Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH78N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH7N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFH80N25X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH80N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH86N30T | IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFH90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFH90N65X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFH94N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH94N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Reverse recovery time: 155ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFH96N15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH96N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH98N60X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFJ20N85X | IXYS |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFJ26N50P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFJ80N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK100N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 183nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK120N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK120N25P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 265nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 220ns Gate charge: 240nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK140N25T | IXYS | IXFK140N25T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK140N30P | IXYS | IXFK140N30P THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFK150N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 197nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK150N30X3 | IXYS | IXFK150N30X3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK160N30T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK170N10P | IXYS |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK170N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK170N20T | IXYS | IXFK170N20T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK170N25X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK180N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK180N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264 Drain-source voltage: 250V Drain current: 180A On-state resistance: 12.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 364nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK200N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: TO264 On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK220N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXFK220N17T2 | IXYS | IXFK220N17T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK230N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: TO264 On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK240N15T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 460nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 140ns Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK240N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 240A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 345nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 177ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK24N100Q3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK250N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFK26N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK26N120P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK300N20X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFK320N17T2 | IXYS | IXFK320N17T2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK32N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK32N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK32N80P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXFK32N80Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264 Drain-source voltage: 800V Drain current: 32A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFK32N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXFK34N80 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 34A Power dissipation: 568W Case: TO264 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXFK360N10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFH78N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH78N60X3 THT N channel transistors
IXFH78N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
IXFH7N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 969.86 грн |
2+ | 589.33 грн |
5+ | 557.04 грн |
IXFH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1420.02 грн |
2+ | 897.00 грн |
4+ | 847.66 грн |
IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1286.71 грн |
2+ | 915.84 грн |
4+ | 866.50 грн |
IXFH86N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
IXFH86N30T THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 949.58 грн |
2+ | 614.44 грн |
5+ | 580.36 грн |
IXFH88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
IXFH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1221.02 грн |
2+ | 914.94 грн |
4+ | 864.71 грн |
IXFH90N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 595.06 грн |
3+ | 538.41 грн |
6+ | 489.76 грн |
120+ | 483.48 грн |
270+ | 470.92 грн |
IXFH90N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH94N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 991.12 грн |
2+ | 774.08 грн |
4+ | 705.04 грн |
510+ | 677.24 грн |
IXFH94N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 612.44 грн |
3+ | 386.61 грн |
8+ | 365.98 грн |
IXFH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 812.41 грн |
3+ | 496.04 грн |
6+ | 468.23 грн |
IXFH98N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ20N85X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
IXFJ20N85X THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1091.58 грн |
2+ | 686.20 грн |
5+ | 649.43 грн |
IXFJ26N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFJ80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK100N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1219.09 грн |
3+ | 1111.28 грн |
500+ | 1028.86 грн |
IXFK102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1350.47 грн |
2+ | 959.44 грн |
4+ | 872.78 грн |
25+ | 856.64 грн |
100+ | 839.59 грн |
IXFK120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK120N20P THT N channel transistors
IXFK120N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK120N25P THT N channel transistors
IXFK120N25P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK120N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.16 грн |
IXFK120N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N25T |
Виробник: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
IXFK140N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK140N30P |
Виробник: IXYS
IXFK140N30P THT N channel transistors
IXFK140N30P THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1348.19 грн |
3+ | 1274.64 грн |
IXFK150N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1453.83 грн |
3+ | 1325.52 грн |
100+ | 1227.10 грн |
IXFK150N30X3 |
Виробник: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK160N30T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK160N30T THT N channel transistors
IXFK160N30T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N10P THT N channel transistors
IXFK170N10P THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1197.84 грн |
2+ | 785.77 грн |
4+ | 743.61 грн |
IXFK170N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N20P THT N channel transistors
IXFK170N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N20T |
Виробник: IXYS
IXFK170N20T THT N channel transistors
IXFK170N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK170N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
IXFK180N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK180N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1337.91 грн |
3+ | 1220.26 грн |
IXFK200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK200N10P THT N channel transistors
IXFK200N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK20N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK210N30X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2264.30 грн |
2+ | 2064.20 грн |
25+ | 1959.94 грн |
IXFK220N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK220N15P THT N channel transistors
IXFK220N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK220N17T2 |
Виробник: IXYS
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK220N20X3 |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1355.30 грн |
3+ | 1236.10 грн |
25+ | 1167.00 грн |
IXFK230N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1740.73 грн |
2+ | 1587.28 грн |
IXFK240N15T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK240N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2264.30 грн |
2+ | 2064.20 грн |
IXFK24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK24N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1027.82 грн |
2+ | 712.60 грн |
5+ | 648.53 грн |
IXFK250N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1615.15 грн |
2+ | 1472.70 грн |
3+ | 1417.26 грн |
25+ | 1405.60 грн |
IXFK26N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK26N100P THT N channel transistors
IXFK26N100P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2491.87 грн |
2+ | 2355.52 грн |
IXFK26N120P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK26N120P THT N channel transistors
IXFK26N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK27N80Q |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK300N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK300N20X3 THT N channel transistors
IXFK300N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2146.52 грн |
2+ | 2029.01 грн |
IXFK320N17T2 |
Виробник: IXYS
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK32N80P THT N channel transistors
IXFK32N80P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK32N80Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1906.88 грн |
2+ | 1738.18 грн |
25+ | 1644.20 грн |
IXFK32N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK34N80 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFK360N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFK360N10T THT N channel transistors
IXFK360N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.