Продукція > IPZ

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-3R1

IPZ40N04S5-3R1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	89.07 грн
146+	85.09 грн
250+	81.68 грн
500+	75.92 грн
1000+	68.00 грн
2500+	63.35 грн
5000+	61.65 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 6.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	59.02 грн
250+	56.66 грн
500+	54.61 грн
1000+	50.94 грн
2500+	45.77 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
On-state resistance: 9.9mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.47 грн
11+	79.76 грн
100+	60.30 грн
500+	48.08 грн
1000+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	94.91 грн
164+	75.89 грн
192+	64.93 грн
202+	59.42 грн
500+	51.51 грн
1000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.80 грн
10+	72.85 грн
100+	48.49 грн
500+	35.72 грн
1000+	32.57 грн
2000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 15072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.66 грн
10+	57.36 грн
100+	37.25 грн
500+	33.30 грн
1000+	29.20 грн
2500+	29.12 грн
5000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	58.89 грн
100+	38.99 грн
500+	28.56 грн
1000+	25.97 грн
2000+	24.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.16 грн
10+	55.75 грн
100+	36.78 грн
500+	26.87 грн
1000+	24.41 грн
2000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.49 грн
500+	26.22 грн
1000+	20.40 грн
5000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.07 грн
20+	44.57 грн
100+	34.49 грн
500+	26.22 грн
1000+	20.40 грн
5000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	72.79 грн
194+	63.99 грн
255+	48.70 грн
267+	44.86 грн
500+	34.52 грн
5000+	32.97 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.12 грн
10+	44.27 грн
100+	30.52 грн
500+	27.11 грн
1000+	22.93 грн
2500+	22.85 грн
5000+	19.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.10 грн
10+	49.94 грн
100+	32.81 грн
500+	23.87 грн
1000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.82 грн
10+	49.43 грн
100+	29.74 грн
500+	24.32 грн
1000+	20.21 грн
2500+	20.14 грн
5000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	66.17 грн
247+	50.25 грн
286+	43.42 грн
287+	41.77 грн
500+	30.01 грн
1000+	26.14 грн
5000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	92.46 грн
141+	88.33 грн
250+	84.79 грн
500+	78.81 грн
1000+	70.59 грн
2500+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	75.08 грн
173+	71.72 грн
250+	68.84 грн
500+	63.99 грн
1000+	57.31 грн
2500+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 6.7mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 10.7mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

IPZ40N04S5L-7R4

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	61.59 грн
250+	59.12 грн
500+	56.99 грн
1000+	53.16 грн
2500+	47.77 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.52 грн
50+	68.29 грн
250+	49.26 грн
1000+	31.71 грн
3000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	56.58 грн
258+	48.22 грн
272+	45.66 грн
500+	37.41 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.88 грн
10+	64.93 грн
100+	41.44 грн
500+	33.77 грн
1000+	29.74 грн
2500+	29.28 грн
5000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	67.03 грн
253+	49.17 грн
500+	41.84 грн
1000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.59 грн
10+	67.61 грн
100+	45.00 грн
500+	33.15 грн
1000+	30.22 грн
2000+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 359516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.29 грн
250+	49.26 грн
1000+	31.71 грн
3000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.94 грн
10000+	25.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.25 грн
10+	71.82 грн
100+	52.68 грн
500+	43.23 грн
1000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	42.80 грн

Мінімальне замовлення: 725

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.83 грн
10+	57.12 грн
100+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	42.10 грн
312+	39.87 грн
500+	33.66 грн
1000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.75 грн
16+	57.08 грн
100+	39.36 грн
500+	30.25 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.58 грн
10000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	54.81 грн
324+	38.30 грн
500+	30.96 грн
1000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.02 грн
13+	58.73 грн
100+	41.13 грн
250+	39.57 грн
500+	30.72 грн
1000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.12 грн
10+	46.67 грн
25+	40.43 грн
100+	29.82 грн
250+	29.74 грн
500+	26.49 грн
1000+	22.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 358334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	39.32 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.36 грн
500+	30.25 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.16 грн
10+	55.75 грн
100+	36.78 грн
500+	26.87 грн
1000+	24.41 грн
2000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	39.32 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.10 грн
10+	49.70 грн
100+	32.59 грн
500+	23.70 грн
1000+	21.48 грн
2000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 604939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.67 грн
11+	32.87 грн
100+	22.54 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.75 грн
5000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 112833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	24.59 грн
31+	23.17 грн
100+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.35 грн
24+	36.40 грн
100+	28.67 грн
500+	24.61 грн
1000+	21.67 грн
5000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.89 грн
10000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	21.63 грн
609+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	31.76 грн
408+	30.44 грн
500+	27.63 грн
1000+	22.97 грн
5000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.67 грн
500+	24.61 грн
1000+	21.67 грн
5000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	910.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	849.62 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1185.49 грн
25+	862.17 грн
240+	734.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1152.80 грн
100+	1094.90 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2686.40 грн
5+	2582.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1425.09 грн
30+	884.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1124.88 грн
50+	1116.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	1152.80 грн
100+	1094.90 грн
500+	1038.04 грн
1000+	945.13 грн
10000+	823.43 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	308.18 грн
42+	296.58 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.20 грн
10+	318.38 грн
25+	317.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	456.34 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1126.76 грн
10+	1004.67 грн
100+	723.38 грн
240+	722.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	710.21 грн
10+	532.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1236.29 грн
3+	1168.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	730.68 грн
5+	584.72 грн
10+	437.89 грн
50+	374.34 грн
100+	325.44 грн
250+	318.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	541.73 грн
30+	535.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1224.02 грн
10+	1083.24 грн
100+	914.87 грн
500+	763.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	662.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	515.49 грн
30+	509.99 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	673.07 грн
50+	666.87 грн
100+	641.05 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 13435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	525.00 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	565.51 грн
10+	466.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	753.58 грн
10+	635.94 грн
25+	470.89 грн
100+	469.34 грн
240+	433.72 грн
480+	406.61 грн
1200+	365.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 755-764 дні (днів)

1+	822.25 грн
10+	733.02 грн
100+	528.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	534.92 грн
10+	452.46 грн
25+	309.80 грн
100+	295.08 грн
240+	294.31 грн
480+	285.79 грн
1200+	247.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 14461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	296.29 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.38 грн
30+	263.57 грн
120+	220.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1574.93 грн
10+	1368.07 грн
100+	1030.08 грн
240+	996.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2238.09 грн
10+	2169.78 грн
20+	2036.09 грн
50+	1840.56 грн
100+	1729.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1339.60 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1447.46 грн
10+	1416.44 грн
100+	1355.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1298.58 грн
30+	832.07 грн
120+	779.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1374.34 грн
10+	904.03 грн
100+	771.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	883.70 грн
10+	864.84 грн
240+	693.95 грн
480+	693.17 грн
1200+	536.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	895.44 грн
10+	481.85 грн
100+	399.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	850.39 грн
30+	605.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	500.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	833.61 грн
30+	481.99 грн
120+	411.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	849.87 грн
17+	747.51 грн
50+	705.86 грн
100+	652.65 грн
200+	624.77 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	809.22 грн
30+	576.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.07 грн
10+	463.15 грн
25+	364.01 грн
100+	321.42 грн
240+	302.05 грн
480+	287.34 грн
1200+	273.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.80 грн
10+	294.81 грн
100+	248.61 грн
480+	243.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.31 грн
5+	437.02 грн
10+	425.72 грн
50+	267.04 грн
100+	241.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	469.39 грн
50+	464.22 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	314.97 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	691.18 грн
30+	390.31 грн
120+	329.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	356.06 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.83 грн
10+	404.36 грн
100+	284.24 грн
480+	252.49 грн
1200+	216.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	592.32 грн
10+	515.36 грн
100+	426.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1030.08 грн
10+	916.50 грн
100+	796.18 грн
240+	676.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1158.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1081.05 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1080.75 грн
10+	916.65 грн
240+	767.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	990.46 грн
5+	942.67 грн
10+	894.89 грн
50+	830.16 грн
100+	765.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	919.84 грн
10+	708.97 грн
100+	514.26 грн
480+	458.50 грн
1200+	389.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1535.18 грн
10+	1390.33 грн
100+	1021.56 грн
480+	890.67 грн
1200+	883.70 грн
2640+	868.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	492.96 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.97 грн
10+	502.34 грн
100+	364.01 грн
480+	321.42 грн
1200+	288.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	740.15 грн
10+	644.53 грн
25+	587.11 грн
50+	541.53 грн
100+	471.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	629.18 грн
30+	354.92 грн
120+	299.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	714.48 грн
26+	488.38 грн
100+	446.94 грн
240+	425.75 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	740.61 грн
30+	417.10 грн
120+	374.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	750.83 грн
25+	513.23 грн
100+	469.68 грн
240+	447.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1117.72 грн
10+	993.10 грн
100+	729.57 грн
480+	649.03 грн
1200+	595.59 грн
2640+	594.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	886.05 грн
16+	816.78 грн
50+	657.56 грн
100+	632.08 грн
200+	584.34 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	635.89 грн
10+	524.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	785.21 грн
10+	662.66 грн
25+	545.24 грн
100+	452.30 грн
240+	451.53 грн
480+	423.65 грн
1200+	381.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.16 грн
10+	374.08 грн
100+	263.33 грн
480+	233.90 грн
1200+	199.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	356.47 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.02 грн
10+	391.58 грн
25+	330.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	531.30 грн
10+	480.96 грн
25+	206.02 грн
240+	205.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	431.14 грн
31+	410.46 грн
50+	402.19 грн
100+	386.83 грн
200+	357.25 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.28 грн
10+	325.98 грн
100+	229.25 грн
240+	228.48 грн
480+	202.92 грн
1200+	173.49 грн
2640+	164.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	236.06 грн
55+	227.79 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.20 грн
30+	211.43 грн
120+	202.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.54 грн
10+	252.92 грн
25+	244.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.14 грн
10+	358.05 грн
25+	211.44 грн
100+	202.14 грн
240+	201.37 грн
480+	182.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	423.99 грн
10+	335.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.48 грн
10+	260.08 грн
100+	179.68 грн
480+	159.55 грн
1200+	136.31 грн
2640+	128.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	364.44 грн
10+	232.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	203.81 грн
60+	177.78 грн
90+	168.37 грн
150+	148.07 грн
210+	142.18 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.55 грн
30+	167.30 грн
120+	162.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	338.84 грн
10+	305.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	507.81 грн
10+	420.40 грн
25+	347.75 грн
100+	307.47 грн
240+	278.82 грн
480+	262.55 грн
1200+	211.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.00 грн
10+	457.87 грн
100+	320.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 5920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	193.93 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.76 грн
10+	330.44 грн
25+	284.24 грн
240+	240.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	91.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	134.39 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	416.17 грн
10+	374.46 грн
100+	261.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	378.60 грн
10+	284.12 грн
100+	188.98 грн
240+	158.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1463.97 грн
5+	1446.59 грн
10+	1428.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1256.66 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1308.38 грн
25+	784.68 грн
100+	651.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1160.19 грн
10+	854.15 грн
100+	642.06 грн
480+	607.98 грн
1200+	516.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	900.87 грн
10+	722.33 грн
100+	523.56 грн
480+	466.25 грн
1200+	396.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	887.31 грн
10+	777.55 грн
25+	444.56 грн
100+	433.72 грн
240+	432.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1008.70 грн
30+	591.12 грн
120+	511.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

SP005413356

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R040CM8XKSA1