Продукція > IPZ

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPZ-MH50Pepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ-MH50 100PCSPepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesIPZ40N04S5-3R1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.54 грн
146+97.01 грн
250+93.11 грн
500+86.55 грн
1000+77.52 грн
2500+72.22 грн
5000+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.29 грн
250+64.59 грн
500+62.26 грн
1000+58.07 грн
2500+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.20 грн
164+86.51 грн
192+74.02 грн
202+67.74 грн
500+58.72 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.82 грн
100+41.14 грн
500+30.31 грн
1000+27.63 грн
2000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.16 грн
50+44.77 грн
100+37.36 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 14034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.98 грн
194+72.95 грн
255+55.52 грн
267+51.14 грн
500+39.36 грн
5000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+58.95 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.01 грн
2000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.53 грн
100+34.58 грн
500+25.22 грн
1000+22.89 грн
2000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.43 грн
247+57.28 грн
286+49.50 грн
287+47.62 грн
500+34.21 грн
1000+29.80 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.41 грн
141+100.69 грн
250+96.66 грн
500+89.84 грн
1000+80.47 грн
2500+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.59 грн
173+81.76 грн
250+78.48 грн
500+72.95 грн
1000+65.34 грн
2500+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesIPZ40N04S5L-7R4
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.21 грн
250+67.40 грн
500+64.97 грн
1000+60.60 грн
2500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.49 грн
258+54.97 грн
272+52.05 грн
500+42.64 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.41 грн
253+56.06 грн
500+47.70 грн
1000+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.82 грн
100+41.14 грн
500+30.31 грн
1000+27.63 грн
2000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 359516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.64 грн
10000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.98 грн
10+76.41 грн
100+56.06 грн
500+46.00 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.32 грн
174+81.69 грн
250+56.64 грн
500+43.21 грн
1000+36.47 грн
2000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.93 грн
15+52.78 грн
25+52.26 грн
100+38.31 грн
250+35.12 грн
500+32.54 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.31 грн
50+47.87 грн
100+39.94 грн
500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.32 грн
10+81.69 грн
100+56.64 грн
500+43.21 грн
1000+36.47 грн
2000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.78 грн
271+52.26 грн
356+39.73 грн
360+37.93 грн
500+33.89 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.17 грн
31+24.66 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+24.66 грн
609+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+36.21 грн
408+34.70 грн
500+31.49 грн
1000+26.19 грн
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.97 грн
50+40.06 грн
100+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 604939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+968.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1314.17 грн
100+1248.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.27 грн
30+827.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1282.34 грн
50+1272.92 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1314.17 грн
100+1248.16 грн
500+1183.34 грн
1000+1077.43 грн
10000+938.69 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.32 грн
10+338.75 грн
25+338.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+426.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+351.32 грн
42+338.10 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.39 грн
30+570.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.15 грн
10+1013.45 грн
100+855.93 грн
500+714.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.65 грн
30+581.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]