Продукція > IPZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPZ-MH50Pepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ-MH50 100PCSPepperl+Fuchs, Inc.Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-3R1Infineon TechnologiesIPZ40N04S5-3R1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+86.96 грн
146+83.08 грн
250+79.74 грн
500+74.12 грн
1000+66.39 грн
2500+61.85 грн
5000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S55R4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S58R4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+57.62 грн
250+55.32 грн
500+53.32 грн
1000+49.73 грн
2500+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.15 грн
11+78.80 грн
100+59.57 грн
500+47.50 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S53R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+92.66 грн
164+74.09 грн
192+63.39 грн
202+58.01 грн
500+50.29 грн
1000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+71.97 грн
100+47.91 грн
500+35.29 грн
1000+32.17 грн
2000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.41 грн
10+66.17 грн
100+40.25 грн
500+32.37 грн
1000+29.92 грн
2500+29.84 грн
5000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.18 грн
10+57.86 грн
100+38.29 грн
500+28.05 грн
1000+25.51 грн
2000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+71.06 грн
194+62.48 грн
255+47.55 грн
267+43.80 грн
500+33.71 грн
5000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.57 грн
10+45.58 грн
100+30.15 грн
500+26.78 грн
1000+22.65 грн
2500+22.57 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.73 грн
10+44.79 грн
100+32.59 грн
500+26.76 грн
1000+23.15 грн
2000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.55 грн
14+64.38 грн
100+47.81 грн
500+38.26 грн
1000+27.07 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.52 грн
10+48.06 грн
100+32.23 грн
500+24.00 грн
1000+20.53 грн
2000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.22 грн
10+51.74 грн
100+30.30 грн
500+23.80 грн
1000+20.81 грн
2500+20.58 грн
5000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S58R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+64.60 грн
247+49.06 грн
286+42.39 грн
287+40.78 грн
500+29.29 грн
1000+25.52 грн
5000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+90.27 грн
141+86.24 грн
250+82.78 грн
500+76.94 грн
1000+68.92 грн
2500+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S5L2R8 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.30 грн
173+70.02 грн
250+67.21 грн
500+62.47 грн
1000+55.96 грн
2500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S5L4R8 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4INFINEON TECHNOLOGIESIPZ40N04S5L7R4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesIPZ40N04S5L-7R4
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+60.13 грн
250+57.72 грн
500+55.64 грн
1000+51.90 грн
2500+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.99 грн
10000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+102.75 грн
10+70.12 грн
100+51.44 грн
500+42.21 грн
1000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.46 грн
250+48.67 грн
1000+31.32 грн
3000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+55.23 грн
258+47.08 грн
272+44.58 грн
500+36.52 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 17394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.94 грн
10+70.31 грн
100+41.78 грн
500+33.13 грн
1000+29.30 грн
5000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+65.44 грн
253+48.01 грн
500+40.85 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.28 грн
50+67.46 грн
250+48.67 грн
1000+31.32 грн
3000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.42 грн
10+56.43 грн
100+41.58 грн
500+33.21 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 359516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesSP005400394
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 725
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+56.11 грн
100+37.14 грн
500+27.21 грн
1000+24.75 грн
2000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.10 грн
312+38.92 грн
500+32.87 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.88 грн
500+29.89 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.75 грн
10000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.51 грн
324+37.40 грн
500+30.23 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.03 грн
13+57.34 грн
100+40.15 грн
250+38.64 грн
500+29.99 грн
1000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.52 грн
10+57.81 грн
100+34.05 грн
500+26.86 грн
1000+23.64 грн
5000+21.19 грн
10000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.74 грн
16+56.39 грн
100+38.88 грн
500+29.89 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 358334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.35 грн
10+47.42 грн
100+33.24 грн
500+26.62 грн
1000+22.88 грн
2000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.73 грн
11+29.41 грн
100+23.11 грн
500+20.66 грн
1000+19.52 грн
2000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 604939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 20609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.11 грн
10+48.40 грн
100+29.15 грн
500+23.57 грн
1000+20.28 грн
2500+20.20 грн
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 923
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+24.01 грн
31+22.62 грн
100+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.53 грн
500+24.07 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+21.12 грн
609+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 574
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+31.01 грн
408+29.72 грн
500+26.97 грн
1000+22.43 грн
5000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.97 грн
19+47.21 грн
100+32.53 грн
500+24.07 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2653.97 грн
5+2550.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+829.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.18 грн
25+851.76 грн
240+725.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1125.48 грн
100+1068.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ60R017C7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.88 грн
30+874.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1098.23 грн
50+1090.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1125.48 грн
100+1068.95 грн
500+1013.44 грн
1000+922.74 грн
10000+803.92 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1113.16 грн
10+992.54 грн
100+714.64 грн
240+713.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+300.88 грн
42+289.55 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.37 грн
10+310.83 грн
25+310.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+450.83 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+657.12 грн
50+651.06 грн
100+625.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.64 грн
10+526.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1194.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.89 грн
30+523.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1209.24 грн
10+1070.16 грн
100+903.82 грн
500+754.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.00 грн
5+576.80 грн
10+431.74 грн
50+369.02 грн
100+320.77 грн
250+314.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+503.28 грн
30+497.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+518.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.68 грн
10+460.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.48 грн
10+628.26 грн
25+465.21 грн
100+463.68 грн
240+428.48 грн
480+401.70 грн
1200+361.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 755-764 дні (днів)
1+812.33 грн
10+724.17 грн
100+521.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R070P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+292.72 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.46 грн
10+447.00 грн
25+306.06 грн
100+291.52 грн
240+290.75 грн
480+282.34 грн
1200+244.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.60 грн
30+260.39 грн
120+217.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R099P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R125P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1555.92 грн
10+1351.55 грн
100+1017.64 грн
240+983.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2185.05 грн
10+2118.37 грн
20+1987.85 грн
50+1796.94 грн
100+1688.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1357.75 грн
10+908.07 грн
100+762.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1307.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1413.16 грн
10+1382.88 грн
100+1323.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.90 грн
30+822.02 грн
120+770.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+773.94 грн
10+642.34 грн
25+545.55 грн
240+462.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+790.05 грн
30+562.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.63 грн
10+476.03 грн
100+394.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.24 грн
30+591.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.40 грн
30+428.48 грн
120+404.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+829.73 грн
17+729.80 грн
50+689.13 грн
100+637.18 грн
200+609.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.84 грн
10+457.56 грн
25+359.62 грн
100+317.53 грн
240+298.41 грн
480+283.87 грн
1200+270.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+307.50 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.83 грн
30+385.60 грн
120+325.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.01 грн
10+291.25 грн
100+245.61 грн
480+241.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+458.27 грн
50+453.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.90 грн
5+431.74 грн
10+420.58 грн
50+263.81 грн
100+238.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesDescription: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+351.76 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.93 грн
10+399.48 грн
100+280.81 грн
480+249.44 грн
1200+213.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.17 грн
10+509.14 грн
100+421.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.64 грн
10+905.43 грн
100+786.57 грн
240+667.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.50 грн
5+931.29 грн
10+884.08 грн
50+820.14 грн
100+756.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1055.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.71 грн
10+905.58 грн
240+758.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+908.73 грн
10+700.41 грн
100+508.05 грн
480+452.96 грн
1200+384.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1516.64 грн
10+1373.55 грн
100+1009.22 грн
480+879.91 грн
1200+873.03 грн
2640+858.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.83 грн
10+543.41 грн
240+426.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+481.28 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.73 грн
10+496.27 грн
100+359.62 грн
480+317.53 грн
1200+285.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.62 грн
10+629.26 грн
25+573.20 грн
50+528.70 грн
100+460.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+865.06 грн
16+797.43 грн
50+641.98 грн
100+617.10 грн
200+570.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZA60R037P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+697.55 грн
26+476.81 грн
100+436.35 грн
240+415.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.67 грн
30+412.06 грн
120+369.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.04 грн
25+501.06 грн
100+458.55 грн
240+436.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1104.23 грн
10+981.10 грн
100+720.76 грн
480+641.19 грн
1200+588.39 грн
2640+587.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.21 грн
10+518.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.73 грн
10+654.66 грн
25+538.66 грн
100+446.84 грн
240+446.08 грн
480+418.53 грн
1200+376.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R055CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.18 грн
10+369.56 грн
100+260.15 грн
480+231.07 грн
1200+197.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+348.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.11 грн
10+382.30 грн
25+322.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.89 грн
10+475.15 грн
25+205.06 грн
100+204.29 грн
240+202.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+420.92 грн
31+400.73 грн
50+392.66 грн
100+377.66 грн
200+348.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R070CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.45 грн
10+322.05 грн
100+226.48 грн
240+225.72 грн
480+200.47 грн
1200+171.39 грн
2640+162.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZA60R080P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.47 грн
55+222.39 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.36 грн
30+235.15 грн
120+212.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+418.87 грн
10+331.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.53 грн
10+246.93 грн
25+238.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.74 грн
10+353.73 грн
25+208.88 грн
100+199.70 грн
240+198.94 грн
480+179.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+201.35 грн
60+175.64 грн
90+166.34 грн
150+146.28 грн
210+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.67 грн
10+256.93 грн
100+177.51 грн
480+157.62 грн
1200+134.67 грн
2640+127.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.04 грн
10+230.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.75 грн
10+302.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.69 грн
30+171.89 грн
120+160.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIPZA60R099P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 240 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
1+501.68 грн
10+415.32 грн
25+343.55 грн
100+303.76 грн
240+275.45 грн
480+259.38 грн
1200+208.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+161.55 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.08 грн
10+326.45 грн
25+280.81 грн
240+237.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.84 грн
10+452.34 грн
100+316.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.03 грн
10+280.69 грн
100+186.69 грн
240+156.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.14 грн
10+369.94 грн
100+258.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1226.88 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesSP005413354
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.29 грн
5+1429.12 грн
10+1411.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1130.12 грн
10+981.10 грн
100+737.60 грн
240+593.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.99 грн
10+713.61 грн
100+517.24 грн
480+460.62 грн
1200+391.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesSP005413356
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.88 грн
10+799.84 грн
25+470.56 грн
100+468.27 грн
240+467.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.52 грн
30+583.98 грн
120+504.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R040CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.31 грн
10+505.07 грн
100+365.74 грн
480+326.72 грн
1200+290.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.