Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16120) > Сторінка 236 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS IXTP05N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS IXTP05N100M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.05Ω
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 690W
Gate charge: 64nC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1076.00 грн
3+944.56 грн
10+908.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A IXYS DSEC16-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; Ifsm: 40A; TO220AB; tube; 60W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.94V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 8A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB DSEC16-12AS-TUB IXYS DSEC16-12AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 1.96V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.05 грн
50+112.49 грн
250+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1581.94 грн
2+1411.87 грн
3+1361.42 грн
5+1282.84 грн
10+1157.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1190.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+897.86 грн
3+747.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+647.56 грн
10+496.26 грн
30+372.20 грн
120+333.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80P IXFR44N80P IXYS IXFR44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK34N80 IXYS IXFK(X)34N80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3 IXFN44N80Q3 IXYS IXFN44N80Q3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+588.77 грн
5+344.90 грн
10+330.84 грн
30+312.65 грн
60+300.24 грн
120+287.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 37nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+401.72 грн
10+229.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS IXFP22N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.07 грн
10+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB IXYS CLA100E1200KB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO264
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 1.19kA
Gate current: 80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 100A
Max. load current: 160A
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+671.61 грн
3+587.25 грн
10+492.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972G IXYS CPC1972.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 800V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 250mA
Control current max.: 50mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.49 грн
7+138.13 грн
19+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+578.08 грн
4+271.29 грн
5+270.46 грн
10+256.40 грн
120+252.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+471.20 грн
4+261.37 грн
10+247.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.52 грн
3+390.39 грн
5+210.91 грн
13+199.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIA IXDD609SIA IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.39 грн
10+93.46 грн
25+85.19 грн
50+81.06 грн
100+78.58 грн
300+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIATR IXDD609SIATR IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+222.68 грн
3+185.27 грн
10+163.77 грн
50+148.05 грн
250+145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB IXYS CLA50E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.65kA
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+392.81 грн
5+341.60 грн
10+324.23 грн
16+309.34 грн
30+290.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC-TUB IXYS CLA50E1200TC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 555A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+605.70 грн
10+483.03 грн
30+424.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 555A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 PD2401 IXYS PD2401.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 500V AC
Mounting: THT
Case: DIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 100mA
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+824.82 грн
2+691.46 грн
4+653.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01A DSS16-01A IXYS DSS16-01A_AR.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.64V
Power dissipation: 105W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Max. load current: 35A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 230A
Max. forward voltage: 0.64V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1503.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3 IXFR80N60P3 IXYS IXFR80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS IXFN80N60P3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF CLA80E1200HF IXYS CLA80E1200HF.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 38mA; PLUS247™
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 765A
Gate current: 38mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 80A
Max. load current: 126A
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Type of thyristor: standard
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+640.44 грн
5+516.11 грн
10+481.38 грн
15+462.35 грн
20+453.25 грн
30+451.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS IXFH10N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+652.91 грн
5+507.02 грн
10+457.39 грн
30+387.09 грн
60+368.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1133.01 грн
2+698.08 грн
3+697.25 грн
4+660.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+844.41 грн
2+645.97 грн
5+610.40 грн
30+587.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS IXFK140N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS IXTK140N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 800W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS IXGH48N60A3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TRL DSS16-0045AS-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c16e9d10-00d5-476f-bb47-f1fb327bacda&filename=power_semiconductor_discrete_diode_dss16-0045as_datasheet.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 45V; 1.5A
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 1.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 710pF
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 280A
Max. forward voltage: 0.67V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS-TRL DSS16-01AS-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9F12DB7D-520A-411D-8CE4-ABD30D92F84D&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSS16-01AS-Datasheet Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 16A
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 334pF
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 230A
Max. forward voltage: 0.79V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS30I600HA IXYS dps30i600ha-datasheet?assetguid=e11641a9-a8f5-4f56-b8fe-15479daaffc3 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 450A; TO247-2; tube; 120ns
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.45kA
Technology: FRED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS IXFR24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1989.89 грн
10+1669.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS IXFN24N100-DTE.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXTX24N100 IXYS IXTX24N100.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1496.43 грн
2+1314.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1413.59 грн
2+842.82 грн
4+796.50 грн
60+792.37 грн
120+765.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFA5N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P.pdf
IXTP05N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTP05N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100M IXTP05N100M.pdf
IXTP05N100M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.05Ω
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 690W
Gate charge: 64nC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1076.00 грн
3+944.56 грн
10+908.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFT15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12A DSEC16-12A.pdf
DSEC16-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8Ax2; Ifsm: 40A; TO220AB; tube; 60W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.94V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 8A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC16-12AS-TUB DSEC16-12AS.pdf
DSEC16-12AS-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8Ax2; 40ns; D2PAK; Ufmax: 1.96V; 60W
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 1.96V
Power dissipation: 60W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.05 грн
50+112.49 грн
250+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1581.94 грн
2+1411.87 грн
3+1361.42 грн
5+1282.84 грн
10+1157.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1190.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N80P IXFR24N80P.pdf
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+897.86 грн
3+747.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTA4N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+647.56 грн
10+496.26 грн
30+372.20 грн
120+333.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFX34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80P IXFR44N80P.pdf
IXFR44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFX44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80 IXFK(X)34N80.pdf
IXFK34N80
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3 IXFN44N80Q3.pdf
IXFN44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFH22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+588.77 грн
5+344.90 грн
10+330.84 грн
30+312.65 грн
60+300.24 грн
120+287.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 37nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+401.72 грн
10+229.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M.pdf
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+358.07 грн
10+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB.pdf
CLA100E1200KB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO264
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 1.19kA
Gate current: 80mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 100A
Max. load current: 160A
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+671.61 грн
3+587.25 грн
10+492.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972G CPC1972.pdf
CPC1972G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 800V AC
Case: DIP6
Max. operating current: 250mA
Control current max.: 50mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.49 грн
7+138.13 грн
19+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+578.08 грн
4+271.29 грн
5+270.46 грн
10+256.40 грн
120+252.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.20 грн
4+261.37 грн
10+247.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.52 грн
3+390.39 грн
5+210.91 грн
13+199.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIA IXDD609CI.pdf
IXDD609SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.39 грн
10+93.46 грн
25+85.19 грн
50+81.06 грн
100+78.58 грн
300+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609SIATR IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
IXDD609SIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.68 грн
3+185.27 грн
10+163.77 грн
50+148.05 грн
250+145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200HB CLA50E1200HB.pdf
CLA50E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; TO247AD; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.65kA
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+392.81 грн
5+341.60 грн
10+324.23 грн
16+309.34 грн
30+290.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC.pdf
CLA50E1200TC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 555A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+605.70 грн
10+483.03 грн
30+424.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50/80mA; D3PAK; SMD
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50/80mA
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 555A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 PD2401.pdf
PD2401
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 500V AC
Mounting: THT
Case: DIP4
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 100mA
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+824.82 грн
2+691.46 грн
4+653.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01A DSS16-01A_AR.pdf
DSS16-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.64V
Power dissipation: 105W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Max. load current: 35A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 230A
Max. forward voltage: 0.64V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1503.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3 IXFR80N60P3.pdf
IXFR80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFX80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF CLA80E1200HF.pdf
CLA80E1200HF
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 38mA; PLUS247™
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 765A
Gate current: 38mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 80A
Max. load current: 126A
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Type of thyristor: standard
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+640.44 грн
5+516.11 грн
10+481.38 грн
15+462.35 грн
20+453.25 грн
30+451.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P.pdf
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+652.91 грн
5+507.02 грн
10+457.39 грн
30+387.09 грн
60+368.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 DS94535L(IXTH-T11P50).pdf
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1133.01 грн
2+698.08 грн
3+697.25 грн
4+660.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+844.41 грн
2+645.97 грн
5+610.40 грн
30+587.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20P IXFK140N20P.pdf
IXFK140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HV IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFT140N20X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20P IXTK140N20P-DTE.pdf
IXTK140N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 800W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1.pdf
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045AS-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=c16e9d10-00d5-476f-bb47-f1fb327bacda&filename=power_semiconductor_discrete_diode_dss16-0045as_datasheet.pdf
DSS16-0045AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 45V; 1.5A
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 1.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 710pF
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 280A
Max. forward voltage: 0.67V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=9F12DB7D-520A-411D-8CE4-ABD30D92F84D&filename=Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSS16-01AS-Datasheet
DSS16-01AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 16A
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 334pF
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 230A
Max. forward voltage: 0.79V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS30I600HA dps30i600ha-datasheet?assetguid=e11641a9-a8f5-4f56-b8fe-15479daaffc3
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 450A; TO247-2; tube; 120ns
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.45kA
Technology: FRED
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3.pdf
IXFR24N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1989.89 грн
10+1669.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 description IXFN24N100-DTE.pdf
IXFN24N100
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100 IXTX24N100.pdf
IXTX24N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXT_120P20T.pdf
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1496.43 грн
2+1314.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1413.59 грн
2+842.82 грн
4+796.50 грн
60+792.37 грн
120+765.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBH16N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.