Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH96N15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH96N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH98N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFJ20N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFJ26N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: ISO247™ On-state resistance: 0.295Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 78A Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFJ80N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK100N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A Gate charge: 224nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 700W Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK120N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns Case: TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 100ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC On-state resistance: 24mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 700W Case: TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC On-state resistance: 27mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 265nC On-state resistance: 24mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 960W Case: TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK140N25T | IXYS | IXFK140N25T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK140N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 140A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 24mΩ Power dissipation: 1.04kW Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK150N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC On-state resistance: 19mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 300V Mounting: THT Power dissipation: 1.3kW Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK150N30X3 | IXYS | IXFK150N30X3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 Mounting: THT Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Gate charge: 376nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 19mΩ Kind of channel: enhancement Case: TO264 Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK170N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK170N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK170N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK170N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK180N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK180N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 180A Power dissipation: 1390W Case: TO264 On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 364nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK200N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 235nC On-state resistance: 7.5mΩ Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 830W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 193nC On-state resistance: 570mΩ Drain current: 20A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 780W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK220N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK220N17T2 | IXYS | IXFK220N17T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK220N20X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK230N20T | IXYS | IXFK230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK240N15T2 | IXYS | IXFK240N15T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK240N25X3 | IXYS | IXFK240N25X3 THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFK24N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK250N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK26N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns Case: TO264 Mounting: THT Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 390mΩ Drain current: 26A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 780W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK26N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 26A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 255nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK300N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264 Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HiPerFET™; X3-Class Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 170ns Gate charge: 375nC On-state resistance: 4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A Power dissipation: 1.25kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK320N17T2 | IXYS | IXFK320N17T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK32N100P | IXYS | IXFK32N100P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK32N100Q3 | IXYS | IXFK32N100Q3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK32N80P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK32N80Q3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFK32N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Polarisation: unipolar Gate charge: 215nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 32A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 900V Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK34N80 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 34A Power dissipation: 568W Case: TO264 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK360N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 525nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK360N15T2 | IXYS | IXFK360N15T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK36N60P | IXYS |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK400N15X3 | IXYS | IXFK400N15X3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK40N90P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK420N10T | IXYS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK44N80Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK48N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK50N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO264 On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 218ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFH96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 650.04 грн |
3+ | 410.34 грн |
8+ | 388.44 грн |
IXFH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 862.27 грн |
3+ | 526.49 грн |
6+ | 496.97 грн |
IXFH98N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1158.58 грн |
2+ | 728.32 грн |
5+ | 689.29 грн |
IXFJ26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK100N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1268.29 грн |
3+ | 1156.75 грн |
10+ | 1106.29 грн |
25+ | 1071.07 грн |
IXFK102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1433.36 грн |
2+ | 1018.34 грн |
4+ | 926.35 грн |
25+ | 909.22 грн |
100+ | 891.13 грн |
IXFK120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 418.32 грн |
IXFK120N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N25T |
Виробник: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
IXFK140N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 140A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 140A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1561.52 грн |
3+ | 1423.69 грн |
10+ | 1318.60 грн |
IXFK150N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1543.07 грн |
3+ | 1406.89 грн |
25+ | 1310.98 грн |
IXFK150N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK160N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Mounting: THT
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Mounting: THT
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1207.80 грн |
2+ | 868.06 грн |
4+ | 790.21 грн |
IXFK170N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N20P THT N channel transistors
IXFK170N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N20T THT N channel transistors
IXFK170N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
IXFK180N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK180N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1421.06 грн |
3+ | 1295.17 грн |
5+ | 1209.11 грн |
10+ | 1199.59 грн |
IXFK200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 830W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 830W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK210N30X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2403.29 грн |
2+ | 2190.91 грн |
25+ | 2039.31 грн |
IXFK220N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK220N15P THT N channel transistors
IXFK220N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK220N17T2 |
Виробник: IXYS
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK220N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1338.59 грн |
3+ | 1265.29 грн |
IXFK230N20T |
Виробник: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
IXFK230N20T THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1713.71 грн |
2+ | 1619.45 грн |
IXFK240N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFK240N15T2 THT N channel transistors
IXFK240N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK240N25X3 |
Виробник: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2228.77 грн |
2+ | 2106.91 грн |
IXFK24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1090.91 грн |
2+ | 756.34 грн |
5+ | 688.34 грн |
IXFK250N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1714.29 грн |
2+ | 1563.10 грн |
10+ | 1484.26 грн |
25+ | 1447.13 грн |
IXFK26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK27N80Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK300N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 170ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 170ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK320N17T2 |
Виробник: IXYS
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N100P |
Виробник: IXYS
IXFK32N100P THT N channel transistors
IXFK32N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N100Q3 |
Виробник: IXYS
IXFK32N100Q3 THT N channel transistors
IXFK32N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK32N80P THT N channel transistors
IXFK32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1876.51 грн |
2+ | 1773.69 грн |
IXFK32N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK34N80 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK360N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK360N15T2 |
Виробник: IXYS
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK36N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK36N60P THT N channel transistors
IXFK36N60P THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1086.81 грн |
2+ | 761.65 грн |
5+ | 719.76 грн |
IXFK400N15X3 |
Виробник: IXYS
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK40N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK40N90P THT N channel transistors
IXFK40N90P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK420N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK420N10T THT N channel transistors
IXFK420N10T THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1247.20 грн |
3+ | 1178.65 грн |
IXFK44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK44N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1491.80 грн |
3+ | 1359.43 грн |
10+ | 1258.62 грн |
IXFK44N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1378.00 грн |
IXFK48N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1266.24 грн |
3+ | 1154.77 грн |
IXFK48N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK50N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 218ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 218ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.