Продукція > FF2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF2-10-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 230VAC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-10-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 230VAC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-10-AC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: SENSOR REED SWITCH NC CBL LEADS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-10-AC-03 | Honeywell | Control Switches 1NC 2A 230Vac Barrel Safety Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-10-DC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-10-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 30VDC | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-10-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 30VDC | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-11-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 230VAC | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-11-AC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-11-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 230VAC | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-11-DC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-11-DC-03 | Honeywell | Control Switches 1NC/1NO 2A 30Vdc Barrel Safety Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2-11-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 30VDC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2-11-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 30VDC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF20-XWP | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors TERM FINCLICK FML | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200 | Greenlee | Punches & Dies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200 | Greenlee Communications | Description: FISHFINDER VISION SYSTEMS PLUS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200-0AG-006B | LEDtronics, Inc. | 518nm Green LED Modules | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0AG-014B | LEDtronics, Inc. | LED Panel Mount Indicator Uni-Color Green 525nm 400mcd | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0AG-024B | LEDtronics, Inc. | LED Single Green 525nm | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0AG-028B | LEDtronics, Inc. | LED Module 160mcd | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0AG-120A | LEDtronics, Inc. | Aqua Green, 120Vac, Replaces A1H, C7A, C9A, Neon, Fluorescent | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0AG-120A | LEDtronics, Inc. | Aqua Green, 120Vac, Replaces A1H, C7A, C9A, Neon, Fluorescent | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-006B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-014B | LEDtronics, Inc. | LED, Single, 160mcd Intensity | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-024B | LEDtronics, Inc. | T1-3/4 Midget Flange Based LEDs | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-024B | LEDtronics, Inc. | T1-3/4 Midget Flange Based LEDs | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-028B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200-0CW-028B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0CW-120A | LEDtronics, Inc. | LED Panel Mount Indicator Uni-Color White 314mcd | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0IW-014B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0IW-028B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0PB-006B | LEDtronics, Inc. | Filament Replacement LED Lamp | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200-0PB-028B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color Blue 430nm 2-Pin | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0PB-120A | LEDtronics, Inc. | LED Panel Indicator, Snap In, Low Profile Flat Lens | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UG-024B | LEDtronics, Inc. | LED Single Lime Green 570nm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UG-028B | LEDtronics, Inc. | FF200-0UG-028B | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UR-014B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color Red 652nm 2-Pin | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UR-024B | LEDtronics, Inc. | LED Single Red 660nm | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UR-028B | LEDtronics, Inc. | LED Single Red 660nm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UR-120A | LEDtronics, Inc. | FF200-0UR-120A | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UY-028B | LEDtronics, Inc. | 5mm Midget Flange Based LED Module | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-0UY-028B | LEDtronics, Inc. | 5mm Midget Flange Based LED Module | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200-OUR-006B | LEDtronics, Inc. | FF200-OUR-006B | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA Supplier Device Package: AG-XHP2K23 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 710A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: FET 2N-CH 2.3KV 675A AG-XHP2K23 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 675A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA Supplier Device Package: AG-XHP2K23 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 675A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC / | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP HV | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 925A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1700 V, 2000 A dual IGBT module | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 2KA Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2000XTR17IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2 kA, 1.9 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V Dauer-Kollektorstrom: 2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 2KA Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R06KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R06KE3 Код товару: 170496
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FF200R06KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 260A | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 260A 680W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 260 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R06YE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 200A | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3 | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KE3 Код товару: 35777
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3, | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FF200R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 295A 1050W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 295 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3ENG | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KE3G | EUPEC | 200A/1200V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.05kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 295A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 295A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3 | Infineon | IGBT MODULE 1200V 1050W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 295A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE4 Код товару: 150251
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 240A 1100W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 240A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 240A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 FF200R12KE4 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1200V, 240A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KES4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4 Код товару: 51740
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Vces: 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KS4 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KS4, | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 1.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 275A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 275A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.4kW Case: AG-62MM-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4 | Infineon | IGBT MOD 1200V 275A 1400W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Medium Power 62mm IGBT-Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 295A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT4 | INFINEON | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 320A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4 | Infineon | IGBT MOD 1200V 320A 1100W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 295 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12MT4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 165 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 165A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 390A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3HDLA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | FF200R17KE4PHPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R33KF2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 200A DUAL | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2C | Infineon | Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R33KF2C Код товару: 107908
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF20L | TELESTE | Category: F connectors Description: Connector: F; terminator; male; 75Ω Connector: terminator Wave impedance: 75Ω Type of connector: F Kind of connector: male | на замовлення 102 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2100 | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF225R12ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 325A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 225A | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - IGBT MODULE | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-4 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4BDLA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1200V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12MS4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R12MS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 275A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 340A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-4 Tray | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Description: FF225R17 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1700V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 225A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 6500 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Field Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R65T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3 V, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.9 Produktpalette: XHP 3 IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 225 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P2BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Field Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P4BPMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P5BPMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P6BPMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23 | JKL Components Corp. | Description: LAMP INCAND RT-1.75 MIDG FLA 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Supplier Device Package: Module | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1C11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF23MR12W1M1P_B11 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2400016 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | FF2400R12IP7BPSA1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 2400 A dual IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.4kA | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-PRIME3+ Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 2400 A dual IGBT module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400RB12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, Kollektorschaltung, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, Kollektorschaltung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I XHP 1 7KV AG-PRIME3+-71 Packaging: Tray Input: Standard Configuration: 2 Independent NTC Thermistor: No Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400RB12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, Kollektorschaltung, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, Kollektorschaltung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2450006 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF24C2 | TUK | Description: TUK - FF24C2 - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e tariffCode: 85444290 LAN-Kategorie: Cat5e productTraceability: No Steckverbindertyp: RJ45 rohsCompliant: YES Anzahl der Anschlüsse: 24Anschlüsse euEccn: NLR hazardous: false Rackhöhe: - rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF24IC | TUK | Description: TUK - FF24IC - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e, 1HE tariffCode: 85444290 LAN-Kategorie: Cat5e productTraceability: No Steckverbindertyp: RJ45 rohsCompliant: YES Anzahl der Anschlüsse: 24Ports euEccn: NLR hazardous: false Rackhöhe: 1HE rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2500007 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | на замовлення 994 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF25B0121 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF25B0121 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 245OHM HINGED 25.7X1.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF25B2480 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF25B2480 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE CORE 790 OHM HINGED Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 25 Length: 1.126" (28.60mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 790Ohm @ 700MHz Inner Dimension: 2.047" W x 0.059" H (52.00mm x 1.50mm) Outer Dimension: 3.181" W x 0.799" H (80.80mm x 20.30mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF25R06 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF25R06KL | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP HV | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152000pF @ 1.8kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 750A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3750nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 675mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF27-16A-R21A-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FPC Connector SKT 16 POS 0.35mm Solder RA SMD T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2700008 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2700008 | Diodes Zetex | Crystal 27MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2700008 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28-12A-R11A-3H | Fujikura Ltd. | FF28-12A-R11A-3H | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF28B0121 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 97OHM HINGED 25.70X1.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B0121 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1240 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1265 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1265 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 148OHM HINGED 26.60X1MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1729 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE CORE 200 OHM CLAMP Packaging: Bulk Mounting Type: Chassis Mount Material: 28 Length: 1.125" (28.58mm) Type: Flat Design: Clamp Impedance @ Frequency: 200Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 0.183" W x 0.060" H (4.65mm x 1.52mm) Outer Dimension: 2.430" W x 1.125" H (61.72mm x 28.58mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1729 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF28B1785 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B1785 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 260OHM HINGED 34.4X1.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2375 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 195OHM HINGED 43.7X1.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2375 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2440 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 180OHM HINGED 50.8X7.3MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.126" (28.60mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 180Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.000" W x 0.287" H (50.80mm x 7.30mm) Outer Dimension: 3.181" W x 1.039" H (80.80mm x 26.40mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2440 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2480 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF28B2480 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 250OHM HINGED 52X1.50MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2500 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 325OHM HINGED 52X1.50MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B2500 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B3000 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B3000 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 370OHM HINGED 64.5X1.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.500" (38.10mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 370Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm) Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B3012 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 286OHM HINGED 64.5X1.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.126" (28.60mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 286Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm) Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF28B3012 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1H | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Obsolete | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HP | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36300pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 420A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA Supplier Device Package: AG-62MMHB | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Cypress Semiconductor | FF2MR12KM1PHOSA1 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 400A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-EASY3B Part Status: Active | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 1440 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1440µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FF2U06SR | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2U12LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FF2U12SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 12P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |