Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15696) > Сторінка 241 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS IXXH75N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 750W
Gate charge: 107nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3 IXYS IXXH75N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS IXGN72N60C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3 IXYS IXGH72N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1 IXYS IXGX72N60C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135S IXYS LIA135.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135STR IXYS LIA135.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5712U CPC5712U IXYS CPC5712.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOP16; -500÷500uA; 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOP16
Output current: -500...500µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.28 грн
10+112.38 грн
25+95.61 грн
100+77.16 грн
300+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12A DSEP60-12A IXYS DSEP60-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 330W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.81V
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
Power dissipation: 330W
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AR DSEP60-12AR IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP60-12AR-Datasheet?assetguid=10cd7d84-2ee7-4c08-a9c7-b27e7f1dde17 description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; Ifsm: 500A; ISOPLUS247™; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.66V
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
Power dissipation: 230W
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TRL IXYS Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB IXYS littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 60A; 80ns; D3PAK,TO268AA; Ifsm: 500A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.66V
Reverse recovery time: 80ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB DSA70C150HB IXYS DSA70C150HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 35Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.77V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 35A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 215W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.47 грн
5+486.42 грн
10+444.48 грн
50+352.23 грн
100+324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1064.83 грн
5+833.62 грн
10+745.56 грн
30+636.53 грн
60+607.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.74 грн
10+372.36 грн
30+318.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS IXTR48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Drain current: -30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 93mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+639.44 грн
3+528.35 грн
10+475.51 грн
30+443.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS IXTN90P20P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS IXFA(P)4N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
3+220.56 грн
10+194.57 грн
50+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150YA1600NA DMA150YA1600NA IXYS DMA150YA1600NA.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase half bridge; Urmax: 1.6kV; If: 150A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: common anode
Version: module
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase half bridge
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 150A
Max. forward impulse current: 0.8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2788.06 грн
3+2241.71 грн
10+2098.30 грн
30+2020.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110 LOC110 IXYS LOC110.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 3.75kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: photodiode
Case: DIP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110S LOC110S IXYS LOC110.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; OUT: photodiode; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: photodiode
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.34 грн
10+221.40 грн
50+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135N CPC1135N IXYS CPC1135N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135NTR CPC1135NTR IXYS CPC1135N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-22MOF1 CS20-22MOF1 IXYS CS20-22moF1.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 18A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT; tube
Mounting: THT
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 18A
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3511.49 грн
3+3094.62 грн
5+2981.40 грн
10+2754.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA MEK300-06DA IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60X IXFP24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXDN602SIA IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.15 грн
10+70.45 грн
25+62.06 грн
50+57.03 грн
100+56.19 грн
300+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR IXDN602D2TR IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.09 грн
10+77.99 грн
25+66.25 грн
50+61.22 грн
100+55.35 грн
250+53.67 грн
500+52.00 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI IXDN602SI IXYS IXD_602.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR IXDN602SIATR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108P IXYS LAA108.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.33 грн
25+247.40 грн
30+240.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712 IXYS LCA712.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Case: DIP6
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
On-state resistance: 0.5Ω
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+768.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA IXYS DPF240X200NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 240A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3210.74 грн
3+2656.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA240X200NA DSA240X200NA IXYS DSA240X200NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.87V
Load current: 120A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Max. load current: 240A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16io1 MCC312-16io1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC312-16io1-Datasheet?assetguid=e89527f6-52af-4349-a7ba-66bfa2dd339a Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 320Ax2; Ifmax: 520A; Y1-CU
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A x2
Max. load current: 520A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 IXYS VVZ110_VVZ175.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Case: PWS-E
Leads: M6 screws
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 1.35kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R IXYS _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+924.84 грн
5+799.23 грн
10+738.01 грн
30+622.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+713.50 грн
5+543.44 грн
10+488.93 грн
50+411.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
10+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N IXYS CPC1130N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.20 грн
10+261.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXFH88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+859.81 грн
6+734.66 грн
10+709.50 грн
30+688.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS IXFK(X)150N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1488.41 грн
3+1251.26 грн
10+1147.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1066.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1621.17 грн
5+1387.13 грн
10+1283.97 грн
25+1124.63 грн
50+1112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1185.85 грн
10+939.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS IXFB170N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1538.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P IXYS IXTK140N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK140N25T IXYS IXFK(X)140N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYS IXYK140N120A4_DS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.5kW
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3 IXYK140N90C3 IXYS IXYK(X)140N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 1.63kW
Gate charge: 330nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 840A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 122ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+659.31 грн
3+550.15 грн
5+510.74 грн
10+452.87 грн
30+441.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1.pdf
IXXH75N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 750W
Gate charge: 107nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3.pdf
IXXH75N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1.pdf
IXGN72N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3.pdf
IXGH72N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1.pdf
IXGX72N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135S LIA135.pdf
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LIA135STR LIA135.pdf
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; OUT: isolation amplifier; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: isolation amplifier
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5712U CPC5712.pdf
CPC5712U
Виробник: IXYS
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOP16; -500÷500uA; 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOP16
Output current: -500...500µA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.28 грн
10+112.38 грн
25+95.61 грн
100+77.16 грн
300+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12A DSEP60-12A.pdf
DSEP60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; Ifsm: 500A; TO247-2; tube; 330W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.81V
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
Power dissipation: 330W
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AR description Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP60-12AR-Datasheet?assetguid=10cd7d84-2ee7-4c08-a9c7-b27e7f1dde17
DSEP60-12AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; Ifsm: 500A; ISOPLUS247™; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.66V
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
Power dissipation: 230W
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; D3PAK,TO268AA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 60A; 80ns; D3PAK,TO268AA; Ifsm: 500A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: D3PAK; TO268AA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.66V
Reverse recovery time: 80ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA70C150HB DSA70C150HB.pdf
DSA70C150HB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 35Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.77V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 35A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Power dissipation: 215W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.47 грн
5+486.42 грн
10+444.48 грн
50+352.23 грн
100+324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1064.83 грн
5+833.62 грн
10+745.56 грн
30+636.53 грн
60+607.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.74 грн
10+372.36 грн
30+318.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P.pdf
IXTR48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Drain current: -30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 93mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+639.44 грн
3+528.35 грн
10+475.51 грн
30+443.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTH26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a
IXTA26P20P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P.pdf
IXTN90P20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTT48P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFA(P)4N100P.pdf
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.72 грн
3+220.56 грн
10+194.57 грн
50+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMA150YA1600NA DMA150YA1600NA.pdf
DMA150YA1600NA
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase half bridge; Urmax: 1.6kV; If: 150A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: common anode
Version: module
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase half bridge
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 150A
Max. forward impulse current: 0.8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2788.06 грн
3+2241.71 грн
10+2098.30 грн
30+2020.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110 LOC110.pdf
LOC110
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 3.75kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: photodiode
Case: DIP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LOC110S LOC110.pdf
LOC110S
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; OUT: photodiode; 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: photodiode
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.34 грн
10+221.40 грн
50+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135N CPC1135N.pdf
CPC1135N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1135NTR CPC1135N.pdf
CPC1135NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-22MOF1 CS20-22moF1.pdf
CS20-22MOF1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 2.2kV; 18A; Igt: 250mA; ISOPLUS i4-pac™ x024c; THT; tube
Mounting: THT
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 18A
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3511.49 грн
3+3094.62 грн
5+2981.40 грн
10+2754.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf
MEK300-06DA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFP24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXD_602.pdf
IXDN602SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.15 грн
10+70.45 грн
25+62.06 грн
50+57.03 грн
100+56.19 грн
300+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602D2TR IXD_602.pdf
IXDN602D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.09 грн
10+77.99 грн
25+66.25 грн
50+61.22 грн
100+55.35 грн
250+53.67 грн
500+52.00 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SI IXD_602.pdf
IXDN602SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIATR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
IXDN602SIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SITR littelfuse-integrated-circuits-ixd-602-datasheet?assetguid=75d5db43-b768-4a16-b76f-c3313dc04096
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108.pdf
LAA108P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Case: DIP8
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.33 грн
25+247.40 грн
30+240.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712.pdf
LCA712
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Case: DIP6
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
On-state resistance: 0.5Ω
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+768.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA.pdf
DPF240X200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 240A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3210.74 грн
3+2656.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA240X200NA DSA240X200NA.pdf
DSA240X200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.87V
Load current: 120A x2
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Max. load current: 240A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2.pdf
IXFN520N075T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC312-16io1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC312-16io1-Datasheet?assetguid=e89527f6-52af-4349-a7ba-66bfa2dd339a
MCC312-16io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 320Ax2; Ifmax: 520A; Y1-CU
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 320A x2
Max. load current: 520A
Case: Y1-CU
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ110-12IO7 VVZ110_VVZ175.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 110A; PWS-E
Version: module
Case: PWS-E
Leads: M6 screws
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/200mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 1.35kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R _Katalog LF_IXYS_WESTCODE_2021.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXYH100N65C3.pdf
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+924.84 грн
5+799.23 грн
10+738.01 грн
30+622.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXT_32P20T.pdf
IXTP32P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+713.50 грн
5+543.44 грн
10+488.93 грн
50+411.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTP32P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.72 грн
10+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C.pdf
IXKK85N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1130N CPC1130N.pdf
CPC1130N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.20 грн
10+261.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFH88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+859.81 грн
6+734.66 грн
10+709.50 грн
30+688.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK(X)150N30P3.pdf
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1488.41 грн
3+1251.26 грн
10+1147.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFK88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1066.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf
IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1621.17 грн
5+1387.13 грн
10+1283.97 грн
25+1124.63 грн
50+1112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT120N30X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1185.85 грн
10+939.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P.pdf
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1538.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P-DTE.pdf
IXTK140N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK(X)140N25T.pdf
IXFK140N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4_DS.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.5kW
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3 IXYK(X)140N90C3.pdf
IXYK140N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 1.63kW
Gate charge: 330nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 840A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 122ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P.pdf
IXFH12N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+659.31 грн
3+550.15 грн
5+510.74 грн
10+452.87 грн
30+441.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]