Продукція > PMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PMZ1000UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NexperiaMOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.93 грн
13+28.82 грн
100+14.19 грн
500+9.44 грн
1000+7.25 грн
2500+6.34 грн
10000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
20+16.20 грн
100+10.14 грн
500+7.06 грн
1000+6.27 грн
2000+5.60 грн
5000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NXPDescription: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.82 грн
1000+5.92 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 7002
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.66 грн
44+19.48 грн
100+12.19 грн
500+7.82 грн
1000+5.92 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.18 грн
42+20.24 грн
100+11.35 грн
500+6.58 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
20+16.12 грн
50+11.54 грн
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.04 грн
19+18.66 грн
100+6.72 грн
1000+4.23 грн
2500+3.93 грн
10000+3.02 грн
50000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.58 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNE315Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.8A
на замовлення 12145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
19+18.75 грн
100+10.34 грн
500+7.62 грн
1000+6.11 грн
2500+6.04 грн
5000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.35 грн
105+8.11 грн
250+6.24 грн
1000+5.68 грн
5000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
15+21.15 грн
50+15.26 грн
100+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.35 грн
105+8.11 грн
250+6.24 грн
1000+5.68 грн
5000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE,315NXP SemiconductorsOld Part PMZ200UNE^NXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5939+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 5939
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
21+15.65 грн
100+6.84 грн
500+5.97 грн
1000+5.13 грн
2000+5.04 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaMOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
15+23.27 грн
100+8.61 грн
1000+6.04 грн
2500+5.66 грн
10000+5.13 грн
20000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: KEMET - PMZ2035RE6100K150R06 - Sicherheitskondensator, lange Lebensdauer, Metallisiertes Papier, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.1 µF
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 25.4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes Papier
Kapazität: 0.1µF
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+188.00 грн
50+158.36 грн
100+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMET / PARTNER STOCKDescription: KEMET / PARTNER STOCK - PMZ2035RE6100K150R06 - NOISE SUPPRESSION AND SAFETY CAPACITORS
tariffCode: 85322500
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+533.51 грн
60+501.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETFilm Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.52 грн
10+278.67 грн
50+207.60 грн
100+188.72 грн
500+140.41 грн
864+130.60 грн
1728+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETMETALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.52 грн
10+414.33 грн
50+359.06 грн
100+293.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETFilm Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.97 грн
10+388.05 грн
50+305.73 грн
100+252.89 грн
300+235.53 грн
500+219.67 грн
1000+204.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330R30KEMETCap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2081MD6100M100J105KEMETCap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NXPDescription: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1885+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 1885
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UN315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
20000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
на замовлення 33538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.86 грн
39+9.03 грн
100+5.06 грн
500+4.45 грн
1000+3.10 грн
10000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2113+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 2113
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.69 грн
20000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.34 грн
50+18.72 грн
250+11.86 грн
1000+4.90 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 1272
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3788+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3788
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 5748
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1057+6.28 грн
3000+6.18 грн
6000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 1057
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 90506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
38+8.49 грн
100+5.32 грн
500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.80 грн
500+8.26 грн
1000+4.72 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperiaMOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Код товару: 126932
Додати до обраних Обраний товар

Пасивні компоненти > Термістори
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNexperiaPMZ320UPE/S500,YL
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5828+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 5828
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.28 грн
36+24.13 грн
100+11.77 грн
500+9.83 грн
1000+6.77 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2253+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2253
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A
на замовлення 15517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.51 грн
22+16.41 грн
100+7.02 грн
500+6.27 грн
1000+4.68 грн
2500+4.38 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1437+5.89 грн
2500+5.66 грн
5000+4.57 грн
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1437
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
17+18.56 грн
50+13.35 грн
100+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.83 грн
1000+6.77 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNexperiaPMZ350UPE/S500,YL
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6536+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 6536
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8800+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 8800
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4732+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.32 грн
29+13.84 грн
34+11.64 грн
100+6.42 грн
249+3.71 грн
685+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+14.77 грн
1049+11.80 грн
2014+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 838
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.86 грн
1000+4.57 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 85581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+5.11 грн
3000+5.01 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 1946
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
100000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.39 грн
18+17.25 грн
21+13.97 грн
100+7.71 грн
249+4.45 грн
685+4.21 грн
30000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+17.06 грн
50+12.25 грн
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.22 грн
55+15.41 грн
133+6.39 грн
500+5.86 грн
1000+4.57 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.31 грн
26+13.72 грн
100+5.81 грн
500+5.13 грн
1000+4.68 грн
5000+3.77 грн
10000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
18+17.93 грн
100+11.24 грн
500+7.64 грн
1000+6.51 грн
2000+6.09 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.67 грн
17+20.66 грн
100+11.40 грн
500+8.45 грн
1000+6.64 грн
2500+6.04 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+20.71 грн
1000+18.24 грн
2000+13.12 грн
10000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 638
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperia USA Inc.Description: PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 128994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
19+16.99 грн
100+8.18 грн
500+6.31 грн
1000+6.07 грн
2000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.00 грн
18+20.31 грн
100+8.53 грн
500+7.02 грн
1000+6.42 грн
2500+6.11 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
20000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNE/S500315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 13132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
17+18.64 грн
100+10.22 грн
500+7.50 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1541+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 1541
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.72 грн
40+21.34 грн
100+11.69 грн
500+8.49 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2041+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2041
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
на замовлення 24726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.80 грн
18+19.79 грн
100+9.59 грн
500+7.17 грн
1000+5.13 грн
2500+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5129+6.03 грн
10000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 5129
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 15655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1279+4.21 грн
3000+4.15 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 1279
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.69 грн
500+8.49 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperiaMOSFET Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ420UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.70 грн
32+27.01 грн
100+14.06 грн
500+8.81 грн
1000+5.46 грн
2500+5.20 грн
5000+4.94 грн
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7668+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 7668
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A
на замовлення 162690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.72 грн
26+13.80 грн
100+7.25 грн
500+6.27 грн
1000+4.83 грн
2500+4.38 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
19+16.75 грн
50+12.00 грн
100+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.06 грн
500+8.81 грн
1000+5.46 грн
2500+5.20 грн
5000+4.94 грн
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
20000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+15.94 грн
35+10.16 грн
100+5.21 грн
500+4.83 грн
1000+3.93 грн
5000+3.47 грн
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.26 грн
27+26.33 грн
100+13.80 грн
500+8.68 грн
1000+5.12 грн
2000+4.65 грн
5000+3.99 грн
10000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
31+10.46 грн
100+5.50 грн
500+4.78 грн
1000+4.17 грн
2000+3.88 грн
5000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+12.88 грн
1474+8.40 грн
2312+5.36 грн
2447+4.88 грн
5000+3.88 грн
10000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
30+10.54 грн
100+6.56 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
2000+2.99 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 80298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+18.94 грн
32+11.20 грн
100+6.04 грн
500+3.85 грн
1000+3.02 грн
5000+2.57 грн
10000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.36 грн
1000+3.53 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.00 грн
20000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.08 грн
29+12.07 грн
100+4.68 грн
1000+3.62 грн
2500+3.25 грн
10000+2.94 грн
20000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.33 грн
84+10.16 грн
162+5.25 грн
500+4.36 грн
1000+3.53 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIA20 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 25839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
34+9.51 грн
100+5.96 грн
500+3.83 грн
1000+3.32 грн
2000+2.98 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN T/RNXP SemiconductorsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NexperiaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE,315Rochester Electronics, LLCDescription: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 899869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.36 грн
33+26.00 грн
100+13.89 грн
500+8.65 грн
1000+4.94 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
17+19.58 грн
50+14.06 грн
100+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A
на замовлення 114617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.72 грн
23+15.28 грн
100+6.79 грн
500+6.27 грн
1000+4.60 грн
2500+4.30 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.89 грн
500+8.65 грн
1000+4.94 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.24 грн
1426+8.68 грн
2153+5.75 грн
2184+5.47 грн
5000+4.18 грн
10000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 936
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.53 грн
29+25.23 грн
100+14.18 грн
500+8.97 грн
1000+5.50 грн
2000+5.21 грн
5000+4.30 грн
10000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
17+20.57 грн
100+7.93 грн
1000+4.91 грн
2500+4.38 грн
10000+3.55 грн
20000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+12.95 грн
968+12.79 грн
1474+8.40 грн
2226+5.36 грн
3000+4.90 грн
6000+4.17 грн
15000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 957
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
21+15.65 грн
50+11.20 грн
100+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.13 грн
29+24.68 грн
100+13.38 грн
250+12.24 грн
500+7.71 грн
1000+5.11 грн
3000+5.04 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ950UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaMOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 18531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
17+20.84 грн
100+7.55 грн
1000+4.68 грн
2500+4.53 грн
10000+3.55 грн
20000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
21+15.10 грн
50+10.80 грн
100+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
34+9.51 грн
100+6.42 грн
500+5.92 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.5A
на замовлення 17260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+14.36 грн
33+10.59 грн
100+6.27 грн
500+5.89 грн
1000+5.81 грн
5000+5.44 грн
10000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXPDescription: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3
на замовлення 156850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4522+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 4522
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 543
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 421580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5773+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 5773
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 23966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.50 грн
18+19.36 грн
100+8.23 грн
500+8.08 грн
1000+5.81 грн
2500+5.28 грн
5000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.52 грн
50+14.78 грн
100+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+24.44 грн
40+17.94 грн
100+10.30 грн
250+9.53 грн
500+8.73 грн
1000+5.64 грн
3000+5.58 грн
6000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NexperiaMOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.09 грн
17+20.84 грн
100+10.34 грн
500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UN/FYLNXP USA Inc.Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.31 грн
50000+3.27 грн
100000+3.18 грн
250000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaMOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.83 грн
21+16.67 грн
100+6.95 грн
1000+4.45 грн
2500+3.77 грн
10000+3.02 грн
20000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.76 грн
50+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIAPMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.91 грн
213+5.19 грн
586+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+20.82 грн
45+15.86 грн
46+15.60 грн
100+10.56 грн
250+9.29 грн
500+6.77 грн
1000+4.69 грн
3000+4.55 грн
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1209+10.24 грн
1272+9.74 грн
1671+7.41 грн
2389+5.00 грн
3000+4.42 грн
6000+3.89 грн
15000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 1209
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.43 грн
30000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
27+12.03 грн
100+6.36 грн
500+4.88 грн
1000+4.03 грн
2000+3.58 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.15 грн
40000+3.09 грн
50000+3.06 грн
150000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.52 грн
50+14.80 грн
100+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A
на замовлення 32512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.52 грн
25+14.24 грн
100+7.17 грн
500+6.72 грн
1000+5.21 грн
2500+4.91 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.96 грн
39+21.76 грн
100+12.11 грн
500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 20021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+16.91 грн
100+7.71 грн
500+6.57 грн
1000+5.54 грн
2000+5.36 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.50 грн
18+19.53 грн
100+6.87 грн
1000+5.36 грн
2500+4.91 грн
10000+4.38 грн
20000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NXPDescription: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8417+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 8417
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 30V 900mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB370UNE,315-NEXNexperia USA Inc.Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
на замовлення 14862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.01 грн
27+13.20 грн
100+7.17 грн
500+6.57 грн
1000+4.91 грн
5000+4.38 грн
10000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.72 грн
500+6.87 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 29486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.30 грн
16+20.13 грн
50+14.47 грн
100+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.74 грн
58+14.65 грн
100+8.72 грн
500+6.87 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.15 грн
20000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6281+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 6281
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNE315NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6231+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 6231
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
17+19.11 грн
50+13.78 грн
100+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYLNexperiaMOSFETs PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.31 грн
25+14.41 грн
100+6.49 грн
1000+5.28 грн
2500+4.60 грн
10000+4.00 грн
20000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 599486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.82 грн
20000+2.65 грн
30000+2.58 грн
50000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNEXPERIAN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 13933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.72 грн
25+13.89 грн
100+5.21 грн
500+4.76 грн
1000+4.00 грн
5000+3.70 грн
10000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 56420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
26+12.11 грн
100+5.43 грн
500+5.00 грн
1000+4.21 грн
2000+4.03 грн
5000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
21+15.02 грн
50+10.76 грн
100+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883B N CHAN 20V
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.99 грн
25+13.89 грн
100+5.21 грн
500+4.83 грн
1000+3.85 грн
2500+3.70 грн
5000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 27643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
17+19.50 грн
100+12.32 грн
500+8.63 грн
1000+7.68 грн
2000+6.88 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.05 грн
20000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 20V .68A
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
19+18.75 грн
100+7.47 грн
500+6.57 грн
1000+5.59 грн
5000+5.13 грн
10000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1934000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7082+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 7082
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
на замовлення 168722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIAP-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.91 грн
19+18.75 грн
100+8.38 грн
500+7.70 грн
1000+5.96 грн
2500+5.89 грн
5000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.52 грн
48+17.70 грн
100+8.72 грн
500+7.00 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 28883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
20+15.96 грн
100+10.03 грн
500+7.00 грн
1000+6.22 грн
2000+5.57 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
24+13.29 грн
100+8.93 грн
500+6.45 грн
1000+5.80 грн
2000+5.24 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperiaMOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.