Продукція > LGE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
LGE001-R5
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE0126XKFEB5GBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE105B-LF-SA
Код товару: 165038
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE107D-LF-T8LG0950+
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE1854B-LFLG07+
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE1854C-LFLG0904+
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE1854C-LFXD
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE1855B-LFQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE1855B-LFQFP
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201LUGUANG ELECTRONICLGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.18 грн
100+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2111A-T8
Код товару: 74319
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.03 грн
500+2.59 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.92 грн
180+2.43 грн
500+2.15 грн
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301LUGUANG ELECTRONICLGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.36 грн
410+2.75 грн
1120+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301LGETransistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
115+3.77 грн
135+2.94 грн
405+2.28 грн
1115+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302LGETransistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE LGE2302 TLGE2302
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.52 грн
100+3.66 грн
405+2.74 грн
1115+2.59 грн
12000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.56 грн
135+3.00 грн
400+2.31 грн
1100+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.27 грн
100+3.74 грн
400+2.77 грн
1100+2.62 грн
12000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305LGETransistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.48 грн
65+6.10 грн
110+3.66 грн
330+2.83 грн
900+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.38 грн
40+7.60 грн
100+4.40 грн
330+3.40 грн
900+3.21 грн
12000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.54 грн
50+5.88 грн
250+4.51 грн
1000+3.98 грн
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2N65DLGESubstitute: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD; LGE2N65D TO252 LGE TLGE2N65D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE30262-01WenrunLED 3mm yellow green; 10mcd diffused Mounting; THT; Lens: white convex diffussed LGE302 62 01 WENRUN OLZ.LGE30262-01
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3159A-LF-S1LG0951+
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3368A-LF-SFLG0951+
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3369A-LF-SELG09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3369A-LF-SELG1011+ BGA
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE340033MF01Eaton Electrical LGE 3P 400A 310+ LS FREEZE TEST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3556CBROADCOM
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3556C
Код товару: 154764
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363032ZGGEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A BKR WITH LSI ETU W/ZSI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039B20GEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A BKR WITH LSIG ARMS ETU W/HLA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039B21GEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A W/ALSIG ETU W/GF TRIP ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039B21ZGEEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A CB LSIG ETU ARMS&ZSI&GFTA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039B22ZGEEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A CB W/LSIG ARMS ETU W/GFA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039GCEaton ElectricalCircuit Breakers LGE BRK, 630A, LSIG, ARMS WITH COLLARS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039WEaton ElectricalCircuit Breakers LGE 3P 630A LSIG RARMS BRK, W/O TERMINAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE363039WCEaton ElectricalCircuit Breakers LGE BRK, 630A, LSIG, ARMS W/O COLLARS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3765A-LF-S1LG0949+
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 108uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 108µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065GLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120DLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120HLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. load current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M60065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 208W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE537-LFLG07+
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE6891DD-LFLG08+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE6991DD-LF-1QFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE6991DD-LF-1QFP
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7327A-LFLG09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7329A-LF
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7353C-LFXD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7363C-LF
Код товару: 112409
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7363C-LFLG0839+
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7636C-LFLG
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE7809LGEPositive Voltage Regulator; 9V; 1.5A; 4%; 2V dropout; 0?150°C; Odpowiednik: 1A HX7809CTG; KIA7809AP-U/PK; CJ7809B-TBN-ATG; LM7809AL-TA3-T; 78M09AC; 7809CV-DG 1.5A TO220 ST+09 1,5 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE81C1404-HG030LGTSOP
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9655-LFLG07+
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9655-LFLGQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9655-LFLG09+
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9689ADLGO652
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9689AD-LFLG08+
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9789ADLG06+
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGE9789AD-LFLG07+
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.65 грн
35+9.72 грн
100+7.78 грн
500+6.61 грн
1000+6.21 грн
2000+5.61 грн
5000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.04 грн
55+7.80 грн
100+6.48 грн
500+5.50 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0LGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGEA1117-5.0-LGE LGEA1117-5.0 STLGEA1117-5.0 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.65 грн
35+9.72 грн
100+7.86 грн
500+6.66 грн
1000+6.26 грн
2000+5.65 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.04 грн
55+7.80 грн
100+6.55 грн
500+5.55 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.41 грн
40+8.31 грн
100+6.68 грн
500+5.64 грн
1000+5.32 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.18 грн
60+6.67 грн
100+5.57 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJLGEIC: voltage regulator; LDO, linear, adjustable; 1,25?12V; 1A LGEA1117-ADJ-LGE LGEA1117-ADJ STLGEA1117-ADJ LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
11+38.53 грн
25+34.28 грн
100+31.77 грн
400+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
10+48.02 грн
25+41.14 грн
100+38.12 грн
400+35.76 грн
800+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
11+38.53 грн
12+34.28 грн
50+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
7+48.02 грн
10+41.14 грн
50+38.12 грн
250+35.76 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
11+38.53 грн
12+34.28 грн
50+31.77 грн
250+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
7+48.02 грн
10+41.14 грн
50+38.12 грн
250+35.76 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGPI1200WJL1.0
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FPLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.68 грн
3+418.42 грн
10+355.74 грн
30+330.27 грн
120+311.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FPLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.40 грн
3+335.77 грн
10+296.45 грн
30+275.22 грн
120+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
3+145.03 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.38 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
240+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEKLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEKLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120SLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.23 грн
3+175.40 грн
10+149.09 грн
30+138.71 грн
120+129.28 грн
240+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120SLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.76 грн
10+124.24 грн
30+115.59 грн
120+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.38 грн
10+103.01 грн
30+95.15 грн
120+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.67 грн
3+145.03 грн
10+123.61 грн
30+114.18 грн
120+107.57 грн
240+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.34 грн
3+181.28 грн
10+153.81 грн
30+142.49 грн
120+134.94 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.47 грн
10+128.18 грн
30+118.74 грн
120+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEKLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.34 грн
3+181.28 грн
10+153.81 грн
30+142.49 грн
120+134.94 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEKLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.47 грн
10+128.18 грн
30+118.74 грн
120+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEULUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.34 грн
3+181.28 грн
10+153.81 грн
30+142.49 грн
120+134.94 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEULUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.47 грн
10+128.18 грн
30+118.74 грн
120+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEULUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.76 грн
3+204.80 грн
10+174.57 грн
30+162.30 грн
120+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEULUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.35 грн
10+145.47 грн
30+135.25 грн
120+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 192nC
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Power dissipation: 71W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.52 грн
3+220.18 грн
10+194.23 грн
30+180.86 грн
120+169.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 192nC
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Power dissipation: 71W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.02 грн
3+274.38 грн
10+233.07 грн
30+217.03 грн
120+202.88 грн
240+198.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FPLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 130nC
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Power dissipation: 500W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.02 грн
3+274.38 грн
10+233.07 грн
30+217.03 грн
120+202.88 грн
240+198.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FPLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 130nC
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Power dissipation: 500W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.52 грн
3+220.18 грн
10+194.23 грн
30+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65SLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 340nC
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.02 грн
3+274.38 грн
10+233.07 грн
30+217.03 грн
120+202.88 грн
240+198.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65SLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 340nC
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Power dissipation: 250W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.52 грн
3+220.18 грн
10+194.23 грн
30+180.86 грн
120+169.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.36 грн
55+7.39 грн
100+6.18 грн
500+5.22 грн
1000+4.92 грн
2000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3LGEPositive Voltage Regulator; LDO; 3.3V; 1A; 1%; 1,15V dropout; 3,6V~15V; -40°C~125°C; LGET1117-3.3-LGE; Replacement for: LM1117MP-3.3/NOPB, LM1117MPX-3.3/NOPB, LD1117S33TR, SPX1117M3-L-3-3/TR, TS1117BCW33 RPG, LM1117S-3.3; UMW LD1117-3.3; LGET1117-3.3 STL
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+14.84 грн
35+9.21 грн
100+7.42 грн
500+6.27 грн
1000+5.91 грн
2000+5.33 грн
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0LGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGET1117-5.0-LGE LGET1117-5.0 STLGET1117-5.0 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.21 грн
50+7.96 грн
100+6.61 грн
500+5.62 грн
1000+5.27 грн
2000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.85 грн
30+9.92 грн
100+7.93 грн
500+6.75 грн
1000+6.32 грн
2000+5.72 грн
4000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.40 грн
50+8.49 грн
100+7.07 грн
185+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-ADJLGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,regulowany; 1,25?12V; 1A LGET1117-ADJ-LGE LGET1117-ADJ STLGET1117-ADJ LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.28 грн
30+10.58 грн
100+8.48 грн
185+6.09 грн
505+5.76 грн
4000+5.63 грн
8000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGETB-1-V0.5(L341I)LG??
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.