Продукція > IPZ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPZ40N04S5-3R1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5-5R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 48W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5-5R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 48W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5-8R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 34W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 13.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5-8R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 34W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 13.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 71W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 10369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 71W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S53R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S53R9ATMA1 | Infineon Technologies | Automotive Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 14393 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 26876 шт: термін постачання 527-536 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-2R8 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 71W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 71W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-4R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 48W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-4R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 48W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-7R4 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-7R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 34W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L-7R4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 34W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm | на замовлення 9911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm | на замовлення 9911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 22368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | SP005400394 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 28029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 56680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 Код товару: 154853 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 109 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 446 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS C7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 240 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | на замовлення 14989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM | на замовлення 240 шт: термін постачання 755-764 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 22 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS C7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 14461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPZ65R019C7 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4 | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 Код товару: 117276 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R019C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4 | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4 | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 33 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 171 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 171 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS C7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R095C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R095C7 | Infineon Technologies | Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZ65R095C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 128W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZ65R095C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 128W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 63A; Idm: 386A; 291W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 63A Pulsed drain current: 386A Power dissipation: 291W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: - Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 63A; Idm: 386A; 291W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 63A Pulsed drain current: 386A Power dissipation: 291W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 76 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 255 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 255 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 240 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 206A Power dissipation: 201W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 61 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 201 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 201 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 206A Power dissipation: 201W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 240 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 129 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 129 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 31 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 117 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 117 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 240 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 26 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 72 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 72 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 198 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | N Channel Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413354 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R018CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413356 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 69 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 305 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 305 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|