Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16536) > Сторінка 241 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.59 грн
35+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+596.64 грн
4+351.17 грн
9+332.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.06 грн
10+139.11 грн
50+110.04 грн
100+99.51 грн
250+85.16 грн
500+74.64 грн
1000+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+153.10 грн
50+138.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P IXTA52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+666.71 грн
3+415.35 грн
8+377.96 грн
50+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T IXTA60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+863.53 грн
3+563.59 грн
6+532.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.60 грн
3+482.92 грн
5+429.63 грн
10+377.00 грн
50+313.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.97 грн
10+150.04 грн
50+111.95 грн
250+92.82 грн
300+90.90 грн
500+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.43 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2781.59 грн
2+2629.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTH10P50P THT P channel transistors
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+755.33 грн
3+490.87 грн
7+464.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+778.00 грн
25+621.04 грн
30+589.43 грн
120+520.53 грн
270+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+945.97 грн
3+858.52 грн
10+700.42 грн
30+672.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+667.74 грн
10+519.69 грн
30+438.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P05T THT P channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+882.08 грн
2+588.47 грн
6+555.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1137.71 грн
3+1075.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+850.13 грн
30+548.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N450HV THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3034.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+749.15 грн
10+641.91 грн
30+571.25 грн
120+510.01 грн
270+472.69 грн
510+465.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+901.66 грн
2+670.76 грн
5+634.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1129.39 грн
2+849.69 грн
4+803.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.60 грн
3+311.02 грн
10+265.05 грн
30+238.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+857.35 грн
3+768.10 грн
10+615.26 грн
30+571.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+609.00 грн
3+528.63 грн
10+449.72 грн
30+403.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+539.96 грн
10+412.37 грн
30+310.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTH44P15T THT P channel transistors
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.03 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+764.61 грн
10+581.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+889.29 грн
5+726.37 грн
10+634.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+952.15 грн
10+783.01 грн
30+707.12 грн
120+648.75 грн
270+618.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+754.30 грн
3+469.01 грн
7+426.76 грн
120+414.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T IXYS DS100370AIXTHT68P20T.pdf IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1304.57 грн
2+1042.02 грн
3+985.57 грн
510+983.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTH6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+772.85 грн
3+457.38 грн
7+432.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.06 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+602.82 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTH80N075L2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+809.95 грн
3+534.88 грн
6+506.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS IXT_90P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+943.91 грн
5+740.28 грн
10+628.66 грн
30+585.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9 IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.44 грн
3+416.23 грн
8+393.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.45 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1232.44 грн
5+1077.13 грн
10+967.39 грн
25+919.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+929.48 грн
2+734.87 грн
5+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK180N15P-Datasheet.PDF?assetguid=ECFB4FE7-33F8-4AF9-93F9-31850A67F019 IXTK180N15P THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1402.46 грн
2+985.57 грн
4+931.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+996.46 грн
3+914.17 грн
5+877.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2149.55 грн
5+1937.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1507.57 грн
10+1334.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1651.84 грн
5+1361.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.25 грн
10+489.88 грн
25+377.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.16 грн
10+168.92 грн
50+132.05 грн
100+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.76 грн
3+160.97 грн
10+124.39 грн
50+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 4.6Ω
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.04 грн
10+185.81 грн
25+139.70 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.43 грн
10+131.16 грн
50+111.00 грн
100+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.28 грн
10+164.95 грн
50+120.56 грн
100+108.13 грн
500+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.11 грн
5+412.37 грн
10+359.78 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.28 грн
3+213.64 грн
10+161.71 грн
50+137.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.63 грн
50+394.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.62 грн
3+222.58 грн
10+189.46 грн
50+171.28 грн
250+168.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP12N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.52 грн
5+245.91 грн
13+232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+514.20 грн
3+446.15 грн
10+379.87 грн
50+340.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTP140P05T THT P channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+626.52 грн
3+435.37 грн
8+411.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.11 грн
10+333.87 грн
50+243.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Виробник: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.59 грн
35+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.64 грн
4+351.17 грн
9+332.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.06 грн
10+139.11 грн
50+110.04 грн
100+99.51 грн
250+85.16 грн
500+74.64 грн
1000+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA4N70X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.15 грн
3+180.85 грн
10+153.10 грн
50+138.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTA52P10P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.71 грн
3+415.35 грн
8+377.96 грн
50+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTA60N20T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.53 грн
3+563.59 грн
6+532.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTA76P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.60 грн
3+482.92 грн
5+429.63 грн
10+377.00 грн
50+313.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.97 грн
10+150.04 грн
50+111.95 грн
250+92.82 грн
300+90.90 грн
500+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Виробник: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.43 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2781.59 грн
2+2629.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Виробник: IXYS
IXTH10P50P THT P channel transistors
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.33 грн
3+490.87 грн
7+464.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40
IXTH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+778.00 грн
25+621.04 грн
30+589.43 грн
120+520.53 грн
270+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+945.97 грн
3+858.52 грн
10+700.42 грн
30+672.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.74 грн
10+519.69 грн
30+438.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH140P05T THT P channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.08 грн
2+588.47 грн
6+555.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1137.71 грн
3+1075.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+850.13 грн
30+548.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH1N450HV THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3034.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.15 грн
10+641.91 грн
30+571.25 грн
120+510.01 грн
270+472.69 грн
510+465.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Виробник: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+901.66 грн
2+670.76 грн
5+634.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4
Виробник: IXYS
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1129.39 грн
2+849.69 грн
4+803.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTH270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.60 грн
3+311.02 грн
10+265.05 грн
30+238.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.35 грн
3+768.10 грн
10+615.26 грн
30+571.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.00 грн
3+528.63 грн
10+449.72 грн
30+403.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b
IXTH3N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.96 грн
10+412.37 грн
30+310.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.03 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.61 грн
10+581.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.29 грн
5+726.37 грн
10+634.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+952.15 грн
10+783.01 грн
30+707.12 грн
120+648.75 грн
270+618.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTH52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.30 грн
3+469.01 грн
7+426.76 грн
120+414.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T DS100370AIXTHT68P20T.pdf
Виробник: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1304.57 грн
2+1042.02 грн
3+985.57 грн
510+983.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: IXYS
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.85 грн
3+457.38 грн
7+432.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Виробник: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.06 грн
4+344.47 грн
10+326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.82 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Виробник: IXYS
IXTH80N075L2 THT N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.95 грн
3+534.88 грн
6+506.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXT_90P10P.pdf
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+943.91 грн
5+740.28 грн
10+628.66 грн
30+585.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Виробник: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.44 грн
3+416.23 грн
8+393.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Виробник: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.45 грн
3+470.78 грн
7+444.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1232.44 грн
5+1077.13 грн
10+967.39 грн
25+919.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
IXTK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.48 грн
2+734.87 грн
5+694.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK180N15P-Datasheet.PDF?assetguid=ECFB4FE7-33F8-4AF9-93F9-31850A67F019
Виробник: IXYS
IXTK180N15P THT N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1402.46 грн
2+985.57 грн
4+931.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.46 грн
3+914.17 грн
5+877.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2149.55 грн
5+1937.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P.pdf
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1507.57 грн
10+1334.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1651.84 грн
5+1361.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.25 грн
10+489.88 грн
25+377.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.16 грн
10+168.92 грн
50+132.05 грн
100+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.76 грн
3+160.97 грн
10+124.39 грн
50+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 4.6Ω
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.04 грн
10+185.81 грн
25+139.70 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.43 грн
10+131.16 грн
50+111.00 грн
100+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.28 грн
10+164.95 грн
50+120.56 грн
100+108.13 грн
500+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.11 грн
5+412.37 грн
10+359.78 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.28 грн
3+213.64 грн
10+161.71 грн
50+137.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.63 грн
50+394.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.62 грн
3+222.58 грн
10+189.46 грн
50+171.28 грн
250+168.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP12N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.52 грн
5+245.91 грн
13+232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d
IXTP130N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.20 грн
3+446.15 грн
10+379.87 грн
50+340.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Виробник: IXYS
IXTP140P05T THT P channel transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.52 грн
3+435.37 грн
8+411.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.11 грн
10+333.87 грн
50+243.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]