Продукція > SIJ

SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.36 грн
10+	106.97 грн
100+	80.37 грн
500+	66.08 грн
1000+	55.29 грн
9000+	47.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

на замовлення 18611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.09 грн
500+	44.88 грн
1000+	38.57 грн
5000+	36.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.05 грн
10+	90.71 грн
100+	62.43 грн
500+	51.64 грн
1000+	40.78 грн
3000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.01 грн
10+	85.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.69 грн
6000+	30.90 грн
9000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.68 грн
10+	85.15 грн
100+	62.02 грн
500+	50.07 грн
1000+	39.42 грн
3000+	37.64 грн
6000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 11016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.30 грн
10+	64.18 грн
100+	49.91 грн
500+	39.71 грн
1000+	32.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.55 грн
25+	34.30 грн
100+	31.43 грн
250+	28.90 грн
500+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.02 грн
500+	50.07 грн
1000+	39.42 грн
3000+	37.64 грн
6000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.13 грн
500+	61.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.09 грн
25+	50.76 грн
50+	48.54 грн
100+	42.16 грн
250+	40.22 грн
500+	38.09 грн
1000+	37.72 грн
3000+	37.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.44 грн
10+	107.69 грн
100+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	69.38 грн
100+	57.35 грн
500+	46.34 грн
1000+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ392

SOP-8

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ400DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.40 грн
6000+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.18 грн
10+	101.85 грн
100+	81.05 грн
500+	64.36 грн
1000+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	109.54 грн
100+	75.90 грн
250+	69.87 грн
500+	63.47 грн
1000+	57.52 грн
3000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.67 грн
6000+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.62 грн
10+	100.98 грн
100+	69.87 грн
500+	59.08 грн
1000+	48.15 грн
3000+	44.50 грн
6000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 m¿ @ 10V m¿ @ 7.5V 1.75 m¿ @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.47 грн
10+	145.25 грн
100+	117.70 грн
500+	93.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 10708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.36 грн
10+	95.42 грн
100+	64.75 грн
500+	48.45 грн
1000+	46.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 34969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.46 грн
10+	111.25 грн
100+	69.95 грн
500+	65.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.40 грн
10+	95.19 грн
100+	67.40 грн
500+	50.52 грн
1000+	48.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V

на замовлення 11395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.74 грн
10+	65.47 грн
100+	44.35 грн
500+	37.58 грн
1000+	30.58 грн
3000+	28.80 грн
6000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ4409DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.47 грн
10+	94.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.21 грн
10+	97.67 грн
100+	82.31 грн
500+	71.16 грн
1000+	63.25 грн
5000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.31 грн
500+	71.16 грн
1000+	63.25 грн
5000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 45V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.54 грн
100+	116.38 грн
500+	89.30 грн
1000+	72.11 грн
3000+	40.48 грн
9000+	39.66 грн
24000+	36.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET 30V 60A 69.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.39 грн
10+	88.14 грн
100+	61.76 грн
500+	52.31 грн
1000+	42.64 грн
3000+	40.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.42 грн
10+	95.16 грн
100+	66.95 грн
500+	49.61 грн
1000+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.35 грн
10+	89.68 грн
100+	63.76 грн
500+	47.52 грн
1000+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.16 грн
25+	45.08 грн
100+	40.92 грн
250+	37.80 грн
500+	36.14 грн
1000+	36.01 грн
3000+	35.87 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

MOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

на замовлення 10416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.77 грн
10+	93.28 грн
100+	64.14 грн
500+	53.06 грн
1000+	46.21 грн
3000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.11 грн
10+	90.61 грн
100+	70.45 грн
500+	56.04 грн
1000+	45.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.38 грн
10+	97.42 грн
25+	96.48 грн
100+	69.37 грн
250+	63.59 грн
500+	51.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.02 грн
10+	84.31 грн
100+	67.62 грн
500+	53.17 грн
1000+	44.58 грн
5000+	42.00 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

3+	148.46 грн
10+	131.79 грн
100+	89.30 грн
500+	73.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.62 грн
500+	53.17 грн
1000+	44.58 грн
5000+	42.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.84 грн
10+	146.33 грн
100+	101.95 грн
250+	93.76 грн
500+	84.83 грн
1000+	72.70 грн
3000+	66.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 44373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.03 грн
10+	113.82 грн
100+	75.90 грн
250+	65.41 грн
500+	62.88 грн
1000+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	120.20 грн
10+	107.08 грн
25+	103.60 грн
100+	78.70 грн
250+	71.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	67.83 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.74 грн
10+	99.34 грн
100+	74.29 грн
500+	51.08 грн
1000+	44.65 грн
5000+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

на замовлення 15597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.99 грн
10+	72.65 грн
25+	63.03 грн
100+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.03 грн
10+	74.98 грн
25+	74.23 грн
100+	59.41 грн
250+	53.46 грн
500+	44.14 грн
1000+	42.81 грн
3000+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	73.05 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

на замовлення 14450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.29 грн
500+	51.08 грн
1000+	44.65 грн
5000+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.33 грн
10+	69.14 грн
100+	56.93 грн
500+	48.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	79.51 грн
156+	78.71 грн
187+	65.56 грн
250+	61.42 грн
500+	49.23 грн
1000+	45.96 грн
3000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.53 грн
50+	77.47 грн
100+	61.44 грн
500+	47.52 грн
1500+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 5422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.23 грн
10+	54.73 грн
100+	42.56 грн
500+	33.85 грн
1000+	33.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.88 грн
10+	61.02 грн
100+	41.30 грн
500+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.44 грн
500+	47.52 грн
1500+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.51 грн
10+	91.57 грн
100+	54.40 грн
500+	43.61 грн
1000+	40.11 грн
3000+	36.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.89 грн
10+	77.13 грн
100+	56.62 грн
500+	42.14 грн
1000+	39.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

4+	106.78 грн
10+	86.43 грн
100+	58.86 грн
500+	49.86 грн
1000+	40.63 грн
3000+	38.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.08 грн
10+	106.02 грн
100+	80.22 грн
500+	59.53 грн
1000+	50.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.19 грн
10+	123.23 грн
100+	84.83 грн
250+	78.88 грн
500+	71.29 грн
1000+	66.75 грн
3000+	56.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.94 грн
10+	132.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	853.40 грн
10+	760.77 грн
100+	547.69 грн
500+	476.99 грн
1000+	415.23 грн
2000+	385.46 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.22 грн
500+	59.53 грн
1000+	50.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.69 грн
10+	62.48 грн
100+	48.58 грн
500+	38.64 грн
1000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

5+	85.60 грн
10+	69.32 грн
100+	46.96 грн
500+	46.21 грн
9000+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.20 грн
15+	56.01 грн
100+	48.50 грн
500+	37.21 грн
1000+	27.12 грн
5000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.68 грн
10+	72.31 грн
100+	51.64 грн
500+	45.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.03 грн
10+	54.88 грн
100+	42.72 грн
500+	33.98 грн
1000+	27.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.83 грн
19+	32.40 грн
100+	29.92 грн
500+	27.56 грн
1000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.50 грн
500+	37.21 грн
1000+	27.12 грн
5000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

5+	81.61 грн
10+	71.88 грн
100+	48.74 грн
500+	40.26 грн
1000+	31.85 грн
3000+	30.58 грн
9000+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.42 грн
10+	56.90 грн
100+	39.36 грн
500+	30.87 грн
1000+	26.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.09 грн
10+	60.58 грн
25+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	242.62 грн
500+	173.87 грн
2000+	168.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 4048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.91 грн
10+	242.08 грн
100+	185.24 грн
500+	145.79 грн
1000+	138.64 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	341.19 грн
10+	285.82 грн
25+	241.84 грн
100+	202.41 грн
250+	197.20 грн
500+	182.31 грн
1000+	157.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	396.52 грн
10+	319.72 грн
25+	290.50 грн
100+	242.62 грн
500+	173.87 грн
2000+	168.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	153.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 369-378 дні (днів)

2+	235.27 грн
10+	208.81 грн
100+	145.85 грн
500+	126.50 грн
4000+	122.04 грн
10000+	92.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 0.0016 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	508.38 грн
10+	350.60 грн
100+	258.78 грн
500+	209.29 грн
1000+	191.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.57 грн
10+	400.50 грн
25+	328.91 грн
100+	282.03 грн
250+	265.66 грн
500+	250.03 грн
1000+	213.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	350.60 грн
100+	258.78 грн
500+	209.29 грн
1000+	191.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

1+	507.01 грн
10+	419.32 грн
25+	344.54 грн
100+	295.42 грн
250+	279.05 грн
500+	261.94 грн
1000+	224.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

на замовлення 1862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	503.90 грн
10+	343.93 грн
100+	250.49 грн
500+	197.72 грн
1000+	197.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.87 грн
10+	420.18 грн
25+	345.28 грн
100+	296.17 грн
250+	279.80 грн
500+	262.68 грн
1000+	236.64 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	474.15 грн
10+	334.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 4025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.68 грн
10+	377.88 грн
100+	305.67 грн
500+	254.98 грн
1000+	218.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	227.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	334.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.29 грн
5+	482.50 грн
10+	410.71 грн
50+	330.21 грн
100+	256.87 грн
250+	251.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	585.20 грн
10+	382.38 грн
100+	279.60 грн
500+	222.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.30 грн
10+	398.35 грн
25+	398.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.72 грн
10+	418.47 грн
25+	347.51 грн
100+	303.61 грн
250+	293.93 грн
500+	268.63 грн
1000+	255.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	410.71 грн
50+	330.21 грн
100+	256.87 грн
250+	251.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	498.94 грн
29+	428.66 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	402.36 грн
10+	292.17 грн
100+	213.70 грн
500+	168.98 грн
1000+	148.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 2316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.96 грн
10+	283.78 грн
100+	229.58 грн
500+	191.52 грн
1000+	163.99 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	213.70 грн
500+	168.98 грн
1000+	148.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 80V

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.38 грн
10+	301.23 грн
25+	258.96 грн
100+	193.48 грн
500+	174.87 грн
1000+	157.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.24 грн
10+	422.74 грн
100+	305.84 грн
500+	276.08 грн
1500+	275.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.07 грн
10+	344.32 грн
25+	318.15 грн
100+	271.62 грн
250+	258.76 грн
500+	251.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	257.81 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 417A

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.60 грн
10+	383.38 грн
100+	270.12 грн
500+	240.36 грн
1000+	205.38 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3