НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DXT13003DGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.25 грн
23+38.05 грн
100+24.24 грн
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.11 грн
5000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.28 грн
11+35.54 грн
100+20.06 грн
500+14.64 грн
1000+13.71 грн
2500+12.08 грн
5000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT223
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 3A
Current gain: 5...40
Collector-emitter voltage: 450V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 4MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.46 грн
10+32.51 грн
100+20.98 грн
500+15.00 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-7Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncTRANS NPN 450V 1.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.02 грн
10+48.63 грн
100+32.45 грн
500+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.54 грн
10+51.04 грн
100+33.15 грн
500+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.69 грн
12+36.06 грн
75+24.61 грн
100+23.40 грн
500+17.91 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.17 грн
18+50.22 грн
100+37.01 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.48 грн
10000+16.49 грн
15000+15.83 грн
25000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+20.83 грн
1000+17.19 грн
2500+17.12 грн
5000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.02 грн
10+44.94 грн
75+29.53 грн
100+28.08 грн
500+21.49 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.01 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 211147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.43 грн
10+48.08 грн
100+31.38 грн
500+22.69 грн
1000+20.52 грн
2000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 35981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.05 грн
10+43.08 грн
100+28.10 грн
500+20.32 грн
1000+18.37 грн
2000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.55 грн
10000+14.77 грн
15000+14.17 грн
25000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
на замовлення 12246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+20.91 грн
1000+17.19 грн
5000+15.33 грн
10000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.97 грн
10+53.09 грн
100+34.79 грн
500+25.25 грн
1000+22.87 грн
2000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.48 грн
10+52.64 грн
100+30.05 грн
500+23.23 грн
1000+19.21 грн
5000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.70 грн
10000+18.50 грн
15000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
на замовлення 5822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+21.30 грн
1000+19.05 грн
2500+17.50 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.43 грн
10+48.08 грн
100+31.38 грн
500+22.69 грн
1000+20.52 грн
2000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.02 грн
500+23.48 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.39 грн
19+47.70 грн
100+31.02 грн
500+23.48 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.97 грн
500+23.23 грн
1000+16.53 грн
5000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 10A
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.43 грн
10+48.08 грн
100+31.38 грн
500+22.69 грн
1000+20.52 грн
2000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.65 грн
18+48.57 грн
100+29.97 грн
500+23.23 грн
1000+16.53 грн
5000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+20.91 грн
1000+17.19 грн
5000+15.33 грн
10000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.48 грн
10000+16.49 грн
15000+15.83 грн
25000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.45 грн
10000+17.37 грн
15000+16.68 грн
25000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.78 грн
10+49.88 грн
100+28.35 грн
500+21.92 грн
1000+18.05 грн
2500+17.97 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 206689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.78 грн
10+50.26 грн
100+32.88 грн
500+23.82 грн
1000+21.55 грн
2000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.57 грн
5000+7.49 грн
7500+7.10 грн
12500+6.26 грн
17500+6.01 грн
25000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.68 грн
500+9.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.36 грн
35+25.54 грн
100+12.68 грн
500+9.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 58469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.70 грн
15+22.27 грн
100+14.13 грн
500+9.97 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Current gain: 35...300
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 27782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.39 грн
15+24.40 грн
100+13.55 грн
500+10.22 грн
1000+9.14 грн
2500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
13+26.14 грн
100+16.72 грн
500+11.85 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.44 грн
13+28.77 грн
100+15.95 грн
500+12.16 грн
1000+10.69 грн
2500+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.50 грн
24+30.61 грн
27+26.83 грн
50+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
13+26.14 грн
100+16.72 грн
500+11.85 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.98 грн
500+13.96 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.49 грн
13+28.86 грн
100+13.86 грн
1000+9.29 грн
2500+8.75 грн
10000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.27 грн
5000+9.00 грн
7500+8.55 грн
12500+7.55 грн
17500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.06 грн
30+29.37 грн
100+19.98 грн
500+13.96 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.32 грн
5000+9.92 грн
7500+9.43 грн
12500+8.32 грн
17500+8.01 грн
25000+7.71 грн
62500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
на замовлення 12184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.44 грн
19+19.59 грн
100+12.62 грн
500+10.61 грн
1000+9.91 грн
2500+7.05 грн
5000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 175442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
12+28.80 грн
100+18.43 грн
500+13.07 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.25 грн
23+39.36 грн
100+25.46 грн
500+17.99 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.01 грн
10000+10.66 грн
15000+10.20 грн
25000+9.08 грн
35000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.46 грн
500+17.99 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 388585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.46 грн
10+32.51 грн
100+20.98 грн
500+15.02 грн
1000+13.50 грн
2000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.20 грн
12+32.33 грн
100+20.83 грн
500+16.19 грн
1000+11.85 грн
5000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 87083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.78 грн
11+31.30 грн
100+20.13 грн
500+14.34 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -150V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.86 грн
12+32.24 грн
100+18.05 грн
500+13.71 грн
1000+12.31 грн
2500+10.69 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.48 грн
5000+10.97 грн
7500+10.43 грн
12500+9.22 грн
17500+8.89 грн
25000+8.57 грн
62500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 216698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
13+26.14 грн
100+16.72 грн
500+11.85 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.73 грн
5000+7.65 грн
7500+7.27 грн
12500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 160V
на замовлення 37274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.44 грн
15+24.85 грн
100+14.64 грн
500+11.39 грн
1000+10.69 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
845+10.48 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 845
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.80 грн
10+37.94 грн
100+21.30 грн
500+16.26 грн
1000+13.24 грн
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.28 грн
50+19.37 грн
250+15.20 грн
1000+13.96 грн
3000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 293491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.32 грн
10+36.39 грн
100+23.48 грн
500+16.80 грн
1000+15.11 грн
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.37 грн
250+15.20 грн
1000+13.96 грн
3000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.52 грн
10000+13.03 грн
15000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.62 грн
10+34.45 грн
100+23.55 грн
500+17.42 грн
1000+15.88 грн
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.29 грн
10+37.23 грн
100+22.15 грн
500+17.43 грн
1000+14.64 грн
5000+13.09 грн
10000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.80 грн
10+39.55 грн
100+22.00 грн
500+17.97 грн
1000+14.72 грн
2500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.11 грн
500+19.28 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.96 грн
5000+11.85 грн
12500+11.72 грн
25000+11.19 грн
62500+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.04 грн
24+37.71 грн
100+27.11 грн
500+19.28 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.67 грн
212500+12.49 грн
425000+11.62 грн
637500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.83 грн
10+37.51 грн
100+24.27 грн
500+17.40 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.46 грн
10+32.92 грн
100+21.13 грн
500+15.08 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.22 грн
11+33.58 грн
100+19.36 грн
500+14.95 грн
1000+13.48 грн
2500+10.84 грн
10000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.05 грн
10+43.08 грн
100+28.12 грн
500+20.34 грн
1000+18.39 грн
2000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.39 грн
19+47.70 грн
100+31.97 грн
500+23.88 грн
1000+16.53 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.97 грн
500+23.88 грн
1000+16.53 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+20.91 грн
1000+19.05 грн
2500+17.50 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.01 грн
10000+17.91 грн
15000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.94 грн
10+42.66 грн
100+24.09 грн
500+18.51 грн
1000+16.73 грн
2500+12.00 грн
10000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.51 грн
10+38.56 грн
100+25.04 грн
500+18.03 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.57 грн
50+43.01 грн
100+29.97 грн
500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.37 грн
500+17.10 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.05 грн
10+33.64 грн
100+23.39 грн
500+17.14 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
на замовлення 6612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.98 грн
10+38.57 грн
100+21.69 грн
500+16.57 грн
1000+15.03 грн
2500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.96 грн
50000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.96 грн
26+34.32 грн
100+23.37 грн
500+17.10 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.78 грн
5000+12.59 грн
12500+11.69 грн
25000+10.72 грн
62500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.82 грн
250000+10.80 грн
500000+10.05 грн
750000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
12+28.08 грн
100+19.49 грн
500+14.28 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.93 грн
11+34.91 грн
100+19.75 грн
500+15.03 грн
1000+13.24 грн
2500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+27.11 грн
500+20.91 грн
1000+17.19 грн
5000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.71 грн
29+30.67 грн
100+21.29 грн
500+17.59 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 107449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.32 грн
10+38.72 грн
100+26.53 грн
500+19.71 грн
1000+18.00 грн
2000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.15 грн
500+21.54 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.89 грн
500+15.89 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.32 грн
30+29.28 грн
100+21.89 грн
500+15.89 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.19 грн
29+30.41 грн
100+19.20 грн
500+13.47 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo
на замовлення 16848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.67 грн
11+32.60 грн
100+18.20 грн
500+13.86 грн
1000+12.39 грн
2500+8.60 грн
5000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 151327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.86 грн
14+23.88 грн
100+16.17 грн
500+11.85 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+13.47 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.44 грн
5000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.37 грн
10+58.57 грн
100+40.53 грн
500+31.79 грн
1000+27.05 грн
2000+24.09 грн
5000+22.45 грн
10000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.57 грн
10+61.01 грн
100+36.25 грн
500+30.28 грн
1000+26.49 грн
2500+22.46 грн
5000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.38 грн
100+28.19 грн
500+22.15 грн
1000+18.43 грн
2000+15.88 грн
4000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.70 грн
10+41.31 грн
100+26.89 грн
500+19.41 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.82 грн
10+45.42 грн
100+25.71 грн
500+19.75 грн
1000+17.89 грн
2000+16.19 грн
4000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.84 грн
44+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 15475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.19 грн
10+39.77 грн
100+25.71 грн
500+18.45 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.52 грн
10+39.46 грн
100+22.15 грн
500+16.96 грн
1000+15.33 грн
2000+13.86 грн
4000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.69 грн
4000+14.69 грн
6000+13.99 грн
10000+12.38 грн
14000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.70 грн
10+40.79 грн
100+24.71 грн
500+19.28 грн
1000+15.72 грн
2000+13.24 грн
10000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.38 грн
21+41.44 грн
100+27.02 грн
500+19.36 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.52 грн
10+39.46 грн
100+22.15 грн
500+16.96 грн
1000+15.33 грн
2000+13.17 грн
4000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.02 грн
500+19.36 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
11+31.14 грн
100+21.23 грн
500+15.68 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.47 грн
4000+12.85 грн
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.26 грн
10+38.57 грн
100+23.31 грн
500+18.20 грн
1000+14.87 грн
2000+12.16 грн
10000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 328489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.94 грн
10+50.10 грн
100+32.75 грн
500+23.72 грн
1000+21.47 грн
2000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.78 грн
10+49.88 грн
100+28.35 грн
500+21.92 грн
1000+18.05 грн
5000+16.11 грн
10000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.37 грн
10000+17.30 грн
15000+16.61 грн
25000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes ZetexDXTN07100BP5Q-13
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+55.02 грн
100+38.09 грн
500+29.87 грн
1000+25.42 грн
2000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.73 грн
10000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.06 грн
6000+9.28 грн
9000+8.35 грн
30000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.70 грн
12+27.83 грн
100+16.71 грн
500+14.52 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncSS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.41 грн
12+31.71 грн
100+19.21 грн
500+15.03 грн
1000+12.24 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.81 грн
500+15.97 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
11+29.93 грн
100+22.36 грн
500+16.48 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.58 грн
28+31.28 грн
100+21.81 грн
500+15.97 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.95 грн
6000+15.49 грн
10000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 21980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.27 грн
10+41.39 грн
100+28.76 грн
500+21.08 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+37.19 грн
100+25.75 грн
500+20.19 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.94 грн
6000+15.45 грн
10000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.59 грн
500+17.59 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.73 грн
24+37.71 грн
100+24.59 грн
500+17.59 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.73 грн
24+37.71 грн
100+24.59 грн
500+17.59 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+37.19 грн
100+25.75 грн
500+20.19 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.59 грн
500+17.59 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.94 грн
6000+15.45 грн
10000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CYDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.98 грн
5000+8.83 грн
7500+8.43 грн
12500+7.49 грн
17500+7.24 грн
25000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 63890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.19 грн
15+22.75 грн
100+15.37 грн
500+11.24 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.86 грн
15+25.12 грн
100+11.54 грн
1000+10.30 грн
2500+8.91 грн
10000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.75 грн
10+39.53 грн
100+27.38 грн
500+21.47 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.00 грн
10+51.71 грн
100+35.82 грн
500+28.08 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.75 грн
10+43.29 грн
100+24.47 грн
500+18.82 грн
1000+16.88 грн
2500+14.33 грн
5000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+39.05 грн
100+25.37 грн
500+18.28 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.39 грн
10+61.72 грн
100+35.55 грн
500+27.96 грн
1000+25.25 грн
2500+22.62 грн
5000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.51 грн
5000+22.71 грн
7500+21.76 грн
12500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 17408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+54.94 грн
100+38.01 грн
500+29.80 грн
1000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.75 грн
10+43.29 грн
100+24.47 грн
500+18.82 грн
1000+16.96 грн
2500+14.95 грн
5000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.89 грн
10+33.88 грн
100+23.57 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.98 грн
10+38.39 грн
100+21.61 грн
500+17.58 грн
1000+15.18 грн
3000+12.70 грн
6000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.21 грн
10+32.51 грн
100+22.61 грн
500+16.56 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.32 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.34 грн
25+35.45 грн
100+22.94 грн
500+16.30 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.81 грн
10+34.69 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncNPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
6000+12.14 грн
9000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.94 грн
500+16.30 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.49 грн
6000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.16 грн
10+36.55 грн
100+23.61 грн
500+16.93 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CE-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.59 грн
10+41.06 грн
100+23.54 грн
500+18.51 грн
1000+15.80 грн
2000+14.25 грн
5000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.17 грн
10+46.14 грн
100+27.42 грн
500+21.61 грн
1000+17.97 грн
2000+16.26 грн
4000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.25 грн
4000+15.22 грн
6000+14.51 грн
10000+12.87 грн
14000+12.43 грн
20000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.02 грн
10+40.50 грн
100+26.32 грн
500+18.98 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN80030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN80060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN80100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+37.19 грн
100+25.74 грн
500+20.18 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.58 грн
500+19.93 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.97 грн
4000+16.75 грн
6000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.35 грн
22+41.27 грн
100+28.58 грн
500+19.93 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.08 грн
10+38.56 грн
100+26.72 грн
500+20.95 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.02 грн
500+21.30 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.57 грн
6000+16.03 грн
10000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.29 грн
19+46.40 грн
100+31.02 грн
500+21.30 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+37.19 грн
100+25.74 грн
500+20.18 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.93 грн
6000+15.44 грн
10000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.24 грн
10+38.24 грн
100+26.45 грн
500+20.74 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.40 грн
6000+15.87 грн
10000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.12 грн
4000+13.32 грн
6000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.32 грн
10+35.98 грн
100+23.28 грн
500+16.72 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.75 грн
16+54.74 грн
100+36.06 грн
500+24.12 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.06 грн
500+24.12 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.83 грн
10+56.47 грн
100+37.11 грн
500+27.02 грн
1000+24.51 грн
2000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.26 грн
10+55.76 грн
100+31.91 грн
500+25.02 грн
1000+20.68 грн
2500+20.60 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.27 грн
10000+16.29 грн
25000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncPNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.11 грн
6000+8.41 грн
10000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
13+25.25 грн
100+15.13 грн
500+13.15 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.60 грн
4000+14.61 грн
6000+13.91 грн
10000+12.32 грн
14000+11.88 грн
20000+11.46 грн
50000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.19 грн
10+39.53 грн
100+25.57 грн
500+18.36 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.21 грн
100+28.82 грн
500+20.80 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.50 грн
40+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.92 грн
4000+16.70 грн
6000+15.92 грн
10000+14.13 грн
14000+13.64 грн
20000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.09 грн
10+49.25 грн
100+34.85 грн
500+27.34 грн
1000+17.97 грн
2000+13.86 грн
4000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.23 грн
10+43.20 грн
100+28.11 грн
500+22.15 грн
1000+17.04 грн
2000+13.94 грн
10000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.01 грн
6000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.24 грн
10+37.27 грн
100+27.85 грн
500+20.54 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.43 грн
10+41.15 грн
100+26.64 грн
500+20.99 грн
1000+16.26 грн
2000+14.72 грн
4000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFGQ-7Diodes Inc60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T and R 2K
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.01 грн
10+56.47 грн
100+47.17 грн
500+40.04 грн
1000+37.87 грн
2000+15.33 грн
4000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.52 грн
10+39.46 грн
100+22.15 грн
500+16.96 грн
1000+15.33 грн
2000+12.16 грн
4000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.07 грн
6000+12.86 грн
10000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.89 грн
10+34.37 грн
100+23.88 грн
500+17.49 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.57 грн
10+36.30 грн
100+25.14 грн
500+19.71 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 58833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+37.92 грн
100+24.58 грн
500+17.67 грн
1000+15.93 грн
2000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.25 грн
10000+12.68 грн
15000+12.15 грн
25000+10.84 грн
35000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP
на замовлення 28217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+40.97 грн
100+23.08 грн
500+17.66 грн
1000+14.48 грн
5000+11.69 грн
10000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.83 грн
10+37.84 грн
100+24.44 грн
500+17.51 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.81 грн
4000+13.91 грн
6000+13.23 грн
10000+11.71 грн
14000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.53 грн
4000+17.23 грн
6000+16.44 грн
10000+14.58 грн
14000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes ZetexDXTP22040CFGQ-7
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.24 грн
10+45.66 грн
100+29.75 грн
500+21.47 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.50 грн
40+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.81 грн
4000+13.91 грн
6000+13.23 грн
10000+11.71 грн
14000+11.29 грн
20000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.83 грн
10+37.84 грн
100+24.44 грн
500+17.51 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.53 грн
4000+17.23 грн
6000+16.44 грн
10000+14.58 грн
14000+14.08 грн
20000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.24 грн
10+45.66 грн
100+29.75 грн
500+21.47 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.91 грн
10+46.71 грн
100+30.54 грн
500+22.11 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+53.49 грн
100+37.02 грн
500+29.03 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.14 грн
10+43.82 грн
100+26.49 грн
500+20.68 грн
1000+16.88 грн
2500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.46 грн
21+42.49 грн
100+27.63 грн
500+18.07 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.63 грн
500+18.07 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncPwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+39.05 грн
100+25.37 грн
500+18.28 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.74 грн
20+44.14 грн
100+27.54 грн
500+21.38 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.82 грн
10+45.16 грн
100+25.64 грн
500+19.75 грн
1000+17.81 грн
2500+15.41 грн
5000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.54 грн
500+21.38 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.52 грн
23+38.75 грн
100+26.50 грн
500+17.51 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 24860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.75 грн
10+43.29 грн
100+24.47 грн
500+18.82 грн
1000+16.88 грн
2500+12.62 грн
5000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+39.05 грн
100+25.37 грн
500+18.28 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
500+17.51 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.88 грн
16+54.74 грн
100+36.06 грн
500+24.12 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 144843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.83 грн
10+56.47 грн
100+37.11 грн
500+27.02 грн
1000+24.51 грн
2000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.06 грн
500+24.12 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
на замовлення 14798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.18 грн
10+55.76 грн
100+31.91 грн
500+25.02 грн
1000+20.68 грн
2500+20.60 грн
5000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.33 грн
12+29.75 грн
100+18.05 грн
500+14.02 грн
1000+11.46 грн
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
11+29.61 грн
100+22.11 грн
500+16.30 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.58 грн
11+32.51 грн
100+18.12 грн
500+13.86 грн
1000+12.39 грн
3000+10.07 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 61630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.43 грн
11+29.45 грн
100+18.90 грн
500+13.47 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.43 грн
11+29.37 грн
100+18.89 грн
500+13.46 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFJAWQ-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.17 грн
100+17.66 грн
500+13.86 грн
1000+10.92 грн
3000+9.76 грн
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.41 грн
12+31.62 грн
100+20.52 грн
500+16.19 грн
1000+12.55 грн
3000+11.39 грн
6000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes Inc60V PNP Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFG-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.67 грн
14+27.25 грн
100+18.43 грн
500+16.34 грн
1000+15.64 грн
2000+15.10 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTV6Phoenix ContactPhoenix Contact D XTV 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.