Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16378) > Сторінка 241 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.21 грн
50+304.75 грн
100+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.77 грн
10+234.20 грн
50+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.24 грн
3+410.58 грн
10+340.65 грн
50+328.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.03 грн
3+164.63 грн
10+139.66 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.55 грн
3+247.92 грн
10+211.37 грн
50+196.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.88 грн
4+364.53 грн
9+332.15 грн
250+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+293.68 грн
10+116.07 грн
27+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+769.27 грн
3+510.50 грн
6+482.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.21 грн
10+337.09 грн
50+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.40 грн
10+238.12 грн
25+216.09 грн
50+206.65 грн
100+197.22 грн
250+184.95 грн
500+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+655.45 грн
3+502.70 грн
7+457.66 грн
100+440.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+345.51 грн
5+248.90 грн
13+226.47 грн
50+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.69 грн
10+126.41 грн
50+92.47 грн
100+83.04 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.36 грн
4+331.21 грн
10+312.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+416.64 грн
50+215.58 грн
100+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.53 грн
3+310.63 грн
6+202.88 грн
15+192.50 грн
100+185.89 грн
500+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.41 грн
10+251.84 грн
50+205.71 грн
100+199.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.47 грн
10+119.55 грн
50+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
50+133.27 грн
250+119.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.54 грн
10+275.36 грн
50+234.02 грн
100+220.81 грн
500+203.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.08 грн
4+293.97 грн
11+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.92 грн
10+151.89 грн
25+119.84 грн
50+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.24 грн
10+377.27 грн
25+299.13 грн
50+295.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+416.64 грн
5+233.07 грн
14+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+796.71 грн
3+567.37 грн
6+517.10 грн
50+508.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+683.91 грн
3+431.16 грн
8+393.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.11 грн
4+331.21 грн
10+312.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.11 грн
5+478.20 грн
10+415.19 грн
50+401.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.10 грн
10+204.80 грн
50+174.57 грн
100+164.19 грн
500+160.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.06 грн
7+184.01 грн
17+173.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13BD820&compId=IXTP8N70X2M.pdf?ci_sign=f02a8f3645fd7c3555e8531950070371617f6959 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.48 грн
3+187.16 грн
10+161.36 грн
30+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.12 грн
10+175.40 грн
50+138.71 грн
100+126.45 грн
500+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+538.59 грн
4+329.32 грн
10+311.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+707.28 грн
3+398.21 грн
8+376.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+822.11 грн
30+661.44 грн
120+613.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+853.61 грн
3+539.75 грн
6+510.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+578.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1034.50 грн
2+650.15 грн
5+615.24 грн
1020+614.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+759.11 грн
3+408.62 грн
8+372.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+470.50 грн
10+376.29 грн
30+333.10 грн
120+297.24 грн
270+276.48 грн
510+273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+518.27 грн
3+459.58 грн
10+384.05 грн
30+379.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+637.16 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
120+361.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+761.14 грн
3+659.48 грн
10+561.45 грн
30+507.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+919.67 грн
2+724.70 грн
5+685.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.57 грн
10+331.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+929.83 грн
3+808.43 грн
10+687.90 грн
30+618.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.60 грн
10+326.31 грн
30+281.20 грн
120+241.57 грн
270+236.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+593.46 грн
3+376.50 грн
9+356.69 грн
2010+355.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXTQ52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+616.84 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
120+368.01 грн
270+358.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+453.23 грн
10+326.31 грн
30+278.37 грн
120+234.02 грн
510+227.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+548.75 грн
4+358.58 грн
9+339.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTQ82N25P THT N channel transistors
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+781.46 грн
3+492.57 грн
7+465.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1097.50 грн
2+712.43 грн
5+673.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+719.47 грн
3+522.77 грн
6+494.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2790.50 грн
3+2380.21 грн
10+2077.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+507.09 грн
3+432.14 грн
10+373.67 грн
30+349.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1280.42 грн
2+922.86 грн
4+871.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+719.47 грн
3+542.87 грн
6+494.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+732.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1974.05 грн
2+1866.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.21 грн
50+304.75 грн
100+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.77 грн
10+234.20 грн
50+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.24 грн
3+410.58 грн
10+340.65 грн
50+328.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.03 грн
3+164.63 грн
10+139.66 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTP270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.55 грн
3+247.92 грн
10+211.37 грн
50+196.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Technology: Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.88 грн
4+364.53 грн
9+332.15 грн
250+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.68 грн
10+116.07 грн
27+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Виробник: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.27 грн
3+510.50 грн
6+482.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTP36P15P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.21 грн
10+337.09 грн
50+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.40 грн
10+238.12 грн
25+216.09 грн
50+206.65 грн
100+197.22 грн
250+184.95 грн
500+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.45 грн
3+502.70 грн
7+457.66 грн
100+440.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.51 грн
5+248.90 грн
13+226.47 грн
50+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTP44N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.69 грн
10+126.41 грн
50+92.47 грн
100+83.04 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.36 грн
4+331.21 грн
10+312.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.64 грн
50+215.58 грн
100+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6
IXTP48N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.53 грн
3+310.63 грн
6+202.88 грн
15+192.50 грн
100+185.89 грн
500+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.41 грн
10+251.84 грн
50+205.71 грн
100+199.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.47 грн
10+119.55 грн
50+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
50+133.27 грн
250+119.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.54 грн
10+275.36 грн
50+234.02 грн
100+220.81 грн
500+203.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.08 грн
4+293.97 грн
11+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.92 грн
10+151.89 грн
25+119.84 грн
50+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.24 грн
10+377.27 грн
25+299.13 грн
50+295.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.64 грн
5+233.07 грн
14+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.71 грн
3+567.37 грн
6+517.10 грн
50+508.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.91 грн
3+431.16 грн
8+393.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.11 грн
4+331.21 грн
10+312.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.11 грн
5+478.20 грн
10+415.19 грн
50+401.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.10 грн
10+204.80 грн
50+174.57 грн
100+164.19 грн
500+160.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.06 грн
7+184.01 грн
17+173.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13BD820&compId=IXTP8N70X2M.pdf?ci_sign=f02a8f3645fd7c3555e8531950070371617f6959
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.48 грн
3+187.16 грн
10+161.36 грн
30+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.12 грн
10+175.40 грн
50+138.71 грн
100+126.45 грн
500+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.59 грн
4+329.32 грн
10+311.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.28 грн
3+398.21 грн
8+376.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.11 грн
30+661.44 грн
120+613.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+853.61 грн
3+539.75 грн
6+510.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1034.50 грн
2+650.15 грн
5+615.24 грн
1020+614.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.11 грн
3+408.62 грн
8+372.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTQ22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.50 грн
10+376.29 грн
30+333.10 грн
120+297.24 грн
270+276.48 грн
510+273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTQ26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.27 грн
3+459.58 грн
10+384.05 грн
30+379.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.16 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
120+361.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.14 грн
3+659.48 грн
10+561.45 грн
30+507.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.67 грн
2+724.70 грн
5+685.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.57 грн
10+331.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.83 грн
3+808.43 грн
10+687.90 грн
30+618.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.60 грн
10+326.31 грн
30+281.20 грн
120+241.57 грн
270+236.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.46 грн
3+376.50 грн
9+356.69 грн
2010+355.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTQ52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.84 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
120+368.01 грн
270+358.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.23 грн
10+326.31 грн
30+278.37 грн
120+234.02 грн
510+227.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94
Виробник: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.75 грн
4+358.58 грн
9+339.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.46 грн
3+492.57 грн
7+465.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1097.50 грн
2+712.43 грн
5+673.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50P media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.47 грн
3+522.77 грн
6+494.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61
IXTR210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2790.50 грн
3+2380.21 грн
10+2077.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd
IXTR36P15P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.09 грн
3+432.14 грн
10+373.67 грн
30+349.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1280.42 грн
2+922.86 грн
4+871.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242
IXTR48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.47 грн
3+542.87 грн
6+494.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2
IXTR90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3
Виробник: IXYS
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1974.05 грн
2+1866.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]