Продукція > IPZ

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-3R1

IPZ40N04S5-3R1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	87.60 грн
146+	83.68 грн
250+	80.32 грн
500+	74.66 грн
1000+	66.87 грн
2500+	62.30 грн
5000+	60.63 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-5R4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	58.04 грн
250+	55.72 грн
500+	53.71 грн
1000+	50.10 грн
2500+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5-8R4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.18 грн
11+	76.63 грн
100+	57.93 грн
500+	46.20 грн
1000+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.18 грн
10+	64.35 грн
100+	39.14 грн
500+	31.48 грн
1000+	29.10 грн
2500+	29.02 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	93.34 грн
164+	74.63 грн
192+	63.85 грн
202+	58.43 грн
500+	50.66 грн
1000+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.11 грн
10+	70.00 грн
100+	46.59 грн
500+	34.32 грн
1000+	31.29 грн
2000+	28.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R1ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.62 грн
10+	61.31 грн
100+	40.58 грн
500+	29.72 грн
1000+	27.03 грн
2000+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.98 грн
10+	43.56 грн
100+	31.70 грн
500+	26.03 грн
1000+	22.52 грн
2000+	21.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.15 грн
14+	62.61 грн
100+	46.50 грн
500+	37.21 грн
1000+	26.33 грн
5000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.80 грн
10+	51.77 грн
100+	31.10 грн
500+	24.85 грн
1000+	22.99 грн
2500+	22.92 грн
5000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	71.58 грн
194+	62.93 грн
255+	47.89 грн
267+	44.12 грн
500+	33.95 грн
5000+	32.42 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.62 грн
10+	46.74 грн
100+	31.35 грн
500+	23.34 грн
1000+	19.97 грн
2000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	50.32 грн
100+	29.47 грн
500+	23.14 грн
1000+	20.24 грн
2500+	20.02 грн
5000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	65.07 грн
247+	49.41 грн
286+	42.70 грн
287+	41.08 грн
500+	29.51 грн
1000+	25.71 грн
5000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	90.93 грн
141+	86.86 грн
250+	83.38 грн
500+	77.50 грн
1000+	69.42 грн
2500+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	73.83 грн
173+	70.53 грн
250+	67.70 грн
500+	62.93 грн
1000+	56.36 грн
2500+	52.51 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L-7R4

IPZ40N04S5L-7R4

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	60.57 грн
250+	58.14 грн
500+	56.04 грн
1000+	52.28 грн
2500+	46.97 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	89.70 грн
10+	61.21 грн
100+	44.90 грн
500+	36.85 грн
1000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 17394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	68.38 грн
100+	40.63 грн
500+	32.22 грн
1000+	28.50 грн
5000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.11 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	55.64 грн
258+	47.42 грн
272+	44.90 грн
500+	36.79 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.50 грн
50+	65.61 грн
250+	47.33 грн
1000+	30.46 грн
3000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	65.92 грн
253+	48.36 грн
500+	41.15 грн
1000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.52 грн
10+	55.35 грн
100+	40.59 грн
500+	32.42 грн
1000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 359516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	50.11 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.36 грн
10000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

на замовлення 7231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.61 грн
250+	47.33 грн
1000+	30.46 грн
3000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 725

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.79 грн
10+	58.06 грн
100+	38.42 грн
500+	28.14 грн
1000+	25.59 грн
2000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.82 грн
500+	29.07 грн
1000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	41.40 грн
312+	39.21 грн
500+	33.11 грн
1000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.15 грн
10000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	53.90 грн
324+	37.67 грн
500+	30.45 грн
1000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.31 грн
10+	56.22 грн
100+	33.11 грн
500+	26.12 грн
1000+	22.99 грн
5000+	20.61 грн
10000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.47 грн
16+	54.84 грн
100+	37.82 грн
500+	29.07 грн
1000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.61 грн
13+	50.05 грн
100+	35.05 грн
250+	33.73 грн
500+	26.18 грн
1000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 358334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.42 грн
10+	46.12 грн
100+	32.32 грн
500+	25.89 грн
1000+	22.25 грн
2000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

789+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 789

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.52 грн
10+	35.27 грн
100+	25.72 грн
500+	22.45 грн
1000+	19.16 грн
2000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 604939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.64 грн
500+	23.41 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 112833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.96 грн
31+	19.75 грн
100+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.47 грн
10000+	17.36 грн
15000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	21.27 грн
609+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

на замовлення 3630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.35 грн
19+	45.91 грн
100+	31.64 грн
500+	23.41 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	31.23 грн
408+	29.93 грн
500+	27.17 грн
1000+	22.59 грн
5000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

923+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 923

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 20609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.24 грн
10+	47.07 грн
100+	28.35 грн
500+	22.92 грн
1000+	19.72 грн
2500+	19.65 грн
5000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	663.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1670.34 грн
10+	1604.55 грн
25+	903.38 грн
50+	868.41 грн
100+	860.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	714.08 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1369.23 грн
30+	850.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

IPZ60R017C7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1291.27 грн
50+	1281.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2581.11 грн
5+	2480.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.42 грн
10+	271.35 грн
25+	270.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1082.60 грн
10+	965.30 грн
100+	695.02 грн
240+	694.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	438.46 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	303.07 грн
42+	291.66 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1065.17 грн
3+	935.60 грн
10+	927.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1278.20 грн
3+	1165.90 грн
10+	1113.42 грн
30+	1079.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.71 грн
30+	456.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1176.04 грн
10+	1040.79 грн
100+	879.01 грн
500+	733.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	767.99 грн
5+	667.82 грн
10+	568.48 грн
50+	435.63 грн
100+	401.41 грн
250+	400.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	506.94 грн
30+	501.53 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	636.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	661.90 грн
50+	655.80 грн
100+	630.42 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	682.37 грн
10+	511.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R041P6FKSA1

на замовлення 13435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	504.42 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	724.05 грн
10+	611.01 грн
25+	452.44 грн
100+	450.95 грн
240+	416.72 грн
480+	390.67 грн
1200+	351.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	543.35 грн
10+	448.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 755-764 дні (днів)

1+	790.03 грн
10+	704.29 грн
100+	507.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.95 грн
10+	434.73 грн
25+	297.66 грн
100+	283.52 грн
240+	282.77 грн
480+	274.59 грн
1200+	238.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 14461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	284.68 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.63 грн
30+	253.24 грн
120+	211.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1576.58 грн
10+	1276.79 грн
25+	1069.33 грн
50+	1044.03 грн
100+	1020.21 грн
240+	970.36 грн
480+	930.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2200.96 грн
10+	2133.79 грн
20+	2002.32 грн
50+	1810.03 грн
100+	1701.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1423.45 грн
10+	1392.95 грн
100+	1333.40 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1429.86 грн
10+	1358.09 грн
25+	869.90 грн
100+	826.74 грн
240+	825.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1251.71 грн
30+	839.20 грн
120+	797.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1317.37 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	794.37 грн
10+	658.93 грн
25+	559.59 грн
240+	474.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	835.77 грн
17+	735.11 грн
50+	694.15 грн
100+	641.82 грн
200+	614.41 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	815.42 грн
30+	456.69 грн
120+	421.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	480.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	795.80 грн
30+	566.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	949.77 грн
10+	913.95 грн
25+	430.11 грн
100+	423.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	724.78 грн
30+	516.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	635.49 грн
10+	492.06 грн
25+	386.21 грн
100+	341.56 грн
240+	319.98 грн
480+	304.35 грн
1200+	290.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500.06 грн
10+	491.21 грн
25+	272.35 грн
100+	258.96 грн
240+	258.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	461.60 грн
50+	456.52 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	430.74 грн
5+	419.89 грн
10+	409.04 грн
50+	256.57 грн
100+	231.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	309.74 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	664.09 грн
30+	375.01 грн
120+	316.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	342.11 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.68 грн
10+	388.51 грн
100+	273.10 грн
480+	242.59 грн
1200+	207.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	569.10 грн
10+	495.16 грн
100+	409.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	987.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1013.41 грн
5+	959.15 грн
10+	904.06 грн
50+	830.95 грн
100+	752.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1063.11 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1038.39 грн
10+	880.72 грн
240+	737.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R016CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	989.70 грн
10+	880.58 грн
100+	764.97 грн
240+	649.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1475.01 грн
10+	1335.84 грн
100+	981.52 грн
480+	855.76 грн
1200+	849.06 грн
2640+	834.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	630.83 грн
10+	549.33 грн
25+	500.39 грн
50+	461.54 грн
100+	401.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	636.36 грн
10+	533.14 грн
100+	386.21 грн
480+	340.82 грн
1200+	306.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	484.79 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037CM8XKSA1

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	640.75 грн
10+	528.49 грн
240+	414.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

IPZA60R037P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	702.63 грн
26+	480.28 грн
100+	439.53 грн
240+	418.69 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	639.93 грн
25+	437.42 грн
100+	400.30 грн
240+	381.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	711.58 грн
30+	400.75 грн
120+	359.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1073.92 грн
10+	954.17 грн
100+	700.98 грн
480+	623.59 грн
1200+	572.24 грн
2640+	571.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	871.35 грн
16+	803.23 грн
50+	646.65 грн
100+	621.60 грн
200+	574.65 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	610.96 грн
10+	504.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	754.43 грн
10+	636.68 грн
25+	523.87 грн
100+	434.58 грн
240+	433.83 грн
480+	407.04 грн
1200+	366.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	572.12 грн
10+	545.12 грн
25+	362.40 грн
100+	304.35 грн
240+	287.98 грн
480+	218.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	350.56 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	356.28 грн
10+	333.74 грн
25+	281.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	423.98 грн
31+	403.65 грн
50+	395.52 грн
100+	380.41 грн
200+	351.32 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	538.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	407.37 грн
10+	322.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.06 грн
30+	228.69 грн
120+	206.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	216.09 грн
10+	215.56 грн
25+	208.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.49 грн
25+	382.52 грн
100+	285.75 грн
240+	285.00 грн
480+	217.29 грн
1200+	203.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	232.14 грн
55+	224.01 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.07 грн
10+	307.22 грн
100+	216.54 грн
480+	191.99 грн
1200+	164.45 грн
2640+	154.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

IPZA60R099P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	487.91 грн
10+	403.92 грн
25+	334.12 грн
100+	295.42 грн
240+	267.89 грн
480+	252.26 грн
1200+	203.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.56 грн
10+	293.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.42 грн
30+	167.17 грн
120+	155.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 5920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	157.11 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.31 грн
10+	317.49 грн
25+	273.10 грн
240+	231.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	490.01 грн
10+	439.92 грн
100+	308.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

IPZA60R180P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	132.34 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.76 грн
10+	272.99 грн
100+	181.57 грн
240+	152.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	399.85 грн
10+	359.79 грн
100+	251.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1235.81 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1406.59 грн
5+	1389.89 грн
10+	1372.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1099.09 грн
10+	954.17 грн
100+	717.35 грн
240+	577.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	954.11 грн
10+	674.34 грн
100+	584.15 грн
240+	442.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1020.96 грн
10+	901.97 грн
25+	578.94 грн
100+	499.32 грн
240+	498.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPZA65R029CFD7XKSA1