Продукція > DXT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DXT13003DGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.78 грн
23+35.28 грн
100+22.47 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.88 грн
5000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT223
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 3A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Current gain: 5...40
Collector-emitter voltage: 450V
Frequency: 4MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.47 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+44.38 грн
100+25.34 грн
500+19.12 грн
1000+16.84 грн
2500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.47 грн
100+19.00 грн
500+13.59 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-7Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.93 грн
10+43.35 грн
100+28.93 грн
500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.96 грн
10+45.49 грн
100+29.55 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.11 грн
10000+13.48 грн
15000+12.94 грн
25000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 6A
Current gain: 20...300
Pulsed collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
12+36.65 грн
100+23.52 грн
500+18.03 грн
1000+16.37 грн
2000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.70 грн
18+46.55 грн
100+34.31 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.55 грн
100+24.16 грн
500+18.64 грн
1000+15.33 грн
5000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 32999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.34 грн
100+25.65 грн
500+18.55 грн
1000+16.77 грн
2000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.31 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.55 грн
100+24.16 грн
500+18.64 грн
1000+15.33 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.18 грн
10000+13.54 грн
15000+13.00 грн
25000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 6A
Current gain: 10...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 25282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.77 грн
500+18.64 грн
1000+16.85 грн
2000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 28036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.21 грн
100+32.25 грн
500+23.41 грн
1000+21.20 грн
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 6A
Current gain: 10...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.19 грн
10000+17.15 грн
15000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+51.92 грн
100+29.68 грн
500+23.13 грн
1000+19.54 грн
2500+18.43 грн
5000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.35 грн
100+27.54 грн
500+21.33 грн
1000+17.60 грн
5000+15.67 грн
10000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.57 грн
100+29.09 грн
500+21.04 грн
1000+19.02 грн
2000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 5.5A
Current gain: 10...300
Pulsed collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.00 грн
17+48.00 грн
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.33 грн
500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.57 грн
100+29.09 грн
500+21.04 грн
1000+19.02 грн
2000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 5A
Current gain: 5...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.92 грн
17+47.92 грн
100+31.33 грн
500+22.36 грн
1000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.35 грн
100+27.54 грн
500+21.33 грн
1000+17.60 грн
5000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.13 грн
10000+15.29 грн
15000+14.67 грн
25000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.03 грн
10000+16.11 грн
15000+15.46 грн
25000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 4A
Current gain: 5...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 140V
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.59 грн
100+30.48 грн
500+22.08 грн
1000+19.98 грн
2000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
15+21.75 грн
100+12.08 грн
500+9.11 грн
1000+8.15 грн
2500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.92 грн
5000+6.92 грн
7500+6.56 грн
12500+5.78 грн
17500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.54 грн
500+10.84 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Current gain: 35...300
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.79 грн
34+24.40 грн
100+15.54 грн
500+10.84 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 26002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.57 грн
100+13.06 грн
500+9.21 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.23 грн
100+15.50 грн
500+10.99 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13DiodesTRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.28 грн
13+25.64 грн
100+14.22 грн
500+10.84 грн
1000+9.53 грн
2500+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.92 грн
24+32.64 грн
27+28.61 грн
50+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.23 грн
100+15.50 грн
500+10.99 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.52 грн
500+12.94 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.52 грн
5000+8.34 грн
7500+7.93 грн
12500+7.00 грн
17500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.20 грн
13+25.72 грн
100+12.36 грн
1000+8.28 грн
2500+7.80 грн
10000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.42 грн
30+27.22 грн
100+18.52 грн
500+12.94 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
на замовлення 12184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.28 грн
19+17.47 грн
100+11.25 грн
500+9.46 грн
1000+8.84 грн
2500+6.28 грн
5000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.28 грн
100+16.16 грн
500+11.46 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.93 грн
5000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
12+28.82 грн
100+18.57 грн
500+14.43 грн
1000+10.56 грн
5000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
23+36.16 грн
100+23.36 грн
500+16.53 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Power - Max: 2.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.14 грн
10000+9.88 грн
15000+9.46 грн
25000+8.42 грн
35000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.36 грн
500+16.53 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Power - Max: 2.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 388585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.14 грн
100+19.45 грн
500+13.92 грн
1000+12.52 грн
2000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -150V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.74 грн
100+16.08 грн
500+12.22 грн
1000+10.98 грн
2500+9.53 грн
5000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.57 грн
5000+10.17 грн
7500+9.67 грн
12500+8.55 грн
17500+8.24 грн
25000+7.94 грн
62500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes Inc./ZetexPNP 150V 0.6A SOT-89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 87083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.02 грн
100+18.66 грн
500+13.29 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 157809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.28 грн
100+16.16 грн
500+11.46 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
845+11.18 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 845 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]