Продукція > IPZ

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-3R1

IPZ40N04S5-3R1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	90.97 грн
146+	86.91 грн
250+	83.42 грн
500+	77.54 грн
1000+	69.45 грн
2500+	64.70 грн
5000+	62.97 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	60.28 грн
250+	57.87 грн
500+	55.78 грн
1000+	52.03 грн
2500+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.14 грн
11+	82.43 грн
100+	62.32 грн
500+	49.69 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	96.94 грн
164+	77.51 грн
192+	66.31 грн
202+	60.69 грн
500+	52.61 грн
1000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	112.56 грн
10+	68.62 грн
100+	45.67 грн
500+	33.64 грн
1000+	30.67 грн
2000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	123.27 грн
10+	76.77 грн
100+	44.50 грн
500+	34.90 грн
1000+	30.74 грн
2500+	29.78 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.71 грн
10+	60.28 грн
100+	39.86 грн
500+	29.20 грн
1000+	26.56 грн
2000+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	63.33 грн
100+	36.34 грн
500+	28.26 грн
1000+	23.69 грн
5000+	20.49 грн
10000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.46 грн
10+	56.57 грн
100+	37.33 грн
500+	27.27 грн
1000+	24.78 грн
2000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.65 грн
500+	27.10 грн
1000+	21.09 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.32 грн
20+	46.06 грн
100+	35.65 грн
500+	27.10 грн
1000+	21.09 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	74.34 грн
194+	65.36 грн
255+	49.74 грн
267+	45.82 грн
500+	35.26 грн
5000+	33.67 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Application: automotive industry

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.99 грн
10+	50.69 грн
100+	33.30 грн
500+	24.22 грн
1000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	53.57 грн
100+	31.54 грн
500+	25.13 грн
1000+	20.89 грн
2500+	20.81 грн
5000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	67.58 грн
247+	51.32 грн
286+	44.35 грн
287+	42.66 грн
500+	30.65 грн
1000+	26.70 грн
5000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	94.44 грн
141+	90.21 грн
250+	86.60 грн
500+	80.49 грн
1000+	72.10 грн
2500+	67.17 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	76.68 грн
173+	73.25 грн
250+	70.31 грн
500+	65.35 грн
1000+	58.54 грн
2500+	54.54 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

IPZ40N04S5L-7R4

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	62.90 грн
250+	60.38 грн
500+	58.20 грн
1000+	54.29 грн
2500+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.49 грн
10+	73.35 грн
100+	53.81 грн
500+	44.15 грн
1000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.95 грн
50+	70.58 грн
250+	50.91 грн
1000+	32.77 грн
3000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	52.05 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	57.78 грн
258+	49.25 грн
272+	46.63 грн
500+	38.20 грн
1000+	31.30 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.26 грн
10+	71.52 грн
100+	43.54 грн
500+	34.90 грн
1000+	30.74 грн
2500+	30.26 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	68.46 грн
253+	50.22 грн
500+	42.74 грн
1000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	112.56 грн
10+	68.62 грн
100+	45.67 грн
500+	33.64 грн
1000+	30.67 грн
2000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 359516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	52.05 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.58 грн
250+	50.91 грн
1000+	32.77 грн
3000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.34 грн
10000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	43.71 грн

Мінімальне замовлення: 725

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	40.16 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	43.00 грн
312+	40.72 грн
500+	34.38 грн
1000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.56 грн
16+	58.99 грн
100+	40.68 грн
500+	31.27 грн
1000+	24.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.90 грн
10000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	55.98 грн
324+	39.12 грн
500+	31.62 грн
1000+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.81 грн
13+	59.98 грн
100+	42.01 грн
250+	40.42 грн
500+	31.37 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.44 грн
10+	48.23 грн
25+	41.78 грн
100+	30.82 грн
250+	30.74 грн
500+	27.37 грн
1000+	23.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 358334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	40.16 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.68 грн
500+	31.27 грн
1000+	24.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.51 грн
10+	56.53 грн
100+	37.33 грн
500+	27.27 грн
1000+	24.78 грн
2000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.63 грн
500+	25.43 грн
1000+	22.40 грн
5000+	19.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.99 грн
10+	50.44 грн
100+	33.08 грн
500+	24.05 грн
1000+	21.80 грн
2000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 604939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
11+	33.97 грн
100+	23.29 грн
500+	21.45 грн
1000+	20.41 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 112833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	25.12 грн
31+	23.67 грн
100+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	44.81 грн
24+	37.62 грн
100+	29.63 грн
500+	25.43 грн
1000+	22.40 грн
5000+	19.63 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.17 грн
10000+	17.15 грн
15000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	22.09 грн
609+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	32.44 грн
408+	31.09 грн
500+	28.21 грн
1000+	23.46 грн
5000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	929.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	867.74 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1225.19 грн
25+	891.04 грн
240+	758.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1177.38 грн
100+	1118.25 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2776.36 грн
5+	2668.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1472.81 грн
30+	914.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1148.87 грн
50+	1140.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1177.38 грн
100+	1118.25 грн
500+	1060.17 грн
1000+	965.29 грн
10000+	840.99 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1164.49 грн
10+	1038.32 грн
100+	747.60 грн
240+	746.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	314.76 грн
42+	302.91 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.24 грн
10+	325.17 грн
25+	324.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	471.63 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	687.42 грн
50+	681.09 грн
100+	654.73 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	733.99 грн
10+	550.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1277.68 грн
3+	1207.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	755.15 грн
5+	604.30 грн
10+	452.55 грн
50+	386.87 грн
100+	336.33 грн
250+	329.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	553.28 грн
30+	547.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1265.00 грн
10+	1119.52 грн
100+	945.51 грн
500+	789.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	684.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	526.49 грн
30+	520.87 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

на замовлення 13435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	542.58 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	584.45 грн
10+	482.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	778.82 грн
10+	657.23 грн
25+	486.66 грн
100+	485.06 грн
240+	448.24 грн
480+	420.22 грн
1200+	377.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 755-764 дні (днів)

1+	849.79 грн
10+	757.57 грн
100+	545.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 14461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	306.21 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	552.83 грн
10+	467.61 грн
25+	320.17 грн
100+	304.96 грн
240+	304.16 грн
480+	295.36 грн
1200+	256.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	494.40 грн
30+	272.40 грн
120+	227.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1627.67 грн
10+	1413.88 грн
100+	1064.57 грн
240+	1029.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2285.82 грн
10+	2216.06 грн
20+	2079.52 грн
50+	1879.81 грн
100+	1766.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1368.16 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1478.33 грн
10+	1446.65 грн
100+	1384.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1257.21 грн
30+	802.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1350.32 грн
10+	916.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	913.29 грн
10+	893.80 грн
240+	717.18 грн
480+	716.38 грн
1200+	554.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	826.48 грн
30+	588.55 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	925.43 грн
10+	547.69 грн
100+	406.62 грн
480+	401.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	868.52 грн
30+	618.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	826.89 грн
30+	477.20 грн
120+	407.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	867.99 грн
17+	763.45 грн
50+	720.91 грн
100+	666.57 грн
200+	638.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	716.25 грн
10+	513.64 грн
100+	372.20 грн
480+	332.18 грн
1200+	295.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	714.32 грн
30+	403.38 грн
120+	340.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	622.87 грн
10+	336.90 грн
100+	281.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.32 грн
5+	451.65 грн
10+	439.98 грн
50+	275.98 грн
100+	249.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	479.40 грн
50+	474.12 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	321.68 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	367.99 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.20 грн
10+	417.90 грн
100+	293.76 грн
480+	260.94 грн
1200+	223.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	612.15 грн
10+	532.62 грн
100+	440.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1023.62 грн
5+	974.24 грн
10+	924.85 грн
50+	857.96 грн
100+	791.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1064.57 грн
10+	947.19 грн
100+	822.84 грн
240+	698.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1182.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1104.10 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1116.94 грн
10+	947.34 грн
240+	793.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	950.64 грн
10+	732.71 грн
100+	531.48 грн
480+	473.85 грн
1200+	402.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1586.58 грн
10+	1436.89 грн
100+	1055.77 грн
480+	920.49 грн
1200+	913.29 грн
2640+	898.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	650.25 грн
30+	366.81 грн
120+	309.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	503.48 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	620.07 грн
10+	519.16 грн
100+	376.20 грн
480+	332.18 грн
1200+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	755.94 грн
10+	658.28 грн
25+	599.63 грн
50+	553.08 грн
100+	481.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	904.95 грн
16+	834.20 грн
50+	671.58 грн
100+	645.56 грн
200+	596.80 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	729.72 грн
26+	498.80 грн
100+	456.47 грн
240+	434.83 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	765.41 грн
30+	431.06 грн
120+	386.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1155.15 грн
10+	1026.35 грн
100+	754.00 грн
480+	670.76 грн
1200+	615.53 грн
2640+	614.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	766.85 грн
25+	524.17 грн
100+	479.69 грн
240+	456.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	657.18 грн
10+	542.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	811.50 грн
10+	684.85 грн
25+	563.50 грн
100+	467.45 грн
240+	466.65 грн
480+	437.83 грн
1200+	393.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.74 грн
10+	386.61 грн
100+	272.15 грн
480+	241.73 грн
1200+	206.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	364.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	579.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.94 грн
10+	399.93 грн
25+	337.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	549.09 грн
10+	497.07 грн
25+	212.91 грн
240+	212.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	440.33 грн
31+	419.21 грн
50+	410.76 грн
100+	395.08 грн
200+	364.87 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.69 грн
10+	336.90 грн
100+	236.93 грн
240+	236.13 грн
480+	209.71 грн
1200+	179.30 грн
2640+	169.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	438.18 грн
10+	346.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	241.09 грн
55+	232.65 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.92 грн
30+	218.51 грн
120+	208.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.95 грн
10+	258.32 грн
25+	249.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.33 грн
10+	370.04 грн
25+	218.52 грн
100+	208.91 грн
240+	208.11 грн
480+	188.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.82 грн
10+	268.78 грн
100+	185.70 грн
480+	164.89 грн
1200+	140.88 грн
2640+	132.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.64 грн
10+	240.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	210.63 грн
60+	183.74 грн
90+	174.01 грн
150+	153.03 грн
210+	146.94 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.42 грн
30+	172.90 грн
120+	167.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.19 грн
10+	316.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	524.81 грн
10+	434.47 грн
25+	359.39 грн
100+	317.77 грн
240+	288.15 грн
480+	271.35 грн
1200+	218.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	527.08 грн
10+	473.20 грн
100+	331.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 5920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	200.42 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.53 грн
10+	341.50 грн
25+	293.76 грн
240+	248.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.28 грн
10+	293.64 грн
100+	195.30 грн
240+	164.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	138.89 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	430.10 грн
10+	387.00 грн
100+	270.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1512.99 грн
5+	1495.03 грн
10+	1476.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1283.46 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1352.19 грн
25+	810.95 грн
100+	673.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1199.04 грн
10+	882.75 грн
100+	663.56 грн
480+	628.34 грн
1200+	533.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	931.03 грн
10+	746.52 грн
100+	541.09 грн
480+	481.86 грн
1200+	409.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	917.02 грн
10+	803.59 грн
25+	459.45 грн
100+	448.24 грн
240+	447.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1042.48 грн
30+	610.91 грн
120+	528.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

SP005413356

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R040CM8XKSA1