Продукція > DXT

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.70 грн
23+	37.09 грн
100+	23.63 грн
500+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.68 грн
5000+	11.17 грн
7500+	10.64 грн
12500+	9.42 грн
17500+	9.09 грн
25000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 3867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.81 грн
11+	34.64 грн
100+	19.55 грн
500+	14.27 грн
1000+	13.36 грн
2500+	11.78 грн
5000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT223
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 3A
Current gain: 5...40
Collector-emitter voltage: 450V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 4MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.63 грн
500+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 31648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	31.45 грн
100+	20.29 грн
500+	14.51 грн
1000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DG-7

Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003DK-13

Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.60 грн
10+	47.40 грн
100+	31.63 грн
500+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT13003EK-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 6298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.01 грн
10+	49.74 грн
100+	32.31 грн
500+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	60.13 грн
12+	35.15 грн
75+	23.98 грн
100+	22.80 грн
500+	17.46 грн
1000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.01 грн
10000+	16.07 грн
15000+	15.43 грн
25000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.62 грн
18+	48.95 грн
100+	36.08 грн
500+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.31 грн
1000+	16.76 грн
2500+	16.68 грн
5000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	72.15 грн
10+	43.80 грн
75+	28.78 грн
100+	27.36 грн
500+	20.95 грн
1000+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 211147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	46.87 грн
100+	30.59 грн
500+	22.12 грн
1000+	20.00 грн
2000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.08 грн
500+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 35981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	41.99 грн
100+	27.39 грн
500+	19.81 грн
1000+	17.91 грн
2000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.13 грн
10000+	14.39 грн
15000+	13.81 грн
25000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 6A
Current gain: 10...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

на замовлення 12246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.38 грн
1000+	16.76 грн
5000+	14.95 грн
10000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

на замовлення 28036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.74 грн
10+	51.74 грн
100+	33.91 грн
500+	24.62 грн
1000+	22.30 грн
2000+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 6A
Current gain: 10...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Application: automotive industry
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.32 грн
10+	51.31 грн
100+	29.29 грн
500+	22.65 грн
1000+	18.72 грн
5000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2011P5Q-13

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.17 грн
10000+	18.04 грн
15000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.96 грн
19+	46.49 грн
100+	30.23 грн
500+	22.88 грн
1000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A

на замовлення 5822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.57 грн
2500+	17.06 грн
5000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 5164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	46.87 грн
100+	30.59 грн
500+	22.12 грн
1000+	20.00 грн
2000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.23 грн
500+	22.88 грн
1000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.01 грн
10000+	16.07 грн
15000+	15.43 грн
25000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.22 грн
500+	22.65 грн
1000+	16.11 грн
5000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 10A
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 204295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	46.87 грн
100+	30.59 грн
500+	22.12 грн
1000+	20.00 грн
2000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.21 грн
18+	47.34 грн
100+	29.22 грн
500+	22.65 грн
1000+	16.11 грн
5000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT2013P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.38 грн
1000+	16.76 грн
5000+	14.95 грн
10000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Power dissipation: 3.2W
Collector current: 4A
Current gain: 5...300
Pulsed collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 140V
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: PowerDI®5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.96 грн
10000+	16.93 грн
15000+	16.26 грн
25000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A

на замовлення 5185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.74 грн
10+	48.62 грн
100+	27.63 грн
500+	21.36 грн
1000+	17.59 грн
2500+	17.51 грн
5000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 206689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.66 грн
10+	48.99 грн
100+	32.04 грн
500+	23.22 грн
1000+	21.01 грн
2000+	19.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 58975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
15+	21.47 грн
100+	13.67 грн
500+	9.64 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 28788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.37 грн
15+	23.79 грн
100+	13.21 грн
500+	9.81 грн
1000+	8.68 грн
2500+	6.27 грн
5000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 415000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.29 грн
5000+	7.25 грн
7500+	6.87 грн
12500+	6.05 грн
17500+	5.82 грн
25000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.36 грн
500+	9.28 грн
1000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Current gain: 35...300
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.52 грн
35+	24.90 грн
100+	12.36 грн
500+	9.28 грн
1000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 4442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
13+	25.95 грн
100+	16.58 грн
500+	11.76 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Pulsed collector current: 0.8A
Quantity in set/package: 2500pcs.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo

на замовлення 3781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.24 грн
13+	28.04 грн
100+	15.55 грн
500+	11.85 грн
1000+	10.42 грн
2500+	9.13 грн
5000+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.42 грн
24+	30.54 грн
27+	26.76 грн
50+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.19 грн
5000+	8.93 грн
7500+	8.48 грн
12500+	7.49 грн
17500+	7.21 грн
25000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	35.14 грн
30+	28.62 грн
100+	19.48 грн
500+	13.60 грн
1000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 50095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
13+	25.95 грн
100+	16.58 грн
500+	11.76 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.48 грн
500+	13.60 грн
1000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT3904-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 2919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.49 грн
13+	28.13 грн
100+	13.51 грн
1000+	9.06 грн
2500+	8.53 грн
10000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.03 грн
5000+	9.67 грн
7500+	9.19 грн
12500+	8.11 грн
17500+	7.81 грн
25000+	7.52 грн
62500+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo

на замовлення 13484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.35 грн
13+	27.61 грн
100+	16.31 грн
500+	12.38 грн
1000+	10.95 грн
2500+	9.59 грн
5000+	8.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 175442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	28.07 грн
100+	17.96 грн
500+	12.74 грн
1000+	11.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 388585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.08 грн
10+	31.69 грн
100+	20.45 грн
500+	14.64 грн
1000+	13.16 грн
2000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.16 грн
12+	31.51 грн
100+	20.31 грн
500+	15.78 грн
1000+	11.55 грн
5000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 425000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.65 грн
23+	38.36 грн
100+	24.81 грн
500+	17.54 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 385000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.71 грн
10000+	10.39 грн
15000+	9.94 грн
25000+	8.85 грн
35000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.81 грн
500+	17.54 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5401

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 87083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.45 грн
11+	30.51 грн
100+	19.62 грн
500+	13.98 грн
1000+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Bipolar Transistors - BJT 1W -150V

на замовлення 5543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.52 грн
12+	31.43 грн
100+	17.59 грн
500+	13.36 грн
1000+	12.00 грн
2500+	10.42 грн
5000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.16 грн
5000+	10.69 грн
7500+	10.17 грн
12500+	8.99 грн
17500+	8.67 грн
25000+	8.35 грн
62500+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 375566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
13+	25.95 грн
100+	16.58 грн
500+	11.76 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 372500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.66 грн
5000+	7.59 грн
7500+	7.21 грн
12500+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 325000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Bipolar Transistors - BJT 1W 160V

на замовлення 2916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.24 грн
13+	28.04 грн
100+	15.10 грн
500+	11.63 грн
1000+	10.57 грн
2500+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

845+	10.46 грн
1000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 845

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.88 грн
250+	14.82 грн
1000+	13.60 грн
3000+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

на замовлення 16450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.24 грн
10+	36.98 грн
100+	20.76 грн
500+	15.85 грн
1000+	12.91 грн
5000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	30.49 грн
50+	18.88 грн
250+	14.82 грн
1000+	13.60 грн
3000+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 293491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	35.46 грн
100+	22.88 грн
500+	16.37 грн
1000+	14.72 грн
2000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 290000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

на замовлення 6153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.87 грн
10+	36.29 грн
100+	21.59 грн
500+	16.99 грн
1000+	14.27 грн
5000+	12.76 грн
10000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 410000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.15 грн
10000+	12.70 грн
15000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

на замовлення 405000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 413993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	33.58 грн
100+	22.95 грн
500+	16.98 грн
1000+	15.47 грн
2000+	14.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT651

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

на замовлення 3954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.24 грн
10+	38.55 грн
100+	21.44 грн
500+	17.51 грн
1000+	14.34 грн
2500+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.42 грн
500+	18.79 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.94 грн
5000+	11.82 грн
12500+	11.70 грн
25000+	11.17 грн
62500+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.57 грн
24+	36.75 грн
100+	26.42 грн
500+	18.79 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.64 грн
212500+	12.46 грн
425000+	11.59 грн
637500+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 5669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.24 грн
10+	36.57 грн
100+	23.65 грн
500+	16.96 грн
1000+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.08 грн
10+	32.08 грн
100+	20.59 грн
500+	14.69 грн
1000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT651Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.87 грн
11+	32.73 грн
100+	18.87 грн
500+	14.57 грн
1000+	13.14 грн
2500+	10.57 грн
10000+	10.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.38 грн
1000+	18.57 грн
2500+	17.06 грн
5000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	41.99 грн
100+	27.40 грн
500+	19.82 грн
1000+	17.92 грн
2000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.96 грн
19+	46.49 грн
100+	31.16 грн
500+	23.28 грн
1000+	16.11 грн
5000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.16 грн
500+	23.28 грн
1000+	16.11 грн
5000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT690BP5Q-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.50 грн
10000+	17.46 грн
15000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.29 грн
50+	41.92 грн
100+	29.22 грн
500+	21.15 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

на замовлення 3761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.17 грн
10+	41.58 грн
100+	23.48 грн
500+	18.04 грн
1000+	16.31 грн
2500+	11.70 грн
10000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	37.59 грн
100+	24.41 грн
500+	17.57 грн
1000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT696BK-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 0.5A; 3.9W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Power dissipation: 3.9W
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 150...500
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.78 грн
500+	16.67 грн
1000+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.01 грн
10+	32.79 грн
100+	22.80 грн
500+	16.70 грн
1000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

на замовлення 6612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.39 грн
10+	37.59 грн
100+	21.14 грн
500+	16.15 грн
1000+	14.64 грн
2500+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.94 грн
50000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.85 грн
26+	33.45 грн
100+	22.78 грн
500+	16.67 грн
1000+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.43 грн
5000+	12.28 грн
12500+	11.40 грн
25000+	10.45 грн
62500+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.79 грн
250000+	10.78 грн
500000+	10.03 грн
750000+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 59822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
12+	27.36 грн
100+	19.00 грн
500+	13.92 грн
1000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXT751Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.48 грн
11+	34.03 грн
100+	19.25 грн
500+	14.64 грн
1000+	12.91 грн
2500+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

на замовлення 8306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.53 грн
100+	26.42 грн
500+	20.38 грн
1000+	16.76 грн
5000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.81 грн
29+	29.89 грн
100+	20.75 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 107449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	37.74 грн
100+	25.86 грн
500+	19.21 грн
1000+	17.54 грн
2000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

на замовлення 3153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.39 грн
500+	21.00 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.45 грн
30+	28.54 грн
100+	21.34 грн
500+	15.49 грн
1000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.34 грн
500+	15.49 грн
1000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTA42-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.24 грн
29+	29.64 грн
100+	18.72 грн
500+	13.13 грн
1000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo

на замовлення 16848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.31 грн
11+	31.77 грн
100+	17.74 грн
500+	13.51 грн
1000+	12.08 грн
2500+	8.38 грн
5000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 151327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
14+	23.28 грн
100+	15.76 грн
500+	11.55 грн
1000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.72 грн
500+	13.13 грн
1000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 147500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.23 грн
5000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PD-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	57.09 грн
100+	39.51 грн
500+	30.98 грн
1000+	26.37 грн
2000+	23.48 грн
5000+	21.88 грн
10000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTC3C100PDQ-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.78 грн
10+	59.47 грн
100+	35.33 грн
500+	29.52 грн
1000+	25.82 грн
2500+	21.89 грн
5000+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.18 грн
100+	27.48 грн
500+	21.59 грн
1000+	17.97 грн
2000+	15.48 грн
4000+	13.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	28.12 грн
44+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	38.46 грн
100+	21.59 грн
500+	16.53 грн
1000+	14.95 грн
2000+	13.51 грн
4000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.27 грн
4000+	14.32 грн
6000+	13.63 грн
10000+	12.07 грн
14000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 15475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	38.77 грн
100+	25.06 грн
500+	17.99 грн
1000+	16.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFG-7

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07025BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.47 грн
10+	39.76 грн
100+	24.08 грн
500+	18.80 грн
1000+	15.32 грн
2000+	12.91 грн
10000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.70 грн
21+	40.39 грн
100+	26.34 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 900mW; PowerDI®3333-8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 0.9W
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 2000pcs.
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.34 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	38.46 грн
100+	21.59 грн
500+	16.53 грн
1000+	14.95 грн
2000+	12.83 грн
4000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 10668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
11+	30.35 грн
100+	20.70 грн
500+	15.28 грн
1000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.09 грн
10+	37.59 грн
100+	22.72 грн
500+	17.74 грн
1000+	14.49 грн
2000+	11.85 грн
10000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.10 грн
4000+	12.53 грн
6000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.74 грн
10+	48.62 грн
100+	27.63 грн
500+	21.36 грн
1000+	17.66 грн
5000+	15.70 грн
10000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 328489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.84 грн
10+	48.83 грн
100+	31.92 грн
500+	23.12 грн
1000+	20.92 грн
2000+	19.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 325000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.88 грн
10000+	16.87 грн
15000+	16.19 грн
25000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.13 грн
10000+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	53.63 грн
100+	37.12 грн
500+	29.11 грн
1000+	24.78 грн
2000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3000+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.80 грн
6000+	9.05 грн
9000+	8.14 грн
30000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
12+	27.13 грн
100+	16.29 грн
500+	14.15 грн
1000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 11445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.11 грн
11+	29.17 грн
100+	21.79 грн
500+	16.07 грн
1000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.26 грн
500+	15.57 грн
1000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.52 грн
6000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.46 грн
12+	30.91 грн
100+	18.72 грн
500+	14.64 грн
1000+	11.93 грн
3000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN10060DFJBWQ-7

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.65 грн
28+	30.49 грн
100+	21.26 грн
500+	15.57 грн
1000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 21980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.00 грн
10+	40.34 грн
100+	28.03 грн
500+	20.54 грн
1000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.52 грн
6000+	15.10 грн
10000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.79 грн
18+	47.17 грн
100+	30.57 грн
500+	20.21 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	36.25 грн
100+	25.10 грн
500+	19.68 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.57 грн
500+	20.21 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.51 грн
6000+	15.06 грн
10000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.51 грн
6000+	15.06 грн
10000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.44 грн
22+	40.06 грн
100+	26.00 грн
500+	18.64 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	36.25 грн
100+	25.10 грн
500+	19.68 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN22040DFGQ-7

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.00 грн
500+	18.64 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 63890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.30 грн
15+	22.18 грн
100+	14.98 грн
500+	10.96 грн
1000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.90 грн
15+	24.48 грн
100+	11.25 грн
1000+	10.04 грн
2500+	8.68 грн
10000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.73 грн
5000+	8.61 грн
7500+	8.22 грн
12500+	7.30 грн
17500+	7.06 грн
25000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
10+	38.53 грн
100+	26.69 грн
500+	20.93 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	50.41 грн
100+	34.91 грн
500+	27.37 грн
1000+	23.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	42.19 грн
100+	23.85 грн
500+	18.34 грн
1000+	16.46 грн
2500+	13.97 грн
5000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	38.06 грн
100+	24.73 грн
500+	17.81 грн
1000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 17408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	53.55 грн
100+	37.04 грн
500+	29.05 грн
1000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	60.16 грн
100+	34.65 грн
500+	27.25 грн
1000+	24.61 грн
2500+	22.04 грн
5000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.87 грн
5000+	22.13 грн
7500+	21.21 грн
12500+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	42.19 грн
100+	23.85 грн
500+	18.34 грн
1000+	16.53 грн
2500+	14.57 грн
5000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
10+	33.03 грн
100+	22.97 грн
500+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.39 грн
10+	37.42 грн
100+	21.06 грн
500+	17.14 грн
1000+	14.80 грн
3000+	12.38 грн
6000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.98 грн
6000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.20 грн
10+	31.69 грн
100+	22.03 грн
500+	16.15 грн
1000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.36 грн
500+	15.88 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.39 грн
6000+	11.83 грн
9000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.89 грн
25+	34.55 грн
100+	22.36 грн
500+	15.88 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.35 грн
10+	33.81 грн
100+	21.81 грн
500+	15.64 грн
1000+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN5840CFDB-7

NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.12 грн
6000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.62 грн
100+	23.01 грн
500+	16.50 грн
1000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CE-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K

на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.88 грн
10+	40.02 грн
100+	22.95 грн
500+	18.04 грн
1000+	15.40 грн
2000+	13.89 грн
5000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTN69060CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	44.97 грн
100+	26.72 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.51 грн
2000+	15.85 грн
4000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTN80030DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
14+	26.56 грн
100+	17.97 грн
500+	15.93 грн
1000+	15.25 грн
2000+	14.72 грн
4000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN80060DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
14+	26.56 грн
100+	17.97 грн
500+	15.93 грн
1000+	15.25 грн
2000+	14.72 грн
4000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTN80100CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
14+	26.56 грн
100+	17.97 грн
500+	15.93 грн
1000+	15.25 грн
2000+	14.72 грн
4000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	36.25 грн
100+	25.08 грн
500+	19.67 грн
1000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.86 грн
500+	19.42 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.49 грн
4000+	16.32 грн
6000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060BFG-7

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.15 грн
22+	40.22 грн
100+	27.86 грн
500+	19.42 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.91 грн
10+	37.59 грн
100+	26.04 грн
500+	20.42 грн
1000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.23 грн
500+	20.76 грн
1000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.13 грн
6000+	15.63 грн
10000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03060CFG-7

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.51 грн
19+	45.22 грн
100+	30.23 грн
500+	20.76 грн
1000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	36.25 грн
100+	25.08 грн
500+	19.67 грн
1000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.50 грн
6000+	15.05 грн
10000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.96 грн
6000+	15.47 грн
10000+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	37.27 грн
100+	25.78 грн
500+	20.22 грн
1000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.74 грн
4000+	12.98 грн
6000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 7960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	35.07 грн
100+	22.69 грн
500+	16.29 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP03140BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.82 грн
500+	27.76 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 2476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	55.04 грн
100+	36.17 грн
500+	26.34 грн
1000+	23.89 грн
2000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	54.35 грн
100+	31.10 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.16 грн
2500+	20.08 грн
5000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5-13

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.51 грн
15+	56.65 грн
100+	35.82 грн
500+	27.76 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.81 грн
10000+	15.88 грн
25000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP03200BP5Q-13

PNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.88 грн
6000+	8.20 грн
10000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
13+	24.61 грн
100+	14.75 грн
500+	12.82 грн
1000+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	38.53 грн
100+	24.93 грн
500+	17.89 грн
1000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.18 грн
4000+	14.24 грн
6000+	13.56 грн
10000+	12.01 грн
14000+	11.58 грн
20000+	11.17 грн
50000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 41980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.86 грн
10+	43.09 грн
100+	28.09 грн
500+	20.27 грн
1000+	18.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.83 грн
40+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.44 грн
4000+	16.27 грн
6000+	15.52 грн
10000+	13.77 грн
14000+	13.30 грн
20000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.60 грн
10+	48.01 грн
100+	33.97 грн
500+	26.65 грн
1000+	17.51 грн
2000+	13.51 грн
4000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP07040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.94 грн
10+	42.10 грн
100+	27.40 грн
500+	21.59 грн
1000+	16.61 грн
2000+	13.59 грн
10000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.61 грн
6000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 7990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.21 грн
10+	40.11 грн
100+	25.97 грн
500+	20.46 грн
1000+	15.85 грн
2000+	14.34 грн
4000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	36.33 грн
100+	27.14 грн
500+	20.02 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T and R 2K

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.81 грн
10+	55.04 грн
100+	45.97 грн
500+	39.03 грн
1000+	36.91 грн
2000+	14.95 грн
4000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP07060BFGQ-7

60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
10+	33.50 грн
100+	23.28 грн
500+	17.05 грн
1000+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.71 грн
6000+	12.53 грн
10000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	38.46 грн
100+	21.59 грн
500+	16.53 грн
1000+	14.95 грн
2000+	11.85 грн
4000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFG-7

Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
10+	35.39 грн
100+	24.50 грн
500+	19.21 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP

на замовлення 28217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	39.93 грн
100+	22.50 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.12 грн
5000+	11.40 грн
10000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 58833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	36.96 грн
100+	23.96 грн
500+	17.23 грн
1000+	15.53 грн
2000+	14.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.89 грн
10000+	12.36 грн
15000+	11.84 грн
25000+	10.56 грн
35000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.24 грн
10+	36.88 грн
100+	23.83 грн
500+	17.07 грн
1000+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.41 грн
4000+	13.56 грн
6000+	12.90 грн
10000+	11.41 грн
14000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.83 грн
40+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.03 грн
4000+	16.80 грн
6000+	16.02 грн
10000+	14.21 грн
14000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040CFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	44.51 грн
100+	28.99 грн
500+	20.93 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.41 грн
4000+	13.56 грн
6000+	12.90 грн
10000+	11.41 грн
14000+	11.00 грн
20000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFG-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 23980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.24 грн
10+	36.88 грн
100+	23.83 грн
500+	17.07 грн
1000+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	44.51 грн
100+	28.99 грн
500+	20.93 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.03 грн
4000+	16.80 грн
6000+	16.02 грн
10000+	14.21 грн
14000+	13.73 грн
20000+	13.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.94 грн
10+	45.53 грн
100+	29.76 грн
500+	21.55 грн
1000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	52.14 грн
100+	36.09 грн
500+	28.29 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	38.06 грн
100+	24.73 грн
500+	17.81 грн
1000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.19 грн
28+	30.74 грн
100+	20.32 грн
500+	14.63 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.82 грн
10+	42.71 грн
100+	25.82 грн
500+	20.16 грн
1000+	16.46 грн
2500+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.83 грн
500+	15.10 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C100PSQ-13

Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.84 грн
500+	20.84 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 3370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.95 грн
10+	44.01 грн
100+	24.99 грн
500+	19.25 грн
1000+	17.36 грн
2500+	15.02 грн
5000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 9265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.40 грн
20+	43.02 грн
100+	26.84 грн
500+	20.84 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.22 грн
23+	37.77 грн
100+	25.83 грн
500+	17.06 грн
1000+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	38.06 грн
100+	24.73 грн
500+	17.81 грн
1000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.83 грн
500+	17.06 грн
1000+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 24860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	42.19 грн
100+	23.85 грн
500+	18.34 грн
1000+	16.46 грн
2500+	12.30 грн
5000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DXTP3C60PSQ-13

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.68 грн
16+	53.35 грн
100+	35.14 грн
500+	23.51 грн
1000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

на замовлення 14798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.35 грн
100+	31.10 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.16 грн
2500+	20.08 грн
5000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 144843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	55.04 грн
100+	36.17 грн
500+	26.34 грн
1000+	23.89 грн
2000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DXTP560BP5-13

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.14 грн
500+	23.51 грн
1000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.44 грн
12+	29.00 грн
100+	17.59 грн
500+	13.66 грн
1000+	11.17 грн
3000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.11 грн
11+	28.86 грн
100+	21.55 грн
500+	15.89 грн
1000+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 61630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
11+	28.70 грн
100+	18.42 грн
500+	13.13 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DXTP5820CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 13835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.23 грн
11+	31.69 грн
100+	17.66 грн
500+	13.51 грн
1000+	12.08 грн
3000+	9.81 грн
6000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
11+	28.62 грн
100+	18.41 грн
500+	13.12 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5840CFDB-7

Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7

60V PNP Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DXTP5860CFDB-7