Продукція > SIJ

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.43 грн
500+	46.82 грн
1000+	40.23 грн
5000+	37.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.95 грн
10+	111.60 грн
100+	83.84 грн
500+	68.94 грн
1000+	57.68 грн
9000+	49.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.45 грн
15+	61.31 грн
100+	56.43 грн
500+	46.82 грн
1000+	40.23 грн
5000+	37.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.29 грн
10+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.59 грн
10+	94.63 грн
100+	65.13 грн
500+	53.88 грн
1000+	42.54 грн
3000+	38.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.43 грн
500+	43.51 грн
1000+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 11016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	66.96 грн
100+	52.07 грн
500+	41.42 грн
1000+	33.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.64 грн
25+	40.34 грн
100+	36.96 грн
250+	33.99 грн
500+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.82 грн
14+	65.58 грн
100+	54.43 грн
500+	43.51 грн
1000+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.15 грн
6000+	32.24 грн
9000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	96.67 грн
11+	80.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	60.08 грн
25+	59.69 грн
50+	57.08 грн
100+	49.59 грн
250+	47.30 грн
500+	44.79 грн
1000+	44.37 грн
3000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.51 грн
500+	63.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 4232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	93.89 грн
100+	63.58 грн
500+	47.50 грн
1000+	45.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ392

SOP-8

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ400DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8300 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.24 грн
10+	102.76 грн
100+	70.45 грн
500+	52.24 грн
1000+	46.88 грн
5000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.69 грн
10+	106.26 грн
100+	84.56 грн
500+	67.14 грн
1000+	56.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.45 грн
500+	52.24 грн
1000+	46.88 грн
5000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.89 грн
6000+	55.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.43 грн
500+	55.56 грн
1000+	49.79 грн
5000+	45.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.48 грн
10+	114.28 грн
100+	79.19 грн
250+	72.90 грн
500+	66.22 грн
1000+	60.01 грн
3000+	52.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

на замовлення 11552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.15 грн
10+	104.51 грн
100+	81.43 грн
500+	55.56 грн
1000+	49.79 грн
5000+	45.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.27 грн
10+	107.13 грн
100+	63.50 грн
500+	50.62 грн
1000+	47.67 грн
3000+	41.22 грн
6000+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 27796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.72 грн
10+	97.77 грн
100+	66.36 грн
500+	49.66 грн
1000+	47.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.01 грн
10+	151.53 грн
100+	122.79 грн
500+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.76 грн
6000+	41.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 13804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.72 грн
10+	100.20 грн
100+	68.16 грн
500+	51.09 грн
1000+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 34807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.25 грн
10+	113.38 грн
100+	80.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.02 грн
14+	63.92 грн
100+	42.67 грн
500+	32.43 грн
1000+	28.37 грн
5000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 10973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	76.42 грн
100+	44.33 грн
500+	36.33 грн
1000+	34.39 грн
3000+	29.27 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.67 грн
500+	32.43 грн
1000+	28.37 грн
5000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ4409DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.70 грн
11+	83.43 грн
100+	65.23 грн
500+	47.47 грн
1000+	40.53 грн
5000+	36.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 45V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.80 грн
100+	121.42 грн
500+	93.16 грн
1000+	75.23 грн
3000+	42.23 грн
9000+	41.38 грн
24000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	98.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.23 грн
500+	47.47 грн
1000+	40.53 грн
5000+	36.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET 30V 60A 69.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн
10+	89.20 грн
100+	60.25 грн
500+	44.91 грн
1000+	42.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.37 грн
10+	101.89 грн
100+	71.85 грн
500+	53.05 грн
1000+	45.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	91.96 грн
100+	64.44 грн
500+	54.58 грн
1000+	44.48 грн
3000+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.11 грн
25+	53.01 грн
100+	48.12 грн
250+	44.45 грн
500+	42.51 грн
1000+	42.35 грн
3000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

MOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

на замовлення 9731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.76 грн
10+	103.56 грн
100+	62.96 грн
500+	50.23 грн
1000+	48.99 грн
3000+	43.55 грн
6000+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.09 грн
10+	94.53 грн
100+	73.50 грн
500+	58.46 грн
1000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.99 грн
500+	58.47 грн
1000+	50.76 грн
5000+	43.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.52 грн
10+	114.57 грн
25+	113.47 грн
100+	81.59 грн
250+	74.79 грн
500+	60.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

3+	154.88 грн
10+	137.49 грн
100+	93.16 грн
500+	76.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.96 грн
10+	94.93 грн
100+	76.99 грн
500+	58.47 грн
1000+	50.76 грн
5000+	43.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.58 грн
10+	152.67 грн
100+	106.36 грн
250+	97.82 грн
500+	88.50 грн
1000+	75.85 грн
3000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.20 грн
10+	148.92 грн
100+	102.76 грн
500+	73.43 грн
1000+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

на замовлення 5702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.76 грн
500+	73.43 грн
1000+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.36 грн
10+	125.93 грн
25+	121.85 грн
100+	92.55 грн
250+	84.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 44373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	178.43 грн
10+	118.74 грн
100+	79.19 грн
250+	68.24 грн
500+	65.60 грн
1000+	61.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.95 грн
500+	46.82 грн
1000+	41.95 грн
5000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	74.46 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

на замовлення 14383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.05 грн
15+	59.57 грн
100+	54.95 грн
500+	46.82 грн
1000+	41.95 грн
5000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	81.04 грн
156+	80.23 грн
187+	66.82 грн
250+	62.61 грн
500+	50.17 грн
1000+	46.85 грн
3000+	45.52 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	58.71 грн
100+	52.35 грн
500+	49.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	79.78 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.06 грн
10+	88.18 грн
25+	87.30 грн
100+	69.87 грн
250+	62.88 грн
500+	51.91 грн
1000+	50.34 грн
3000+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

на замовлення 15579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.00 грн
10+	69.64 грн
3000+	60.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ5623DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.16 грн
10+	63.66 грн
100+	43.09 грн
500+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00057ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.45 грн
500+	51.03 грн
1500+	43.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.37 грн
10+	73.59 грн
100+	56.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
50+	88.83 грн
100+	68.45 грн
500+	51.03 грн
1500+	43.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.42 грн
6000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 12057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	83.54 грн
100+	57.63 грн
500+	42.90 грн
1000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.63 грн
10+	95.53 грн
100+	56.75 грн
500+	45.49 грн
1000+	41.84 грн
3000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

4+	111.40 грн
10+	90.17 грн
100+	61.41 грн
500+	52.01 грн
1000+	42.39 грн
3000+	39.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.56 грн
10+	137.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.70 грн
500+	61.62 грн
1000+	56.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	172.43 грн
10+	128.02 грн
100+	89.70 грн
500+	61.54 грн
1000+	54.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.69 грн
10+	128.56 грн
100+	88.50 грн
250+	82.29 грн
500+	74.37 грн
1000+	69.64 грн
3000+	59.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	890.32 грн
10+	793.68 грн
100+	571.38 грн
500+	497.63 грн
1000+	433.19 грн
2000+	402.14 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

5+	89.30 грн
10+	72.32 грн
100+	48.99 грн
500+	48.21 грн
9000+	47.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.14 грн
10+	65.18 грн
100+	50.68 грн
500+	40.32 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.60 грн
500+	38.82 грн
1000+	28.29 грн
5000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	39.79 грн
19+	38.11 грн
100+	35.19 грн
500+	32.41 грн
1000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.06 грн
10+	57.25 грн
100+	44.57 грн
500+	35.45 грн
1000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	72.20 грн
15+	58.44 грн
100+	50.60 грн
500+	38.82 грн
1000+	28.29 грн
5000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.48 грн
10+	75.44 грн
100+	53.88 грн
500+	47.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

5+	85.14 грн
10+	74.99 грн
100+	50.85 грн
500+	42.00 грн
1000+	33.23 грн
3000+	31.91 грн
9000+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	59.36 грн
100+	41.06 грн
500+	32.20 грн
1000+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.79 грн
10+	71.24 грн
25+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.67 грн
10+	333.55 грн
25+	303.07 грн
100+	253.12 грн
500+	181.39 грн
2000+	175.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.74 грн
10+	280.33 грн
100+	174.67 грн
500+	169.24 грн
1000+	163.03 грн
2000+	152.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.38 грн
10+	254.81 грн
100+	182.56 грн
500+	165.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	149.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	253.12 грн
500+	181.39 грн
2000+	175.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH400E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.94 грн
10+	362.47 грн
100+	255.41 грн
500+	226.69 грн
1000+	219.70 грн
2000+	186.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.56 грн
10+	170.52 грн
100+	113.34 грн
500+	94.71 грн
1000+	86.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 1890 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	285.65 грн
500+	257.97 грн
1000+	229.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.63 грн
10+	377.09 грн
100+	285.65 грн
500+	257.97 грн
1000+	229.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.48 грн
10+	417.82 грн
25+	343.14 грн
100+	294.23 грн
250+	277.15 грн
500+	260.85 грн
1000+	222.81 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

1+	528.94 грн
10+	437.46 грн
25+	359.44 грн
100+	308.20 грн
250+	291.12 грн
500+	273.27 грн
1000+	234.45 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

на замовлення 1862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	525.70 грн
10+	358.81 грн
100+	261.32 грн
500+	206.27 грн
1000+	205.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.84 грн
10+	438.35 грн
25+	360.22 грн
100+	308.98 грн
250+	291.90 грн
500+	274.04 грн
1000+	246.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	485.95 грн
10+	389.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.58mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 333W
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 500A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 8x8L
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	516.46 грн
10+	335.92 грн
100+	251.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.88 грн
10+	468.49 грн
25+	468.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	610.52 грн
10+	398.92 грн
100+	291.70 грн
500+	232.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	428.47 грн
50+	344.50 грн
100+	267.98 грн
250+	262.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	508.56 грн
29+	436.93 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	548.66 грн
5+	489.44 грн
10+	429.34 грн
50+	350.97 грн
100+	279.18 грн
250+	273.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	517.16 грн
10+	436.57 грн
25+	362.55 грн
100+	316.74 грн
250+	306.65 грн
500+	280.25 грн
1000+	267.06 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 2316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.14 грн
10+	296.06 грн
100+	239.51 грн
500+	199.80 грн
1000+	171.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	419.77 грн
10+	304.81 грн
100+	222.95 грн
500+	176.29 грн
1000+	155.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 80V

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.22 грн
10+	314.26 грн
25+	270.16 грн
100+	201.85 грн
500+	182.44 грн
1000+	163.81 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.95 грн
500+	176.29 грн
1000+	155.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	573.32 грн
10+	399.07 грн
100+	299.66 грн
1500+	283.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	547.54 грн
10+	357.52 грн
100+	271.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	230.38 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	268.96 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	394.51 грн
100+	318.74 грн
500+	279.80 грн
1000+	253.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	515.56 грн
10+	394.51 грн
100+	318.74 грн
500+	279.80 грн
1000+	253.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 417A

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.94 грн
10+	362.47 грн
100+	255.41 грн
500+	240.66 грн
1500+	204.17 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3