Продукція > IPZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPZ-MH50Pepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ-MH50 100PCSPepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesIPZ40N04S5-3R1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+92.66 грн
146+88.52 грн
250+84.97 грн
500+78.98 грн
1000+70.74 грн
2500+65.90 грн
5000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+61.40 грн
250+58.94 грн
500+56.81 грн
1000+52.99 грн
2500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.49 грн
11+74.67 грн
100+56.45 грн
500+45.02 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+98.74 грн
164+78.95 грн
192+67.54 грн
202+61.81 грн
500+53.59 грн
1000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
10+61.86 грн
100+41.17 грн
500+30.33 грн
1000+27.65 грн
2000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.37 грн
10+66.87 грн
100+38.77 грн
500+30.40 грн
1000+26.77 грн
2500+25.94 грн
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+54.61 грн
100+36.11 грн
500+26.45 грн
1000+24.06 грн
2000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.26 грн
10+58.99 грн
100+39.05 грн
500+28.62 грн
1000+26.03 грн
2000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.29 грн
500+24.55 грн
1000+19.10 грн
5000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.80 грн
20+41.73 грн
100+32.29 грн
500+24.55 грн
1000+19.10 грн
5000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+75.72 грн
194+66.57 грн
255+50.66 грн
267+46.67 грн
500+35.92 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.67 грн
10+55.17 грн
100+31.65 грн
500+24.61 грн
1000+20.64 грн
5000+17.85 грн
10000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.28 грн
10+52.57 грн
100+34.61 грн
500+25.24 грн
1000+22.91 грн
2000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.72 грн
10+46.67 грн
100+27.47 грн
500+21.89 грн
1000+18.20 грн
2500+18.13 грн
5000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+68.84 грн
247+52.27 грн
286+45.17 грн
287+43.45 грн
500+31.21 грн
1000+27.19 грн
5000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+96.19 грн
141+91.89 грн
250+88.20 грн
500+81.98 грн
1000+73.44 грн
2500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+78.10 грн
173+74.61 грн
250+71.61 грн
500+66.57 грн
1000+59.62 грн
2500+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesIPZ40N04S5L-7R4
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+64.07 грн
250+61.50 грн
500+59.28 грн
1000+55.30 грн
2500+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.85 грн
258+50.16 грн
272+47.50 грн
500+38.91 грн
1000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
10+62.30 грн
100+37.93 грн
500+30.40 грн
1000+26.77 грн
2500+26.36 грн
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+69.73 грн
253+51.15 грн
500+43.53 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
10+61.86 грн
100+41.17 грн
500+30.33 грн
1000+27.65 грн
2000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 359516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.94 грн
250+46.12 грн
1000+29.68 грн
3000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.65 грн
10000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.48 грн
10+74.71 грн
100+54.81 грн
500+44.97 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.99 грн
50+63.94 грн
250+46.12 грн
1000+29.68 грн
3000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 725
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+43.80 грн
312+41.47 грн
500+35.02 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.55 грн
18+47.59 грн
100+34.98 грн
500+28.85 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.09 грн
10000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+57.02 грн
324+39.85 грн
500+32.21 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.41 грн
13+61.09 грн
100+42.79 грн
250+41.17 грн
500+31.95 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.23 грн
10+42.02 грн
25+36.40 грн
100+26.84 грн
250+26.77 грн
500+23.85 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 358334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.98 грн
500+28.85 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.83 грн
10+59.75 грн
100+39.54 грн
500+28.98 грн
1000+26.36 грн
2000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 604939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.71 грн
11+29.59 грн
100+20.29 грн
500+18.69 грн
1000+17.78 грн
5000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.58 грн
31+24.11 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.59 грн
24+34.08 грн
100+26.84 грн
500+23.04 грн
1000+20.29 грн
5000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+22.50 грн
609+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 574
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+33.04 грн
408+31.66 грн
500+28.74 грн
1000+23.90 грн
5000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.84 грн
500+23.04 грн
1000+20.29 грн
5000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.28 грн
10+52.50 грн
100+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+883.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1067.23 грн
25+776.16 грн
240+660.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1199.24 грн
100+1139.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2515.16 грн
5+2417.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.25 грн
30+828.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1170.20 грн
50+1161.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1199.24 грн
100+1139.01 грн
500+1079.85 грн
1000+983.21 грн
10000+856.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.50 грн
10+331.20 грн
25+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+427.26 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.36 грн
10+904.45 грн
100+651.22 грн
240+650.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+320.60 грн
42+308.53 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.36 грн
10+479.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.62 грн
5+688.17 грн
10+515.72 грн
50+465.29 грн
100+416.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.55 грн
30+557.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.99 грн
10+1014.19 грн
100+856.55 грн
500+715.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1048.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+536.26 грн
30+530.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+700.18 грн
50+693.73 грн
100+666.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+491.53 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.46 грн
10+436.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.41 грн
10+572.50 грн
25+423.92 грн
100+422.52 грн
240+390.45 грн
480+366.05 грн
1200+329.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 755-764 дні (днів)
1+740.23 грн
10+659.90 грн
100+475.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.01 грн
10+280.64 грн
100+203.59 грн
480+183.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+277.41 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.89 грн
30+246.77 грн
120+206.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1417.83 грн
10+1231.60 грн
100+927.32 грн
240+896.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2328.25 грн
10+2257.19 грн
20+2118.12 грн
50+1914.70 грн
100+1799.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1393.56 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1505.77 грн
10+1473.50 грн
100+1410.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1138.93 грн
30+726.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1176.24 грн
10+798.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.55 грн
10+778.57 грн
240+624.72 грн
480+624.03 грн
1200+483.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.12 грн
10+477.08 грн
100+354.20 грн
480+349.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.65 грн
30+629.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.09 грн
30+432.30 грн
120+368.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+884.10 грн
17+777.62 грн
50+734.29 грн
100+678.94 грн
200+649.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+841.82 грн
30+599.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.91 грн
10+447.42 грн
100+324.21 грн
480+289.35 грн
1200+257.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.57 грн
10+293.47 грн
100+245.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.74 грн
5+409.16 грн
10+398.59 грн
50+250.02 грн
100+225.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+488.30 грн
50+482.92 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+327.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.12 грн
30+365.43 грн
120+308.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesDescription: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+333.37 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.07 грн
10+364.03 грн
100+255.89 грн
480+227.30 грн
1200+194.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.56 грн
10+482.51 грн
100+399.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1124.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.86 грн
10+858.22 грн
240+719.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.34 грн
5+937.08 грн
10+715.01 грн
50+650.35 грн
100+588.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.32 грн
10+825.07 грн
100+716.76 грн
240+608.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.08 грн
10+638.25 грн
100+462.96 грн
480+412.76 грн
1200+350.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.04 грн
10+1251.64 грн
100+919.65 грн
480+801.82 грн
1200+795.55 грн
2640+782.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.12 грн
10+452.23 грн
100+327.70 грн
480+289.35 грн
1200+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.97 грн
10+670.50 грн
25+610.76 грн
50+563.34 грн
100+490.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.08 грн
30+332.30 грн
120+280.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+512.82 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+743.27 грн
26+508.06 грн
100+464.95 грн
240+442.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.40 грн
30+390.51 грн
120+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.08 грн
25+533.90 грн
100+488.60 грн
240+465.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.23 грн
10+894.03 грн
100+656.80 грн
480+584.28 грн
1200+536.17 грн
2640+535.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+921.75 грн
16+849.68 грн
50+684.05 грн
100+657.55 грн
200+607.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.35 грн
10+491.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.88 грн
10+596.55 грн
25+490.85 грн
100+407.19 грн
240+406.49 грн
480+381.39 грн
1200+343.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R055CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.77 грн
10+336.76 грн
100+237.06 грн
480+210.57 грн
1200+179.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+370.83 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.86 грн
10+407.35 грн
25+343.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.30 грн
10+432.98 грн
25+185.46 грн
240+184.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+448.50 грн
31+426.99 грн
50+418.39 грн
100+402.41 грн
200+371.64 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R070CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.71 грн
10+324.74 грн
100+207.78 грн
480+184.07 грн
1200+163.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+245.57 грн
55+236.97 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.87 грн
30+197.95 грн
120+189.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.76 грн
10+263.11 грн
25+253.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.82 грн
10+322.33 грн
25+190.35 грн
100+181.98 грн
240+181.28 грн
480+163.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.96 грн
10+313.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.68 грн
10+174.00 грн
100+130.38 грн
480+129.69 грн
1200+128.29 грн
2640+122.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.21 грн
10+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+190.82 грн
60+166.45 грн
90+157.64 грн
150+138.63 грн
210+133.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.03 грн
30+156.63 грн
120+151.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.24 грн
10+286.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.49 грн
10+428.68 грн
100+300.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+178.67 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.80 грн
10+297.48 грн
25+255.89 грн
240+216.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.64 грн
10+350.59 грн
100+244.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.83 грн
10+255.78 грн
100+170.13 грн
240+142.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1370.65 грн
5+1354.38 грн
10+1337.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1307.28 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1345.43 грн
10+825.07 грн
100+674.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1003.79 грн
10+606.18 грн
100+525.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.00 грн
10+650.28 грн
100+471.33 грн
480+419.74 грн
1200+356.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.80 грн
10+699.99 грн
25+400.21 грн
100+390.45 грн
240+389.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.41 грн
30+553.44 грн
120+478.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R040CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.81 грн
10+460.25 грн
100+333.28 грн
480+297.72 грн
1200+264.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.