Продукція > PMZ

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMZ1000UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 7002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.16 грн
44+18.52 грн
100+11.60 грн
500+7.43 грн
1000+5.63 грн
5000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
на замовлення 10631028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2172+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 2172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NexperiaMOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.60 грн
13+26.36 грн
100+12.98 грн
500+8.63 грн
1000+6.63 грн
2500+5.80 грн
10000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NXPDescription: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10843200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7002+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 7002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1000UN,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.43 грн
1000+5.63 грн
5000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.73 грн
19+17.07 грн
100+6.14 грн
1000+3.87 грн
2500+3.59 грн
10000+2.76 грн
50000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.26 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
42+19.25 грн
100+10.79 грн
500+6.26 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.33 грн
50+10.98 грн
100+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNE315Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.79 грн
105+7.72 грн
250+5.94 грн
1000+5.40 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
50+14.51 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
105+7.72 грн
250+5.94 грн
1000+5.40 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5939+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 5939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
21+14.88 грн
100+6.51 грн
500+5.68 грн
1000+4.88 грн
2000+4.80 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaMOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
15+21.28 грн
100+7.87 грн
1000+5.52 грн
2500+5.18 грн
10000+4.69 грн
20000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: KEMET - PMZ2035RE6100K150R06 - Sicherheitskondensator, lange Lebensdauer, Metallisiertes Papier, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.1 µF
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 25.4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes Papier
Kapazität: 0.1µF
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.85 грн
10+178.80 грн
50+150.61 грн
100+128.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
Capacitance: 0.1 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - AC: 440V
Dielectric Material: Paper, Metallized
Ratings: X1
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Applications: EMI, RFI Suppression
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R06KEMETFilm Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.55 грн
10+254.84 грн
50+189.84 грн
100+172.59 грн
500+128.40 грн
864+119.43 грн
1728+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETFilm Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.81 грн
10+354.87 грн
50+279.59 грн
100+231.26 грн
300+215.39 грн
500+200.89 грн
1000+187.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6100K150R30KEMETDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Voltage Rating - AC: 440V
Dielectric Material: Paper, Metallized
Ratings: X1
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Applications: EMI, RFI Suppression
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)
Capacitance: 0.1 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.11 грн
10+394.05 грн
50+341.49 грн
100+279.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ2035RE6150K330
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ250UN,315NXPDescription: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1885+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 1885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ270XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UN315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3005 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3788+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 90506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
38+8.08 грн
100+5.06 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.05 грн
50+17.80 грн
250+11.28 грн
1000+4.66 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1057+6.71 грн
3000+6.61 грн
6000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 1057 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.18 грн
20000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
на замовлення 33538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
39+8.26 грн
100+4.63 грн
500+4.07 грн
1000+2.83 грн
10000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
20000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2113+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 2113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
500+7.85 грн
1000+4.49 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 1272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE2YLNexperiaN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperiaMOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNEYLNXPTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ290UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Код товару: 126932
Додати до обраних Обраний товар
Пасивні компоненти > Термістори
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500,YLNexperiaPMZ320UPE/S500,YL
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5828+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 5828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.40 грн
36+22.95 грн
100+11.20 грн
500+9.35 грн
1000+6.43 грн
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.35 грн
1000+6.43 грн
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2253+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 2253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A
на замовлення 15517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
22+15.00 грн
100+6.42 грн
500+5.73 грн
1000+4.28 грн
2500+4.00 грн
5000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.80 грн
50+12.79 грн
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1437+6.29 грн
2500+6.05 грн
5000+4.89 грн
10000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 1437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500,YLNexperiaPMZ350UPE/S500,YL
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6536+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 6536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPE/S500YLNexperia USA Inc.Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8800+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 8800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 85581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+4.06 грн
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 8721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+5.46 грн
3000+5.36 грн
6000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
50+11.65 грн
100+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
32+13.13 грн
40+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 8721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.23 грн
26+12.54 грн
100+5.32 грн
500+4.69 грн
1000+4.28 грн
5000+3.45 грн
10000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8721+4.06 грн
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 8721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4732+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+16.92 грн
1049+13.51 грн
2014+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 838 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]