Продукція > LGE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE001-R5 | на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGE0126XKFEB5G | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE105B-LF-SA Код товару: 165038
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGE107D-LF-T8 | LG | 0950+ | на замовлення 126 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE1854B-LF | LG | 07+ | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE1854C-LF | XD | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE1854C-LF | LG | 0904+ | на замовлення 634 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE1855B-LF | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE1855B-LF | QFP | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE2005 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE2005-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE201 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE202 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE202-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE204 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE204-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE206 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE208 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: single-phase Load current: 2A Max. forward voltage: 1.05V Max. forward impulse current: 60A Max. off-state voltage: 0.8kV Case: D3K Version: flat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE208 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: single-phase Load current: 2A Max. forward voltage: 1.05V Max. forward impulse current: 60A Max. off-state voltage: 0.8kV Case: D3K Version: flat кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE210 | LUGUANG ELECTRONIC | LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE2111A-T8 Код товару: 74319
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE2300 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 26660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2300 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2300 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V | на замовлення 26660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2301 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6042 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2301 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC | на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2301 | LGE | Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2390 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2302 | LGE | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE LGE2302 TLGE2302 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1875 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2302 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2302 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2304 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2304 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2304 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2304 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2305 | LGE | Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 775 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2305 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape | на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2305 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2312 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2312 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Case: SOT23 On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2312 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Case: SOT23 On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE2N65D | LGE | Substitute: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD; LGE2N65D TO252 LGE TLGE2N65D | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE30262-01 | WENRUN | LGE30262-01 THT LEDs Round | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE30262-01 | Wenrun | LED 3mm yellow green; 10mcd diffused Mounting; THT; Lens: white convex diffussed LGE302 62 01 WENRUN OLZ.LGE30262-01 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE3159A-LF-S1 | LG | 0951+ | на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3368A-LF-SF | LG | 0951+ | на замовлення 1303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3369A-LF-SE | LG | 1011+ BGA | на замовлення 213 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3369A-LF-SE | LG | 09+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE340033MF01 | Eaton Electrical | LGE 3P 400A 310+ LS FREEZE TEST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3556C Код товару: 154764
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGE3556C | BROADCOM | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE363032ZGG | Eaton Electrical | Circuit Breakers LGE 3P 630A BKR WITH LSI ETU W/ZSI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3765A-LF-S1 | LG | 0949+ | на замовлення 526 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D02120F | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D02120F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D05120A | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D05120A THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D06065A | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D06065A THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D06065F | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D06065F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D06065G | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D06065G SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D06065N | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D06065N SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10065A | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10065A THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10065E | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10065E SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10065F | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10065F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10065G | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10065G SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10065H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10065H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D10170H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D10170H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D15065A | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D15065A THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20065A | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D20065A THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20065D | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D20065D THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20065H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D20065H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 50µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120D | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120D | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 30µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120H | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube Leakage current: 50µA Max. load current: 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20120H | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube Leakage current: 50µA Max. load current: 100A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D20170H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D20170H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D30065D | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D30065D THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D30065H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D30065H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D30120D | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D30120D THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D30120H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D30120H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D40065H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D40065H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D40120H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D40120H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D42090H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D42090H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3D50120H | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3D50120H THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M14120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 230nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 340A Mounting: THT Case: TO247-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M14120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 230nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 340A Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M160120B | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M160120B THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M160120E | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M160120E SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M160120Q | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M160120Q THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M18120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 235nC On-state resistance: 34mΩ Drain current: 74A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 428W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M18120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 235nC On-state resistance: 34mΩ Drain current: 74A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 428W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M1K170B | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M1K170B THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M20120Q | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M20120Q THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M25120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M25120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M28065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 67A Pulsed drain current: 211A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 163nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M28065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 67A Pulsed drain current: 211A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 163nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M30065B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 64A Pulsed drain current: 212A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 147nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M30065B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 64A Pulsed drain current: 212A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 147nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M30065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 54A Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M30065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 54A Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M35065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...18V Gate charge: 30nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M35065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...18V Gate charge: 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M35120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 44A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 148nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M35120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 44A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 148nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M40065B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M40065B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M40065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M40065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M40120Q | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M40120Q THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M45170B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M45170B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M45170Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M45170Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M50120B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 327W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M50120B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 327W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M50120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 344W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 344W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M50120Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 344W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 344W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M60065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 78nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 36A Pulsed drain current: 97A Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 650V Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M60065Q | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 78nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 36A Pulsed drain current: 97A Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 650V Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M70120Q | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M70120Q THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M80120B | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M80120B THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M80120J | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M80120J SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE3M80120Q | LUGUANG ELECTRONIC | LGE3M80120Q THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE537-LF | LG | 07+ | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE6891DD-LF | LG | 08+ | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE6991DD-LF-1 | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE6991DD-LF-1 | QFP | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE7327A-LF | LG | 09+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE7329A-LF | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGE7353C-LF | XD | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE7363C-LF Код товару: 112409
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGE7363C-LF | LG | 0839+ | на замовлення 3936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE7636C-LF | LG | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| LGE7809 | LGE | Positive Voltage Regulator; 9V; 1.5A; 4%; 2V dropout; 0?150°C; Odpowiednik: 1A HX7809CTG; KIA7809AP-U/PK; CJ7809B-TBN-ATG; LM7809AL-TA3-T; 78M09AC; 7809CV-DG 1.5A TO220 ST+09 1,5 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGE81C1404-HG030 | LG | TSOP | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9655-LF | LG | 07+ | на замовлення 1013 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9655-LF | LG | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9655-LF | LG | 09+ | на замовлення 2514 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9689AD | LG | O652 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9689AD-LF | LG | 08+ | на замовлення 1461 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9789AD | LG | 06+ | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGE9789AD-LF | LG | 07+ | на замовлення 2053 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-1.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3...10V кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-1.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3...10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-1.8 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.8V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.2...10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-1.8 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.8V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.2...10V кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-2.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 2.5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.9...10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-2.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 2.5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.9...10V кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGEA1117-3.3 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 3.3V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 4.75...10V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-3.3 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 3.3V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 4.75...10V Kind of package: reel; tape | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-5.0 | LGE | IC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGEA1117-5.0-LGE LGEA1117-5.0 STLGEA1117-5.0 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-5.0 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 6.5...12V | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-5.0 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 5V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 6.5...12V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-ADJ | LGE | IC: voltage regulator; LDO, linear, adjustable; 1,25?12V; 1A LGEA1117-ADJ-LGE LGEA1117-ADJ STLGEA1117-ADJ LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-ADJ | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO adjustable voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89 Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.25...12V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 1.4...8V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEA1117-ADJ | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO adjustable voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89 Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.25...12V Output current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 1.4...8V Kind of package: reel; tape | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGB15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGF15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 30.6W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGP15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGPI1200WJL1.0 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LGEGW15N120TS | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 40W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 50ns Turn-off time: 245ns | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW20N65SEK | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 82W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 74ns Gate charge: 82nC Turn-off time: 232ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW25N120S | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 100W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 57ns Turn-off time: 460ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW40N120F | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 134ns Turn-off time: 503ns | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW40N120F2 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 135ns Turn-off time: 270ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW40N120TS | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 121ns Turn-off time: 310ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW40N65F1 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 94W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Turn-on time: 96ns Turn-off time: 187ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW50N65F1A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 62ns Turn-off time: 268ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW50N65SEK | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 137ns Turn-off time: 331ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW50N65SEU | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 137ns Turn-off time: 331ns | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW60N65SEU | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 151W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Pulsed collector current: 240A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 123ns Turn-off time: 256ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW75N65F | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 71W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Turn-off time: 274ns Turn-on time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW75N65FP | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Turn-off time: 225ns Turn-on time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGEGW75N65S | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Turn-off time: 348ns Turn-on time: 156ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-1.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.5V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3...10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-1.5 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.5V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3...10V кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-1.8 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.8V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.2...10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-1.8 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.8V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 3.2...10V кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-2.5 | LUGUANG ELECTRONIC | LGET1117-2.5-LGE LDO unregulated voltage regulators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-3.3 | LGE | Positive Voltage Regulator; LDO; 3.3V; 1A; 1%; 1,15V dropout; 3,6V~15V; -40°C~125°C; LGET1117-3.3-LGE; Replacement for: LM1117MP-3.3/NOPB, LM1117MPX-3.3/NOPB, LD1117S33TR, SPX1117M3-L-3-3/TR, TS1117BCW33 RPG, LM1117S-3.3; UMW LD1117-3.3; LGET1117-3.3 STL кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-3.3 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 3.3V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 4.75...10V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-3.3 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 3.3V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 4.75...10V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| LGET1117-5.0 | LGE | IC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGET1117-5.0-LGE LGET1117-5.0 STLGET1117-5.0 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-5.0 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 5V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 6.5...12V | на замовлення 2103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-5.0 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 5V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 6.5...12V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-ADJ | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO adjustable voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.25...12V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 1.4...8V Kind of package: reel; tape | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-ADJ | LGE | IC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,regulowany; 1,25?12V; 1A LGET1117-ADJ-LGE LGET1117-ADJ STLGET1117-ADJ LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGET1117-ADJ | LUGUANG ELECTRONIC | Category: LDO adjustable voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear Voltage drop: 1.15V Output voltage: 1.25...12V Output current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Tolerance: ±1% Number of channels: 1 Input voltage: 1.4...8V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 721 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| LGETB-1-V0.5(L341I) | LG | ?? | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |