Продукція > PMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PMZ1000UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.53 грн
39+21.70 грн
100+9.57 грн
500+7.97 грн
1000+4.62 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NexperiaMOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
13+28.09 грн
100+13.83 грн
500+9.20 грн
1000+7.06 грн
2500+6.18 грн
10000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIAPMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NXPDescription: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
20+15.79 грн
100+9.88 грн
500+6.88 грн
1000+6.11 грн
2000+5.45 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.97 грн
1000+4.62 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.65 грн
100+4.97 грн
500+4.25 грн
1000+3.69 грн
2000+3.66 грн
5000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.41 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.49 грн
42+19.72 грн
100+11.06 грн
500+6.41 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.35 грн
19+18.19 грн
100+6.55 грн
1000+4.12 грн
2500+3.83 грн
10000+2.94 грн
50000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNE315Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.35 грн
45+6.82 грн
100+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.38 грн
39+21.54 грн
100+12.30 грн
500+7.52 грн
1000+4.65 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ130UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 51586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.54 грн
23+14.72 грн
100+7.36 грн
1000+5.30 грн
2500+5.08 грн
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIAPMZ130UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.30 грн
500+7.52 грн
1000+4.65 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE,315NXP SemiconductorsOld Part PMZ200UNE^NXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5939+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 5939
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIAPMZ200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaMOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
15+22.67 грн
100+8.39 грн
1000+5.89 грн
2500+5.52 грн
10000+5.00 грн
20000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 13536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.86 грн
100+10.57 грн
500+7.37 грн
1000+6.54 грн
2000+5.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMET / PARTNER STOCKDescription: KEMET / PARTNER STOCK - PMZ2035RE6100K150R06 - NOISE SUPPRESSION AND SAFETY CAPACITORS
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+322.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETFilm Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.60 грн
10+271.58 грн
50+202.31 грн
100+183.92 грн
500+136.84 грн
864+127.27 грн
1728+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETCategory: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Type of capacitor: paper
Kind of capacitor: X1
Capacitance: 0.1µF
Max. operating voltage: 440V AC; 1kV DC
Terminal pitch: 25.4mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Manufacturer series: PMZ203
Alias: P435EJ104K440CH151
Lead length: 6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.14 грн
10+244.77 грн
50+210.54 грн
100+179.20 грн
500+133.26 грн
1000+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETCategory: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Type of capacitor: paper
Kind of capacitor: X1
Capacitance: 0.1µF
Max. operating voltage: 440V AC; 1kV DC
Terminal pitch: 25.4mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Manufacturer series: PMZ203
Alias: P435EJ104K440CH151
Lead length: 6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.34 грн
10+403.78 грн
50+349.92 грн
100+286.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETPMZ2035RE6100K150R THT Film Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETFilm Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.31 грн
10+378.18 грн
50+297.95 грн
100+246.45 грн
300+229.53 грн
500+214.08 грн
1000+199.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETMETALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330R30KEMETCap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2081MD6100M100J105KEMETCap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NXPDescription: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1885+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 1885
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UN315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.40 грн
105+7.87 грн
250+5.62 грн
1000+3.88 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 90506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.73 грн
38+8.28 грн
100+5.19 грн
500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaMOSFETs PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3
на замовлення 64971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.68 грн
35+9.81 грн
100+4.93 грн
1000+3.60 грн
2500+2.94 грн
10000+2.43 грн
20000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.62 грн
20000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIAPMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.45 грн
500+8.05 грн
1000+4.60 грн
5000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperiaMOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Код товару: 126932
Додати до обраних Обраний товар

Пасивні компоненти > Термістори
у наявності 9 шт:
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+15.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5828+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 5828
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.47 грн
62+13.45 грн
121+6.85 грн
500+5.82 грн
1000+4.86 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 26546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
20+15.56 грн
100+6.83 грн
500+5.85 грн
1000+5.01 грн
2000+4.98 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.82 грн
1000+4.86 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ320UPE/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8800+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 8800
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaMOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 14172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
17+20.90 грн
100+8.39 грн
1000+5.15 грн
2500+4.41 грн
10000+3.53 грн
20000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.36 грн
500+8.81 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.70 грн
36+16.83 грн
100+10.84 грн
250+9.97 грн
500+6.80 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1008+12.11 грн
1015+12.03 грн
1429+8.54 грн
1873+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 1008
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.20 грн
30+28.22 грн
100+14.36 грн
500+8.81 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.25 грн
100+5.89 грн
500+4.91 грн
1000+4.68 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIAPMZ350UPEYL SMD P channel transistors
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.76 грн
249+4.33 грн
683+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIAPMZ370UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
17+19.01 грн
100+12.01 грн
500+8.41 грн
1000+7.48 грн
2000+6.70 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaMOSFET PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 7830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
16+21.91 грн
100+8.53 грн
1000+5.96 грн
2500+5.81 грн
10000+5.15 грн
20000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.30 грн
20000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaMOSFETs PMZ390UN/SOT883/XQFN3
на замовлення 30727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.58 грн
18+18.95 грн
100+8.46 грн
1000+6.03 грн
2500+5.66 грн
10000+5.00 грн
20000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIAPMZ390UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 131083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
19+17.01 грн
100+8.15 грн
500+7.20 грн
1000+6.17 грн
2000+5.93 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.66 грн
20000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNE/S500315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.82 грн
50+16.75 грн
100+9.00 грн
500+6.82 грн
1000+4.81 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.54 грн
20000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 16055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.35 грн
53+11.46 грн
61+9.91 грн
114+5.15 грн
250+4.59 грн
500+4.35 грн
1000+4.21 грн
3000+4.06 грн
6000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ390UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 36409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.72 грн
19+18.61 грн
100+9.71 грн
1000+6.33 грн
2500+5.44 грн
10000+4.71 грн
50000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+9.66 грн
1531+7.97 грн
2500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 15682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
17+19.08 грн
100+10.24 грн
500+8.87 грн
1000+6.45 грн
2000+6.17 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.49 грн
33+18.70 грн
100+8.97 грн
1000+7.14 грн
2500+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.82 грн
1000+4.81 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.07 грн
20000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 16055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2122+5.75 грн
2206+5.53 грн
2233+5.47 грн
2308+5.10 грн
3000+4.55 грн
6000+4.22 грн
15000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 2122
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperiaMOSFET Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 31468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
24+13.03 грн
100+7.43 грн
500+6.83 грн
1000+5.67 грн
2000+5.26 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.72 грн
32+26.33 грн
100+13.70 грн
500+8.58 грн
1000+5.32 грн
2500+5.06 грн
5000+4.81 грн
10000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7668+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 7668
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ550UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 198425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.20 грн
24+14.38 грн
100+6.25 грн
1000+5.08 грн
2500+4.49 грн
10000+3.60 грн
20000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.89 грн
20000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.70 грн
500+8.58 грн
1000+5.32 грн
2500+5.06 грн
5000+4.81 грн
10000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIAPMZ550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaMOSFETs PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3
на замовлення 13912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.74 грн
31+11.25 грн
100+5.08 грн
1000+4.12 грн
2500+3.53 грн
10000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+12.70 грн
1474+8.28 грн
2312+5.28 грн
2447+4.81 грн
5000+3.83 грн
10000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.86 грн
20000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIAPMZ600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.56 грн
27+22.49 грн
100+11.79 грн
500+7.41 грн
1000+4.38 грн
2000+3.97 грн
5000+3.41 грн
10000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 68319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.43 грн
500+5.84 грн
1000+5.06 грн
2000+4.60 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
27+11.42 грн
100+7.13 грн
500+4.41 грн
1000+3.84 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIAPMZ600UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 95707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.20 грн
27+12.94 грн
100+4.63 грн
1000+4.41 грн
2500+3.75 грн
10000+2.87 грн
20000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.57 грн
29+11.76 грн
100+4.56 грн
1000+3.53 грн
2500+3.16 грн
10000+2.87 грн
20000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 18155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+4.84 грн
500+4.39 грн
1000+3.82 грн
2000+3.51 грн
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIA20 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.94 грн
84+9.90 грн
162+5.12 грн
500+4.25 грн
1000+3.44 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIAPMZ600UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.25 грн
1000+3.44 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN T/RNXP SemiconductorsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NexperiaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE,315Rochester Electronics, LLCDescription: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 899869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.39 грн
33+25.34 грн
100+13.53 грн
500+8.43 грн
1000+4.81 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.93 грн
20000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPEL/SOT883/XQFN3
на замовлення 201906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
22+15.91 грн
100+7.36 грн
1000+5.37 грн
2500+5.15 грн
10000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.53 грн
500+8.43 грн
1000+4.81 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 28050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
24+13.18 грн
100+6.68 грн
500+5.82 грн
1000+5.36 грн
2000+5.05 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIAPMZ950UPELYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+12.76 грн
968+12.61 грн
1474+8.28 грн
2226+5.29 грн
3000+4.83 грн
6000+4.11 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 957
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
18+17.09 грн
100+7.88 грн
500+6.38 грн
1000+5.23 грн
2000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
17+20.05 грн
100+7.72 грн
1000+4.78 грн
2500+4.27 грн
10000+3.46 грн
20000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.15 грн
29+21.09 грн
100+11.43 грн
250+10.45 грн
500+6.59 грн
1000+4.36 грн
3000+4.31 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.05 грн
1426+8.56 грн
2153+5.67 грн
2184+5.39 грн
5000+4.12 грн
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 936
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNEXPERIAPMZ950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.50 грн
29+21.56 грн
100+12.12 грн
500+7.66 грн
1000+4.70 грн
2000+4.45 грн
5000+3.67 грн
10000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIAPMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 10016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
21+14.87 грн
100+6.21 грн
500+5.29 грн
1000+4.75 грн
2000+4.46 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaMOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 18531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
17+20.30 грн
100+7.36 грн
1000+4.56 грн
2500+4.41 грн
10000+3.46 грн
20000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperiaMOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
14+24.96 грн
100+9.27 грн
1000+6.40 грн
2500+6.11 грн
10000+5.44 грн
20000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.32 грн
32+9.58 грн
100+6.49 грн
500+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNEXPERIAPMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4522+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4522
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXPDescription: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 543
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 21746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
18+17.47 грн
100+8.38 грн
500+7.73 грн
1000+6.99 грн
2000+6.48 грн
5000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIAPMZB200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.88 грн
40+15.33 грн
100+8.80 грн
250+8.14 грн
500+7.46 грн
1000+4.82 грн
3000+4.76 грн
6000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 421580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB200UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 30986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.93 грн
20+17.26 грн
100+8.17 грн
1000+5.59 грн
2500+4.93 грн
10000+3.97 грн
20000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NexperiaMOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.38 грн
17+20.30 грн
100+10.08 грн
500+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN/FYLNXP USA Inc.Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.62 грн
86+9.66 грн
250+8.67 грн
1000+4.11 грн
5000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.11 грн
40000+3.04 грн
50000+3.02 грн
150000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.82 грн
50000+2.79 грн
100000+2.72 грн
250000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.79 грн
45+13.55 грн
46+13.33 грн
100+9.02 грн
250+7.94 грн
500+5.78 грн
1000+4.01 грн
3000+3.88 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1209+10.09 грн
1272+9.60 грн
1671+7.30 грн
2389+4.93 грн
3000+4.36 грн
6000+3.83 грн
15000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 1209
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIAPMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.12 грн
250+4.31 грн
687+4.08 грн
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaMOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.12 грн
21+16.24 грн
100+6.77 грн
1000+4.34 грн
2500+3.68 грн
10000+2.94 грн
20000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.93 грн
30000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 16804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
24+13.03 грн
100+6.36 грн
500+5.29 грн
1000+4.13 грн
2000+3.97 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.62 грн
1000+5.47 грн
5000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.38 грн
20000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 810mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFETs PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 37814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.83 грн
24+14.55 грн
100+6.99 грн
1000+5.66 грн
2500+5.00 грн
10000+3.83 грн
20000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.04 грн
58+14.28 грн
105+7.87 грн
500+6.62 грн
1000+5.47 грн
5000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 810mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 60338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
21+14.79 грн
100+7.67 грн
500+6.52 грн
1000+5.83 грн
2000+5.51 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NEXPERIAPMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.75 грн
18+19.04 грн
100+6.69 грн
1000+5.22 грн
2500+4.78 грн
10000+4.27 грн
20000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 20021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.48 грн
100+7.52 грн
500+6.41 грн
1000+5.40 грн
2000+5.22 грн
5000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 30V 900mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NXPDescription: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8417+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 8417
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315-NEXNexperia USA Inc.Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.25 грн
500+6.87 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.49 грн
20000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6281+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 6281
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.60 грн
53+15.85 грн
100+8.25 грн
500+6.87 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIAPMZB390UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
20+15.40 грн
100+7.82 грн
500+7.04 грн
1000+6.16 грн
2000+5.84 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB390UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 17024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.95 грн
22+15.82 грн
100+7.21 грн
1000+5.66 грн
2500+5.22 грн
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE315NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6231+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 6231
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 12853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.48 грн
100+6.85 грн
500+6.27 грн
1000+5.57 грн
2000+5.19 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNEXPERIAPMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.77 грн
25+14.04 грн
100+6.33 грн
1000+5.15 грн
2500+4.49 грн
10000+3.90 грн
20000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 599486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 157446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.64 грн
100+8.51 грн
500+5.90 грн
1000+5.06 грн
2000+4.65 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaMOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
на замовлення 19155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.74 грн
30+11.34 грн
100+5.08 грн
1000+3.97 грн
2500+3.60 грн
10000+3.24 грн
20000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.25 грн
20000+2.98 грн
30000+2.94 грн
50000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNEXPERIAPMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNEXPERIAN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 27263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
25+12.49 грн
100+5.26 грн
500+4.19 грн
1000+3.86 грн
2000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.92 грн
20000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperiaMOSFET PMZB600UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.75 грн
18+19.04 грн
100+7.21 грн
1000+4.41 грн
2500+3.83 грн
10000+2.87 грн
20000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1934000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7082+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 7082
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NexperiaMOSFETs PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.47 грн
17+20.14 грн
100+8.09 грн
1000+5.74 грн
2500+5.30 грн
10000+4.71 грн
20000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 27643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
17+19.01 грн
100+12.01 грн
500+8.41 грн
1000+7.48 грн
2000+6.70 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIAPMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.90 грн
20000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
на замовлення 168722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 34538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
18+18.01 грн
100+8.53 грн
500+7.26 грн
1000+5.89 грн
2000+5.61 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIAP-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.82 грн
48+17.25 грн
100+8.50 грн
500+6.82 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperiaMOSFETs PMZB950UPEL/SOT883B/XQFN3
на замовлення 9074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.21 грн
19+18.61 грн
100+7.80 грн
1000+5.52 грн
2500+5.08 грн
10000+4.63 грн
20000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNEXPERIAPMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperiaMOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
24+12.95 грн
100+8.71 грн
500+6.28 грн
1000+5.65 грн
2000+5.11 грн
5000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.