Продукція > PMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PMZ1000UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIAPMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NXPDescription: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.06 грн
1000+4.67 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
20+15.97 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
2000+5.52 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NexperiaMOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.37 грн
13+28.41 грн
100+13.99 грн
500+9.30 грн
1000+7.14 грн
2500+6.25 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.89 грн
39+21.95 грн
100+9.68 грн
500+8.06 грн
1000+4.67 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.80 грн
42+19.95 грн
100+11.19 грн
500+6.49 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.65 грн
19+18.40 грн
100+6.62 грн
1000+4.17 грн
2500+3.87 грн
10000+2.98 грн
50000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.49 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
29+10.77 грн
100+5.02 грн
500+4.30 грн
1000+3.73 грн
2000+3.70 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIAPMZ1200UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNE315Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ130UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 51586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.79 грн
23+14.89 грн
100+7.44 грн
1000+5.36 грн
2500+5.13 грн
10000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 19334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.66 грн
47+6.67 грн
100+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.44 грн
500+7.60 грн
1000+4.70 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIAPMZ130UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.72 грн
39+21.79 грн
100+12.44 грн
500+7.60 грн
1000+4.70 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE,315NXP SemiconductorsOld Part PMZ200UNE^NXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5939+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 5939
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIAPMZ200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaMOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
15+22.93 грн
100+8.48 грн
1000+5.95 грн
2500+5.58 грн
10000+5.06 грн
20000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
21+15.43 грн
100+6.74 грн
500+5.88 грн
1000+5.06 грн
2000+4.97 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMET / PARTNER STOCKDescription: KEMET / PARTNER STOCK - PMZ2035RE6100K150R06 - NOISE SUPPRESSION AND SAFETY CAPACITORS
tariffCode: 85322500
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+525.91 грн
60+494.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETPMZ2035-100N/06 Paper capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETFilm Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.53 грн
10+274.70 грн
50+204.64 грн
100+186.03 грн
500+138.41 грн
864+128.74 грн
1728+123.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETMETALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.70 грн
10+408.42 грн
50+353.95 грн
100+289.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETPMZ2035RE6100K150R THT Film Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETFilm Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.44 грн
10+382.52 грн
50+301.38 грн
100+249.29 грн
300+232.17 грн
500+216.54 грн
1000+201.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330R30KEMETCap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2081MD6100M100J105KEMETCap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NXPDescription: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1885+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 1885
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UN315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaMOSFETs 30 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+14.06 грн
36+9.67 грн
100+5.36 грн
500+4.39 грн
1000+4.09 грн
5000+3.13 грн
10000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 90506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.88 грн
38+8.37 грн
100+5.25 грн
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.61 грн
500+8.14 грн
1000+4.65 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.65 грн
20000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIAPMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.96 грн
50+18.45 грн
250+11.69 грн
1000+4.83 грн
5000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperiaMOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Код товару: 126932
Додати до обраних Обраний товар

Пасивні компоненти > Термістори
у наявності 7 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+15.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNexperiaPMZ320UPE/S500,YL
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5828+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 5828
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 13555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.91 грн
20+17.89 грн
100+7.22 грн
500+6.62 грн
1000+5.06 грн
2500+4.54 грн
5000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.22 грн
1000+4.92 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2253+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 2253
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 22996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
21+14.96 грн
100+7.27 грн
500+6.29 грн
1000+4.82 грн
2000+4.55 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1437+5.03 грн
2500+4.83 грн
5000+3.90 грн
10000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 1437
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.72 грн
48+17.45 грн
114+7.33 грн
500+6.22 грн
1000+4.92 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNexperiaPMZ350UPE/S500,YL
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6536+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 6536
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8800+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 8800
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.77 грн
1000+4.51 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.50 грн
10000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4732+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.87 грн
55+15.19 грн
133+6.29 грн
500+5.77 грн
1000+4.51 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+14.56 грн
1049+11.63 грн
2014+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 838
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.87 грн
41+9.61 грн
100+5.57 грн
250+3.66 грн
687+3.46 грн
2000+3.45 грн
2500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 85581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.50 грн
10000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+4.37 грн
3000+4.28 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 1946
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
27+11.55 грн
100+5.63 грн
500+5.06 грн
1000+4.52 грн
2000+4.19 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
26+13.52 грн
100+5.73 грн
500+5.06 грн
1000+4.61 грн
5000+3.72 грн
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.04 грн
25+11.98 грн
100+6.68 грн
250+4.39 грн
687+4.15 грн
2000+4.14 грн
2500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.50 грн
10000+3.12 грн
100000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+20.42 грн
1000+17.98 грн
2000+12.93 грн
10000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 638
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.67 грн
100+11.08 грн
500+7.53 грн
1000+6.42 грн
2000+6.00 грн
5000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
17+20.37 грн
100+11.24 грн
500+8.33 грн
1000+6.55 грн
2500+5.95 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperia USA Inc.Description: PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 128994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
19+16.74 грн
100+8.06 грн
500+6.22 грн
1000+5.99 грн
2000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.56 грн
18+20.02 грн
100+8.41 грн
500+6.92 грн
1000+6.33 грн
2500+6.03 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.43 грн
20000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNE/S500315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1541+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 1541
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.45 грн
101+8.29 грн
500+6.55 грн
1000+4.99 грн
5000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 25891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
16+21.57 грн
100+10.27 грн
500+7.66 грн
1000+5.28 грн
10000+4.54 грн
20000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2041+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 2041
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.30 грн
46+18.45 грн
101+8.29 грн
500+6.55 грн
1000+4.99 грн
5000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5129+5.95 грн
10000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 5129
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 15655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1279+3.59 грн
3000+3.54 грн
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 1279
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 13132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
17+18.37 грн
100+10.08 грн
500+7.39 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperiaMOSFET Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7668+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 7668
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.86 грн
500+8.68 грн
1000+5.38 грн
2500+5.12 грн
5000+4.87 грн
10000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ550UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 198425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.44 грн
24+14.55 грн
100+6.33 грн
1000+5.13 грн
2500+4.54 грн
10000+3.65 грн
20000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 31468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
23+13.64 грн
100+7.36 грн
500+6.58 грн
1000+5.06 грн
2000+4.70 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.15 грн
32+26.63 грн
100+13.86 грн
500+8.68 грн
1000+5.38 грн
2500+5.12 грн
5000+4.87 грн
10000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIAPMZ550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaMOSFETs PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3
на замовлення 13912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.93 грн
31+11.38 грн
100+5.13 грн
1000+4.17 грн
2500+3.57 грн
10000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.10 грн
31+10.31 грн
100+5.43 грн
500+4.71 грн
1000+4.11 грн
2000+3.82 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIAPMZ600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.56 грн
27+22.49 грн
100+11.79 грн
500+7.41 грн
1000+4.38 грн
2000+3.97 грн
5000+3.41 грн
10000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.67 грн
20000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+12.70 грн
1474+8.28 грн
2312+5.28 грн
2447+4.81 грн
5000+3.83 грн
10000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIAPMZ600UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 13591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.71 грн
29+10.85 грн
100+6.74 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
2000+3.21 грн
5000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 91552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.66 грн
27+12.92 грн
100+6.99 грн
500+4.32 грн
1000+3.57 грн
5000+2.90 грн
10000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.79 грн
29+11.90 грн
100+4.61 грн
1000+3.57 грн
2500+3.20 грн
10000+2.90 грн
20000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.11 грн
84+10.02 грн
162+5.18 грн
500+4.29 грн
1000+3.48 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIA20 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIAPMZ600UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.29 грн
1000+3.48 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 18155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
30+10.62 грн
100+4.90 грн
500+4.44 грн
1000+3.86 грн
2000+3.55 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN T/RNXP SemiconductorsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NexperiaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE,315Rochester Electronics, LLCDescription: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 899869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 22939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
24+13.25 грн
100+6.80 грн
500+5.91 грн
1000+4.84 грн
2000+4.53 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.69 грн
500+8.53 грн
1000+4.87 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 125382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
22+15.83 грн
100+7.07 грн
500+6.55 грн
1000+4.99 грн
2500+4.46 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIAPMZ950UPELYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.82 грн
33+25.63 грн
100+13.69 грн
500+8.53 грн
1000+4.87 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.05 грн
1426+8.56 грн
2153+5.67 грн
2184+5.39 грн
5000+4.12 грн
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 936
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
17+20.28 грн
100+7.81 грн
1000+4.84 грн
2500+4.32 грн
10000+3.50 грн
20000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNEXPERIAPMZ950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.50 грн
29+21.56 грн
100+12.12 грн
500+7.66 грн
1000+4.70 грн
2000+4.45 грн
5000+3.67 грн
10000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
28+11.47 грн
100+5.35 грн
500+4.65 грн
1000+4.40 грн
2000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+12.76 грн
968+12.61 грн
1474+8.28 грн
2226+5.29 грн
3000+4.83 грн
6000+4.11 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 957
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.15 грн
29+21.09 грн
100+11.43 грн
250+10.45 грн
500+6.59 грн
1000+4.36 грн
3000+4.31 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIAPMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 10266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.73 грн
24+13.18 грн
100+6.44 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
2000+4.34 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaMOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 18531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
17+20.54 грн
100+7.44 грн
1000+4.61 грн
2500+4.46 грн
10000+3.50 грн
20000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperiaMOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
14+25.24 грн
100+9.38 грн
1000+6.47 грн
2500+6.18 грн
10000+5.51 грн
20000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNEXPERIAPMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.68 грн
33+9.46 грн
100+6.39 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4522+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4522
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXPDescription: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.88 грн
40+15.33 грн
100+8.80 грн
250+8.14 грн
500+7.46 грн
1000+4.82 грн
3000+4.76 грн
6000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIAPMZB200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 421580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 543
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB200UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 30986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.30 грн
20+17.46 грн
100+8.26 грн
1000+5.66 грн
2500+4.99 грн
10000+4.02 грн
20000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 20303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.90 грн
100+8.21 грн
500+7.05 грн
1000+6.22 грн
2000+5.75 грн
5000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NexperiaMOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.69 грн
17+20.54 грн
100+10.19 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN/FYLNXP USA Inc.Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.11 грн
40000+3.04 грн
50000+3.02 грн
150000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaMOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.43 грн
21+16.43 грн
100+6.85 грн
1000+4.39 грн
2500+3.72 грн
10000+2.98 грн
20000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.82 грн
50000+2.79 грн
100000+2.72 грн
250000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.79 грн
45+13.55 грн
46+13.33 грн
100+9.02 грн
250+7.94 грн
500+5.78 грн
1000+4.01 грн
3000+3.88 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1209+10.09 грн
1272+9.60 грн
1671+7.30 грн
2389+4.93 грн
3000+4.36 грн
6000+3.83 грн
15000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 1209
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 16804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
24+13.18 грн
100+6.43 грн
500+5.36 грн
1000+4.17 грн
2000+4.01 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.93 грн
30000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIAPMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.44 грн
250+4.36 грн
687+4.12 грн
10000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.80 грн
51+16.53 грн
250+7.89 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.70 грн
1000+5.53 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 58304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
23+13.72 грн
100+7.15 грн
500+6.25 грн
1000+5.44 грн
2000+5.10 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIAPMZB320UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.29 грн
58+14.44 грн
105+7.96 грн
500+6.70 грн
1000+5.53 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFETs 20 V, single P-channel Trench MOSFET
на замовлення 36468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
21+16.34 грн
100+7.44 грн
500+6.92 грн
1000+5.66 грн
2500+4.99 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.34 грн
20000+3.83 грн
30000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NEXPERIAPMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 20021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.67 грн
100+7.60 грн
500+6.48 грн
1000+5.46 грн
2000+5.28 грн
5000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.25 грн
100+6.77 грн
1000+5.28 грн
2500+4.84 грн
10000+4.32 грн
20000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NXPDescription: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8417+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 8417
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 30V 900mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315-NEXNexperia USA Inc.Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB390UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 17024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.22 грн
22+16.00 грн
100+7.29 грн
1000+5.73 грн
2500+5.28 грн
10000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
20+15.58 грн
100+7.91 грн
500+7.12 грн
1000+6.23 грн
2000+5.90 грн
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.87 грн
53+16.03 грн
100+8.35 грн
500+6.95 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6281+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 6281
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIAPMZB390UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.54 грн
20000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.35 грн
500+6.95 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE315NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6231+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 6231
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNEXPERIAPMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 12853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.67 грн
100+6.93 грн
500+6.34 грн
1000+5.64 грн
2000+5.25 грн
5000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.01 грн
25+14.21 грн
100+6.40 грн
1000+5.21 грн
2500+4.54 грн
10000+3.94 грн
20000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 599486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNEXPERIAN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 12693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
24+14.80 грн
100+5.51 грн
500+4.69 грн
1000+4.17 грн
5000+3.94 грн
10000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 157446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
23+13.80 грн
100+8.61 грн
500+5.97 грн
1000+5.12 грн
2000+4.70 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNEXPERIAPMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.29 грн
20000+3.02 грн
30000+2.97 грн
50000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.95 грн
20000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 27263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.73 грн
25+12.63 грн
100+5.33 грн
500+4.24 грн
1000+3.90 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperiaMOSFET PMZB600UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.25 грн
100+7.29 грн
1000+4.46 грн
2500+3.87 грн
10000+2.90 грн
20000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1934000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7082+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7082
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.97 грн
20000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIAPMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NexperiaMOSFETs PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.86 грн
17+20.37 грн
100+8.19 грн
1000+5.80 грн
2500+5.36 грн
10000+4.76 грн
20000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 27643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
17+19.22 грн
100+12.15 грн
500+8.50 грн
1000+7.57 грн
2000+6.78 грн
5000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
на замовлення 168722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
18+19.51 грн
100+8.71 грн
500+7.96 грн
1000+6.25 грн
2500+6.18 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 34538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
18+18.22 грн
100+8.63 грн
500+7.34 грн
1000+5.96 грн
2000+5.67 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIAP-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.13 грн
48+17.45 грн
100+8.60 грн
500+6.90 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
24+13.10 грн
100+8.81 грн
500+6.36 грн
1000+5.72 грн
2000+5.17 грн
5000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperiaMOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNEXPERIAPMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.