Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBOD2-50R | IXYS | IXBOD2-50R Thyristors - others |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBOD2-56R | IXYS | IXBOD2-56R Thyristors - others |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBT10N170 | IXYS |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXBT12N300HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Gate charge: 62nC Turn-on time: 64ns Turn-off time: 180ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 98A Power dissipation: 160W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXBT16N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBT16N170AHV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268HV Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBT24N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Gate charge: 0.14µC Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBT2N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268 Case: TO268 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Turn-on time: 310ns Turn-off time: 252ns Power dissipation: 32W Collector current: 2A Pulsed collector current: 13A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 2.5kV Kind of package: tube Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXBT42N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBT42N170A | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBT42N300HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBT6N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBX25N250 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBX50N360HV | IXYS | IXBX50N360HV THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBX75N170 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBX75N170A | IXYS |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXCP10M45S | IXYS |
![]() Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA Mounting: THT Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Operating voltage: 450V DC Power dissipation: 40W Kind of integrated circuit: current regulator Case: TO220AB Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 508 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXCP10M90S | IXYS |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXCY10M45S | IXYS |
![]() Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA Mounting: SMD Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Operating voltage: 450V DC Power dissipation: 40W Kind of integrated circuit: current regulator Case: TO252 Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXCY10M90S | IXYS |
![]() Description: IC: driver; current regulator; TO252; 900VDC; 40W; 2÷100mA Mounting: SMD Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Operating voltage: 900V DC Power dissipation: 40W Kind of integrated circuit: current regulator Case: TO252 Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD604D2TR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DFN8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD604PI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD604SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD604SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD604SIATR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXDD604SITR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDD609CI | IXYS |
![]() |
на замовлення 879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD609D2TR | IXYS |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXDD609PI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Mounting: THT Case: DIP8 Supply voltage: 4.5...35V Number of channels: 1 Kind of output: non-inverting Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -9...9A Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXDD609SI | IXYS |
![]() |
на замовлення 839 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXDD609SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Kind of package: tube Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Operating temperature: -40...125°C Output current: -9...9A Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD609SIATR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 115ns Turn-off time: 105ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXDD609SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXDD609YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -9...9A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXDD614CI | IXYS |
![]() |
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD614PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD614SI | IXYS |
![]() |
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD614SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXDD614YI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Output current: -14...14A Case: TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDD630CI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -30...30A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 12.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 135ns Turn-off time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXDD630MCI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDD630MYI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDD630YI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF602D2TR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF602PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDF602SI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF602SIA | IXYS |
![]() |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDF602SIATR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF602SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF604PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 544 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDF604SI | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF604SIA | IXYS |
![]() |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDF604SIATR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDF604SITR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXDH20N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXDI602D2TR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXDI602PI | IXYS |
![]() |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDI602SI | IXYS |
![]() |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDI602SIA | IXYS |
![]() |
на замовлення 329 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDI602SIATR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXBOD2-50R |
Виробник: IXYS
IXBOD2-50R Thyristors - others
IXBOD2-50R Thyristors - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBOD2-56R |
Виробник: IXYS
IXBOD2-56R Thyristors - others
IXBOD2-56R Thyristors - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBT10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 947.37 грн |
2+ | 752.13 грн |
5+ | 711.19 грн |
IXBT12N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 300 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBT16N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1279.57 грн |
2+ | 1070.74 грн |
3+ | 973.96 грн |
10+ | 936.83 грн |
IXBT16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1263.16 грн |
2+ | 1070.74 грн |
3+ | 973.96 грн |
10+ | 936.83 грн |
IXBT24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1375.94 грн |
3+ | 1254.63 грн |
30+ | 1176.74 грн |
IXBT2N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1612.79 грн |
3+ | 1470.16 грн |
10+ | 1402.38 грн |
30+ | 1361.44 грн |
IXBT42N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT42N170 SMD IGBT transistors
IXBT42N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBT42N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT42N170A SMD IGBT transistors
IXBT42N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBT42N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT42N300HV SMD IGBT transistors
IXBT42N300HV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBT6N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT6N170 SMD IGBT transistors
IXBT6N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBX25N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBX25N250 THT IGBT transistors
IXBX25N250 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBX50N360HV |
Виробник: IXYS
IXBX50N360HV THT IGBT transistors
IXBX50N360HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBX75N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBX75N170 THT IGBT transistors
IXBX75N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBX75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBX75N170A THT IGBT transistors
IXBX75N170A THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4776.48 грн |
IXCP10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.42 грн |
7+ | 186.86 грн |
18+ | 170.42 грн |
50+ | 163.75 грн |
IXCP10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCP10M90S Integrated circuits - others
IXCP10M90S Integrated circuits - others
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.83 грн |
5+ | 235.16 грн |
14+ | 222.78 грн |
IXCY10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO252
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO252
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.10 грн |
8+ | 161.15 грн |
20+ | 146.62 грн |
70+ | 140.90 грн |
IXCY10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 900VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 900V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO252
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 900VDC; 40W; 2÷100mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Operating voltage: 900V DC
Power dissipation: 40W
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO252
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 444.98 грн |
5+ | 266.94 грн |
12+ | 243.73 грн |
1050+ | 234.21 грн |
IXDD604D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.00 грн |
10+ | 113.70 грн |
12+ | 99.01 грн |
31+ | 94.25 грн |
100+ | 91.40 грн |
250+ | 90.45 грн |
IXDD604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.87 грн |
10+ | 110.73 грн |
12+ | 100.92 грн |
31+ | 95.21 грн |
50+ | 94.25 грн |
100+ | 91.40 грн |
IXDD604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.63 грн |
7+ | 189.83 грн |
10+ | 181.84 грн |
17+ | 172.32 грн |
25+ | 171.37 грн |
50+ | 165.66 грн |
IXDD604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.47 грн |
10+ | 116.66 грн |
12+ | 96.16 грн |
33+ | 90.45 грн |
50+ | 86.64 грн |
IXDD604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 327.07 грн |
6+ | 197.08 грн |
16+ | 186.60 грн |
IXDD609D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 176.35 грн |
12+ | 96.16 грн |
32+ | 91.40 грн |
IXDD609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: THT
Case: DIP8
Supply voltage: 4.5...35V
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: THT
Case: DIP8
Supply voltage: 4.5...35V
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 154.82 грн |
10+ | 109.74 грн |
12+ | 97.11 грн |
32+ | 92.35 грн |
100+ | 87.59 грн |
IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.75 грн |
7+ | 161.85 грн |
19+ | 153.28 грн |
IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -9...9A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 158.92 грн |
10+ | 108.75 грн |
12+ | 97.11 грн |
32+ | 91.40 грн |
100+ | 90.45 грн |
200+ | 88.54 грн |
IXDD609SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD609SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -9...9A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.42 грн |
6+ | 198.72 грн |
17+ | 179.94 грн |
100+ | 175.18 грн |
250+ | 173.27 грн |
IXDD614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD614CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 510.60 грн |
4+ | 329.41 грн |
10+ | 311.32 грн |
IXDD614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614PI MOSFET/IGBT drivers
IXDD614PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.97 грн |
8+ | 143.76 грн |
22+ | 136.14 грн |
IXDD614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD614SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.14 грн |
5+ | 245.63 грн |
13+ | 232.30 грн |
IXDD614SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD614SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDD614SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -14...14A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 512.65 грн |
4+ | 307.48 грн |
11+ | 279.91 грн |
50+ | 269.43 грн |
IXDD630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 738.21 грн |
2+ | 595.18 грн |
6+ | 541.72 грн |
10+ | 536.96 грн |
25+ | 520.78 грн |
IXDD630MCI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD630MCI MOSFET/IGBT drivers
IXDD630MCI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD630MYI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD630MYI MOSFET/IGBT drivers
IXDD630MYI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDD630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD630YI MOSFET/IGBT drivers
IXDD630YI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF602D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDF602D2TR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDF602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 108.68 грн |
17+ | 67.60 грн |
46+ | 63.79 грн |
IXDF602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.52 грн |
17+ | 67.60 грн |
46+ | 63.79 грн |
IXDF602SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SIATR MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SIATR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF602SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604PI MOSFET/IGBT drivers
IXDF604PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.48 грн |
12+ | 99.01 грн |
31+ | 93.30 грн |
IXDF604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SI MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SI MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.48 грн |
12+ | 99.97 грн |
31+ | 95.21 грн |
1000+ | 94.91 грн |
IXDF604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SIATR MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SIATR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDF604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SITR MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SITR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDH20N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 610.05 грн |
3+ | 421.18 грн |
8+ | 383.68 грн |
IXDI602D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDI602D2TR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXDI602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602PI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.66 грн |
17+ | 67.60 грн |
46+ | 63.79 грн |
IXDI602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.17 грн |
10+ | 118.06 грн |
26+ | 112.34 грн |
IXDI602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.40 грн |
17+ | 67.60 грн |
46+ | 63.79 грн |
IXDI602SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SIATR MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SIATR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.