Продукція > SIJ

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.16 грн
15+56.70 грн
100+52.19 грн
500+43.30 грн
1000+37.21 грн
5000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.19 грн
500+43.30 грн
1000+37.21 грн
5000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 80 V
на замовлення 7296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+99.24 грн
100+74.56 грн
500+61.30 грн
1000+51.29 грн
9000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+84.15 грн
100+57.92 грн
500+47.91 грн
1000+37.83 грн
3000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ150DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+61.92 грн
100+48.16 грн
500+38.31 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.23 грн
25+42.91 грн
100+39.32 грн
250+36.16 грн
500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.74 грн
14+60.65 грн
100+50.34 грн
500+40.24 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.51 грн
6000+29.81 грн
9000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.34 грн
500+40.24 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.39 грн
500+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.83 грн
100+58.80 грн
500+43.92 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
11+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.92 грн
25+63.50 грн
50+60.73 грн
100+52.75 грн
250+50.32 грн
500+47.65 грн
1000+47.20 грн
3000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ392SISOP-8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ400DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4106DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+98.27 грн
100+78.20 грн
500+62.09 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4106DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8300 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.08 грн
500+48.24 грн
1000+43.28 грн
5000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4106DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.38 грн
6000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4106DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8300 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.39 грн
10+95.04 грн
100+65.08 грн
500+48.24 грн
1000+43.28 грн
5000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4108DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+101.62 грн
100+70.41 грн
250+64.82 грн
500+58.89 грн
1000+53.36 грн
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4108DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 11552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
10+99.06 грн
100+69.83 грн
500+53.77 грн
1000+46.25 грн
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4108DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 11552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.83 грн
500+53.77 грн
1000+46.25 грн
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
на замовлення 27796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.78 грн
10+90.42 грн
100+61.37 грн
500+45.92 грн
1000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+140.14 грн
100+113.56 грн
500+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.39 грн
6000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+95.27 грн
100+56.47 грн
500+45.01 грн
1000+42.39 грн
3000+36.66 грн
6000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 13804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+92.66 грн
100+63.04 грн
500+47.25 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 34597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+123.05 грн
100+73.87 грн
500+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4406DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.96 грн
100+39.42 грн
500+32.31 грн
1000+30.58 грн
3000+26.03 грн
6000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4406DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.99 грн
500+49.51 грн
1000+42.52 грн
5000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4406DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+76.59 грн
100+57.99 грн
500+49.51 грн
1000+42.52 грн
5000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4409DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 45V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
100+107.97 грн
500+82.84 грн
1000+66.89 грн
3000+37.55 грн
9000+36.80 грн
24000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+90.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.12 грн
500+47.19 грн
1000+40.66 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+89.40 грн
100+66.12 грн
500+47.19 грн
1000+40.66 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 60A 69.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.42 грн
10+94.23 грн
100+66.45 грн
500+49.06 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60 V
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+81.77 грн
100+57.30 грн
500+48.53 грн
1000+39.56 грн
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 6113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.49 грн
100+55.72 грн
500+41.53 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.50 грн
25+56.40 грн
100+51.19 грн
250+47.29 грн
500+45.22 грн
1000+45.05 грн
3000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+87.43 грн
100+67.97 грн
500+54.07 грн
1000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+92.09 грн
100+55.99 грн
500+44.67 грн
1000+43.56 грн
3000+38.73 грн
6000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 19826 шт:
термін постачання 715-724 дні (днів)
3+137.72 грн
10+122.26 грн
100+82.84 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.31 грн
10+87.79 грн
100+71.20 грн
500+54.07 грн
1000+46.94 грн
5000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.20 грн
500+54.07 грн
1000+46.94 грн
5000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.10 грн
10+121.89 грн
25+120.71 грн
100+86.80 грн
250+79.57 грн
500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.04 грн
500+67.76 грн
1000+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -145A
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -62A
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 145W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4819DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80 V (D-S) MOSFET
на замовлення 13769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+143.69 грн
100+86.98 грн
500+69.72 грн
1000+67.65 грн
3000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+136.11 грн
100+94.23 грн
500+63.94 грн
1000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.39 грн
10+133.97 грн
25+129.63 грн
100+98.46 грн
250+89.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 44373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+105.59 грн
100+70.41 грн
250+60.68 грн
500+58.33 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.16 грн
15+55.09 грн
100+50.82 грн
500+43.30 грн
1000+38.80 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.37 грн
156+91.45 грн
187+76.17 грн
250+71.36 грн
500+57.19 грн
1000+53.40 грн
3000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+54.30 грн
100+48.42 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.89 грн
10+93.81 грн
25+92.87 грн
100+74.33 грн
250+66.89 грн
500+55.23 грн
1000+53.56 грн
3000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
на замовлення 13999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+88.92 грн
100+56.61 грн
500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.82 грн
500+43.30 грн
1000+38.80 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ5623DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+68.06 грн
100+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.39 грн
50+108.73 грн
100+76.19 грн
500+56.31 грн
1500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]