Продукція > IPZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPZ-MH50Pepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ-MH50 100PCSPepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesIPZ40N04S5-3R1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+92.87 грн
146+88.72 грн
250+85.16 грн
500+79.16 грн
1000+70.90 грн
2500+66.05 грн
5000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+61.54 грн
250+59.07 грн
500+56.94 грн
1000+53.11 грн
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.37 грн
11+73.12 грн
100+55.28 грн
500+44.08 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+98.96 грн
164+79.13 грн
192+67.70 грн
202+61.95 грн
500+53.71 грн
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.58 грн
100+40.32 грн
500+29.70 грн
1000+27.08 грн
2000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.14 грн
10+65.48 грн
100+37.96 грн
500+29.77 грн
1000+26.22 грн
2500+25.40 грн
5000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+53.48 грн
100+35.36 грн
500+25.90 грн
1000+23.56 грн
2000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.49 грн
20+40.86 грн
100+31.62 грн
500+24.04 грн
1000+18.71 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+75.89 грн
194+66.72 грн
255+50.78 грн
267+46.78 грн
500+36.00 грн
5000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+54.02 грн
100+31.00 грн
500+24.10 грн
1000+20.21 грн
5000+17.48 грн
10000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.91 грн
10+50.18 грн
100+33.11 грн
500+24.19 грн
1000+21.98 грн
2000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.62 грн
500+24.04 грн
1000+18.71 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+68.99 грн
247+52.39 грн
286+45.28 грн
287+43.55 грн
500+31.29 грн
1000+27.25 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+44.97 грн
100+29.54 грн
500+21.49 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.21 грн
10+45.70 грн
100+26.90 грн
500+21.44 грн
1000+17.82 грн
2500+17.75 грн
5000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+96.41 грн
141+92.10 грн
250+88.40 грн
500+82.17 грн
1000+73.60 грн
2500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+78.28 грн
173+74.78 грн
250+71.78 грн
500+66.72 грн
1000+59.76 грн
2500+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesIPZ40N04S5L-7R4
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+64.21 грн
250+61.64 грн
500+59.42 грн
1000+55.43 грн
2500+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.14 грн
10000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.73 грн
10+74.88 грн
100+54.93 грн
500+45.08 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.99 грн
50+62.61 грн
250+45.16 грн
1000+29.07 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.99 грн
258+50.28 грн
272+47.60 грн
500+39.00 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.20 грн
10+61.01 грн
100+37.14 грн
500+29.77 грн
1000+26.22 грн
2500+25.81 грн
5000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+69.89 грн
253+51.27 грн
500+43.63 грн
1000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.58 грн
100+40.32 грн
500+29.70 грн
1000+27.08 грн
2000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 359516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.61 грн
250+45.16 грн
1000+29.07 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 725
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.17 грн
10+55.77 грн
100+36.78 грн
500+26.87 грн
1000+24.41 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+43.90 грн
312+41.57 грн
500+35.10 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.11 грн
18+46.60 грн
100+34.25 грн
500+28.25 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.61 грн
10000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+57.15 грн
324+39.94 грн
500+32.28 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.60 грн
13+61.23 грн
100+42.88 грн
250+41.26 грн
500+32.03 грн
1000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+41.14 грн
25+35.64 грн
100+26.29 грн
250+26.22 грн
500+23.35 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 358334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.25 грн
500+28.25 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.29 грн
500+22.56 грн
1000+19.87 грн
5000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.19 грн
10+49.63 грн
100+32.59 грн
500+23.70 грн
1000+21.48 грн
2000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 604939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.97 грн
11+28.97 грн
100+19.87 грн
500+18.30 грн
1000+17.41 грн
5000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.64 грн
31+24.16 грн
100+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.75 грн
24+33.38 грн
100+26.29 грн
500+22.56 грн
1000+19.87 грн
5000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.17 грн
10000+15.36 грн
15000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+22.55 грн
609+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 574
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+33.12 грн
408+31.74 грн
500+28.80 грн
1000+23.95 грн
5000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1201.97 грн
100+1141.60 грн
500+1082.31 грн
1000+985.45 грн
10000+858.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+885.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1045.08 грн
25+760.05 грн
240+647.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1201.97 грн
100+1141.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2462.94 грн
5+2367.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.54 грн
30+811.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1172.86 грн
50+1164.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+993.30 грн
10+885.67 грн
100+637.70 грн
240+637.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+321.33 грн
42+309.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.28 грн
10+331.96 грн
25+331.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+418.38 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+701.78 грн
50+695.31 грн
100+668.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.09 грн
10+469.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1256.43 грн
3+1188.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.90 грн
5+536.08 грн
10+401.46 грн
50+343.20 грн
100+298.37 грн
250+292.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.83 грн
30+558.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.20 грн
10+993.14 грн
100+838.77 грн
500+700.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+537.48 грн
30+531.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+481.33 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.47 грн
10+427.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.32 грн
10+560.61 грн
25+415.12 грн
100+413.75 грн
240+382.34 грн
480+358.45 грн
1200+322.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 755-764 дні (днів)
1+724.86 грн
10+646.20 грн
100+465.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+271.65 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.56 грн
10+398.87 грн
25+273.10 грн
100+260.13 грн
240+259.45 грн
480+251.94 грн
1200+218.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.59 грн
30+241.65 грн
120+201.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1388.39 грн
10+1206.02 грн
100+908.07 грн
240+878.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2333.55 грн
10+2262.33 грн
20+2122.94 грн
50+1919.06 грн
100+1803.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1151.81 грн
10+782.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1396.73 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1509.20 грн
10+1476.86 грн
100+1413.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1115.29 грн
30+711.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.03 грн
10+762.40 грн
240+611.75 грн
480+611.07 грн
1200+473.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+843.74 грн
30+600.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+789.38 грн
10+467.18 грн
100+346.84 грн
480+342.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.66 грн
30+631.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.54 грн
30+423.33 грн
120+361.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+886.12 грн
17+779.39 грн
50+735.97 грн
100+680.49 грн
200+651.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.96 грн
10+438.13 грн
100+317.48 грн
480+283.34 грн
1200+251.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+328.40 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.69 грн
30+357.85 грн
120+302.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.30 грн
10+287.37 грн
100+240.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.02 грн
5+400.67 грн
10+390.31 грн
50+244.83 грн
100+221.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+489.41 грн
50+484.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.93 грн
10+356.47 грн
100+250.57 грн
480+222.58 грн
1200+190.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesDescription: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+326.44 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.05 грн
10+472.49 грн
100+391.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.07 грн
5+864.26 грн
10+820.45 грн
50+761.11 грн
100+701.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+908.07 грн
10+807.94 грн
100+701.88 грн
240+596.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1127.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.85 грн
10+840.40 грн
240+704.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.89 грн
10+625.00 грн
100+453.35 грн
480+404.19 грн
1200+343.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1353.34 грн
10+1225.65 грн
100+900.56 грн
480+785.17 грн
1200+779.03 грн
2640+766.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.85 грн
30+325.40 грн
120+274.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+513.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.91 грн
10+442.84 грн
100+320.90 грн
480+283.34 грн
1200+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.72 грн
10+672.03 грн
25+612.15 грн
50+564.63 грн
100+491.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+923.85 грн
16+851.62 грн
50+685.61 грн
100+659.04 грн
200+609.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+744.96 грн
26+509.21 грн
100+466.01 грн
240+443.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.00 грн
30+382.40 грн
120+343.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.33 грн
10+875.47 грн
100+643.16 грн
480+572.15 грн
1200+525.04 грн
2640+524.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.86 грн
25+535.12 грн
100+489.71 грн
240+466.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.99 грн
10+481.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.20 грн
10+584.17 грн
25+480.66 грн
100+398.73 грн
240+398.05 грн
480+373.47 грн
1200+335.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R055CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.51 грн
10+329.77 грн
100+232.14 грн
480+206.19 грн
1200+176.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+371.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.85 грн
10+408.28 грн
25+344.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.37 грн
10+423.99 грн
25+181.61 грн
240+180.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+449.53 грн
31+427.97 грн
50+419.34 грн
100+403.33 грн
200+372.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R070CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.87 грн
10+287.37 грн
100+202.10 грн
240+201.41 грн
480+178.88 грн
1200+152.94 грн
2640+144.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.72 грн
10+307.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+246.13 грн
55+237.50 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.07 грн
30+193.84 грн
120+185.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.36 грн
10+263.71 грн
25+254.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.01 грн
10+315.64 грн
25+186.39 грн
100+178.20 грн
240+177.52 грн
480+160.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+186.85 грн
60+163.00 грн
90+154.37 грн
150+135.75 грн
210+130.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.28 грн
10+229.27 грн
100+158.40 грн
480+140.65 грн
1200+120.17 грн
2640+113.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.12 грн
10+213.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.56 грн
30+153.38 грн
120+148.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.66 грн
10+280.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 240 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
1+447.66 грн
10+370.60 грн
25+306.56 грн
100+271.06 грн
240+245.79 грн
480+231.46 грн
1200+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.58 грн
10+419.78 грн
100+293.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+177.80 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.00 грн
10+291.30 грн
25+250.57 грн
240+212.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.76 грн
10+250.47 грн
100+166.59 грн
240+139.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.55 грн
10+343.31 грн
100+239.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.19 грн
5+1326.26 грн
10+1309.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1310.26 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1153.41 грн
25+691.74 грн
100+574.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1022.77 грн
10+752.98 грн
100+566.01 грн
480+535.97 грн
1200+455.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.16 грн
10+636.77 грн
100+461.54 грн
480+411.02 грн
1200+349.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.21 грн
10+685.46 грн
25+391.90 грн
100+382.34 грн
240+381.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.80 грн
30+541.95 грн
120+468.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R040CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.48 грн
10+450.69 грн
100+326.36 грн
480+291.54 грн
1200+259.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.