| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP38N30X3M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Reverse recovery time: 90ns On-state resistance: 50mΩ Drain current: 38A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 34W Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFP4N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 419 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFP4N85X | IXYS |
IXFP4N85X THT N channel transistors |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFP50N20X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 240W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFP56N30X3 | IXYS | IXFP56N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFP56N30X3M | IXYS |
IXFP56N30X3M THT N channel transistors |
на замовлення 311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFP5N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.4nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFP60N25X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFP60N25X3M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Case: TO220FP On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 36W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFP6N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 92nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFP72N30X3 | IXYS |
IXFP72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFP76N15T2 | IXYS |
IXFP76N15T2 THT N channel transistors |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFP7N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFP80N25X3 | IXYS |
IXFP80N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFP8N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFP90N20X3 | IXYS |
IXFP90N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFQ140N20X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFQ60N25X3 | IXYS |
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFQ72N20X3 | IXYS |
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFQ72N30X3 | IXYS |
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFQ90N20X3 | IXYS | IXFQ90N20X3 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFR102N30P | IXYS |
IXFR102N30P THT N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFR15N100Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 10A Power dissipation: 400W Drain-source voltage: 1kV Kind of package: tube Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFR16N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Power dissipation: 230W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFR18N90P | IXYS | IXFR18N90P THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFR20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFR20N80P | IXYS |
IXFR20N80P THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFR230N20T | IXYS |
IXFR230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFR24N100Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFR24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFR26N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 197nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFR26N120P | IXYS |
IXFR26N120P THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFR30N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFR32N100Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 23A Power dissipation: 570W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: ISOPLUS247™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFR44N50Q | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 313W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFR80N50Q3 | IXYS |
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFT120N15P | IXYS | IXFT120N15P SMD N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFT120N25X3HV | IXYS |
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFT120N30X3HV | IXYS |
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFT140N10P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO268 On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFT150N30X3HV | IXYS | IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFT24N90P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFT50N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFT50N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFT60N65X2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 780W Technology: HiPerFET™; X2-Class Gate charge: 108nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFX20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFX220N17T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 170V Drain current: 220A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFX230N20T | IXYS |
IXFX230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFX27N80Q | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFX300N20X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 170ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFX360N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 525nC On-state resistance: 2.9mΩ Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Case: PLUS247™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFY30N25X3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO252 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 82ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFY36N20X3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Reverse recovery time: 75ns On-state resistance: 45mΩ Drain current: 36A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 176W Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Case: TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFY4N85X | IXYS |
IXFY4N85X SMD N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFY8N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGA20N120A3 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 180W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: tube Turn-off time: 1.53µs Turn-on time: 66ns Technology: GenX3™; PT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGA48N60A3 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGH20N120A3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IXFP38N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.86 грн |
| 10+ | 313.73 грн |
| IXFP4N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.45 грн |
| 3+ | 268.76 грн |
| 10+ | 228.30 грн |
| 50+ | 206.65 грн |
| IXFP4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
IXFP4N85X THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 485.37 грн |
| 6+ | 203.70 грн |
| 16+ | 192.88 грн |
| IXFP50N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 494.91 грн |
| 3+ | 430.23 грн |
| 10+ | 366.07 грн |
| 50+ | 323.76 грн |
| IXFP56N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 750.32 грн |
| 3+ | 497.94 грн |
| 7+ | 470.39 грн |
| IXFP56N30X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 763.03 грн |
| 3+ | 520.57 грн |
| 7+ | 492.03 грн |
| IXFP5N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.50 грн |
| 10+ | 259.57 грн |
| IXFP60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 699.45 грн |
| 3+ | 628.48 грн |
| 10+ | 535.33 грн |
| 50+ | 450.70 грн |
| IXFP60N25X3M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 633.74 грн |
| 3+ | 541.62 грн |
| 10+ | 423.15 грн |
| 50+ | 422.17 грн |
| IXFP6N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 768.33 грн |
| 3+ | 692.86 грн |
| 10+ | 586.51 грн |
| 25+ | 523.53 грн |
| 50+ | 505.81 грн |
| IXFP72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
IXFP72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 884.91 грн |
| 2+ | 599.30 грн |
| 6+ | 566.82 грн |
| IXFP76N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP76N15T2 THT N channel transistors
IXFP76N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 449.34 грн |
| 5+ | 272.59 грн |
| 12+ | 257.83 грн |
| IXFP7N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.69 грн |
| 50+ | 185.99 грн |
| 100+ | 160.40 грн |
| 500+ | 150.56 грн |
| IXFP80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 889.14 грн |
| 3+ | 522.54 грн |
| 7+ | 494.99 грн |
| IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.09 грн |
| 3+ | 198.25 грн |
| 10+ | 172.21 грн |
| 50+ | 169.26 грн |
| IXFP90N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
IXFP90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.52 грн |
| 8+ | 432.01 грн |
| IXFQ140N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 960.15 грн |
| 3+ | 820.60 грн |
| 10+ | 709.51 грн |
| 30+ | 704.59 грн |
| IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 490.67 грн |
| 10+ | 328.04 грн |
| 30+ | 288.33 грн |
| 120+ | 273.57 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 944.25 грн |
| 10+ | 753.15 грн |
| 30+ | 563.87 грн |
| IXFQ60N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 908.22 грн |
| 3+ | 520.57 грн |
| 7+ | 492.03 грн |
| IXFQ72N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 944.25 грн |
| 4+ | 320.81 грн |
| 10+ | 304.08 грн |
| IXFQ72N30X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 949.55 грн |
| 2+ | 654.41 грн |
| 5+ | 618.98 грн |
| IXFQ90N20X3 |
Виробник: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 946.37 грн |
| 2+ | 598.31 грн |
| 6+ | 564.86 грн |
| IXFR102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR102N30P THT N channel transistors
IXFR102N30P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1169.07 грн |
| 3+ | 1106.09 грн |
| IXFR15N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1623.56 грн |
| 10+ | 1348.93 грн |
| IXFR16N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 747.14 грн |
| IXFR18N90P |
Виробник: IXYS
IXFR18N90P THT N channel transistors
IXFR18N90P THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1462.48 грн |
| 2+ | 851.22 грн |
| 4+ | 803.98 грн |
| IXFR20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2704.53 грн |
| 3+ | 2338.15 грн |
| 10+ | 1991.76 грн |
| 30+ | 1794.94 грн |
| IXFR20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
IXFR20N80P THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1112.76 грн |
| 2+ | 648.50 грн |
| 5+ | 613.08 грн |
| IXFR230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
IXFR230N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1750.66 грн |
| 2+ | 1655.21 грн |
| IXFR24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3040.47 грн |
| 3+ | 2643.70 грн |
| 10+ | 2242.70 грн |
| 30+ | 2017.34 грн |
| IXFR24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1068.25 грн |
| 3+ | 923.81 грн |
| 10+ | 786.27 грн |
| 30+ | 706.56 грн |
| IXFR26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3823.64 грн |
| 3+ | 3318.17 грн |
| 10+ | 2823.30 грн |
| 30+ | 2536.93 грн |
| IXFR26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
IXFR26N120P THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2944.34 грн |
| IXFR30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1100.04 грн |
| 3+ | 962.65 грн |
| 10+ | 818.75 грн |
| 30+ | 735.10 грн |
| IXFR32N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4094.94 грн |
| 3+ | 3556.28 грн |
| 10+ | 3023.06 грн |
| 30+ | 2716.03 грн |
| IXFR44N50Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1809.02 грн |
| 3+ | 1627.92 грн |
| 10+ | 1460.36 грн |
| IXFR80N50Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2645.18 грн |
| 2+ | 2500.52 грн |
| 30+ | 2496.55 грн |
| IXFT120N15P |
Виробник: IXYS
IXFT120N15P SMD N channel transistors
IXFT120N15P SMD N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1056.59 грн |
| 2+ | 612.09 грн |
| 6+ | 578.63 грн |
| IXFT120N25X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1372.40 грн |
| 2+ | 844.33 грн |
| 4+ | 798.08 грн |
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1558.92 грн |
| 2+ | 1139.55 грн |
| 3+ | 1077.56 грн |
| IXFT140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.33 грн |
| IXFT150N30X3HV |
Виробник: IXYS
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1576.48 грн |
| 3+ | 1489.88 грн |
| IXFT24N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1102.16 грн |
| 3+ | 1005.57 грн |
| 10+ | 905.34 грн |
| 30+ | 904.36 грн |
| IXFT50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 890.20 грн |
| 30+ | 732.72 грн |
| IXFT50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1128.65 грн |
| 3+ | 980.02 грн |
| 10+ | 831.54 грн |
| 30+ | 746.91 грн |
| IXFT60N65X2HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 873.25 грн |
| IXFX20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2321.95 грн |
| 3+ | 1960.04 грн |
| 10+ | 1723.11 грн |
| 30+ | 1676.85 грн |
| IXFX220N17T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1100.04 грн |
| 3+ | 944.25 грн |
| 10+ | 843.35 грн |
| IXFX230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
IXFX230N20T THT N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1546.96 грн |
| 3+ | 1462.33 грн |
| IXFX27N80Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2032.63 грн |
| 3+ | 1762.81 грн |
| 10+ | 1584.35 грн |
| 30+ | 1552.86 грн |
| IXFX300N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2549.80 грн |
| 10+ | 2244.13 грн |
| IXFX360N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 525nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 525nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1054.47 грн |
| 3+ | 968.78 грн |
| 10+ | 807.92 грн |
| IXFY30N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.49 грн |
| 5+ | 354.61 грн |
| 25+ | 322.77 грн |
| IXFY36N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 392.11 грн |
| 10+ | 303.51 грн |
| 25+ | 247.99 грн |
| 70+ | 227.32 грн |
| IXFY4N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
IXFY4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.21 грн |
| 6+ | 198.78 грн |
| 17+ | 187.96 грн |
| IXFY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 25+ | 75.62 грн |
| IXGA20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 730.18 грн |
| 50+ | 392.42 грн |
| IXGA48N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.33 грн |
| 3+ | 373.00 грн |
| 10+ | 317.85 грн |
| 50+ | 288.33 грн |
| IXGH20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 790.59 грн |
| 30+ | 457.82 грн |
| 90+ | 392.64 грн |









