Продукція > IPZ

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-3R1

IPZ40N04S5-3R1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	87.81 грн
146+	83.88 грн
250+	80.52 грн
500+	74.84 грн
1000+	67.03 грн
2500+	62.45 грн
5000+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	58.18 грн
250+	55.85 грн
500+	53.84 грн
1000+	50.22 грн
2500+	45.12 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.66 грн
11+	77.71 грн
100+	58.75 грн
500+	46.85 грн
1000+	33.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.29 грн
10+	65.26 грн
100+	39.69 грн
500+	31.92 грн
1000+	29.51 грн
2500+	29.43 грн
5000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.73 грн
10+	70.98 грн
100+	47.25 грн
500+	34.80 грн
1000+	31.73 грн
2000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	93.56 грн
164+	74.81 грн
192+	64.01 грн
202+	58.57 грн
500+	50.78 грн
1000+	40.97 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.03 грн
10+	62.18 грн
100+	41.15 грн
500+	30.14 грн
1000+	27.41 грн
2000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.34 грн
14+	63.49 грн
100+	47.15 грн
500+	37.73 грн
1000+	26.70 грн
5000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.85 грн
10+	44.18 грн
100+	32.14 грн
500+	26.40 грн
1000+	22.83 грн
2000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	71.75 грн
194+	63.08 грн
255+	48.01 грн
267+	44.23 грн
500+	34.03 грн
5000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.76 грн
10+	52.50 грн
100+	31.54 грн
500+	25.20 грн
1000+	23.32 грн
2500+	23.24 грн
5000+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	65.23 грн
247+	49.53 грн
286+	42.81 грн
287+	41.18 грн
500+	29.58 грн
1000+	25.77 грн
5000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.57 грн
10+	47.40 грн
100+	31.79 грн
500+	23.67 грн
1000+	20.25 грн
2000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.22 грн
10+	51.03 грн
100+	29.88 грн
500+	23.47 грн
1000+	20.53 грн
2500+	20.30 грн
5000+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	91.15 грн
141+	87.07 грн
250+	83.58 грн
500+	77.69 грн
1000+	69.59 грн
2500+	64.83 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	74.01 грн
173+	70.70 грн
250+	67.86 грн
500+	63.08 грн
1000+	56.50 грн
2500+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

IPZ40N04S5L-7R4

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	60.71 грн
250+	58.28 грн
500+	56.18 грн
1000+	52.40 грн
2500+	47.09 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 17394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.68 грн
10+	69.34 грн
100+	41.20 грн
500+	32.67 грн
1000+	28.90 грн
5000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	103.75 грн
10+	70.80 грн
100+	51.94 грн
500+	42.62 грн
1000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.54 грн
250+	48.00 грн
1000+	30.89 грн
3000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.23 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	55.77 грн
258+	47.54 грн
272+	45.01 грн
500+	36.87 грн
1000+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.26 грн
10+	55.65 грн
100+	41.01 грн
500+	32.75 грн
1000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	66.08 грн
253+	48.47 грн
500+	41.25 грн
1000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.89 грн
50+	66.54 грн
250+	48.00 грн
1000+	30.89 грн
3000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 359516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.23 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.62 грн
10000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.14 грн
10+	58.87 грн
100+	38.96 грн
500+	28.54 грн
1000+	25.95 грн
2000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 725

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 358334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	38.76 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	38.76 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.45 грн
10000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	41.50 грн
312+	39.30 грн
500+	33.19 грн
1000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.41 грн
10+	57.01 грн
100+	33.58 грн
500+	26.49 грн
1000+	23.32 грн
5000+	20.90 грн
10000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.35 грн
500+	29.48 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	54.03 грн
324+	37.76 грн
500+	30.52 грн
1000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.83 грн
13+	57.89 грн
100+	40.54 грн
250+	39.01 грн
500+	30.28 грн
1000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	46.77 грн
100+	32.78 грн
500+	26.26 грн
1000+	22.56 грн
2000+	22.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.60 грн
16+	55.62 грн
100+	38.35 грн
500+	29.48 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	31.31 грн
408+	30.01 грн
500+	27.23 грн
1000+	22.64 грн
5000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 20609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.17 грн
10+	47.73 грн
100+	28.75 грн
500+	23.24 грн
1000+	20.00 грн
2500+	19.92 грн
5000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.90 грн
10+	31.68 грн
100+	23.98 грн
500+	22.26 грн
1000+	18.99 грн
2000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.16 грн
19+	46.56 грн
100+	32.08 грн
500+	23.74 грн
1000+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.15 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 604939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.15 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.31 грн
10000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 112833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.15 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	24.24 грн
31+	22.84 грн
100+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

на замовлення 3630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.08 грн
500+	23.74 грн
1000+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	21.32 грн
609+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1136.41 грн
100+	1079.33 грн
500+	1023.28 грн
1000+	931.69 грн
10000+	811.72 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1155.05 грн
25+	840.03 грн
240+	715.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2617.41 грн
5+	2515.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	897.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	837.54 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1388.49 грн
30+	862.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1136.41 грн
100+	1079.33 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1108.89 грн
50+	1100.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	303.80 грн
42+	292.36 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1097.82 грн
10+	978.87 грн
100+	704.80 грн
240+	704.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	444.63 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.50 грн
10+	313.85 грн
25+	313.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	691.97 грн
10+	518.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	645.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	663.50 грн
50+	657.38 грн
100+	631.94 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1178.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	981.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1192.58 грн
10+	1055.42 грн
100+	891.38 грн
500+	744.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	534.02 грн
30+	528.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	508.16 грн
30+	502.74 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	780.48 грн
5+	772.87 грн
10+	764.40 грн
50+	435.47 грн
100+	378.75 грн
250+	378.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

на замовлення 13435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	511.52 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	734.23 грн
10+	619.61 грн
25+	458.80 грн
100+	457.29 грн
240+	422.58 грн
480+	396.17 грн
1200+	356.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.99 грн
10+	454.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 755-764 дні (днів)

1+	801.14 грн
10+	714.20 грн
100+	514.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 14461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	288.68 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.18 грн
10+	440.84 грн
25+	301.84 грн
100+	287.50 грн
240+	286.75 грн
480+	278.45 грн
1200+	241.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.10 грн
30+	256.80 грн
120+	214.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2206.27 грн
10+	2138.93 грн
20+	2007.14 грн
50+	1814.39 грн
100+	1705.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1534.49 грн
10+	1332.93 грн
100+	1002.87 грн
240+	971.18 грн
480+	970.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1320.55 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1339.05 грн
10+	899.90 грн
100+	751.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1426.88 грн
10+	1396.30 грн
100+	1336.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1269.31 грн
30+	851.00 грн
120+	809.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	763.28 грн
10+	633.49 грн
25+	538.03 грн
240+	456.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	797.72 грн
30+	568.07 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	838.30 грн
30+	596.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	826.89 грн
30+	463.11 грн
120+	427.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	837.78 грн
17+	736.88 грн
50+	695.82 грн
100+	643.37 грн
200+	615.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	487.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	872.45 грн
10+	474.68 грн
100+	389.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	583.69 грн
10+	451.25 грн
25+	354.66 грн
100+	313.16 грн
240+	294.30 грн
480+	279.96 грн
1200+	266.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	673.43 грн
30+	380.29 грн
120+	321.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.80 грн
5+	425.80 грн
10+	414.79 грн
50+	260.18 грн
100+	235.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.48 грн
10+	287.24 грн
100+	242.23 грн
480+	237.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	310.49 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	462.72 грн
50+	457.62 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	346.92 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.28 грн
10+	393.98 грн
100+	276.94 грн
480+	246.00 грн
1200+	210.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	577.11 грн
10+	502.13 грн
100+	415.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1141.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1003.96 грн
5+	943.01 грн
10+	882.07 грн
50+	764.04 грн
100+	653.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1053.00 грн
10+	893.11 грн
240+	748.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1003.62 грн
10+	892.96 грн
100+	775.73 грн
240+	658.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1065.68 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1495.75 грн
10+	1354.63 грн
100+	995.32 грн
480+	867.80 грн
1200+	861.00 грн
2640+	846.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	485.95 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	611.86 грн
10+	512.00 грн
100+	370.51 грн
480+	327.50 грн
1200+	295.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	729.63 грн
10+	635.37 грн
25+	578.76 грн
50+	533.83 грн
100+	464.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	649.76 грн
10+	535.93 грн
240+	420.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

IPZA60R037P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	873.45 грн
16+	805.17 грн
50+	648.21 грн
100+	623.10 грн
200+	576.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	721.59 грн
30+	406.39 грн
120+	364.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	704.32 грн
26+	481.44 грн
100+	440.59 грн
240+	419.69 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1089.02 грн
10+	967.59 грн
100+	710.84 грн
480+	632.36 грн
1200+	580.29 грн
2640+	579.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	740.16 грн
25+	505.93 грн
100+	463.00 грн
240+	441.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	619.56 грн
10+	511.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	765.04 грн
10+	645.64 грн
25+	531.24 грн
100+	440.69 грн
240+	439.93 грн
480+	412.77 грн
1200+	371.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.97 грн
10+	402.66 грн
100+	282.98 грн
240+	282.22 грн
480+	251.28 грн
1200+	214.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	351.40 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	412.08 грн
10+	386.01 грн
25+	325.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.31 грн
10+	490.30 грн
25+	241.47 грн
100+	227.14 грн
240+	221.85 грн
480+	209.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	425.01 грн
31+	404.62 грн
50+	396.47 грн
100+	381.33 грн
200+	352.17 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	408.49 грн
10+	332.37 грн
100+	233.93 грн
240+	233.17 грн
480+	207.52 грн
1200+	177.33 грн
2640+	166.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.69 грн
30+	231.91 грн
120+	209.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	232.70 грн
55+	224.55 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.10 грн
10+	326.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.94 грн
10+	249.33 грн
25+	240.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.79 грн
10+	348.85 грн
25+	206.01 грн
100+	196.95 грн
240+	196.20 грн
480+	177.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.28 грн
10+	295.05 грн
100+	207.52 грн
480+	184.88 грн
1200+	158.47 грн
2640+	148.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	494.77 грн
10+	409.60 грн
25+	338.82 грн
100+	299.58 грн
240+	271.66 грн
480+	255.81 грн
1200+	206.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.14 грн
10+	297.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

IPZA60R099P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.04 грн
30+	169.52 грн
120+	158.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 5920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	159.32 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.67 грн
10+	321.95 грн
25+	276.94 грн
240+	234.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.90 грн
10+	446.11 грн
100+	312.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.88 грн
10+	276.83 грн
100+	184.12 грн
240+	154.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	134.20 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	90.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	405.48 грн
10+	364.85 грн
100+	254.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1426.37 грн
5+	1409.44 грн
10+	1391.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1238.79 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1114.55 грн
10+	967.59 грн
100+	727.44 грн
240+	585.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	918.23 грн
10+	736.76 грн
100+	533.51 грн
480+	475.40 грн
1200+	404.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

SP005413356

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	982.80 грн
30+	575.94 грн
120+	498.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	903.26 грн
10+	788.83 грн
25+	464.08 грн
100+	461.82 грн
240+	461.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R040CM8XKSA1