Продукція > SIJ

SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.62 грн
500+	46.15 грн
1000+	39.66 грн
5000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.01 грн
10+	109.99 грн
100+	82.64 грн
500+	67.94 грн
1000+	56.85 грн
9000+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.44 грн
15+	60.43 грн
100+	55.62 грн
500+	46.15 грн
1000+	39.66 грн
5000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.01 грн
10+	93.27 грн
100+	64.20 грн
500+	53.10 грн
1000+	41.93 грн
3000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.80 грн
10+	87.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	39.58 грн
25+	39.29 грн
100+	36.00 грн
250+	33.11 грн
500+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.58 грн
10+	87.55 грн
100+	63.77 грн
500+	51.49 грн
1000+	40.54 грн
3000+	38.70 грн
6000+	36.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.64 грн
6000+	31.77 грн
9000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.77 грн
500+	51.49 грн
1000+	40.54 грн
3000+	38.70 грн
6000+	36.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 11016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.60 грн
10+	65.99 грн
100+	51.32 грн
500+	40.83 грн
1000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.94 грн
10+	110.72 грн
100+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	58.52 грн
25+	58.14 грн
50+	55.60 грн
100+	48.30 грн
250+	46.07 грн
500+	43.63 грн
1000+	43.21 грн
3000+	42.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.34 грн
500+	62.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.87 грн
10+	71.33 грн
100+	58.96 грн
500+	47.65 грн
1000+	45.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ392

SOP-8

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ400DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.44 грн
500+	51.49 грн
1000+	46.20 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.02 грн
6000+	54.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.93 грн
10+	101.28 грн
100+	69.44 грн
500+	51.49 грн
1000+	46.20 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.77 грн
10+	104.73 грн
100+	83.34 грн
500+	66.17 грн
1000+	56.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4108DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.47 грн
10+	112.63 грн
100+	78.04 грн
250+	71.85 грн
500+	65.27 грн
1000+	59.15 грн
3000+	51.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.91 грн
6000+	41.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.82 грн
10+	105.59 грн
100+	62.59 грн
500+	49.89 грн
1000+	46.98 грн
3000+	40.63 грн
6000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.39 грн
10+	149.35 грн
100+	121.02 грн
500+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 10708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.74 грн
10+	98.11 грн
100+	66.58 грн
500+	49.82 грн
1000+	47.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 34807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.08 грн
10+	111.75 грн
100+	79.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	97.87 грн
100+	69.30 грн
500+	51.95 грн
1000+	50.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4406DP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 10973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	65.29 грн
100+	44.23 грн
500+	37.49 грн
1000+	33.82 грн
3000+	28.69 грн
6000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ4409DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.56 грн
10+	96.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.02 грн
11+	82.23 грн
100+	64.29 грн
500+	46.79 грн
1000+	39.95 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 29960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.29 грн
500+	46.79 грн
1000+	39.95 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ450DP-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 45V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.97 грн
100+	119.67 грн
500+	91.82 грн
1000+	74.14 грн
3000+	41.62 грн
9000+	40.78 грн
24000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET 30V 60A 69.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.48 грн
10+	90.63 грн
100+	63.51 грн
500+	53.79 грн
1000+	43.84 грн
3000+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.49 грн
10+	97.85 грн
100+	68.84 грн
500+	51.01 грн
1000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.81 грн
10+	92.22 грн
100+	65.56 грн
500+	48.86 грн
1000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	51.73 грн
25+	51.64 грн
100+	46.87 грн
250+	43.30 грн
500+	41.40 грн
1000+	41.25 грн
3000+	41.08 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

MOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

на замовлення 9731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.79 грн
10+	102.07 грн
100+	62.05 грн
500+	49.50 грн
1000+	48.28 грн
3000+	42.92 грн
6000+	41.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	93.17 грн
100+	72.44 грн
500+	57.62 грн
1000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.52 грн
500+	54.68 грн
1000+	45.84 грн
5000+	43.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.02 грн
10+	111.59 грн
25+	110.52 грн
100+	79.47 грн
250+	72.85 грн
500+	59.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

на замовлення 8130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.01 грн
10+	86.69 грн
100+	69.52 грн
500+	54.68 грн
1000+	45.84 грн
5000+	43.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

3+	152.65 грн
10+	135.51 грн
100+	91.82 грн
500+	75.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.89 грн
10+	150.47 грн
100+	104.82 грн
250+	96.41 грн
500+	87.23 грн
1000+	74.75 грн
3000+	68.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -145A
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -62A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 145W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ4819DP-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.69 грн
10+	122.66 грн
25+	118.68 грн
100+	90.15 грн
250+	82.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 44373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.86 грн
10+	117.03 грн
100+	78.04 грн
250+	67.26 грн
500+	64.65 грн
1000+	60.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJ484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.99 грн
11+	81.20 грн
100+	66.95 грн
500+	49.97 грн
1000+	44.36 грн
5000+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	104.27 грн
10+	85.89 грн
25+	85.03 грн
100+	68.05 грн
250+	61.24 грн
500+	50.56 грн
1000+	49.03 грн
3000+	47.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

на замовлення 15579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.93 грн
10+	68.63 грн
3000+	59.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	72.52 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

на замовлення 14403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.95 грн
500+	49.97 грн
1000+	44.36 грн
5000+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	78.94 грн
156+	78.14 грн
187+	65.09 грн
250+	60.98 грн
500+	48.87 грн
1000+	45.63 грн
3000+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.87 грн
10+	57.86 грн
100+	51.60 грн
500+	48.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	77.70 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJ5623DP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJ800DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00057ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.73 грн
50+	79.65 грн
100+	63.17 грн
500+	48.86 грн
1500+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.02 грн
10+	62.74 грн
100+	42.47 грн
500+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 5422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.18 грн
10+	56.27 грн
100+	43.76 грн
500+	34.80 грн
1000+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA22DP-T1-GE3

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.17 грн
500+	48.86 грн
1500+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.50 грн
10+	94.15 грн
100+	55.93 грн
500+	44.84 грн
1000+	41.24 грн
3000+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	79.30 грн
100+	58.22 грн
500+	43.33 грн
1000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

4+	109.80 грн
10+	88.87 грн
100+	60.52 грн
500+	51.26 грн
1000+	41.78 грн
3000+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.21 грн
10+	109.01 грн
100+	82.49 грн
500+	61.21 грн
1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	877.49 грн
10+	782.24 грн
100+	563.15 грн
500+	490.46 грн
1000+	426.95 грн
2000+	396.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.26 грн
10+	135.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.49 грн
500+	61.21 грн
1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.43 грн
10+	126.71 грн
100+	87.23 грн
250+	81.11 грн
500+	73.30 грн
1000+	68.63 грн
3000+	58.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

5+	88.02 грн
10+	71.27 грн
100+	48.28 грн
500+	47.52 грн
9000+	46.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.94 грн
10+	64.24 грн
100+	49.95 грн
500+	39.74 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	71.16 грн
15+	57.59 грн
100+	49.87 грн
500+	38.26 грн
1000+	27.88 грн
5000+	27.30 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	38.75 грн
19+	37.12 грн
100+	34.27 грн
500+	31.57 грн
1000+	28.13 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	56.43 грн
100+	43.92 грн
500+	34.94 грн
1000+	28.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.87 грн
500+	38.26 грн
1000+	27.88 грн
5000+	27.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	74.35 грн
100+	53.10 грн
500+	46.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

5+	83.91 грн
10+	73.91 грн
100+	50.12 грн
500+	41.39 грн
1000+	32.75 грн
3000+	31.45 грн
9000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.58 грн
10+	69.39 грн
25+	68.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.35 грн
10+	58.50 грн
100+	40.47 грн
500+	31.74 грн
1000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	249.47 грн
500+	178.78 грн
2000+	172.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	354.39 грн
10+	267.49 грн
100+	172.16 грн
500+	166.80 грн
1000+	160.68 грн
2000+	149.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 3136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.01 грн
10+	249.79 грн
100+	178.97 грн
500+	162.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	407.71 грн
10+	328.74 грн
25+	298.70 грн
100+	249.47 грн
500+	178.78 грн
2000+	172.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	146.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH400E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.43 грн
10+	373.96 грн
100+	263.21 грн
500+	234.13 грн
1000+	226.48 грн
2000+	192.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 369-378 дні (днів)

2+	241.91 грн
10+	214.70 грн
100+	149.97 грн
500+	130.07 грн
4000+	125.48 грн
10000+	94.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	497.22 грн
10+	411.80 грн
25+	338.19 грн
100+	289.99 грн
250+	273.16 грн
500+	257.09 грн
1000+	219.60 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 0.0016 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	522.72 грн
10+	360.50 грн
100+	266.08 грн
500+	215.20 грн
1000+	197.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5100E-T1-GE3

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.50 грн
100+	266.08 грн
500+	215.20 грн
1000+	197.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

на замовлення 1862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	518.13 грн
10+	353.64 грн
100+	257.56 грн
500+	203.30 грн
1000+	202.58 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

1+	521.32 грн
10+	431.16 грн
25+	354.26 грн
100+	303.76 грн
250+	286.93 грн
500+	269.33 грн
1000+	231.07 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5700E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 0.00135 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	478.95 грн
10+	383.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 4025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	480.88 грн
10+	388.55 грн
100+	314.30 грн
500+	262.18 грн
1000+	224.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.21 грн
10+	432.04 грн
25+	355.03 грн
100+	304.53 грн
250+	287.69 грн
500+	270.10 грн
1000+	243.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	233.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIJH5800E-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.93 грн
5+	496.12 грн
10+	422.30 грн
50+	339.53 грн
100+	264.12 грн
250+	258.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	530.71 грн
10+	456.31 грн
25+	455.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.72 грн
10+	393.17 грн
100+	287.49 грн
500+	229.19 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	495.33 грн
29+	425.56 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	422.30 грн
50+	339.53 грн
100+	264.12 грн
250+	258.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.71 грн
10+	430.28 грн
25+	357.32 грн
100+	312.18 грн
250+	302.23 грн
500+	276.22 грн
1000+	263.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH600E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.72 грн
10+	300.42 грн
100+	219.73 грн
500+	173.75 грн
1000+	153.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 80V

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	424.02 грн
10+	309.73 грн
25+	266.27 грн
100+	198.94 грн
500+	179.81 грн
1000+	161.45 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 2316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.87 грн
10+	291.79 грн
100+	236.06 грн
500+	196.92 грн
1000+	168.61 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	219.73 грн
500+	173.75 грн
1000+	153.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJH800E-T1-GE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.06 грн
10+	434.68 грн
100+	314.47 грн
500+	283.87 грн
1500+	283.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK140E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V

на замовлення 1365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.23 грн
10+	354.04 грн
25+	327.13 грн
100+	279.29 грн
250+	266.07 грн
500+	258.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	265.09 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 417A

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.01 грн
10+	357.25 грн
100+	251.73 грн
500+	237.19 грн
1500+	201.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SIJK5100E-T1-GE3