Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147271) > Сторінка 2405 з 2455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2407 2408 2409 2410 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS36 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8336EF0D4460C4&compId=SS32_SS39.pdf?ci_sign=8fa34ffef8d0a5973b77e4f15c0e2810f8a6bada Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
15+27.06 грн
43+21.02 грн
118+19.88 грн
250+19.57 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TL431AIDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.27 грн
10+59.17 грн
22+42.05 грн
59+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ14DTT1G NL27WZ14DTT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9EA0C7&compId=NL27WZ14DTT1G.pdf?ci_sign=0ebe6fe7f41059d6227136d2abd3695b54e64249 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
23+17.05 грн
100+10.55 грн
106+8.49 грн
291+8.03 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4937RLG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.35 грн
46+8.41 грн
54+7.11 грн
80+4.82 грн
100+4.13 грн
250+3.41 грн
283+3.20 грн
776+3.02 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 MPSA42 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16ACED0932469&compId=MMBTA42.pdf?ci_sign=d0f278944933b99d2d9c5920cc335dd65965ed04 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.58 грн
33+11.93 грн
100+6.96 грн
147+6.12 грн
250+5.89 грн
404+5.73 грн
500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N4733A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4B5AFD73EB740D8&compId=1N47xxA.PDF?ci_sign=d27c4835f1cef0a530570e114d214d5552b2fa0d Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.47 грн
40+9.56 грн
50+7.68 грн
100+4.67 грн
342+2.63 грн
940+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N4749A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.29 грн
34+11.31 грн
54+7.13 грн
100+5.77 грн
341+2.65 грн
938+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: bulk
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
12+34.55 грн
50+26.83 грн
55+16.59 грн
149+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G BAS16WT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EE0036B80571820&compId=BAS16WT1G.pdf?ci_sign=68e54bf49620bf2cda0f2b8f48e08b210297a036 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ifsm: 0.5A; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.59 грн
99+3.90 грн
178+2.16 грн
500+1.48 грн
869+1.04 грн
2390+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G BAS16XV2T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78687E4881AB08745&compId=BAS16XV2.PDF?ci_sign=14cf2b7553c29023cd19cf4050c29cf74a8f5740 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+6.81 грн
97+3.98 грн
125+3.06 грн
142+2.71 грн
583+1.54 грн
1603+1.46 грн
3000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G BAS16XV2T5G ONSEMI bas16xv2t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.06 грн
68+5.66 грн
123+3.12 грн
408+2.21 грн
500+2.19 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G NCP5181DR2G ONSEMI ncp5181-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.96 грн
5+108.56 грн
10+90.97 грн
28+86.39 грн
500+83.33 грн
1000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G SMUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.01 грн
40+10.70 грн
100+9.48 грн
110+8.41 грн
295+7.95 грн
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G
+1
 		MC74VHC1G04DTT1G ONSEMI mc74vhc1g04-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHC
Number of inputs: 1
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.23 грн
61+6.27 грн
70+5.50 грн
100+5.07 грн
191+4.72 грн
500+4.57 грн
523+4.47 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C FDG6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF0FBFC9717E28&compId=FDG6321C.pdf?ci_sign=ea81cc972a40e509f7b2a6e9a8dec1970a636b79 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 720/1800mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.81 грн
13+29.82 грн
62+14.68 грн
168+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G BAT54LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890AF7BE50B39B3D3&compId=BAT54L.pdf?ci_sign=064d94560ec27286bce7f7c2c3cba8c176530655 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7.6pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 0.52V
Reverse recovery time: 5ns
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.15 грн
107+3.59 грн
145+2.65 грн
169+2.27 грн
739+1.22 грн
1500+1.19 грн
2032+1.15 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG MC1413BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F8427E3C0F4C469&compId=MC1413BDG.PDF?ci_sign=e737d51d4eaf8f18d72f80713685830a5df7b71c Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G NL27WZ07DTT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9AC0C7&compId=NL27WZ07DTT1G.pdf?ci_sign=6cada46b653a0bff601492ead9202806f539754b Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.63 грн
32+12.23 грн
100+10.24 грн
104+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5C6EC3E21820&compId=FXL5T244BQX.pdf?ci_sign=fed9a666948440c6f6a9052f8a81317c879ebaa7 Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Number of inputs: 5
Number of outputs: 5
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DQFN14
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.92 грн
10+51.22 грн
25+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3B58CC4595EA&compId=ES3J.pdf?ci_sign=93ab53866dcb3ff171e1b0f6a58dc0dfcd60c637 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
16+25.38 грн
60+15.21 грн
163+14.37 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG MBR20L45CTG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A11F5AAB89A143&compId=MBR20L45CTG.pdf?ci_sign=76a44709c3eabd10282116ab097fb12237ace48c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8336EF0D4460C4&compId=SS32_SS39.pdf?ci_sign=8fa34ffef8d0a5973b77e4f15c0e2810f8a6bada
SS36
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
15+27.06 грн
43+21.02 грн
118+19.88 грн
250+19.57 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TL431AIDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.27 грн
10+59.17 грн
22+42.05 грн
59+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ14DTT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9EA0C7&compId=NL27WZ14DTT1G.pdf?ci_sign=0ebe6fe7f41059d6227136d2abd3695b54e64249
NL27WZ14DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
23+17.05 грн
100+10.55 грн
106+8.49 грн
291+8.03 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92
1N4937RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.35 грн
46+8.41 грн
54+7.11 грн
80+4.82 грн
100+4.13 грн
250+3.41 грн
283+3.20 грн
776+3.02 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16ACED0932469&compId=MMBTA42.pdf?ci_sign=d0f278944933b99d2d9c5920cc335dd65965ed04
MPSA42
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.58 грн
33+11.93 грн
100+6.96 грн
147+6.12 грн
250+5.89 грн
404+5.73 грн
500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4B5AFD73EB740D8&compId=1N47xxA.PDF?ci_sign=d27c4835f1cef0a530570e114d214d5552b2fa0d
1N4733A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.47 грн
40+9.56 грн
50+7.68 грн
100+4.67 грн
342+2.63 грн
940+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N47xxA.PDF
1N4749A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.29 грн
34+11.31 грн
54+7.13 грн
100+5.77 грн
341+2.65 грн
938+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: bulk
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
12+34.55 грн
50+26.83 грн
55+16.59 грн
149+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EE0036B80571820&compId=BAS16WT1G.pdf?ci_sign=68e54bf49620bf2cda0f2b8f48e08b210297a036
BAS16WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ifsm: 0.5A; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.59 грн
99+3.90 грн
178+2.16 грн
500+1.48 грн
869+1.04 грн
2390+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78687E4881AB08745&compId=BAS16XV2.PDF?ci_sign=14cf2b7553c29023cd19cf4050c29cf74a8f5740
BAS16XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+6.81 грн
97+3.98 грн
125+3.06 грн
142+2.71 грн
583+1.54 грн
1603+1.46 грн
3000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G bas16xv2t1-d.pdf
BAS16XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.06 грн
68+5.66 грн
123+3.12 грн
408+2.21 грн
500+2.19 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G ncp5181-d.pdf
NCP5181DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.96 грн
5+108.56 грн
10+90.97 грн
28+86.39 грн
500+83.33 грн
1000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
SMUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.01 грн
40+10.70 грн
100+9.48 грн
110+8.41 грн
295+7.95 грн
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G mc74vhc1g04-d.pdf
MC74VHC1G04DTT1G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHC
Number of inputs: 1
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.23 грн
61+6.27 грн
70+5.50 грн
100+5.07 грн
191+4.72 грн
500+4.57 грн
523+4.47 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF0FBFC9717E28&compId=FDG6321C.pdf?ci_sign=ea81cc972a40e509f7b2a6e9a8dec1970a636b79
FDG6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 720/1800mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.81 грн
13+29.82 грн
62+14.68 грн
168+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890AF7BE50B39B3D3&compId=BAT54L.pdf?ci_sign=064d94560ec27286bce7f7c2c3cba8c176530655
BAT54LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7.6pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 0.52V
Reverse recovery time: 5ns
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.15 грн
107+3.59 грн
145+2.65 грн
169+2.27 грн
739+1.22 грн
1500+1.19 грн
2032+1.15 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F8427E3C0F4C469&compId=MC1413BDG.PDF?ci_sign=e737d51d4eaf8f18d72f80713685830a5df7b71c
MC1413BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9AC0C7&compId=NL27WZ07DTT1G.pdf?ci_sign=6cada46b653a0bff601492ead9202806f539754b
NL27WZ07DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.63 грн
32+12.23 грн
100+10.24 грн
104+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5C6EC3E21820&compId=FXL5T244BQX.pdf?ci_sign=fed9a666948440c6f6a9052f8a81317c879ebaa7
FXL5T244BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Number of inputs: 5
Number of outputs: 5
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DQFN14
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.92 грн
10+51.22 грн
25+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3B58CC4595EA&compId=ES3J.pdf?ci_sign=93ab53866dcb3ff171e1b0f6a58dc0dfcd60c637
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
16+25.38 грн
60+15.21 грн
163+14.37 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A11F5AAB89A143&compId=MBR20L45CTG.pdf?ci_sign=76a44709c3eabd10282116ab097fb12237ace48c
MBR20L45CTG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2407 2408 2409 2410 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]