Продукція > GS6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS6-10 | JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS | Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - GS6-10 - Ringkabelschuh, M6, 1/4", 7.94 AWG, 10 mm², GS tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 10mm² rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Ohne Isolierung Bolzengröße - metrisch: M6 euEccn: NLR isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: 7.94AWG Bolzengröße - imperial: 1/4" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Isolatorfarbe: - usEccn: EAR99 Produktpalette: GS SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-10 | JST | GS6-10 Non-insulated terminals | на замовлення 16053 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-16 | JST Corporation | Ring Tongue Terminal 25.5mm Box | на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-16 | JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS | Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - GS6-16 - Ringkabelschuh, M6, 1/4", 6 AWG, 16 mm², GS tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 16mm² rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Ohne Isolierung Bolzengröße - metrisch: M6 euEccn: NLR isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: 6AWG Bolzengröße - imperial: 1/4" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Isolatorfarbe: - usEccn: EAR99 Produktpalette: GS SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-16 | JST | GS6-16 Non-insulated terminals | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-16 | JST Corporation | Ring Tongue Terminal 25.5mm Box | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-16 | JST Corporation | Ring Tongue Terminal 25.5mm Box | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-16 (SN3) FW-BRAND 41046 | J.S.T. Deutschland GmbH | DIN46234 ring terminal 16� M6 WEITKOWITZ brand | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-2.5 | JST Commercial | Terminals NON-INSULATED TERMINAL (RING/SQUARE) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-2.5 | JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS | Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - GS6-2.5 - Ringkabelschuh, M6, 1/4", 14 AWG, 2.5 mm², GS tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm² rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Ohne Isolierung Bolzengröße - metrisch: M6 euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG Bolzengröße - imperial: 1/4" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Isolatorfarbe: - usEccn: EAR99 Produktpalette: GS SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-2.5 | JST | GS6-2.5 Non-insulated terminals | на замовлення 13014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-25 | JST | Category: Non-insulated terminals Description: Tip: ring; M6; 16÷25mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned Hole for screw: M6 Contact plating: tinned Wire cross-section: 16...25mm2 Ring inside diameter: 6.5mm Wire size: 4AWG Related items: WC-0510DIN Type of tip: ring Contact material: copper alloy Electrical mounting: crimped Ferrule variant: non-insulated Mechanical mounting: for cable | на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-25 | J.S.T. Deutschland GmbH | Ring Tongue Terminal 31mm Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-25 | JST | Category: Non-insulated terminals Description: Tip: ring; M6; 16÷25mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned Hole for screw: M6 Contact plating: tinned Wire cross-section: 16...25mm2 Ring inside diameter: 6.5mm Wire size: 4AWG Related items: WC-0510DIN Type of tip: ring Contact material: copper alloy Electrical mounting: crimped Ferrule variant: non-insulated Mechanical mounting: for cable кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-25 (SN3) FW-BRAND 41051 | J.S.T. Deutschland GmbH | DIN46234 ring terminal 25� M6 WEITKOWITZ brand | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-35 | JST | Category: Non-insulated terminals Description: Tip: ring; M6; 25÷35mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned Type of tip: ring Hole for screw: M6 Electrical mounting: crimped Mechanical mounting: for cable Contact material: copper alloy Wire size: 2AWG Ferrule variant: non-insulated Contact plating: tinned Wire cross-section: 25...35mm2 Ring inside diameter: 6.5mm Related items: WC-0510DIN | на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-35 | JST | Category: Non-insulated terminals Description: Tip: ring; M6; 25÷35mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned Type of tip: ring Hole for screw: M6 Electrical mounting: crimped Mechanical mounting: for cable Contact material: copper alloy Wire size: 2AWG Ferrule variant: non-insulated Contact plating: tinned Wire cross-section: 25...35mm2 Ring inside diameter: 6.5mm Related items: WC-0510DIN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1511 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-35 | JST Corporation | Ring Tongue Terminal 33.5mm Box | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-50 | JST | GS6-50 Non-insulated terminals | на замовлення 246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-50 | JST Corporation | Ring Tongue Terminal 43mm Box | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-6 | JST | GS6-6 Non-insulated terminals | на замовлення 13319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-6 | J.S.T. Deutschland GmbH | Ring Tongue Terminal 21.5mm Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-D3311S55 | SICK, Inc. | Description: PHOTOE PROX SWITCH Packaging: Bulk Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -25°C ~ 55°C Output Configuration: PNP - Dark-ON/Light-ON Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 500µs Ingress Protection: IP67 Connection Method: Connector Light Source: Red (650nm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-D4311S63 | SICK | Description: SICK - GS6-D4311S63 - Optoelektronischer Sensor, 15m, rote 650nm-LED, Einweg-Lichtschranke, 4-pol M8-Stecker, Baureihe G6 tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Sensortyp: Optoelektronischer Sensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Ausgang: - IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC euEccn: NLR Messmethode: Einweg Lichtquelle: Rote LED, 650nm Anschlussmethode: M8-Steckverbinder, 4-polig Erfassungsabstand, max.: 15m Produktpalette: G6 Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 55°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-D4311S63 | SICK, Inc. | Description: PHOTOE PROX SWITCH Packaging: Bulk Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -25°C ~ 55°C Output Configuration: Light-On/Dark-On Voltage - Supply: 10V ~ 30V Ingress Protection: IP67 Connection Method: Connector, M8 Light Source: Red (650nm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6-D4311S66 | SICK | Description: SICK - GS6-D4311S66 - Optoelektronischer Sensor, 10m, Strom, Einweg, 10 bis 30V DC, 4-poliger M8-Stecker, Produktreihe G6 tariffCode: 90314990 Erfassungsreichweite, max.: 10m productTraceability: No rohsCompliant: YES Messmethode: Einweg Anschlussmethode: M8-Steckverbinder, 4-polig euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: Strom DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: G6 Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6-D7311S72 | SICK, Inc. | Description: PHOTOE PROX SWITCH Packaging: Bulk Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -25°C ~ 55°C Output Configuration: Light-On/Dark-On Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 500µs Ingress Protection: IP67 Connection Method: Connector Light Source: Red (650nm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6.4-15X15 | SR PASSIVES | Category: Knobs for shaft potentiometers Description: Knob; with pointer; aluminium; Øshaft: 6.35mm; Ø15x15mm; silver Colour: silver Type of accessories for potentiometer: knob Mounting: screw fastening Shaft surface: smooth Kind of knob: with pointer Shaft diameter: 6.35mm Inside hole diameter: 6.4mm Knob dimensions: Ø15x15mm Material: aluminium | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6.4-20X15 | SR PASSIVES | GS6.4-20X15 Knobs for shaft potentiometers | на замовлення 1581 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6.4-25X15 | SR PASSIVES | GS6.4-25X15 Knobs for shaft potentiometers | на замовлення 1572 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6.4-30X15 | SR PASSIVES | GS6.4-30X15 Knobs for shaft potentiometers | на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6.4-30X15 Код товару: 173270
Додати до обраних
Обраний товар
| Змінні резистори (потенціометри) > Ручки для потенціометрів | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6.90F130QP | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.03A 12V Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 50VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 130gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Actuator Height off PCB, Vertical: 6.90mm Actuator Orientation: Top Actuated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6.90F300QP | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.03A 12V Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 50VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 300gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Actuator Height off PCB, Vertical: 6.90mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6.90F300QP | E-Switch | Tactile Switches SEALED 6.90 TACT SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6001-TR | Gainsil | R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6001T-E/OT, MCP6001T-I/OT GS6001-TR GAINSIL UIMCP6001ti/ot GAI кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6002-SR | Gainsil | Dual R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6002-I/SN, MCP6002T-I/SN, MCP6002-E/SN, MCP6002T-E/SN GS6002-SR GAINSIL UIMCP6002i/sn GAI кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6004-SR | Gainsil | Quad R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6004-I/SL, MCP6004T-I/SL, MCP6004-E/SL, MCP6004T-E/SL GS6004-SR GAINSIL UIMCP6004i/sl GAI кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 498 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6014 LF | Pulse Electronics Network | Description: MDL 1G 2 PORT 4PAIR POE 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6014RM LF | Pulse | SMD-1G-Dual port-4Pair PoE 60W- -40 to +85 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6014RM LF | Pulse Electronics Network | Description: MDL 1G DUAL PORT 4PAIR POE 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6014SM LF | Pulse Electronics Network | Description: MDL 1G DUAL PORT 4PAIR POE 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INE3 | Semtech | Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INE3 | Semtech | Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INE3 | Semtech | Equalisers QFN-16 pin | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6042-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 16QFN Packaging: Tray Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Interface: Serial Voltage - Supply: 3.3V Applications: Cable Equalization Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) Part Status: Active | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6042-INE3 | GENNUM | Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INTE3 | Semtech | Equalisers QFN-16 pin Taped (250/reel) | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6042-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Interface: Serial Voltage - Supply: 3.3V Applications: Cable Equalization Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6042-INTE3 | Semtech | Adaptive Cable Equalizer Serial Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INTE3 | GENNUM | Adaptive Cable Equalizer Serial Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INTE3Z | Semtech | Adaptive Cable Equalizer Serial Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INTE3Z | Semtech | Equalisers QFN-16 Pin Taped (2500/reel) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6042-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Interface: Serial Voltage - Supply: 3.3V Applications: Cable Equalization Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INE3 | Semtech | Cable Driver Serial Interface QFN | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC DRIVER 1/0 16QFN Packaging: Tray Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Driver Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V Number of Drivers/Receivers: 1/0 Data Rate: 5.94Gbps Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INE3 | GENNUM | Cable Driver Serial Interface QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC DRIVER 1/0 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Driver Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V Number of Drivers/Receivers: 1/0 Data Rate: 5.94Gbps Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INTE3 | GENNUM | Cable Driver Serial Interface QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC DRIVER 1/0 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Driver Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V Number of Drivers/Receivers: 1/0 Data Rate: 5.94Gbps Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INTE3 | SEMTECH | Description: SEMTECH - GS6080-INTE3 - 6G UHD-SDI Multi-Rate CD tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD | на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6080-INTE3D | Semtech Corporation | Description: IC CBL DVR 6G/3G/HD/SD/ASI 16QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3D | Semtech | Video ICs 6G/3G/HD/SD/ASI Cable Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3D | GENNUM | 6G UHD-SDI/3G/HD/SD Cable Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6080-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC CBL DVR 6G/3G/HD/SD/ASI 16QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6081-INE3 | GENNUM | Cable Driver Serial Interface QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6081-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO CBL DVR 6G CD DL 16QFN Packaging: Tray Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) Control Interface: Serial | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6081-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6081-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6081-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO 6G UHD-SDI MULT 16QFN Packaging: Tray Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) Control Interface: Serial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6081-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO 6G UHD-SDI MULT 16QFN Packaging: Tray Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) Control Interface: Serial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6081-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A05-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 30W 5V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A05-P1J Код товару: 124791
Додати до обраних
Обраний товар
| Блоки та елементи живлення > Інвертори (DC / AC перетворювачі) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS60A05-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 5V 6A 30W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A07-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 45W 7.5V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A07-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 7.5V 6A 45W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A07-P1J(блок питания) Код товару: 45392
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS60A09-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 9V 6A 54W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A09-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 54W 9V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A09-P1J Код товару: 147956
Додати до обраних
Обраний товар
| MeanWell | Блоки та елементи живлення > AC / DC адаптери Опис: AC/DC адаптер настільний Uвх.: 90...264 VAC Uвих., V: 9 V Iвих., A: 6 А Потужність, W: 60 W Габарити, мм: 125x50x31,5 mm | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| GS60A12-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 60W 12V 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A12-P1J Код товару: 139378
Додати до обраних
Обраний товар
| Блоки та елементи живлення > AC / DC адаптери | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS60A12-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 12V 5A 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A15-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 15V 4A 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A15-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 60W 15V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A15-P1J Код товару: 52999
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси Вид, тип, група: Корпуси | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS60A18-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 60W 18V 3.33A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A18-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 18V 3.33A 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A24-P1J | MEAN WELL | Desktop AC Adapters 60W 24V 2.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A24-P1J Код товару: 61473
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS60A24-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.5A 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A24-P1M | MEAN WELL | Desktop AC Adapters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60A48-P1J | MEAN WELL | Plug-In Adapter Single-OUT 48V 1.25A 60W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60BL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Blue; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60GL4Q | BANNER ENGINEERING | Description: BANNER ENGINEERING - GS60GL4Q - Punktstrahler, LED, Grün, 4°-Linse, 60mm Ø, 12-30V DC, 4-poliger M12-Flachsteckanschluss, GS60 tariffCode: 94052190 Lampensockel: - productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Nennleistung: - Länge: - euEccn: NLR Netzsteckertyp: - Linsendurchmesser: 60mm Versorgungsspannung: 30VDC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Lichtqelle: LED usEccn: EAR99 Produktpalette: GS60 Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60GL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Green; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60IL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Infrared (IR); 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60K | BESSEY | GS60K Vices and Clamps | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60PRGBWL9Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Pro Multicolor Guide Spotlight: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: RGBW; 9 Degree Clear Lens; 5-pin M12 Integral QD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60RL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Red; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60UV395L8Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Ultraviolet (UV) 395 nm; 8 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS60WL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: White; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS60YL4Q | Banner Engineering | LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Yellow; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-B | GaN Systems Inc | GS61004B-B | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 45A E-Mode GaN | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-E01-MR | GaN Systems | GS61004B-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-EVBCD | GaN Systems | 100V GaN E-HEMT Full Bridge Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-EVBCD | GaN Systems | Other Development Tools Class D Full-Bridge GS61004B GaN E-mode evaluation board | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | Description: GS61004B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-MR | Infineon Technologies | Description: GS61004B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-MR | GaN Systems | 100V enhancement mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61004B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-TR | GaN Systems | 100V enhancement mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004B-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS61004BMRXUSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | Infineon Technologies | GS61004BTRXUMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61004BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008D2 | GaN Systems | GS61008D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P | E2V Aerospace and Defense(Teledyne) | 100V enhancement modeGaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P -EVBBK | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS61008P Synchronous Buck Demo Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-B | GaN Systems Inc | GS61008P-B | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-E05-MR Код товару: 147920
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS61008P-E05-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 80A E-Mode GaN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-E05-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 80A E-Mode GaN | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-EVBHF | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 100V, 7 mOhm, GaN High Power Half Bridge Evaluation Board | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-EVBHF | GaN Systems Inc | 100V GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Kit | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-EVBHF | GaN Systems | 100V GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-MR | GaN Systems | Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | Description: GS61008P-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-MR | Infineon Technologies | Description: GS61008P-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008P-TR | GaN Systems | Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008P-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008P-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 4488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008PMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008PMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008PTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008PTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-E01-MR | GaN Systems | GS61008T-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-E01-MR | GaN Systems | MOSFET No longer available. Order GS61008T-MR, discount on ship and debit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008T-TR | GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008T-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS61008T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS61008T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS61008T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS61008TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6103B2A | N/A | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6140-INE3 | Semtech | Description: 6G/3G/HD/SD/ASI LONG REACH EQUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6140-INE3 | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6140-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC REDRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6140-INTE3 | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6140-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC REDRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6140-INTE3Z | Semtech | Semtech Corporation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INE3 | Semtech | Video ICs QFN 48L/0.4 6mmX6mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech | Video ICs QFN-48 Pin Taped (250/reel) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6150-INTE3Z | Semtech | Video ICs QFN-48 Pin Taped (2500/reel) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INE3 | Semtech | CDR 1.8V 32-Pin QFN EP Tray | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Reclocker Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 32-QFN (4x4) Part Status: Active Control Interface: GPIO, SPI | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Reclocker Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Applications: Professional Video Standards: SMPTE Supplier Device Package: 32-QFN (4x4) Part Status: Active Control Interface: GPIO, SPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6151-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6151-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INE3 | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN Packaging: Tray Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Reclocker Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V Applications: Professional Video Standards: DVB-ASI, MADI, SMPTE Supplier Device Package: 48-QFN (6x6) Control Interface: GPIO, SPI | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INTE3 | Semtech Corporation | Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INTE3Z | Semtech | Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6152-INTE3Z | Semtech Corporation | Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6203H | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GS6250-120 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 12IN LG | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6250-180 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 18IN LG | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6250-240 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 24IN LG | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6250-360 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 36IN LG | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6250-480 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 48IN LG | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6250-600 | Ondrives.US Corp | Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 60IN LG | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6267S | GS | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6267S | GS | 97+ SOP16P | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6267S | GS | 09+ SOP16 | на замовлення 1031 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6268SN | LINKAS | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6268SN | LINKAS | 2000 | на замовлення 17965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6269SN | LINKAS | на замовлення 817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6269SN | LINKAS | 1999 | на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6333UR1903 | SI | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS6333UR19D3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6333UR19D3 | VISHAY | 06+ | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS64/20 | Sierra Wireless S.A. | GSM/GPRS Radio Device | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS65011-EVBEZ | GaN Systems Inc | Open Loop Boost Evaluation Board | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS65011-EVBEZ | GaN Systems | Power Management IC Development Tools EZDrive Open Loop Boost Evaluation Board | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS6521411 | SwitchEasy | Description: WALLCHARGERPOWERBUDDYPROGAN65WBL Packaging: Box For Use With/Related Products: iPad, MacBook Accessory Type: Power Adapter Specifications: Black Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS65R060Q4A | Goford Semiconductor | Description: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247 Packaging: Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-B | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-E01-MR | GaN Systems | GS66502B-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-MR | GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor | на замовлення 3467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66502B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66502B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66502B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-TR | GaN Systems | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66502B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.6nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66502BTRXUMA1 | Infineon Technologies | LEGACY GAN SYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-B | GaN Systems Inc | GS66504B-B | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-E01-MR | GaN Systems Inc | GS66504B-E01-MR | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-E01-MR | GaN Systems | GS66504B-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-E01-MR | GaN Systems Inc | GS66504B-E01-MR | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET No longer available. Order GS66504B-MR, discount on ship and debit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-EVBDB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS66504B Half Bridge Daughter Board | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-MR | GaN Systems | GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 6850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66504B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66504B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-MR | GaN Systems | Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-TR | GaN Systems | GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 3111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-TR | GaN Systems | Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66504B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66504BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66504D2-E01-TR | GaN Systems | GS66504D2-E01-TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-B | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66506T-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 650V 22A E-Mode GaN | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-E01-MR | GaN Systems | GS66506T-E01-MR | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66506T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66506T-MR | GaN Systems | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66506T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-MR | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66506T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506T-TR | GaN Systems | Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66506TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.5nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66506TTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-B | GaN Systems Inc | GS66508B-B | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET No longer available. Order GS66508B-MR | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-E01-MR | GaN Systems | GS66508B-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-EVBDB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS66508B Half Bridge Daughter Board | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-EVBDB | GaN Systems | GaN E-HEMT 650V/30A, 50m ohm Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-EVBDB1 | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Digital Driver Half Bridge Daughter Board feauturing the Analog Devices ADuM4121, a high voltage, isolated gate driver | на замовлення 101 шт: термін постачання 148-157 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-EVBDB1 | GaN Systems | GS66508B-EVBDB1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-EVBDB1 | GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR TEST/EVALUATION PRODUCT | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-MR | GaN Systems | Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66508B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-MR | GaN Systems Inc | Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-MR Код товару: 169559
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS66508B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66508B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66508B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508B-TR | GaN Systems | Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.1nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508BTRXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508P-E03-TY | GaN Systems | MOSFET 650V, 30A, E-Mode Preproduction Units | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508P-E04-TY | GaN Systems | MOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508P-E05-MR | GaN Systems | MOSFET Discontinued. NRND. Use GS66508B-MR instead | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508P-E05-MR | GaN Systems | GS66508P-E05-MR | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508P-E05-MR | GaN Systems Inc | GS66508P-E05-MR | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508P-E05-TY | GaN Systems | MOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508P-MR | GaN Systems | Bottom-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-B | GaN Systems Inc | GS66508T-B | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-E02-MR Код товару: 174216
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GS66508T-E02-MR | GaN Systems | MOSFET No longer available. Order GS66508T-MR | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-E02-MR | GaN Systems | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-EVBDB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS66508T Half Bridge Daughter Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-EVBDB | GaN Systems | GS66508T-EVBDB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-EVBDB2 | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-EVBDB2 | GaN Systems | 650V GaN E-HEMT Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66508T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-MR | GaN Systems Inc | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-MR | GaN Systems | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-TR | GaN Systems Inc | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66508T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508T-TR | GaN Systems Inc | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508T-TR | GaN Systems | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66508TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66508TMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.1nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-B | GaN Systems Inc | GS66516B-B | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 650 V E-MODE GAN TRANSITOR | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-E01-MR | GaN Systems | GS66516B-E01-MR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-E01-MR | GaN Systems Inc | GS66516B-E01-MR | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-MR | GaN Systems | Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516B-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516B-TR | GaN Systems | Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516B-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS66516BMRXUSA1 | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 14.2nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS66516BMRXUSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516BTRXUMA1 | Infineon Technologies | GS66516BTRXUMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-B | GaN Systems Inc | GS66516T-B | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516T-E02-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-E02-MR | GaN Systems | Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-EVBDB | GaN Systems Inc | 650V GaN E-HEMT Evaluation Board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516T-EVBDB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools GS66516T Half Bridge Daughter Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-EVBDB | GaN Systems | 650V GaN E-HEMT Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-EVBDB2 | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2.5 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516T-EVBDB2 | GaN Systems | 650V GaN E-HEMT Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-MR | GaN Systems | Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516T-MR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-MR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS66516T-TR | Infineon Technologies Canada Inc. | Description: GS66516T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-TR | Infineon Technologies | GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-TR | GaN Systems | Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516T-TR | GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TMRXUSA1 | Infineon Technologies | GS66516TMRXUSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TMRXUSA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TTRXUMA1 | Infineon Technologies | Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TTRXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS66516TTRXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GS66516T-TR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS665BTP-EVB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 3kW EHEMT Bridgeless Totem Pole PFC Evkit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS665BTP-EVB | GaN Systems | GS665BTP-EVB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS665MB-EVB | GaN Systems | Power Management IC Development Tools 650V Motherboard without gate Driver | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GS665MB-EVB | GaN Systems | Universal 650V Mother Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS672116TP-12I | GSI | TSOP | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GS6M-15X16 | SR PASSIVES | GS6M-15X16 Knobs for shaft potentiometers | на замовлення 1259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|