Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16111) > Сторінка 269 з 269

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 260 264 265 266 267 268 269
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS IXTH260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Reverse recovery time: 78ns
Gate charge: 330nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance:
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.81 грн
5+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2 IXYS IXTN60N50L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 IXTK60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N50P3 IXFQ60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3 IXFT60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1977J CPC1977J IXYS CPC1977.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1250mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1.25A
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance:
Mounting: THT
Case: i4-pac
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR IXYS Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M45S IXCP10M45S IXYS IXCP10M90S.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Operating current: 2...100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.59 грн
10+560.10 грн
30+524.02 грн
120+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.20 грн
10+466.61 грн
50+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.87 грн
10+496.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3982TTR CPC3982TTR IXYS CPC3982.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 380Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.62 грн
13+32.15 грн
100+23.13 грн
500+18.21 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708CTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.39 грн
13+33.62 грн
100+28.70 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS CPC5603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+54.75 грн
11+39.69 грн
100+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703CTR IXYS CPC3703.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.18 грн
10+50.60 грн
50+38.38 грн
100+34.20 грн
250+29.44 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701CTR IXYS CPC3701.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
10+42.73 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602CTR IXYS CPC5602.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
10+45.68 грн
50+35.92 грн
100+32.56 грн
250+28.54 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902ZTR IXYS CPC3902.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.95 грн
10+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708ZTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+49.53 грн
100+38.38 грн
500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720CTR IXYS CPC3720.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.70 грн
13+33.13 грн
25+30.34 грн
100+26.73 грн
250+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730CTR IXYS CPC3730.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.47 грн
11+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS IXTA(P)3N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.54 грн
10+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.02 грн
10+646.21 грн
30+606.02 грн
120+556.00 грн
270+529.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.24 грн
3+600.28 грн
10+538.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS IXTQ470P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2.pdf
IXTH260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTH360N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Reverse recovery time: 78ns
Gate charge: 330nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXT_10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance:
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTH16P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf
IXTH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.81 грн
5+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2.pdf
IXTN60N50L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTK60N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFQ60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTX60N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFT60N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1977J CPC1977.pdf
CPC1977J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1250mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1.25A
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance:
Mounting: THT
Case: i4-pac
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M45S IXCP10M90S.pdf
IXCP10M45S
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Operating current: 2...100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.59 грн
10+560.10 грн
30+524.02 грн
120+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.20 грн
10+466.61 грн
50+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTA6N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.87 грн
10+496.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3982TTR CPC3982.pdf
CPC3982TTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 380Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.62 грн
13+32.15 грн
100+23.13 грн
500+18.21 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708.pdf
CPC3708CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.39 грн
13+33.62 грн
100+28.70 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.75 грн
11+39.69 грн
100+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703.pdf
CPC3703CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.18 грн
10+50.60 грн
50+38.38 грн
100+34.20 грн
250+29.44 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701.pdf
CPC3701CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+42.73 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602.pdf
CPC5602CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+45.68 грн
50+35.92 грн
100+32.56 грн
250+28.54 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902.pdf
CPC3902ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.95 грн
10+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708.pdf
CPC3708ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
10+49.53 грн
100+38.38 грн
500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720.pdf
CPC3720CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.70 грн
13+33.13 грн
25+30.34 грн
100+26.73 грн
250+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730.pdf
CPC3730CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.47 грн
11+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTA(P)3N50D2.pdf
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
10+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.02 грн
10+646.21 грн
30+606.02 грн
120+556.00 грн
270+529.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.24 грн
3+600.28 грн
10+538.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2.pdf
IXTQ470P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 260 264 265 266 267 268 269