НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DXT13003DGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.93 грн
13+ 24.75 грн
100+ 15.62 грн
500+ 12.6 грн
1000+ 10.11 грн
2500+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.55 грн
5000+ 9.64 грн
12500+ 8.95 грн
25000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT13003DG-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.86 грн
22+ 34.08 грн
100+ 22.89 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 25334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.23 грн
11+ 25.77 грн
100+ 17.9 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT13003DG-7Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.47 грн
10+ 41.2 грн
100+ 27.5 грн
500+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT13003DK-13Diodes IncTRANS NPN 450V 1.5A TO252
товар відсутній
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.29 грн
10+ 43.24 грн
100+ 28.09 грн
500+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXT13003EK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
DXT2010P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.82 грн
18+ 42.55 грн
100+ 31.36 грн
500+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 15
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.3 грн
10000+ 12.75 грн
25000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.36 грн
500+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 30217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.75 грн
10+ 33.15 грн
100+ 22.95 грн
500+ 18 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 9908 шт:
термін постачання 118-127 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.83 грн
100+ 22.25 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.11 грн
5000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.3 грн
10000+ 12.75 грн
25000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
на замовлення 44263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.83 грн
100+ 22.25 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.11 грн
2500+ 14.04 грн
5000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2011P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 58457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.75 грн
10+ 33.15 грн
100+ 22.95 грн
500+ 18 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
товар відсутній
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.43 грн
10+ 37.87 грн
100+ 26.24 грн
500+ 20.57 грн
1000+ 17.51 грн
2000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT2011P5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.35 грн
10000+ 14.57 грн
25000+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.75 грн
10+ 33.15 грн
100+ 22.95 грн
500+ 18 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.28 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.83 грн
100+ 22.25 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.11 грн
5000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
товар відсутній
DXT2012P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.78 грн
19+ 40.41 грн
100+ 26.28 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.96 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 13.57 грн
5000+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 8460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.72 грн
10+ 37.36 грн
100+ 22.18 грн
500+ 18.51 грн
1000+ 15.75 грн
2500+ 14.31 грн
5000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2013P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 146978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.75 грн
10+ 33.15 грн
100+ 22.95 грн
500+ 18 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.78 грн
19+ 39.75 грн
100+ 24.96 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 13.57 грн
5000+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.3 грн
10000+ 12.75 грн
25000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 265000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.19 грн
10000+ 13.55 грн
25000+ 13.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 275684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.88 грн
10+ 35.2 грн
100+ 24.38 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 16.27 грн
2000+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.55 грн
10+ 39.17 грн
100+ 23.62 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 14.96 грн
5000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT2014P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.41 грн
35+ 16.51 грн
37+ 15.3 грн
100+ 9.41 грн
250+ 8.63 грн
500+ 7.69 грн
1000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 28
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.63 грн
5000+ 6.12 грн
12500+ 5.51 грн
25000+ 5.09 грн
62500+ 4.79 грн
125000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.75 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 21008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.65 грн
16+ 19.32 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 6.37 грн
2500+ 5.91 грн
10000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 518
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.27 грн
35+ 21.64 грн
100+ 10.75 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 180024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.13 грн
15+ 18.39 грн
100+ 11.01 грн
500+ 9.57 грн
1000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
DXT2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 63122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
13+ 22.76 грн
100+ 13.63 грн
500+ 11.84 грн
1000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.46 грн
12+ 25.58 грн
100+ 12.34 грн
1000+ 8.4 грн
2500+ 7.28 грн
10000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.2 грн
5000+ 7.57 грн
12500+ 6.82 грн
25000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT3150Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT3150onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT3150-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.01 грн
24+ 24.33 грн
27+ 21.32 грн
50+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
DXT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
товар відсутній
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товар відсутній
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товар відсутній
DXT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT3150-13onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.55 грн
30+ 24.88 грн
100+ 16.93 грн
500+ 11.83 грн
1000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
DXT3904-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT3904-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.46 грн
12+ 26.64 грн
100+ 11.75 грн
1000+ 8.86 грн
2500+ 7.61 грн
10000+ 7.15 грн
25000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 94116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
12+ 22.9 грн
100+ 13.74 грн
500+ 11.93 грн
1000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.93 грн
500+ 11.83 грн
1000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.27 грн
5000+ 7.63 грн
12500+ 6.87 грн
25000+ 6.35 грн
62500+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT3906-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.79 грн
15+ 20.9 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 6.96 грн
2500+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.27 грн
5000+ 7.63 грн
12500+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 28570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
12+ 22.9 грн
100+ 13.74 грн
500+ 11.93 грн
1000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT3906-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.1 грн
10000+ 9.03 грн
25000+ 8.82 грн
50000+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.41 грн
22+ 33.86 грн
100+ 22.6 грн
500+ 16.54 грн
1000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
DXT458P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT458P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.91 грн
12+ 27.39 грн
100+ 17.65 грн
500+ 13.71 грн
1000+ 10.04 грн
5000+ 9.45 грн
10000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 487033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.94 грн
11+ 26.04 грн
100+ 18.07 грн
500+ 13.24 грн
1000+ 10.76 грн
2000+ 9.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.6 грн
500+ 16.54 грн
1000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 187470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.1 грн
12+ 24.2 грн
100+ 16.84 грн
500+ 12.34 грн
1000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.92 грн
5000+ 9.07 грн
12500+ 8.42 грн
25000+ 7.72 грн
62500+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -150V
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
13+ 24.3 грн
100+ 15.09 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.58 грн
2500+ 7.48 грн
25000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 596366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
12+ 22.97 грн
100+ 13.77 грн
500+ 11.97 грн
1000+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 160V
на замовлення 8023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.77 грн
16+ 19.24 грн
100+ 11.68 грн
1000+ 7.42 грн
2500+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 592500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.29 грн
5000+ 7.65 грн
12500+ 6.88 грн
25000+ 6.37 грн
62500+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.78 грн
22+ 26.12 грн
25+ 25.36 грн
100+ 15.73 грн
250+ 13.62 грн
500+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 18
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 46381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.91 грн
11+ 29.2 грн
100+ 17.65 грн
500+ 13.78 грн
1000+ 10.04 грн
5000+ 8.92 грн
10000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.86 грн
10000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 800350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.94 грн
11+ 26.25 грн
100+ 18.24 грн
500+ 13.36 грн
1000+ 10.86 грн
2000+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.2 грн
10000+ 9.12 грн
25000+ 8.91 грн
50000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
товар відсутній
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
товар відсутній
DXT651Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.61 грн
500+ 15.24 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
10+ 28.3 грн
100+ 19.69 грн
500+ 14.43 грн
1000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT651-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.54 грн
212500+ 11.45 грн
425000+ 10.66 грн
637500+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.07 грн
25+ 30.62 грн
100+ 20.61 грн
500+ 15.24 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.08 грн
11+ 27.62 грн
100+ 17.78 грн
500+ 14.31 грн
1000+ 11.16 грн
2500+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.51 грн
5000+ 9.42 грн
12500+ 9.32 грн
25000+ 8.9 грн
62500+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
12+ 23.58 грн
100+ 16.41 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT651Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
12+ 26.56 грн
100+ 16.08 грн
500+ 12.53 грн
1000+ 10.17 грн
2500+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT651Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.67 грн
5000+ 8.83 грн
12500+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT690BP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.78 грн
19+ 40.41 грн
100+ 27.09 грн
500+ 20.23 грн
1000+ 14.01 грн
5000+ 13.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
DXT690BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.97 грн
100+ 23.52 грн
500+ 18.45 грн
1000+ 15.7 грн
2000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.83 грн
100+ 22.25 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.37 грн
2500+ 14.24 грн
5000+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.09 грн
500+ 20.23 грн
1000+ 14.01 грн
5000+ 13.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT690BP5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
товар відсутній
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.13 грн
10+ 46.79 грн
100+ 27.76 грн
500+ 23.16 грн
1000+ 19.75 грн
2500+ 17.85 грн
5000+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.76 грн
5000+ 12.58 грн
12500+ 11.68 грн
25000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT696BK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 59900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.56 грн
100+ 23.36 грн
500+ 17.12 грн
1000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXT696BK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.45 грн
100+ 22.11 грн
500+ 17.19 грн
1000+ 14.04 грн
2500+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT751Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT751-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.84 грн
250000+ 9.91 грн
500000+ 9.22 грн
750000+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.64 грн
500+ 15.65 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.78 грн
10+ 28.57 грн
100+ 19.89 грн
500+ 14.57 грн
1000+ 11.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.59 грн
22+ 34.53 грн
100+ 21.64 грн
500+ 15.65 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.51 грн
50000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.72 грн
5000+ 10.71 грн
12500+ 9.95 грн
25000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
на замовлення 7532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
10+ 31.77 грн
100+ 19.23 грн
500+ 15.03 грн
1000+ 12.21 грн
2500+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.76 грн
5000+ 8.93 грн
12500+ 8.29 грн
25000+ 7.6 грн
62500+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT751Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
12+ 26.56 грн
100+ 16.08 грн
500+ 12.53 грн
1000+ 10.17 грн
2500+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.1 грн
12+ 23.86 грн
100+ 16.58 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT751Q-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT790AP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.96 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.79 грн
10000+ 14.64 грн
25000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT790AP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.78 грн
19+ 39.75 грн
100+ 24.96 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 37.43 грн
100+ 22.25 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.37 грн
5000+ 13.26 грн
10000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 73814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.01 грн
10+ 37.19 грн
100+ 28.5 грн
500+ 21.14 грн
1000+ 16.91 грн
2000+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.08 грн
30+ 24.81 грн
100+ 18.55 грн
500+ 13.47 грн
1000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 26
DXTA42-13DIODES INCORPORATEDDXTA42-13 NPN SMD transistors
товар відсутній
DXTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DXTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3
товар відсутній
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.55 грн
500+ 13.47 грн
1000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.7 грн
5000+ 7.95 грн
12500+ 7.38 грн
25000+ 6.77 грн
62500+ 6.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.08 грн
30+ 24.81 грн
100+ 18.55 грн
500+ 13.47 грн
1000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 26
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 202122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.26 грн
13+ 21.26 грн
100+ 14.76 грн
500+ 10.82 грн
1000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
DXTA92-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
товар відсутній
DXTA92-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DXTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo
на замовлення 18412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.81 грн
15+ 20.9 грн
100+ 12.86 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 8.01 грн
2500+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.55 грн
500+ 13.47 грн
1000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTC3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
товар відсутній
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.79 грн
10+ 51.69 грн
100+ 30.71 грн
500+ 25.66 грн
1000+ 22.44 грн
2500+ 19.03 грн
5000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.63 грн
10+ 49.63 грн
100+ 34.34 грн
500+ 26.93 грн
1000+ 22.92 грн
2000+ 20.41 грн
5000+ 19.02 грн
10000+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.38 грн
10+ 42.26 грн
100+ 27.36 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 16.67 грн
2000+ 15.09 грн
4000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товар відсутній
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
DXTN07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.9 грн
10+ 31.62 грн
100+ 19.16 грн
500+ 14.96 грн
1000+ 12.14 грн
2000+ 10.3 грн
10000+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.4 грн
10+ 37.28 грн
100+ 24.21 грн
500+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTN07045DFG-7DIODES INCORPORATEDDXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors
товар відсутній
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTN07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTN07060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.74 грн
21+ 35.92 грн
100+ 26.8 грн
500+ 19.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
DXTN07060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
товар відсутній
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.8 грн
500+ 19.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товар відсутній
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.04 грн
10+ 34.86 грн
100+ 22.57 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 13.78 грн
2000+ 12.47 грн
4000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN07100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.92 грн
6000+ 10.89 грн
10000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN07100BFG-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.2 грн
10+ 32.68 грн
100+ 19.75 грн
500+ 15.42 грн
1000+ 12.6 грн
2000+ 10.3 грн
10000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.49 грн
10+ 29.12 грн
100+ 20.23 грн
500+ 14.82 грн
1000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTN07100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
на замовлення 4463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.92 грн
10+ 42.18 грн
100+ 28.15 грн
500+ 22.25 грн
1000+ 17.85 грн
2500+ 16.14 грн
5000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
товар відсутній
DXTN07100BP5-13DIODES INCORPORATEDDXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors
товар відсутній
DXTN07100BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
товар відсутній
DXTN10060DFJBQ-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товар відсутній
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.52 грн
6000+ 7.87 грн
9000+ 7.08 грн
30000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.94 грн
12+ 23.58 грн
100+ 14.16 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
11+ 25.36 грн
100+ 18.94 грн
500+ 13.97 грн
1000+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.7 грн
12+ 26.87 грн
100+ 16.27 грн
500+ 12.73 грн
1000+ 10.37 грн
3000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncSS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
товар відсутній
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.88 грн
500+ 18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.95 грн
23+ 32.02 грн
100+ 24.88 грн
500+ 18.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.88 грн
500+ 18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.95 грн
23+ 32.02 грн
100+ 24.88 грн
500+ 18.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
DXTN26070CYDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
товар відсутній
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.15 грн
12+ 26.64 грн
100+ 12.34 грн
1000+ 8.4 грн
2500+ 7.55 грн
10000+ 7.09 грн
25000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
товар відсутній
DXTN3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.21 грн
10+ 48.81 грн
100+ 33.79 грн
500+ 26.49 грн
1000+ 22.55 грн
2000+ 20.08 грн
5000+ 18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.76 грн
10+ 42.03 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTN3C100PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors
товар відсутній
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
товар відсутній
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.76 грн
10+ 51.81 грн
100+ 35.85 грн
500+ 28.11 грн
1000+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.58 грн
5000+ 21.51 грн
12500+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXTN3C60PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors
товар відсутній
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 11027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.81 грн
100+ 24.54 грн
500+ 19.29 грн
1000+ 14.96 грн
2500+ 11.94 грн
5000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товар відсутній
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.49 грн
10+ 29.05 грн
100+ 20.19 грн
500+ 14.79 грн
1000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товар відсутній
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
6000+ 11.48 грн
9000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.62 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.33 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.62 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.33 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.35 грн
39+ 19.21 грн
100+ 13.54 грн
500+ 10.87 грн
1000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 28
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
6000+ 11.48 грн
9000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.54 грн
500+ 10.87 грн
1000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
10+ 28.03 грн
100+ 19.5 грн
500+ 14.28 грн
1000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
товар відсутній
DXTN5860DFDB-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товар відсутній
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+ 10.5 грн
9000+ 9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товар відсутній
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DXTP03060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP03060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.4 грн
33+ 22.38 грн
100+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 29
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.33 грн
10+ 32.06 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP03060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
товар відсутній
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.6 грн
6000+ 13.32 грн
10000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP03060CFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
товар відсутній
DXTP03060CFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.33 грн
10+ 32.06 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.4 грн
33+ 22.38 грн
100+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 29
DXTP03100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Case: PowerDI®3333-8
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.6 грн
6000+ 13.32 грн
10000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP03100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Case: PowerDI®3333-8
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
товар відсутній
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.33 грн
10+ 32.06 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist
товар відсутній
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.33 грн
10+ 32.06 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.6 грн
6000+ 13.32 грн
10000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.49 грн
10+ 29.46 грн
100+ 20.51 грн
500+ 15.03 грн
1000+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP03200BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.55 грн
15+ 49.25 грн
100+ 31.14 грн
500+ 24.13 грн
1000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 37635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.98 грн
10+ 41.01 грн
100+ 28.4 грн
500+ 22.27 грн
1000+ 18.95 грн
2000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.14 грн
500+ 24.13 грн
1000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.13 грн
10+ 46.03 грн
100+ 27.76 грн
500+ 23.16 грн
1000+ 17.59 грн
5000+ 16.6 грн
10000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.69 грн
10000+ 15.78 грн
25000+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
товар відсутній
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.48 грн
10000+ 13.8 грн
25000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
13+ 21.4 грн
100+ 12.82 грн
500+ 11.14 грн
1000+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.72 грн
6000+ 7.12 грн
10000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
товар відсутній
DXTP07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товар відсутній
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товар відсутній
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.04 грн
10+ 34.86 грн
100+ 22.57 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 13.78 грн
2000+ 12.47 грн
4000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товар відсутній
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.6 грн
100+ 23.82 грн
500+ 18.77 грн
1000+ 14.44 грн
2000+ 11.81 грн
10000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товар відсутній
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.57 грн
6000+ 12.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.04 грн
10+ 34.86 грн
100+ 22.57 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 13.78 грн
2000+ 12.47 грн
4000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.33 грн
10+ 31.58 грн
100+ 23.6 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.49 грн
10+ 29.12 грн
100+ 20.23 грн
500+ 14.82 грн
1000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.2 грн
10+ 32.68 грн
100+ 19.75 грн
500+ 15.42 грн
1000+ 12.6 грн
2000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.92 грн
6000+ 10.89 грн
10000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.91 грн
10+ 30.76 грн
100+ 21.3 грн
500+ 16.7 грн
1000+ 14.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 59120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.62 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.33 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 12.7 грн
2000+ 11.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.93 грн
10000+ 10.66 грн
25000+ 10.42 грн
50000+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP
на замовлення 29800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.27 грн
10+ 34.49 грн
100+ 20.87 грн
500+ 16.27 грн
1000+ 11.81 грн
5000+ 11.16 грн
10000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.91 грн
23+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.32 грн
6000+ 13.98 грн
10000+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.46 грн
10+ 33.63 грн
100+ 23.3 грн
500+ 18.27 грн
1000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DXTP3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXTP3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.34 грн
10+ 50.45 грн
100+ 34.92 грн
500+ 27.38 грн
1000+ 23.3 грн
2000+ 20.76 грн
5000+ 19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.67 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 15.46 грн
2500+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTP3C100PSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncPwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товар відсутній
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.08 грн
17+ 43.8 грн
100+ 29.67 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 15.46 грн
2500+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.76 грн
10+ 42.03 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTP3C100PSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.53 грн
500+ 20.17 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.94 грн
10+ 39.62 грн
100+ 26.45 грн
500+ 20.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTP3C60PS-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.89 грн
19+ 39.83 грн
100+ 27.53 грн
500+ 20.17 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
DXTP3C60PS-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній
DXTP3C60PSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.67 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 15.46 грн
2500+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.08 грн
17+ 43.8 грн
100+ 29.67 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 15.46 грн
2500+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
DXTP3C60PSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.76 грн
10+ 42.03 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 199843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.98 грн
10+ 41.01 грн
100+ 28.4 грн
500+ 22.27 грн
1000+ 18.95 грн
2000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXTP560BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товар відсутній
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
на замовлення 19350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.13 грн
10+ 46.79 грн
100+ 27.76 грн
500+ 23.16 грн
1000+ 17.85 грн
5000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.69 грн
10000+ 15.78 грн
25000+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.7 грн
16+ 48.44 грн
100+ 37.18 грн
500+ 27.27 грн
1000+ 18.3 грн
5000+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.32 грн
12+ 25.66 грн
100+ 16.67 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 10.17 грн
3000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
11+ 25.09 грн
100+ 18.73 грн
500+ 13.81 грн
1000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товар відсутній
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
товар відсутній
DXTP5820CFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товар відсутній
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.81 грн
12+ 24.54 грн
100+ 17.05 грн
500+ 12.5 грн
1000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTP5820CFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.93 грн
12+ 25.21 грн
100+ 15.29 грн
500+ 11.88 грн
1000+ 9.65 грн
3000+ 7.68 грн
9000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товар відсутній
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.7 грн
12+ 26.79 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.71 грн
1000+ 10.63 грн
3000+ 9.65 грн
6000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товар відсутній
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.7 грн
12+ 26.79 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.71 грн
1000+ 10.63 грн
3000+ 9.65 грн
6000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товар відсутній
DXTV6Phoenix ContactPhoenix Contact D XTV 6
товар відсутній