Продукція > SIJ

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.48 грн
15+	59.59 грн
100+	54.85 грн
500+	45.51 грн
1000+	39.11 грн
5000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.85 грн
500+	45.51 грн
1000+	39.11 грн
5000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.18 грн
10+	108.47 грн
100+	81.50 грн
500+	67.01 грн
1000+	56.07 грн
9000+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.53 грн
10+	91.99 грн
100+	63.31 грн
500+	52.37 грн
1000+	41.35 грн
3000+	37.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	86.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 11016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.44 грн
10+	65.08 грн
100+	50.61 грн
500+	40.26 грн
1000+	32.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	39.97 грн
25+	39.67 грн
100+	36.35 грн
250+	33.43 грн
500+	31.69 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.12 грн
10+	86.34 грн
100+	62.90 грн
500+	50.78 грн
1000+	39.98 грн
3000+	38.17 грн
6000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.17 грн
6000+	31.33 грн
9000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.90 грн
500+	50.78 грн
1000+	39.98 грн
3000+	38.17 грн
6000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.23 грн
500+	62.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.61 грн
10+	70.35 грн
100+	58.15 грн
500+	46.99 грн
1000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.68 грн
10+	109.20 грн
100+	73.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	59.09 грн
25+	58.71 грн
50+	56.14 грн
100+	48.77 грн
250+	46.52 грн
500+	44.05 грн
1000+	43.63 грн
3000+	43.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIJ392

SOP-8

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ400DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.97 грн
10+	103.29 грн
100+	82.19 грн
500+	65.26 грн
1000+	55.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.21 грн
6000+	53.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.58 грн
10+	111.08 грн
100+	76.97 грн
250+	70.86 грн
500+	64.37 грн
1000+	58.33 грн
3000+	50.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 10708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.54 грн
10+	96.76 грн
100+	65.66 грн
500+	49.13 грн
1000+	47.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.29 грн
6000+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.92 грн
10+	147.29 грн
100+	119.36 грн
500+	94.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.51 грн
10+	104.14 грн
100+	61.73 грн
500+	49.20 грн
1000+	46.33 грн
3000+	40.07 грн
6000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.24 грн
10+	96.53 грн
100+	68.35 грн
500+	51.23 грн
1000+	49.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 34807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.02 грн
10+	110.21 грн
100+	78.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 10973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.32 грн
10+	64.39 грн
100+	43.62 грн
500+	36.98 грн
1000+	33.35 грн
3000+	28.30 грн
6000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ4409DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 45V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.25 грн
100+	118.02 грн
500+	90.55 грн
1000+	73.12 грн
3000+	41.05 грн
9000+	40.22 грн
24000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.05 грн
10+	90.58 грн
100+	69.16 грн
500+	50.15 грн
1000+	41.79 грн
5000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.01 грн
10+	95.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.16 грн
500+	50.15 грн
1000+	41.79 грн
5000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET 30V 60A 69.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.93 грн
10+	89.38 грн
100+	62.63 грн
500+	53.05 грн
1000+	43.24 грн
3000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.45 грн
10+	96.50 грн
100+	67.89 грн
500+	50.31 грн
1000+	42.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.07 грн
10+	90.95 грн
100+	64.65 грн
500+	48.19 грн
1000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.23 грн
25+	52.14 грн
100+	47.33 грн
250+	43.72 грн
500+	41.81 грн
1000+	41.65 грн
3000+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.73 грн
10+	91.89 грн
100+	71.44 грн
500+	56.83 грн
1000+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

MOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

на замовлення 10416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.74 грн
10+	94.59 грн
100+	65.05 грн
500+	53.80 грн
1000+	46.86 грн
3000+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.57 грн
500+	53.92 грн
1000+	45.20 грн
5000+	42.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

3+	150.54 грн
10+	133.64 грн
100+	90.55 грн
500+	74.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.29 грн
10+	112.68 грн
25+	111.59 грн
100+	80.24 грн
250+	73.55 грн
500+	59.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.51 грн
10+	85.50 грн
100+	68.57 грн
500+	53.92 грн
1000+	45.20 грн
5000+	42.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.36 грн
10+	148.39 грн
100+	103.38 грн
250+	95.08 грн
500+	86.02 грн
1000+	73.72 грн
3000+	67.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.02 грн
10+	123.85 грн
25+	119.83 грн
100+	91.02 грн
250+	82.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 44373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.43 грн
10+	115.42 грн
100+	76.97 грн
250+	66.33 грн
500+	63.76 грн
1000+	59.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	79.70 грн
156+	78.90 грн
187+	65.72 грн
250+	61.57 грн
500+	49.34 грн
1000+	46.07 грн
3000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.53 грн
10+	70.12 грн
100+	57.74 грн
500+	49.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	78.46 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.66 грн
11+	80.08 грн
100+	66.03 грн
500+	49.29 грн
1000+	43.75 грн
5000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.29 грн
10+	86.72 грн
25+	85.86 грн
100+	68.71 грн
250+	61.84 грн
500+	51.05 грн
1000+	49.51 грн
3000+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

на замовлення 15597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.19 грн
10+	73.68 грн
25+	63.92 грн
100+	58.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	73.23 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

на замовлення 14403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.03 грн
500+	49.29 грн
1000+	43.75 грн
5000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ5623DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 5422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.20 грн
10+	55.49 грн
100+	43.15 грн
500+	34.33 грн
1000+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00057ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.30 грн
500+	48.18 грн
1500+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.13 грн
50+	78.56 грн
100+	62.30 грн
500+	48.18 грн
1500+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.94 грн
10+	61.87 грн
100+	41.88 грн
500+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.46 грн
10+	78.21 грн
100+	57.42 грн
500+	42.73 грн
1000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.50 грн
10+	92.85 грн
100+	55.16 грн
500+	44.22 грн
1000+	40.67 грн
3000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

4+	108.29 грн
10+	87.65 грн
100+	59.69 грн
500+	50.56 грн
1000+	41.20 грн
3000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.30 грн
10+	124.96 грн
100+	86.02 грн
250+	79.99 грн
500+	72.29 грн
1000+	67.69 грн
3000+	57.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.14 грн
10+	107.51 грн
100+	81.35 грн
500+	60.37 грн
1000+	51.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	865.41 грн
10+	771.47 грн
100+	555.39 грн
500+	483.70 грн
1000+	421.07 грн
2000+	390.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.09 грн
10+	134.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.35 грн
500+	60.37 грн
1000+	51.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

5+	86.80 грн
10+	70.29 грн
100+	47.62 грн
500+	46.86 грн
9000+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.81 грн
10+	63.36 грн
100+	49.26 грн
500+	39.19 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.02 грн
10+	55.65 грн
100+	43.32 грн
500+	34.46 грн
1000+	28.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.18 грн
500+	37.73 грн
1000+	27.50 грн
5000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.92 грн
10+	73.33 грн
100+	52.37 грн
500+	46.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.18 грн
15+	56.80 грн
100+	49.18 грн
500+	37.73 грн
1000+	27.50 грн
5000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	39.13 грн
19+	37.48 грн
100+	34.60 грн
500+	31.88 грн
1000+	28.41 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

5+	82.75 грн
10+	72.89 грн
100+	49.43 грн
500+	40.82 грн
1000+	32.30 грн
3000+	31.01 грн
9000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.39 грн
10+	70.06 грн
25+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	57.70 грн
100+	39.92 грн
500+	31.30 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	246.03 грн
500+	176.32 грн
2000+	170.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.19 грн
10+	269.88 грн
100+	178.09 грн
500+	172.05 грн
1000+	159.98 грн
2000+	147.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 4048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.73 грн
10+	245.48 грн
100+	187.85 грн
500+	147.84 грн
1000+	140.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	402.09 грн
10+	324.21 грн
25+	294.59 грн
100+	246.03 грн
500+	176.32 грн
2000+	170.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH400E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.61 грн
10+	368.81 грн
100+	259.58 грн
500+	230.91 грн
1000+	223.36 грн
2000+	189.41 грн

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 369-378 дні (днів)

2+	238.58 грн
10+	211.74 грн
100+	147.90 грн
500+	128.28 грн
4000+	123.76 грн
10000+	93.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 0.0016 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	355.53 грн
100+	262.42 грн
500+	212.23 грн
1000+	194.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.37 грн
10+	406.13 грн
25+	333.54 грн
100+	286.00 грн
250+	269.39 грн
500+	253.55 грн
1000+	216.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	515.53 грн
10+	355.53 грн
100+	262.42 грн
500+	212.23 грн
1000+	194.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

1+	514.14 грн
10+	425.22 грн
25+	349.38 грн
100+	299.58 грн
250+	282.98 грн
500+	265.62 грн
1000+	227.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

на замовлення 1862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.99 грн
10+	348.77 грн
100+	254.01 грн
500+	200.50 грн
1000+	199.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.82 грн
10+	339.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 4025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	474.26 грн
10+	383.20 грн
100+	309.97 грн
500+	258.57 грн
1000+	221.40 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.02 грн
10+	426.09 грн
25+	350.14 грн
100+	300.33 грн
250+	283.73 грн
500+	266.38 грн
1000+	239.96 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	339.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	230.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	416.48 грн
50+	334.86 грн
100+	260.48 грн
250+	255.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	500.14 грн
29+	429.69 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.69 грн
10+	424.35 грн
25+	352.40 грн
100+	307.88 грн
250+	298.07 грн
500+	272.41 грн
1000+	259.58 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	562.08 грн
5+	489.28 грн
10+	416.48 грн
50+	334.86 грн
100+	260.48 грн
250+	255.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	535.87 грн
10+	460.74 грн
25+	460.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	593.43 грн
10+	387.76 грн
100+	283.53 грн
500+	226.03 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	408.02 грн
10+	296.28 грн
100+	216.71 грн
500+	171.36 грн
1000+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 80V

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.18 грн
10+	305.46 грн
25+	262.60 грн
100+	196.20 грн
500+	177.33 грн
1000+	159.22 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	216.71 грн
500+	171.36 грн
1000+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 2316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.90 грн
10+	287.77 грн
100+	232.81 грн
500+	194.21 грн
1000+	166.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	472.63 грн
10+	349.16 грн
25+	322.62 грн
100+	275.44 грн
250+	262.40 грн
500+	254.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.63 грн
10+	428.69 грн
100+	310.14 грн
500+	279.96 грн
1500+	279.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 417A

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.48 грн
10+	352.32 грн
100+	248.26 грн
500+	220.34 грн
1000+	188.65 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	457.93 грн
10+	337.45 грн
25+	311.71 грн
100+	265.98 грн
250+	253.32 грн
500+	245.69 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3