Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15409) > Сторінка 236 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTX24N100 IXTX24N100 IXYS IXTX24N100.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2021.52 грн
3+1658.24 грн
10+1485.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 940ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 220ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1245.59 грн
5+1051.32 грн
10+970.07 грн
30+834.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.70 грн
10+284.39 грн
30+255.37 грн
60+237.13 грн
120+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.20 грн
10+333.31 грн
25+281.07 грн
50+234.64 грн
100+226.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P IXTA50N20P IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS IXTP50N20PM-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T IXTA50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM30UC-TRL IXYS dsb15im30uc-datasheet?assetguid=8aadd54f-0b28-4f5d-803e-b6fbf3b94b15 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK,SC63; SMD; 30V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK; SC63
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X400NA DPF240X400NA IXYS DPF240X400NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A x2
Max. load current: 240A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 1.2kA
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2989.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 134A; 395W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 134A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5 IXYA60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5-TRL IXYA60N65A5-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRL IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n65c3-datasheet?assetguid=3b358faf-e927-45eb-bcf4-0c8e79ff0e79 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3 IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=1ada074a-a195-4f5e-bc03-b3cf3a2bd9e1&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65b3_datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 58A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 58A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N IXYS CPC1006N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018N CPC1018N IXYS cpc1018n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.6A
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.02 грн
50+239.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4 IXXP12N65B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06A DSEC16-06A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06A-Datasheet?assetguid=508d2251-0e5c-48cf-8629-cef1a4793aa5 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 50A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 30ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.65 грн
10+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06AC DSEC16-06AC IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06AC-Datasheet?assetguid=727180e8-2052-4708-a088-44156766e2f7 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 50A; ISOPLUS220™
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 30ns
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ISOPLUS220™
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-12AS-Datasheet?assetguid=1bffda27-af90-42db-9de4-c3ec94867535 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 40ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.94V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: common cathode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.94V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Technology: FRED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 MCD200-16IO1 IXYS MCD200-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 216A
Max. load current: 340A
Max. forward impulse current: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6403.86 грн
6+5604.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1466.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh110n65b4-datasheet?assetguid=1f9d7352-2fe8-4b5a-ba91-1f682cb30e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 250A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL IXYA50N65C3-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-12IO7 IXYS VHF25-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1229.52 грн
3+1007.38 грн
10+910.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1366.13 грн
3+1139.21 грн
10+1064.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110STR IXYS LBA110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1229.52 грн
5+979.19 грн
10+887.16 грн
25+796.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+722.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.94 грн
5+153.39 грн
25+135.15 грн
70+127.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25-12NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: FO-A
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1600.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS GBO25-12NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: GBFP
Kind of package: tube
Leads: flat pin
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+703.60 грн
5+603.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25-16AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2187.60 грн
5+1940.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1 IXYS GBO25-16NO1.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25-16NO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25-12AO2 IXYS VBO25_ser.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609PI IXDD609PI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+82.91 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.69 грн
10+163.34 грн
50+157.53 грн
100+147.58 грн
250+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609SI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.22 грн
10+138.46 грн
25+132.66 грн
100+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609YI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.80 грн
10+184.89 грн
50+162.51 грн
100+152.56 грн
250+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609D2TR IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.86 грн
10+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXDD609SITR IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190 IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+732.18 грн
10+590.33 грн
50+507.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190S IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+728.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR IXYS PLB190.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965Y IXYS CPC1965G.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 260V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+817.00 грн
10+698.95 грн
25+671.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y IXYS CPC1945Y.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Case: SIP4
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.34Ω
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+424.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201 IXYS PD1201.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP4
Mounting: THT
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1176.84 грн
10+893.79 грн
25+790.98 грн
100+669.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943G IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1055.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943GS IXYS CPC1943.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+835.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210S IXYS LCA210.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase; current source
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
On-state resistance: 35Ω
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Control current max.: 100mA
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+787.54 грн
50+479.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967J IXYS CPC1967.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Max. operating current: 1350mA
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 2.5kV
Case: i4-pac
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2161.71 грн
25+1933.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220 IXYS LCA220.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 100mA
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
Relay variant: 1-phase; current source
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXTX24N100.pdf
IXTX24N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXT_120P20T.pdf
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2021.52 грн
3+1658.24 грн
10+1485.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 940ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 220ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1245.59 грн
5+1051.32 грн
10+970.07 грн
30+834.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBH16N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTA50N20P-DTE.pdf
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+402.70 грн
10+284.39 грн
30+255.37 грн
60+237.13 грн
120+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+415.20 грн
10+333.31 грн
25+281.07 грн
50+234.64 грн
100+226.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P IXTA50N20P-DTE.pdf
IXTA50N20P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM-DTE.pdf
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTA50N25T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM30UC-TRL dsb15im30uc-datasheet?assetguid=8aadd54f-0b28-4f5d-803e-b6fbf3b94b15
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK,SC63; SMD; 30V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK; SC63
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X400NA DPF240X400NA.pdf
DPF240X400NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A x2
Max. load current: 240A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 1.2kA
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2989.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 134A; 395W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 134A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf
IXYA60N65A5
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5-TRL
IXYA60N65A5-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRL littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n65c3-datasheet?assetguid=3b358faf-e927-45eb-bcf4-0c8e79ff0e79
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3 media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=1ada074a-a195-4f5e-bc03-b3cf3a2bd9e1&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65b3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 58A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 58A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N CPC1006N.pdf
CPC1006N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 75mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018N cpc1018n.pdf
CPC1018N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 0.6A
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+350.02 грн
50+239.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4
IXXP12N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06A-Datasheet?assetguid=508d2251-0e5c-48cf-8629-cef1a4793aa5
DSEC16-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 50A; TO220AB; 60W
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 30ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.65 грн
10+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-06AC Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-06AC-Datasheet?assetguid=727180e8-2052-4708-a088-44156766e2f7
DSEC16-06AC
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 50A; ISOPLUS220™
Mounting: THT
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 30ns
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ISOPLUS220™
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC16-12AS-Datasheet?assetguid=1bffda27-af90-42db-9de4-c3ec94867535
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 40ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.94V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 40ns
Semiconductor structure: common cathode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.94V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Technology: FRED
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 MCD200-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCD200-16IO1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Threshold on-voltage: 0.8V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 216A
Max. load current: 340A
Max. forward impulse current: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6403.86 грн
6+5604.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK(X)100N65X2.pdf
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1466.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4 littelfuse-discrete-igbts-ixxh110n65b4-datasheet?assetguid=1f9d7352-2fe8-4b5a-ba91-1f682cb30e6f
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 250A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL
IXYA50N65C3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-12IO7 VHF25-ser.pdf
VHF25-12IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1229.52 грн
3+1007.38 грн
10+910.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBT24N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1366.13 грн
3+1139.21 грн
10+1064.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA110STR LBA110.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1229.52 грн
5+979.19 грн
10+887.16 грн
25+796.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+722.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.94 грн
5+153.39 грн
25+135.15 грн
70+127.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: FO-A
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1600.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: GBFP
Kind of package: tube
Leads: flat pin
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+703.60 грн
5+603.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2187.60 грн
5+1940.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-16NO1 GBO25-16NO1.pdf
GBO25-16NO1
Виробник: IXYS
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 25A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 370A
Version: flat
Case: GBFP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-16NO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-16NO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO25-12AO2 VBO25_ser.pdf
VBO25-12AO2
Виробник: IXYS
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 38A; Ifsm: 370A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 38A
Max. forward impulse current: 370A
Version: square
Case: FO-A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609PI IXDD609CI.pdf
IXDD609PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+82.91 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609CI IXDD609CI.pdf
IXDD609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.69 грн
10+163.34 грн
50+157.53 грн
100+147.58 грн
250+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SI IXDD609CI.pdf
IXDD609SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.22 грн
10+138.46 грн
25+132.66 грн
100+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609YI IXDD609CI.pdf
IXDD609YI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO263-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.80 грн
10+184.89 грн
50+162.51 грн
100+152.56 грн
250+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609CI.pdf
IXDD609D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.86 грн
10+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SITR IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
IXDD609SITR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190 PLB190.pdf
PLB190
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732.18 грн
10+590.33 грн
50+507.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190S PLB190.pdf
PLB190S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+728.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB190STR PLB190.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965Y CPC1965G.pdf
CPC1965Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 260V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+817.00 грн
10+698.95 грн
25+671.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y.pdf
CPC1945Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Case: SIP4
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.34Ω
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+424.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD1201 PD1201.pdf
PD1201
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
Case: DIP4
Mounting: THT
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1176.84 грн
10+893.79 грн
25+790.98 грн
100+669.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943G CPC1943.pdf
CPC1943G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1055.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1943GS CPC1943.pdf
CPC1943GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 500mA; max.400VAC; 1-phase
Case: DIP6
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: max. 400V AC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+835.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA210S LCA210.pdf
LCA210S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 85mA; max.350VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 85mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase; current source
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
On-state resistance: 35Ω
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 3ms
Control current max.: 100mA
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+787.54 грн
50+479.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1967J CPC1967.pdf
CPC1967J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1350mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Max. operating current: 1350mA
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Control current max.: 100mA
On-state resistance: 0.85Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 2.5kV
Case: i4-pac
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2161.71 грн
25+1933.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LCA220 LCA220.pdf
LCA220
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPDT; Icntrl max: 100mA; 120mA; max.250VAC
Case: DIP8
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPDT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 100mA
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 20Ω
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
Relay variant: 1-phase; current source
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]