IXYS IXFN44N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3245.58 грн
10+3056.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5718.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2550.25 грн
3+2434.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+8320.53 грн
3+7093.09 грн
10+6134.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3424.47 грн
2+3275.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS IXFN66N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4253.97 грн
3+3623.56 грн
10+3132.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.82 грн
3+224.87 грн
10+191.82 грн
50+173.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+428.06 грн
50+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.72 грн
2+890.88 грн
4+842.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Виробник: IXYS
IXFH90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+768.80 грн
3+548.76 грн
6+518.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N15P 99208.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.87 грн
3+393.53 грн
9+371.78 грн
30+371.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.54 грн
3+545.80 грн
6+516.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1203.25 грн
2+756.40 грн
5+714.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1235.96 грн
3+1168.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk102n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK102N30P THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1567.42 грн
2+1016.45 грн
4+961.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T
Виробник: IXYS
IXFK120N30T THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.64 грн
8+423.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P DS99557FIXFKFX140N30P.pdf
Виробник: IXYS
IXFK140N30P THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1440.63 грн
3+1362.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
IXFK150N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1485.12 грн
3+1404.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
IXFK180N25T THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1367.46 грн
3+1293.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK210N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2315.69 грн
2+2190.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b
Виробник: IXYS
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.25 грн
3+1228.05 грн
25+1225.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1778.79 грн
2+1681.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2313.71 грн
2+2187.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1049.92 грн
3+912.82 грн
10+777.17 грн
25+699.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
IXFK250N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1650.25 грн
2+1560.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2445.90 грн
3+2087.47 грн
10+1801.53 грн
25+1678.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A
Виробник: IXYS
IXFK420N10T THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1294.29 грн
3+1224.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1651.54 грн
3+1510.41 грн
5+1387.24 грн
10+1307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1447.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Виробник: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.77 грн
2+1103.46 грн
3+1043.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1284.18 грн
5+1080.19 грн
10+946.25 грн
25+889.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.16 грн
3+1173.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1366.17 грн
10+1089.43 грн
25+870.11 грн
100+845.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1496.00 грн
3+1414.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1539.73 грн
10+1088.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2060.43 грн
10+1644.92 грн
25+1414.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1435.38 грн
2+973.93 грн
4+920.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL210N30P3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1145.75 грн
3+1106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2288.99 грн
2+2164.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL38N100P THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1185.53 грн
3+1121.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFL44N100P THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1210.25 грн
3+1144.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6601.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3.pdf
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3673.64 грн
5+3324.76 грн
10+3152.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3129.52 грн
5+2593.68 грн
10+2413.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2253.17 грн
5+1914.97 грн
10+1799.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2295.76 грн
5+1898.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.72 грн
3+1380.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3491.56 грн
10+3086.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3469.20 грн
10+3171.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3759.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3205.12 грн
3+2729.22 грн
10+2475.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2606.69 грн
3+2224.04 грн
10+1922.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5669.12 грн
3+4824.91 грн
10+4176.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120P IXFN26N120P.pdf
IXFN26N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5846.95 грн
3+4978.92 грн
10+4307.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2162.66 грн
5+1776.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P.pdf
IXFN40N110P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2454.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3.pdf
IXFN40N110Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2215.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T.pdf
IXFN420N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2435.25 грн
5+2074.12 грн
10+1993.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100P IXFN44N100P.pdf
IXFN44N100P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3245.58 грн
10+3056.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5718.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2550.25 грн
3+2434.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8320.53 грн
3+7093.09 грн
10+6134.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3424.47 грн
2+3275.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X.pdf
IXFN66N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4253.97 грн
3+3623.56 грн
10+3132.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.82 грн
3+224.87 грн
10+191.82 грн
50+173.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.06 грн
50+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]