Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146947) > Сторінка 2403 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2398 2399 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2407 2408 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.43 грн
39+9.91 грн
55+6.96 грн
100+5.99 грн
205+4.45 грн
500+4.32 грн
562+4.21 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS36 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.60 грн
15+27.00 грн
43+20.97 грн
117+19.83 грн
250+19.52 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TL431AIDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Supply voltage: 4.5...18V DC
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.06 грн
10+59.03 грн
22+41.64 грн
59+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI FQA36P15.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ14DTT1G NL27WZ14DTT1G ONSEMI NL27WZ14DTT1G.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.46 грн
27+14.26 грн
123+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4937RLG ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.32 грн
46+8.39 грн
54+7.09 грн
80+4.80 грн
100+4.12 грн
250+3.40 грн
283+3.16 грн
776+2.99 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 MPSA42 ONSEMI MMBTA42.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.82 грн
28+14.11 грн
100+8.24 грн
141+6.33 грн
389+5.95 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N4733A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.43 грн
40+9.53 грн
50+7.66 грн
100+4.66 грн
340+2.62 грн
935+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N4749A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.25 грн
34+11.29 грн
54+7.11 грн
100+5.76 грн
338+2.64 грн
929+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: bulk
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N ONSEMI FDG6335N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.21 грн
12+34.47 грн
50+26.77 грн
55+16.47 грн
149+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G BAS16WT1G ONSEMI BAS16WT1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ifsm: 0.5A; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.39 грн
82+4.65 грн
150+2.55 грн
500+1.76 грн
834+1.07 грн
2293+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G BAS16XV2T1G ONSEMI BAS16XV2.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+6.79 грн
97+3.97 грн
125+3.05 грн
142+2.70 грн
579+1.54 грн
1590+1.46 грн
3000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G BAS16XV2T5G ONSEMI bas16xv2t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.03 грн
68+5.64 грн
123+3.11 грн
408+2.19 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G NCP5181DR2G ONSEMI ncp5181-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.66 грн
5+108.30 грн
10+92.28 грн
28+86.94 грн
250+86.18 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G SMUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.98 грн
40+10.68 грн
100+9.46 грн
110+8.39 грн
295+7.93 грн
3000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G
+1
 		MC74VHC1G04DTT1G ONSEMI mc74vhc1g04-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Kind of gate: NOT
Number of inputs: 1
Family: VHC
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.21 грн
61+6.25 грн
70+5.49 грн
100+5.06 грн
190+4.71 грн
500+4.56 грн
520+4.46 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C FDG6321C ONSEMI FDG6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.71 грн
13+29.74 грн
61+14.64 грн
167+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G BAT54LT1G ONSEMI BAT54L.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.52V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 7.6pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 12938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.14 грн
107+3.58 грн
145+2.64 грн
169+2.27 грн
734+1.22 грн
1500+1.19 грн
2016+1.15 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG MC1413BDG ONSEMI MC1413BDG.PDF Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G NL27WZ07DTT1G ONSEMI NL27WZ07DTT1G.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.59 грн
32+12.20 грн
100+10.22 грн
104+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX ONSEMI FXL5T244BQX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Number of inputs: 5
Number of outputs: 5
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DQFN14
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.45 грн
10+61.01 грн
17+55.48 грн
45+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.92 грн
16+25.32 грн
59+15.18 грн
162+14.34 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.43 грн
39+9.91 грн
55+6.96 грн
100+5.99 грн
205+4.45 грн
500+4.32 грн
562+4.21 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Maximum output current: 0.1A
Operating voltage: 2.495...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS32_SS39.pdf
SS36
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.60 грн
15+27.00 грн
43+20.97 грн
117+19.83 грн
250+19.52 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TL431AIDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Number of channels: 1
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Supply voltage: 4.5...18V DC
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.06 грн
10+59.03 грн
22+41.64 грн
59+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15.pdf
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ14DTT1G NL27WZ14DTT1G.pdf
NL27WZ14DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.46 грн
27+14.26 грн
123+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4933_7.PDF
1N4937RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.32 грн
46+8.39 грн
54+7.09 грн
80+4.80 грн
100+4.12 грн
250+3.40 грн
283+3.16 грн
776+2.99 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 MMBTA42.pdf
MPSA42
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.82 грн
28+14.11 грн
100+8.24 грн
141+6.33 грн
389+5.95 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N47xxA.PDF
1N4733A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.43 грн
40+9.53 грн
50+7.66 грн
100+4.66 грн
340+2.62 грн
935+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N47xxA.PDF
1N4749A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.25 грн
34+11.29 грн
54+7.11 грн
100+5.76 грн
338+2.64 грн
929+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G 1N4933_7.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: bulk
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N.pdf
FDG6335N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.21 грн
12+34.47 грн
50+26.77 грн
55+16.47 грн
149+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G BAS16WT1G.pdf
BAS16WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ifsm: 0.5A; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.39 грн
82+4.65 грн
150+2.55 грн
500+1.76 грн
834+1.07 грн
2293+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G BAS16XV2.PDF
BAS16XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+6.79 грн
97+3.97 грн
125+3.05 грн
142+2.70 грн
579+1.54 грн
1590+1.46 грн
3000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G bas16xv2t1-d.pdf
BAS16XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.03 грн
68+5.64 грн
123+3.11 грн
408+2.19 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G ncp5181-d.pdf
NCP5181DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.66 грн
5+108.30 грн
10+92.28 грн
28+86.94 грн
250+86.18 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
SMUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.98 грн
40+10.68 грн
100+9.46 грн
110+8.39 грн
295+7.93 грн
3000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G mc74vhc1g04-d.pdf
MC74VHC1G04DTT1G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Kind of gate: NOT
Number of inputs: 1
Family: VHC
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.21 грн
61+6.25 грн
70+5.49 грн
100+5.06 грн
190+4.71 грн
500+4.56 грн
520+4.46 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C FDG6321C.pdf
FDG6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.71 грн
13+29.74 грн
61+14.64 грн
167+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G BAT54L.pdf
BAT54LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.52V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 7.6pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 12938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.14 грн
107+3.58 грн
145+2.64 грн
169+2.27 грн
734+1.22 грн
1500+1.19 грн
2016+1.15 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG MC1413BDG.PDF
MC1413BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G NL27WZ07DTT1G.pdf
NL27WZ07DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; TSOP6; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.59 грн
32+12.20 грн
100+10.22 грн
104+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX.pdf
FXL5T244BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Number of inputs: 5
Number of outputs: 5
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DQFN14
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.45 грн
10+61.01 грн
17+55.48 грн
45+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.92 грн
16+25.32 грн
59+15.18 грн
162+14.34 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2398 2399 2400 2401 2402 2403 2404 2405 2406 2407 2408 2450  [ Наступна Сторінка >> ]