Продукція > DXT

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 3817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.23 грн
11+	36.73 грн
100+	20.73 грн
500+	15.13 грн
1000+	14.17 грн
2500+	12.49 грн
5000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	63.30 грн
23+	39.33 грн
100+	25.05 грн
500+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 6282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.55 грн
11+	32.85 грн
100+	21.19 грн
500+	15.15 грн
1000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT223
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 3A
Current gain: 5...40
Collector-emitter voltage: 450V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 4MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.24 грн
5000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.05 грн
500+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-7

Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.90 грн
10+	50.26 грн
100+	33.54 грн
500+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 6298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.57 грн
10+	52.74 грн
100+	34.26 грн
500+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

DXT2010P5-13 NPN SMD transistors

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	78.77 грн
56+	21.41 грн
153+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 211147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.12 грн
10+	49.69 грн
100+	32.43 грн
500+	23.45 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	63.21 грн
18+	51.90 грн
100+	38.25 грн
500+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.10 грн
10000+	17.04 грн
15000+	16.36 грн
25000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	21.53 грн
1000+	17.77 грн
2500+	17.69 грн
5000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.25 грн
500+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 25282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	44.02 грн
100+	28.73 грн
500+	20.78 грн
1000+	18.79 грн
2000+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

на замовлення 12246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	21.61 грн
1000+	17.77 грн
5000+	15.85 грн
10000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.92 грн
10000+	15.10 грн
15000+	14.49 грн
25000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.39 грн
10000+	19.12 грн
15000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.34 грн
10+	54.40 грн
100+	31.06 грн
500+	24.01 грн
1000+	19.85 грн
5000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

на замовлення 28036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	54.86 грн
100+	35.95 грн
500+	26.10 грн
1000+	23.64 грн
2000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	58.27 грн
19+	49.30 грн
100+	32.06 грн
500+	24.26 грн
1000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.06 грн
500+	24.26 грн
1000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A

на замовлення 5822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	22.01 грн
1000+	19.69 грн
2500+	18.09 грн
5000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 5164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.12 грн
10+	49.69 грн
100+	32.43 грн
500+	23.45 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 204295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.12 грн
10+	49.69 грн
100+	32.43 грн
500+	23.45 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	21.61 грн
1000+	17.77 грн
5000+	15.85 грн
10000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.98 грн
500+	24.01 грн
1000+	17.09 грн
5000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.10 грн
10000+	17.04 грн
15000+	16.36 грн
25000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	58.54 грн
18+	50.19 грн
100+	30.98 грн
500+	24.01 грн
1000+	17.09 грн
5000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 206689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	51.94 грн
100+	33.98 грн
500+	24.62 грн
1000+	22.27 грн
2000+	20.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.11 грн
10000+	17.96 грн
15000+	17.24 грн
25000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A

на замовлення 5185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	51.55 грн
100+	29.30 грн
500+	22.65 грн
1000+	18.65 грн
2500+	18.57 грн
5000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 58469 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
15+	23.01 грн
100+	14.61 грн
500+	10.30 грн
1000+	9.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.11 грн
500+	9.84 грн
1000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 27782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.74 грн
15+	25.22 грн
100+	14.01 грн
500+	10.57 грн
1000+	9.45 грн
2500+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.86 грн
5000+	7.74 грн
7500+	7.34 грн
12500+	6.47 грн
17500+	6.22 грн
25000+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 415000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	34.48 грн
35+	26.40 грн
100+	13.11 грн
500+	9.84 грн
1000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 2500pcs.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo

на замовлення 3241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.03 грн
13+	29.73 грн
100+	16.49 грн
500+	12.57 грн
1000+	11.05 грн
2500+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.01 грн
100+	17.28 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.28 грн
24+	31.26 грн
27+	27.40 грн
50+	24.68 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 23738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.01 грн
100+	17.28 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	37.26 грн
30+	30.35 грн
100+	20.65 грн
500+	14.42 грн
1000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.61 грн
5000+	9.30 грн
7500+	8.84 грн
12500+	7.80 грн
17500+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 2919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.81 грн
13+	29.82 грн
100+	14.33 грн
1000+	9.61 грн
2500+	9.04 грн
10000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.65 грн
500+	14.42 грн
1000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo

на замовлення 12184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.03 грн
19+	20.25 грн
100+	13.05 грн
500+	10.97 грн
1000+	10.25 грн
2500+	7.28 грн
5000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 175442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
12+	29.77 грн
100+	19.04 грн
500+	13.51 грн
1000+	12.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.70 грн
5000+	10.26 грн
7500+	9.74 грн
12500+	8.60 грн
17500+	8.28 грн
25000+	7.97 грн
62500+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.37 грн
23+	40.68 грн
100+	26.31 грн
500+	18.59 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 388585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	56.28 грн
10+	33.60 грн
100+	21.69 грн
500+	15.52 грн
1000+	13.96 грн
2000+	12.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.58 грн
12+	33.41 грн
100+	21.53 грн
500+	16.73 грн
1000+	12.25 грн
5000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 385000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.42 грн
10000+	11.02 грн
15000+	10.54 грн
25000+	9.39 грн
35000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 425000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.31 грн
500+	18.59 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT5401

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 87083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.55 грн
11+	32.35 грн
100+	20.80 грн
500+	14.82 грн
1000+	13.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Bipolar Transistors - BJT 1W -150V

на замовлення 4150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.63 грн
12+	33.32 грн
100+	18.65 грн
500+	14.17 грн
1000+	12.73 грн
2500+	11.05 грн
5000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.90 грн
5000+	11.33 грн
7500+	10.78 грн
12500+	9.53 грн
17500+	9.19 грн
25000+	8.85 грн
62500+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 325000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

845+	10.71 грн
1000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 845

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.02 грн
5000+	7.91 грн
7500+	7.51 грн
12500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	9.99 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Bipolar Transistors - BJT 1W 160V

на замовлення 2232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.03 грн
21+	18.23 грн
100+	15.13 грн
500+	11.77 грн
1000+	11.05 грн
2500+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 216698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.01 грн
100+	17.28 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.02 грн
250+	15.71 грн
1000+	14.42 грн
3000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 290000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	32.32 грн
50+	20.02 грн
250+	15.71 грн
1000+	14.42 грн
3000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 293491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	37.60 грн
100+	24.26 грн
500+	17.36 грн
1000+	15.61 грн
2000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

на замовлення 16450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.87 грн
10+	39.21 грн
100+	22.01 грн
500+	16.81 грн
1000+	13.69 грн
5000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 413993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.41 грн
10+	35.60 грн
100+	24.34 грн
500+	18.00 грн
1000+	16.41 грн
2000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 410000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.01 грн
10000+	13.46 грн
15000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

на замовлення 6153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.18 грн
10+	38.48 грн
100+	22.89 грн
500+	18.01 грн
1000+	15.13 грн
5000+	13.53 грн
10000+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

на замовлення 405000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT651

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.02 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.74 грн
10+	35.60 грн
100+	23.06 грн
500+	16.54 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.22 грн
5000+	12.10 грн
12500+	11.97 грн
25000+	11.43 грн
62500+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.98 грн
24+	38.97 грн
100+	28.02 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.09 грн
10+	38.29 грн
100+	22.49 грн
500+	17.21 грн
1000+	15.53 грн
2500+	13.53 грн
5000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 2W
Current gain: 40...300
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 140...200MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.96 грн
212500+	12.76 грн
425000+	11.87 грн
637500+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.22 грн
11+	34.43 грн
100+	19.45 грн
500+	14.89 грн
1000+	13.05 грн
2500+	11.69 грн
5000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.95 грн
11+	31.27 грн
100+	20.08 грн
500+	14.33 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 2W
Current gain: 40...300
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 140...200MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Current gain: 60...700
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 5000pcs.
Polarisation: bipolar
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	58.27 грн
19+	49.30 грн
100+	33.04 грн
500+	24.68 грн
1000+	17.09 грн
5000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A

на замовлення 8738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.69 грн
2500+	18.09 грн
5000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	44.52 грн
100+	29.06 грн
500+	21.02 грн
1000+	19.00 грн
2000+	17.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.04 грн
500+	24.68 грн
1000+	17.09 грн
5000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.68 грн
10000+	18.51 грн
15000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Current gain: 60...700
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 5000pcs.
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	52.26 грн
50+	44.45 грн
100+	30.98 грн
500+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 0.5A; 3.9W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Power dissipation: 3.9W
Current gain: 150...500
Collector-emitter voltage: 180V
Frequency: 70MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Polarisation: bipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

на замовлення 3761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.28 грн
10+	44.09 грн
100+	24.89 грн
500+	19.13 грн
1000+	17.21 грн
2500+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	39.35 грн
100+	25.58 грн
500+	18.42 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT751

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.24 грн
5000+	13.02 грн
12500+	12.09 грн
25000+	11.08 грн
62500+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.15 грн
500+	17.68 грн
1000+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.22 грн
50000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.43 грн
10+	34.77 грн
100+	24.17 грн
500+	17.71 грн
1000+	14.40 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	45.43 грн
26+	35.47 грн
100+	24.15 грн
500+	17.68 грн
1000+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

на замовлення 6612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.09 грн
10+	39.86 грн
100+	22.41 грн
500+	17.13 грн
1000+	15.45 грн
2500+	10.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.07 грн
250000+	11.03 грн
500000+	10.26 грн
750000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.83 грн
11+	36.08 грн
100+	20.41 грн
500+	15.53 грн
1000+	13.69 грн
2500+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 59822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.63 грн
12+	29.02 грн
100+	20.14 грн
500+	14.76 грн
1000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 107449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	40.02 грн
100+	27.42 грн
500+	20.37 грн
1000+	18.60 грн
2000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	36.90 грн
29+	31.70 грн
100+	22.00 грн
500+	18.18 грн
1000+	14.62 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

на замовлення 8306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	49.34 грн
100+	28.02 грн
500+	21.61 грн
1000+	17.77 грн
5000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

на замовлення 3153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.16 грн
500+	22.26 грн
1000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.47 грн
30+	30.26 грн
100+	22.63 грн
500+	16.43 грн
1000+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.63 грн
500+	16.43 грн
1000+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 147500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.73 грн
5000+	8.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	38.43 грн
29+	31.43 грн
100+	19.84 грн
500+	13.92 грн
1000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 151327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	38.10 грн
14+	24.68 грн
100+	16.71 грн
500+	12.25 грн
1000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.84 грн
500+	13.92 грн
1000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo

на замовлення 16848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.47 грн
11+	33.69 грн
100+	18.81 грн
500+	14.33 грн
1000+	12.81 грн
2500+	8.88 грн
5000+	8.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PD-13

Description: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

Description: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 37098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	55.95 грн
100+	36.88 грн
500+	26.93 грн
1000+	24.46 грн
2500+	21.78 грн
5000+	19.80 грн
10000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.93 грн
10+	63.05 грн
100+	37.46 грн
500+	31.30 грн
1000+	27.37 грн
2500+	23.21 грн
5000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.31 грн
10+	48.97 грн
100+	29.14 грн
500+	22.89 грн
1000+	19.05 грн
2000+	16.41 грн
4000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060BFG-7

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	46.95 грн
100+	26.57 грн
500+	20.41 грн
1000+	18.49 грн
2000+	16.73 грн
4000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W

на замовлення 3870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.00 грн
10+	42.69 грн
100+	27.79 грн
500+	20.06 грн
1000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	29.81 грн
44+	20.56 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.68 грн
10+	40.78 грн
100+	22.89 грн
500+	17.53 грн
1000+	15.85 грн
2000+	14.33 грн
4000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.25 грн
4000+	15.18 грн
6000+	14.46 грн
10000+	12.80 грн
14000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 15475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	41.11 грн
100+	26.57 грн
500+	19.07 грн
1000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.33 грн
10+	42.16 грн
100+	25.53 грн
500+	19.93 грн
1000+	16.25 грн
2000+	13.69 грн
10000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.68 грн
10+	40.78 грн
100+	22.89 грн
500+	17.53 грн
1000+	15.85 грн
2000+	13.61 грн
4000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	68.60 грн
21+	42.83 грн
100+	27.93 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.93 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 10668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
11+	32.18 грн
100+	21.95 грн
500+	16.20 грн
1000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.81 грн
10+	39.86 грн
100+	24.09 грн
500+	18.81 грн
1000+	15.37 грн
2000+	12.57 грн
10000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.95 грн
4000+	13.28 грн
6000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 325000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.02 грн
10000+	17.88 грн
15000+	17.17 грн
25000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	51.55 грн
100+	29.30 грн
500+	22.65 грн
1000+	18.65 грн
5000+	16.65 грн
10000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 328489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	85.72 грн
10+	51.78 грн
100+	33.84 грн
500+	24.52 грн
1000+	22.18 грн
2000+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.53 грн
10000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	56.86 грн
100+	39.36 грн
500+	30.87 грн
1000+	26.27 грн
2000+	23.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
12+	28.77 грн
100+	17.27 грн
500+	15.01 грн
1000+	10.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.40 грн
6000+	9.59 грн
9000+	8.63 грн
30000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
12+	32.77 грн
100+	19.85 грн
500+	15.53 грн
1000+	12.65 грн
3000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 11445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
11+	30.93 грн
100+	23.10 грн
500+	17.03 грн
1000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.54 грн
500+	16.51 грн
1000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.28 грн
6000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	37.80 грн
28+	32.32 грн
100+	22.54 грн
500+	16.51 грн
1000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 21980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.95 грн
10+	42.77 грн
100+	29.72 грн
500+	21.78 грн
1000+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.51 грн
6000+	16.01 грн
10000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.50 грн
6000+	15.97 грн
10000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.76 грн
24+	38.97 грн
100+	25.41 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	38.44 грн
100+	26.61 грн
500+	20.87 грн
1000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.41 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	38.44 грн
100+	26.61 грн
500+	20.87 грн
1000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.76 грн
24+	38.97 грн
100+	25.41 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.50 грн
6000+	15.97 грн
10000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.41 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 63890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.37 грн
15+	23.51 грн
100+	15.88 грн
500+	11.62 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.13 грн
15+	25.96 грн
100+	11.93 грн
1000+	10.65 грн
2500+	9.20 грн
10000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.31 грн
5000+	9.13 грн
7500+	8.72 грн
12500+	7.74 грн
17500+	7.48 грн
25000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PD-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	45.36 грн
100+	29.60 грн
500+	21.43 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PD-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PDQ-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	55.20 грн
100+	36.41 грн
500+	26.58 грн
1000+	24.13 грн
2500+	21.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	44.74 грн
100+	25.29 грн
500+	19.45 грн
1000+	17.45 грн
2500+	14.81 грн
5000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	39.94 грн
100+	25.94 грн
500+	18.69 грн
1000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.72 грн
10+	63.79 грн
100+	36.74 грн
500+	28.90 грн
1000+	26.09 грн
2500+	23.37 грн
5000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	44.74 грн
100+	25.29 грн
500+	19.45 грн
1000+	17.53 грн
2500+	15.45 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PSQ-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 46979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	39.94 грн
100+	25.94 грн
500+	18.69 грн
1000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PSQ-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.47 грн
5000+	14.56 грн
7500+	13.90 грн
12500+	12.34 грн
17500+	11.93 грн
25000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн
10+	35.02 грн
100+	24.35 грн
500+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.09 грн
10+	39.67 грн
100+	22.33 грн
500+	18.17 грн
1000+	15.69 грн
3000+	13.13 грн
6000+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.76 грн
6000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.56 грн
10+	33.60 грн
100+	23.36 грн
500+	17.12 грн
1000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.70 грн
500+	16.84 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.74 грн
10+	35.85 грн
100+	23.13 грн
500+	16.59 грн
1000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	59.26 грн
25+	36.64 грн
100+	23.70 грн
500+	16.84 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.20 грн
6000+	12.55 грн
9000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.21 грн
10+	37.77 грн
100+	24.40 грн
500+	17.50 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.98 грн
6000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CE-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K

на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.85 грн
10+	42.43 грн
100+	24.33 грн
500+	19.13 грн
1000+	16.33 грн
2000+	14.73 грн
5000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 21210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.27 грн
10+	41.86 грн
100+	27.21 грн
500+	19.62 грн
1000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.72 грн
10+	47.68 грн
100+	28.34 грн
500+	22.33 грн
1000+	18.57 грн
2000+	16.81 грн
4000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.83 грн
4000+	15.73 грн
6000+	15.00 грн
10000+	13.30 грн
14000+	12.84 грн
20000+	12.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN80030DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.17 грн
100+	19.05 грн
500+	16.89 грн
1000+	16.17 грн
2000+	15.61 грн
4000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN80060DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.17 грн
100+	19.05 грн
500+	16.89 грн
1000+	16.17 грн
2000+	15.61 грн
4000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN80100CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.17 грн
100+	19.05 грн
500+	16.89 грн
1000+	16.17 грн
2000+	15.61 грн
4000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.60 грн
4000+	17.31 грн
6000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.54 грн
500+	20.59 грн
1000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	38.44 грн
100+	26.60 грн
500+	20.86 грн
1000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	48.94 грн
22+	42.65 грн
100+	29.54 грн
500+	20.59 грн
1000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.16 грн
6000+	16.57 грн
10000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.06 грн
500+	22.01 грн
1000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
10+	39.85 грн
100+	27.61 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	72.64 грн
19+	47.95 грн
100+	32.06 грн
500+	22.01 грн
1000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	38.44 грн
100+	26.60 грн
500+	20.86 грн
1000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.50 грн
6000+	15.96 грн
10000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
10+	39.52 грн
100+	27.34 грн
500+	21.44 грн
1000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.98 грн
6000+	16.40 грн
10000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 7960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	37.19 грн
100+	24.06 грн
500+	17.28 грн
1000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.63 грн
4000+	13.76 грн
6000+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.26 грн
500+	24.93 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 2476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.98 грн
10+	58.36 грн
100+	38.35 грн
500+	27.93 грн
1000+	25.33 грн
2000+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	57.62 грн
100+	32.98 грн
500+	25.85 грн
1000+	21.37 грн
2500+	21.29 грн
5000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.69 грн
16+	56.57 грн
100+	37.26 грн
500+	24.93 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.88 грн
10000+	16.84 грн
25000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

PNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.63 грн
13+	26.10 грн
100+	15.64 грн
500+	13.59 грн
1000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	9.42 грн
6000+	8.69 грн
10000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.16 грн
4000+	15.10 грн
6000+	14.38 грн
10000+	12.73 грн
14000+	12.28 грн
20000+	11.84 грн
50000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	40.86 грн
100+	26.43 грн
500+	18.97 грн
1000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.55 грн
4000+	17.26 грн
6000+	16.46 грн
10000+	14.60 грн
14000+	14.10 грн
20000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	27.39 грн
40+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 41980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.19 грн
10+	45.69 грн
100+	29.78 грн
500+	21.49 грн
1000+	19.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.07 грн
10+	50.90 грн
100+	36.02 грн
500+	28.26 грн
1000+	18.57 грн
2000+	14.33 грн
4000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.95 грн
10+	44.64 грн
100+	29.06 грн
500+	22.89 грн
1000+	17.61 грн
2000+	14.41 грн
10000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
10+	38.52 грн
100+	28.78 грн
500+	21.23 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 7990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.05 грн
10+	42.53 грн
100+	27.53 грн
500+	21.69 грн
1000+	16.81 грн
2000+	15.21 грн
4000+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.55 грн
6000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T and R 2K

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.93 грн
10+	58.36 грн
100+	48.75 грн
500+	41.38 грн
1000+	39.14 грн
2000+	15.85 грн
4000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFGQ-7

60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн
10+	35.52 грн
100+	24.68 грн
500+	18.08 грн
1000+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.68 грн
10+	40.78 грн
100+	22.89 грн
500+	17.53 грн
1000+	15.85 грн
2000+	12.57 грн
4000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.54 грн
6000+	13.29 грн
10000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.02 грн
10+	37.52 грн
100+	25.98 грн
500+	20.37 грн
1000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.73 грн
10000+	13.10 грн
15000+	12.55 грн
25000+	11.20 грн
35000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP

на замовлення 28217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.10 грн
10+	42.34 грн
100+	23.85 грн
500+	18.25 грн
1000+	14.97 грн
5000+	12.09 грн
10000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 58833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	39.19 грн
100+	25.41 грн
500+	18.26 грн
1000+	16.47 грн
2000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.94 грн
10+	39.10 грн
100+	25.26 грн
500+	18.10 грн
1000+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.34 грн
4000+	14.37 грн
6000+	13.68 грн
10000+	12.10 грн
14000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	27.39 грн
40+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.79 грн
10+	47.19 грн
100+	30.74 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	20.18 грн
4000+	17.81 грн
6000+	16.99 грн
10000+	15.07 грн
14000+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 23980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.94 грн
10+	39.10 грн
100+	25.26 грн
500+	18.10 грн
1000+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.34 грн
4000+	14.37 грн
6000+	13.68 грн
10000+	12.10 грн
14000+	11.67 грн
20000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	20.18 грн
4000+	17.81 грн
6000+	16.99 грн
10000+	15.07 грн
14000+	14.56 грн
20000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.79 грн
10+	47.19 грн
100+	30.74 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.52 грн
10+	48.28 грн
100+	31.56 грн
500+	22.85 грн
1000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	55.28 грн
100+	38.26 грн
500+	30.00 грн
1000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.76 грн
21+	43.91 грн
100+	28.55 грн
500+	18.68 грн
1000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	40.35 грн
100+	26.22 грн
500+	18.89 грн
1000+	17.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.88 грн
10+	45.29 грн
100+	27.37 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.45 грн
2500+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

на замовлення 1738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.55 грн
500+	18.68 грн
1000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.46 грн
500+	22.10 грн
1000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 3370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	46.67 грн
100+	26.49 грн
500+	20.41 грн
1000+	18.41 грн
2500+	15.93 грн
5000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	54.50 грн
20+	45.61 грн
100+	28.46 грн
500+	22.10 грн
1000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 9265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	40.35 грн
100+	26.22 грн
500+	18.89 грн
1000+	17.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.25 грн
23+	40.05 грн
100+	27.39 грн
500+	18.09 грн
1000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.39 грн
500+	18.09 грн
1000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 24860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	44.74 грн
100+	25.29 грн
500+	19.45 грн
1000+	17.45 грн
2500+	13.05 грн
5000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.26 грн
500+	24.93 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 144843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.98 грн
10+	58.36 грн
100+	38.35 грн
500+	27.93 грн
1000+	25.33 грн
2000+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.79 грн
16+	56.57 грн
100+	37.26 грн
500+	24.93 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

на замовлення 14773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.20 грн
10+	57.62 грн
100+	32.98 грн
500+	25.77 грн
1000+	21.37 грн
2500+	21.29 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.38 грн
11+	33.60 грн
100+	18.73 грн
500+	14.33 грн
1000+	12.81 грн
3000+	10.97 грн
6000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
11+	30.60 грн
100+	22.85 грн
500+	16.85 грн
1000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 61630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.09 грн
11+	30.43 грн
100+	19.54 грн
500+	13.92 грн
1000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 13835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.38 грн
11+	33.60 грн
100+	18.73 грн
500+	14.33 грн
1000+	12.81 грн
3000+	10.41 грн
6000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.09 грн
11+	30.35 грн
100+	19.52 грн
500+	13.91 грн
1000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFJAWQ-7

Pwr Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.08 грн
100+	18.25 грн
500+	14.33 грн
1000+	11.29 грн
3000+	10.09 грн
6000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7

60V PNP Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 2759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
12+	32.68 грн
100+	21.21 грн
500+	16.73 грн
1000+	12.97 грн
3000+	11.77 грн
6000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP78100CFG-7

Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP78100CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP80030DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.17 грн
100+	19.05 грн
500+	16.89 грн
1000+	16.17 грн
2000+	15.61 грн
4000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP80060DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	28.17 грн
100+	19.05 грн
500+	16.89 грн
1000+	16.17 грн
2000+	15.61 грн
4000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP80100CFGQ-7