НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DXT13003DGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Collector-emitter voltage: 450V
Current gain: 5...40
Collector current: 1.3A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2500pcs.
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 4MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.29 грн
500+15.74 грн
1000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.03 грн
10+37.40 грн
100+20.69 грн
500+15.03 грн
1000+14.66 грн
2500+10.94 грн
10000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 67818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.13 грн
10+31.86 грн
100+20.51 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.85 грн
23+36.56 грн
100+23.29 грн
500+15.74 грн
1000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Collector-emitter voltage: 450V
Current gain: 5...40
Collector current: 1.3A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2500pcs.
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.82 грн
5000+11.29 грн
7500+10.75 грн
12500+9.53 грн
17500+9.19 грн
25000+8.86 грн
62500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-7Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncTRANS NPN 450V 1.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.83 грн
10+46.72 грн
100+31.18 грн
500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.17 грн
10+49.03 грн
100+31.85 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.75 грн
10+48.44 грн
100+27.83 грн
500+21.80 грн
1000+18.23 грн
2500+17.71 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 211147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+46.20 грн
100+30.15 грн
500+21.80 грн
1000+19.71 грн
2000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.56 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.76 грн
10000+15.84 грн
15000+15.21 грн
25000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.77 грн
18+48.25 грн
100+35.56 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+46.20 грн
100+30.15 грн
500+21.80 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
на замовлення 12776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.83 грн
10+50.06 грн
25+43.46 грн
100+28.28 грн
500+21.80 грн
1000+18.23 грн
2500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.89 грн
10000+17.78 грн
15000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.58 грн
10+52.54 грн
100+30.96 грн
500+24.56 грн
1000+20.39 грн
2500+19.87 грн
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...300
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.52 грн
10+51.00 грн
100+33.42 грн
500+24.26 грн
1000+21.98 грн
2000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+46.20 грн
100+30.15 грн
500+21.80 грн
1000+19.71 грн
2000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+22.56 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Pulsed collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Pulsed collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.18 грн
19+45.83 грн
100+29.80 грн
500+22.56 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
на замовлення 6772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.04 грн
10+49.55 грн
25+43.01 грн
100+28.28 грн
250+27.83 грн
500+22.18 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+46.20 грн
100+30.15 грн
500+21.80 грн
1000+19.71 грн
2000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 5...300
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.43 грн
18+46.66 грн
100+28.80 грн
500+22.32 грн
1000+15.88 грн
5000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 3599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.80 грн
10+46.64 грн
25+40.48 грн
100+27.09 грн
500+21.80 грн
1000+18.23 грн
2500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.76 грн
10000+15.84 грн
15000+15.21 грн
25000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 5...300
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 125MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.80 грн
500+22.32 грн
1000+15.88 грн
5000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.75 грн
10+49.89 грн
100+29.02 грн
500+22.85 грн
1000+19.20 грн
2500+18.68 грн
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 5...300
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 206689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.50 грн
10+48.29 грн
100+31.59 грн
500+22.89 грн
1000+20.71 грн
2000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.69 грн
10000+16.69 грн
15000+16.03 грн
25000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 5...300
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2014P5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.38 грн
5000+7.33 грн
7500+6.95 грн
12500+6.12 грн
17500+5.88 грн
25000+5.65 грн
62500+5.06 грн
125000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
500+9.15 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.06 грн
35+24.54 грн
100+12.19 грн
500+9.15 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 127257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
15+21.70 грн
100+13.83 грн
500+9.75 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 22654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
14+25.24 грн
100+14.36 грн
500+10.34 грн
1000+8.56 грн
2500+7.81 грн
5000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
13+28.15 грн
100+12.35 грн
1000+11.09 грн
2500+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
13+25.58 грн
100+16.35 грн
500+11.60 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3150-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.11 грн
24+26.09 грн
27+22.86 грн
50+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 50095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
13+25.58 грн
100+16.35 грн
500+11.60 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+13.41 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.04 грн
5000+8.80 грн
7500+8.36 грн
12500+7.38 грн
17500+7.11 грн
25000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
13+27.73 грн
100+13.32 грн
1000+8.93 грн
2500+8.41 грн
10000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.64 грн
30+28.22 грн
100+19.20 грн
500+13.41 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.39 грн
20+17.54 грн
100+9.23 грн
1000+8.71 грн
2500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 175442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
12+27.67 грн
100+17.70 грн
500+12.56 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13DIODES INCORPORATEDDXT3906-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.87 грн
5000+9.54 грн
7500+9.06 грн
12500+8.00 грн
17500+7.70 грн
25000+7.41 грн
62500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT3906-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INCORPORATEDDXT458P5-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.46 грн
500+16.28 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 439046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.93 грн
10+32.25 грн
100+20.80 грн
500+14.88 грн
1000+13.38 грн
2000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.59 грн
12+31.06 грн
100+20.02 грн
500+15.55 грн
1000+11.39 грн
5000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.66 грн
25+34.48 грн
100+22.46 грн
500+16.28 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.91 грн
10000+10.57 грн
15000+10.11 грн
25000+9.00 грн
35000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -150V
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
12+29.87 грн
100+18.83 грн
500+14.59 грн
1000+12.06 грн
2500+10.64 грн
5000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.99 грн
5000+10.54 грн
7500+10.02 грн
12500+8.86 грн
17500+8.54 грн
25000+8.23 грн
62500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 87083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
11+30.08 грн
100+19.34 грн
500+13.78 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5401-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 372500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.53 грн
5000+7.48 грн
7500+7.11 грн
12500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13DIODES INCORPORATEDDXT5551-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 160V
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
15+24.13 грн
100+10.57 грн
1000+9.38 грн
2500+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
845+8.94 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 845
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 375566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
13+25.58 грн
100+16.35 грн
500+11.60 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.05 грн
50+18.62 грн
250+14.61 грн
1000+13.41 грн
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INCORPORATEDDXT5551P5-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 293491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+34.96 грн
100+22.56 грн
500+16.14 грн
1000+14.51 грн
2000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 16653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.43 грн
10+36.54 грн
100+21.65 грн
250+21.58 грн
500+16.45 грн
1000+13.39 грн
2500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.62 грн
250+14.61 грн
1000+13.41 грн
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+33.10 грн
100+22.63 грн
500+16.74 грн
1000+15.25 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13DIODES INCORPORATEDDXT5551P5Q-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.95 грн
10000+12.51 грн
15000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.09 грн
10+35.77 грн
100+21.28 грн
500+16.74 грн
1000+14.06 грн
5000+12.58 грн
10000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+38.00 грн
100+21.13 грн
500+17.26 грн
1000+14.14 грн
2500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.20 грн
5000+10.10 грн
12500+9.99 грн
25000+9.54 грн
62500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.76 грн
24+36.23 грн
100+26.04 грн
500+18.53 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.37 грн
10+36.04 грн
100+23.32 грн
500+16.72 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.45 грн
212500+12.28 грн
425000+11.43 грн
637500+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.04 грн
500+18.53 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140...200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140...200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.13 грн
11+32.26 грн
100+18.60 грн
500+14.36 грн
1000+12.95 грн
2500+10.42 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.32 грн
10+31.63 грн
100+20.30 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140...200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.18 грн
19+45.83 грн
100+30.72 грн
500+22.94 грн
1000+15.88 грн
5000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 5000pcs.
Case: PowerDI®5
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Collector current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.72 грн
500+22.94 грн
1000+15.88 грн
5000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 5000pcs.
Case: PowerDI®5
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
на замовлення 8638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.80 грн
10+46.64 грн
25+40.48 грн
100+27.09 грн
500+21.80 грн
1000+18.60 грн
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.84 грн
10+42.48 грн
100+27.69 грн
500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 5000pcs.
Case: PowerDI®5
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.46 грн
10000+19.21 грн
15000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 5000pcs.
Case: PowerDI®5
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Collector current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 114273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+41.39 грн
100+26.91 грн
500+19.37 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.58 грн
50+41.32 грн
100+28.80 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.07 грн
5000+15.08 грн
7500+14.39 грн
12500+12.78 грн
17500+12.35 грн
25000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INCORPORATEDDXT696BK-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.80 грн
10+43.99 грн
100+25.08 грн
500+19.27 грн
1000+17.49 грн
2500+15.11 грн
5000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.20 грн
50000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
на замовлення 7422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.80 грн
10+36.03 грн
100+21.80 грн
500+17.04 грн
1000+13.84 грн
2500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.16 грн
22+39.15 грн
100+24.54 грн
500+17.75 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.24 грн
5000+12.10 грн
12500+11.24 грн
25000+10.30 грн
62500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INCORPORATEDDXT751-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.62 грн
250000+10.62 грн
500000+9.88 грн
750000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.54 грн
500+17.75 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.44 грн
10+32.32 грн
100+22.47 грн
500+16.47 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
12+26.98 грн
100+18.73 грн
500+13.72 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
12+30.12 грн
100+18.23 грн
500+14.21 грн
1000+11.53 грн
2500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13DIODES INCORPORATEDDXT751Q-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.31 грн
29+29.47 грн
100+20.45 грн
500+16.90 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 107449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+37.21 грн
100+25.49 грн
500+18.94 грн
1000+17.29 грн
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.45 грн
500+16.90 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INCORPORATEDDXT790AP5-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+43.30 грн
100+25.75 грн
500+21.51 грн
1000+18.23 грн
2500+16.59 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INCORPORATEDDXTA42-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.04 грн
500+15.27 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.97 грн
30+28.13 грн
100+21.04 грн
500+15.27 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 151327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
14+22.94 грн
100+15.53 грн
500+11.39 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo
на замовлення 16868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.99 грн
13+26.96 грн
100+15.92 грн
500+11.31 грн
1000+8.86 грн
2500+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.45 грн
500+12.94 грн
1000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.11 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INCORPORATEDDXTA92-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.73 грн
29+29.22 грн
100+18.45 грн
500+12.94 грн
1000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.62 грн
10+56.28 грн
100+38.94 грн
500+30.54 грн
1000+25.99 грн
2000+23.15 грн
5000+21.57 грн
10000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.80 грн
10+58.62 грн
100+34.83 грн
500+29.10 грн
1000+25.45 грн
2500+21.58 грн
5000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.31 грн
10+45.10 грн
100+29.24 грн
500+23.07 грн
1000+18.31 грн
2000+15.48 грн
10000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.71 грн
44+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN06080BFG-7Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 15475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.59 грн
10+38.21 грн
100+24.70 грн
500+17.73 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.04 грн
4000+14.12 грн
6000+13.44 грн
10000+11.90 грн
14000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+39.79 грн
100+23.51 грн
500+18.01 грн
1000+15.55 грн
2000+14.06 грн
4000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.79 грн
10+39.19 грн
100+23.74 грн
500+18.53 грн
1000+15.11 грн
2000+12.72 грн
10000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7DIODES INCORPORATEDDXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.39 грн
500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.53 грн
10+39.54 грн
100+25.60 грн
500+20.17 грн
1000+15.63 грн
2000+14.14 грн
4000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.33 грн
21+40.74 грн
100+30.39 грн
500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INCORPORATEDDXTN07060BFG-7 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+37.05 грн
100+22.40 грн
500+17.49 грн
1000+14.29 грн
2000+11.68 грн
10000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.90 грн
4000+12.35 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7DIODES INCORPORATEDDXTN07100BFG-7 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
11+29.92 грн
100+20.40 грн
500+15.06 грн
1000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13DIODES INCORPORATEDDXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 328489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.69 грн
10+48.14 грн
100+31.46 грн
500+22.79 грн
1000+20.62 грн
2000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.62 грн
10000+16.63 грн
15000+15.96 грн
25000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.78 грн
10+43.99 грн
100+26.19 грн
500+20.84 грн
1000+17.34 грн
5000+16.97 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.79 грн
10+52.86 грн
100+36.59 грн
500+28.70 грн
1000+24.42 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.80 грн
10000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes ZetexDXTN07100BP5Q-13
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
12+26.74 грн
100+16.05 грн
500+13.95 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
6000+8.92 грн
9000+8.03 грн
30000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncSS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.95 грн
500+15.35 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.14 грн
28+30.05 грн
100+20.95 грн
500+15.35 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.94 грн
12+30.47 грн
100+18.45 грн
500+14.44 грн
1000+11.76 грн
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
11+28.76 грн
100+21.48 грн
500+15.84 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.28 грн
6000+14.88 грн
10000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 21980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.30 грн
10+39.76 грн
100+27.63 грн
500+20.25 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
10+35.73 грн
100+24.74 грн
500+19.40 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.22 грн
500+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.27 грн
6000+14.84 грн
10000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.91 грн
23+36.31 грн
100+28.22 грн
500+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
10+35.73 грн
100+24.74 грн
500+19.40 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.78 грн
500+13.80 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.27 грн
6000+14.84 грн
10000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.65 грн
31+26.96 грн
100+18.78 грн
500+13.80 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CYDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.59 грн
5000+8.49 грн
7500+8.10 грн
12500+7.20 грн
17500+6.96 грн
25000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
15+24.13 грн
100+11.09 грн
1000+9.90 грн
2500+8.56 грн
10000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 63890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
15+21.86 грн
100+14.77 грн
500+10.80 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
10+37.98 грн
100+26.31 грн
500+20.63 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+49.69 грн
100+34.42 грн
500+26.98 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.50 грн
5000+14.17 грн
12500+13.16 грн
25000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.22 грн
10+42.10 грн
100+27.31 грн
500+21.51 грн
1000+16.59 грн
2500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 17408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.79 грн
10+52.79 грн
100+36.52 грн
500+28.63 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.51 грн
5000+21.82 грн
7500+20.91 грн
12500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.35 грн
10+37.91 грн
100+22.55 грн
500+17.71 грн
1000+16.22 грн
2500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
10+32.56 грн
100+22.64 грн
500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.64 грн
10+31.24 грн
100+21.72 грн
500+15.91 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.76 грн
26+32.89 грн
100+21.45 грн
500+15.27 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
6000+11.70 грн
9000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncNPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.45 грн
500+15.27 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.64 грн
10+31.24 грн
100+21.72 грн
500+15.91 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Inc60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.92 грн
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+35.11 грн
100+22.68 грн
500+16.27 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.13 грн
10+43.22 грн
100+26.19 грн
500+20.46 грн
1000+16.59 грн
2000+14.88 грн
4000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
10+35.73 грн
100+24.73 грн
500+19.39 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.49 грн
22+39.65 грн
100+27.46 грн
500+19.15 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.22 грн
4000+16.09 грн
6000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.46 грн
500+19.15 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+20.46 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+37.05 грн
100+25.67 грн
500+20.13 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.53 грн
19+44.58 грн
100+29.80 грн
500+20.46 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.89 грн
6000+15.40 грн
10000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03060CFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2000pcs.
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 5...300
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
10+35.73 грн
100+24.73 грн
500+19.39 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.26 грн
6000+14.84 грн
10000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 5...300
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.72 грн
6000+15.25 грн
10000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
10+36.74 грн
100+25.42 грн
500+19.93 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.15 грн
4000+14.22 грн
6000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.40 грн
10+38.45 грн
100+24.86 грн
500+17.85 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.16 грн
10+54.26 грн
100+35.66 грн
500+25.96 грн
1000+23.55 грн
2000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.53 грн
15+55.85 грн
100+35.31 грн
500+27.36 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.33 грн
10+49.81 грн
100+29.84 грн
500+23.74 грн
1000+20.09 грн
2500+20.02 грн
5000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.31 грн
500+27.36 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncPNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.56 грн
10000+15.65 грн
25000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03200BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.75 грн
6000+8.08 грн
10000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes ZetexDXTP06080BFG-7
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP06080BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
13+24.26 грн
100+14.54 грн
500+12.64 грн
1000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.59 грн
10+37.98 грн
100+24.57 грн
500+17.64 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.95 грн
4000+14.04 грн
6000+13.37 грн
10000+11.84 грн
14000+11.42 грн
20000+11.01 грн
50000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.84 грн
10+42.48 грн
100+27.69 грн
500+19.98 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.17 грн
4000+16.04 грн
6000+15.30 грн
10000+13.57 грн
14000+13.11 грн
20000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07025BFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.46 грн
40+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+37.14 грн
100+24.18 грн
500+18.98 грн
1000+14.66 грн
2000+12.06 грн
10000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.22 грн
10+41.50 грн
100+27.01 грн
500+21.28 грн
1000+16.37 грн
2000+13.39 грн
10000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.38 грн
6000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.53 грн
10+39.54 грн
100+25.60 грн
500+20.17 грн
1000+15.63 грн
2000+14.14 грн
4000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
10+35.81 грн
100+26.76 грн
500+19.73 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07060BFGQ-7Diodes Inc60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.51 грн
6000+12.35 грн
10000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.40 грн
10+34.32 грн
100+20.39 грн
500+16.07 грн
1000+14.59 грн
2000+11.39 грн
10000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
10+33.02 грн
100+22.94 грн
500+16.81 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.86 грн
10+34.88 грн
100+24.15 грн
500+18.94 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP07100BFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 58833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.43 грн
100+23.62 грн
500+16.98 грн
1000+15.31 грн
2000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP
на замовлення 28727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.84 грн
10+35.77 грн
100+21.21 грн
500+16.74 грн
1000+13.69 грн
5000+12.43 грн
10000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP19020DP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.69 грн
10000+12.18 грн
15000+11.67 грн
25000+10.41 грн
35000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.37 грн
10+36.35 грн
100+23.49 грн
500+16.83 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.19 грн
4000+13.36 грн
6000+12.71 грн
10000+11.25 грн
14000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.76 грн
4000+16.56 грн
6000+15.79 грн
10000+14.01 грн
14000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes ZetexDXTP22040CFGQ-7
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.46 грн
40+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.25 грн
10+43.87 грн
100+28.58 грн
500+20.63 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.19 грн
4000+13.36 грн
6000+12.71 грн
10000+11.25 грн
14000+10.85 грн
20000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.37 грн
10+36.35 грн
100+23.49 грн
500+16.83 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.25 грн
10+43.87 грн
100+28.58 грн
500+20.63 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.76 грн
4000+16.56 грн
6000+15.79 грн
10000+14.01 грн
14000+13.53 грн
20000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.86 грн
10+44.88 грн
100+29.34 грн
500+21.24 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+51.39 грн
100+35.57 грн
500+27.89 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.50 грн
28+30.30 грн
100+20.03 грн
500+14.42 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
10+37.83 грн
100+26.31 грн
500+19.28 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.54 грн
500+14.88 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.50 грн
5000+14.17 грн
12500+13.16 грн
25000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncPwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTP3C100PSQ-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.09 грн
10+42.10 грн
100+25.45 грн
500+19.87 грн
1000+16.22 грн
2500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13DIODES INCORPORATEDDXTP3C60PS-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.67 грн
20+42.41 грн
100+26.46 грн
500+20.54 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.09 грн
10+44.93 грн
100+29.99 грн
500+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.46 грн
500+20.54 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 31180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.13 грн
10+37.91 грн
100+22.55 грн
500+17.78 грн
1000+16.37 грн
2500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.46 грн
500+16.82 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INCORPORATEDDXTP3C60PSQ-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.50 грн
23+37.23 грн
100+25.46 грн
500+16.82 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.33 грн
21+40.07 грн
100+24.96 грн
500+19.30 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 144843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.16 грн
10+54.26 грн
100+35.66 грн
500+25.96 грн
1000+23.55 грн
2000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.96 грн
500+19.30 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
на замовлення 15838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+49.72 грн
100+29.91 грн
500+24.63 грн
1000+21.36 грн
5000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
12+28.58 грн
100+17.34 грн
500+13.47 грн
1000+11.01 грн
3000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
11+28.45 грн
100+21.24 грн
500+15.66 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7DIODES INCORPORATEDDXTP5820CFDB-7 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.10 грн
11+28.99 грн
100+18.61 грн
500+13.26 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
13+28.15 грн
100+16.59 грн
500+13.02 грн
1000+11.16 грн
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.94 грн
12+30.38 грн
100+19.72 грн
500+15.55 грн
1000+12.06 грн
3000+10.94 грн
6000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes Inc60V PNP Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTV6Phoenix ContactPhoenix Contact D XTV 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.