Продукція > IPZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPZ-MH50 | Pepperl+Fuchs, Inc. | Description: IDENT RFID (INDUCTIVE) Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ-MH50 100PCS | Pepperl+Fuchs, Inc. | Description: IDENT RFID (INDUCTIVE) Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5-3R1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5-3R1 | Infineon Technologies | IPZ40N04S5-3R1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5-8R4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 14402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S53R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 465000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S55R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 12739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 8222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S58R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L-2R8 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L-2R8 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L-4R8 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L-7R4 | Infineon Technologies | IPZ40N04S5L-7R4 | на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L-7R4 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 7455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 359516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 7283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 358334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 604939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 12241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 112833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | на замовлення 9024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | на замовлення 9024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 109 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 446 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS C7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 Код товару: 154853
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

