| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXA12IF1200HB | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 13A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-off time: 350ns Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Turn-on time: 110ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: SMPD-B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Electrical mounting: SMT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 30A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Power dissipation: 147W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXA37IF1200HJ | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 37A Power dissipation: 195W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Turn-off time: 350ns Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Turn-on time: 110ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXA70I1200NA | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 65A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mechanical mounting: screw Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Power dissipation: 350W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXBA16N170AHV | IXYS |
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXBF20N300 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Gate charge: 105nC Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Power dissipation: 150W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 34A Pulsed collector current: 130A Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBH10N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBH10N300HV | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247HV Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Power dissipation: 180W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBH16N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Gate charge: 72nC Turn-off time: 940ns Collector current: 16A Technology: BiMOSFET™; FRED Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 1.7kV Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXBH24N170 | IXYS |
IXBH24N170 THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBK55N300 | IXYS | IXBK55N300 THT IGBT transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBN42N170A | IXYS | IXBN42N170A IGBT modules |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBN75N170 | IXYS |
IXBN75N170 IGBT modules |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXBN75N170A | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 42A Case: SOT227B Application: for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 500W Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXBOD1-12R | IXYS |
IXBOD1-12R Thyristors - others |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-13R | IXYS |
IXBOD1-13R Thyristors - others |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-16RD | IXYS |
IXBOD1-16RD Thyristors - others |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-18R | IXYS |
IXBOD1-18R Thyristors - others |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-18RD | IXYS |
IXBOD1-18RD Thyristors - others |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-21R | IXYS |
IXBOD1-21R Thyristors - others |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXBOD1-26RD | IXYS |
IXBOD1-26RD Thyristors - others |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXBOD1-36R | IXYS |
Category: Thyristors - othersDescription: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV Type of thyristor: BOD x4 Mounting: THT Max. load current: 0.7A Case: BOD Breakover voltage: 3.6kV Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBOD1-38R | IXYS |
Category: Thyristors - othersDescription: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV Type of thyristor: BOD x4 Mounting: THT Max. load current: 0.7A Case: BOD Breakover voltage: 3.8kV Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXBT10N170 | IXYS |
IXBT10N170 SMD IGBT transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXBT16N170A | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBT16N170AHV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268HV Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Collector-emitter voltage: 1.7kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBT24N170 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXBT2N250 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Gate charge: 10.6nC Turn-off time: 252ns Turn-on time: 310ns Power dissipation: 32W Collector current: 2A Pulsed collector current: 13A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 2.5kV Kind of package: tube Technology: BiMOSFET™ Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXBX75N170A | IXYS |
IXBX75N170A THT IGBT transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXCP10M45S | IXYS |
Category: Integrated circuits - othersDescription: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA Case: TO220AB Mounting: THT Operating voltage: 450V DC Kind of integrated circuit: current regulator Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXCY10M45S | IXYS |
Category: Integrated circuits - othersDescription: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA Case: TO252 Mounting: SMD Operating voltage: 450V DC Kind of integrated circuit: current regulator Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -55...150°C Operating current: 2...100mA Power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXCY10M90S | IXYS |
IXCY10M90S Integrated circuits - others |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDD604D2TR | IXYS |
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDD604PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD604SI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD604SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDD609CI | IXYS |
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDD609D2TR | IXYS |
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDD609PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDD609SI | IXYS |
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDD609SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -9...9A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 105ns Turn-on time: 115ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDD609YI | IXYS |
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDD614CI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD614PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD614SI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8-EP Output current: -14...14A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 140ns Turn-off time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD614YI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO263-5 Output current: -14...14A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 130ns Turn-on time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDD630CI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: TO220-5 Output current: -30...30A Number of channels: 1 Supply voltage: 12.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-off time: 135ns Turn-on time: 135ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDF602PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting; non-inverting Turn-off time: 93ns Turn-on time: 93ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDF602SIA | IXYS |
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDF604PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting; non-inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDF604SIA | IXYS |
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDI602PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting Turn-off time: 93ns Turn-on time: 93ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDI602SI | IXYS |
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXDI602SIA | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting Turn-off time: 93ns Turn-on time: 93ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXDI604PI | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting Turn-off time: 79ns Turn-on time: 81ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXDI604SIA | IXYS |
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI609CI | IXYS |
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXDI609SIA | IXYS |
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IXA12IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 418.13 грн |
| 10+ | 331.98 грн |
| 30+ | 274.29 грн |
| 120+ | 241.46 грн |
| 510+ | 239.52 грн |
| IXA20PG1200DHGLB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 882.02 грн |
| 3+ | 746.21 грн |
| 10+ | 700.22 грн |
| IXA30RG1200DHGLB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 555.42 грн |
| IXA37IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 195W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 195W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2068.79 грн |
| 3+ | 1787.29 грн |
| 10+ | 1521.17 грн |
| 30+ | 1364.71 грн |
| IXA70I1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3248.29 грн |
| 3+ | 2816.34 грн |
| 10+ | 2608.69 грн |
| IXBA16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1772.29 грн |
| 2+ | 1675.70 грн |
| IXBF20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5373.25 грн |
| 3+ | 4739.04 грн |
| 10+ | 4394.50 грн |
| IXBH10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 884.10 грн |
| 30+ | 734.17 грн |
| IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7432.68 грн |
| 3+ | 6327.74 грн |
| 10+ | 5476.22 грн |
| 30+ | 5420.20 грн |
| IXBH16N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1184.69 грн |
| 5+ | 1049.11 грн |
| 10+ | 920.43 грн |
| 30+ | 754.31 грн |
| IXBH24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBH24N170 THT IGBT transistors
IXBH24N170 THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1741.38 грн |
| 2+ | 1646.73 грн |
| 30+ | 1643.87 грн |
| IXBK55N300 |
Виробник: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
IXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7835.73 грн |
| IXBN42N170A |
Виробник: IXYS
IXBN42N170A IGBT modules
IXBN42N170A IGBT modules
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2938.04 грн |
| IXBN75N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBN75N170 IGBT modules
IXBN75N170 IGBT modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7705.34 грн |
| IXBN75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5508.46 грн |
| 3+ | 4693.90 грн |
| 10+ | 4056.46 грн |
| IXBOD1-12R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-12R Thyristors - others
IXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5889.59 грн |
| IXBOD1-13R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-13R Thyristors - others
IXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6007.42 грн |
| IXBOD1-16RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-16RD Thyristors - others
IXBOD1-16RD Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6921.09 грн |
| IXBOD1-18R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18R Thyristors - others
IXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5889.59 грн |
| IXBOD1-18RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-18RD Thyristors - others
IXBOD1-18RD Thyristors - others
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6080.82 грн |
| IXBOD1-21R |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-21R Thyristors - others
IXBOD1-21R Thyristors - others
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6007.42 грн |
| IXBOD1-26RD |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBOD1-26RD Thyristors - others
IXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8024.06 грн |
| IXBOD1-36R |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10671.61 грн |
| 3+ | 9026.74 грн |
| 10+ | 7840.56 грн |
| 20+ | 7552.74 грн |
| IXBOD1-38R |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10578.00 грн |
| 3+ | 9026.74 грн |
| 10+ | 7823.17 грн |
| 20+ | 7533.42 грн |
| IXBT10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
IXBT10N170 SMD IGBT transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 768.65 грн |
| 2+ | 705.05 грн |
| 5+ | 666.42 грн |
| 30+ | 665.97 грн |
| IXBT16N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1298.07 грн |
| 3+ | 1099.26 грн |
| 10+ | 950.37 грн |
| IXBT16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1281.42 грн |
| 3+ | 1099.26 грн |
| 10+ | 950.37 грн |
| IXBT24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1591.38 грн |
| 3+ | 1378.08 грн |
| 10+ | 1240.12 грн |
| 30+ | 1193.76 грн |
| IXBT2N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1713.07 грн |
| 3+ | 1498.44 грн |
| 10+ | 1381.13 грн |
| IXBX75N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBX75N170A THT IGBT transistors
IXBX75N170A THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2529.49 грн |
| 2+ | 2391.38 грн |
| IXCP10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.23 грн |
| 10+ | 180.53 грн |
| 50+ | 166.12 грн |
| IXCY10M45S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO252; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Operating voltage: 450V DC
Kind of integrated circuit: current regulator
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -55...150°C
Operating current: 2...100mA
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.19 грн |
| 10+ | 174.52 грн |
| 25+ | 147.77 грн |
| 70+ | 142.94 грн |
| IXCY10M90S |
![]() |
Виробник: IXYS
IXCY10M90S Integrated circuits - others
IXCY10M90S Integrated circuits - others
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 475.33 грн |
| 5+ | 260.77 грн |
| 13+ | 246.28 грн |
| IXDD604D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDD604D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.22 грн |
| 12+ | 100.45 грн |
| 32+ | 95.62 грн |
| IXDD604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.82 грн |
| 10+ | 106.31 грн |
| 50+ | 92.72 грн |
| IXDD604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.55 грн |
| 10+ | 181.54 грн |
| IXDD604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.50 грн |
| 10+ | 118.35 грн |
| 25+ | 97.55 грн |
| 50+ | 87.89 грн |
| IXDD609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.23 грн |
| 7+ | 185.44 грн |
| 17+ | 174.81 грн |
| 1000+ | 174.52 грн |
| IXDD609D2TR |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
IXDD609D2TR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.22 грн |
| 12+ | 97.55 грн |
| 32+ | 92.72 грн |
| IXDD609PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.74 грн |
| 10+ | 105.31 грн |
| 50+ | 90.79 грн |
| IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.71 грн |
| 7+ | 164.19 грн |
| 20+ | 155.50 грн |
| IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 115ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.22 грн |
| 10+ | 96.29 грн |
| 25+ | 88.86 грн |
| IXDD609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
IXDD609YI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.19 грн |
| 6+ | 194.13 грн |
| 17+ | 183.51 грн |
| IXDD614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.04 грн |
| 10+ | 281.83 грн |
| IXDD614PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.78 грн |
| 10+ | 145.43 грн |
| 25+ | 133.28 грн |
| IXDD614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.56 грн |
| 10+ | 235.70 грн |
| IXDD614YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 520.06 грн |
| 10+ | 333.99 грн |
| 50+ | 274.29 грн |
| IXDD630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Supply voltage: 12.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 689.60 грн |
| 10+ | 548.62 грн |
| IXDF602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.62 грн |
| 10+ | 87.26 грн |
| 25+ | 71.47 грн |
| 50+ | 65.68 грн |
| IXDF602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF602SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.61 грн |
| 18+ | 63.74 грн |
| 50+ | 60.85 грн |
| 300+ | 60.18 грн |
| IXDF604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting; non-inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.70 грн |
| 10+ | 131.39 грн |
| 50+ | 110.10 грн |
| 100+ | 102.38 грн |
| 250+ | 91.75 грн |
| 500+ | 84.99 грн |
| IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDF604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.22 грн |
| 12+ | 102.38 грн |
| 31+ | 96.58 грн |
| IXDH20N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 585.59 грн |
| 3+ | 508.51 грн |
| 10+ | 432.69 грн |
| 30+ | 388.26 грн |
| IXDI602PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.02 грн |
| 10+ | 110.33 грн |
| 25+ | 90.79 грн |
| 50+ | 80.16 грн |
| 100+ | 72.44 грн |
| 250+ | 62.78 грн |
| IXDI602SI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
IXDI602SI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.90 грн |
| 16+ | 74.37 грн |
| 43+ | 69.54 грн |
| IXDI602SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 93ns
Turn-on time: 93ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.02 грн |
| 10+ | 110.33 грн |
| 25+ | 88.86 грн |
| 100+ | 69.54 грн |
| 300+ | 65.68 грн |
| IXDI604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 79ns
Turn-on time: 81ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.14 грн |
| 10+ | 102.30 грн |
| 50+ | 91.75 грн |
| IXDI604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI604SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.18 грн |
| 12+ | 100.45 грн |
| 32+ | 95.62 грн |
| IXDI609CI |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
IXDI609CI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.87 грн |
| 6+ | 208.62 грн |
| 15+ | 197.99 грн |
| 250+ | 196.58 грн |
| IXDI609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
IXDI609SIA MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.51 грн |
| 12+ | 97.55 грн |
| 32+ | 92.72 грн |


















