Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144168) > Сторінка 2403 з 2403

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1920 2160 2398 2399 2400 2401 2402 2403
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2907A MMBT2907A ONSEMI MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G ONSEMI nss40501uw3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G ONSEMI nss40500uw3-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M 6N137M ONSEMI 6N137.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: gate; CTR@If: 19-50%@16mA; 1Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: gate
Transfer rate: 1Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 75ns
CTR@If: 19-50%@16mA
Slew rate: 2.5kV/μs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X NC7SZ74L8X ONSEMI NC7SZ74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; UQFN8; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: UQFN8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.10 грн
28+15.61 грн
31+14.00 грн
36+12.05 грн
100+10.01 грн
250+9.59 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS3100T3G MBRS3100T3G ONSEMI MBRS3100T3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.62V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.37 грн
18+24.43 грн
20+21.89 грн
50+17.99 грн
100+17.05 грн
500+15.36 грн
1000+14.17 грн
2500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM ONSEMI CNY17F4TVM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.37 грн
26+16.80 грн
31+13.83 грн
100+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M ONSEMI CNY171M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.17 грн
18+24.77 грн
26+16.46 грн
100+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.91 грн
5+105.20 грн
25+93.32 грн
100+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2545CTG MBRF2545CTG ONSEMI mbrf2545ct-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 12.5Ax2; TO220FP; tube
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 12.5A x2
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 150A
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.53 грн
5+99.26 грн
10+78.90 грн
50+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS39 SS39 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 90V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.91 грн
10+45.30 грн
11+42.25 грн
25+38.01 грн
100+31.48 грн
250+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54CTT1G SBAT54CTT1G ONSEMI bat54ctt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582 ONSEMI FDS2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 ONSEMI fdms86202-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 ONSEMI fdms86202et120-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
H11G2M H11G2M ONSEMI H11G2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Mounting: THT
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: DIP6
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
11+40.55 грн
13+33.85 грн
25+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G ONSEMI MJF44H11G-DTE.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.62 грн
5+105.20 грн
10+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11G1SR2M H11G1SR2M ONSEMI H11G1SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 100V
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 100V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: Gull wing 6
Kind of output: transistor
Type of optocoupler: optocoupler
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
H11G2SR2M ONSEMI H11G1M-D.PDF Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Manufacturer series: H11G_
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 1000%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: PDIP6
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 0.1ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTG ONSEMI NXH020U90MNF2PTG.PDF Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM20
Gate-source voltage: -8...18V
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 352W
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHG ONSEMI nxh003p120m3f2pthg-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 350A
Pulsed drain current: 700A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 979W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG ONSEMI nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 338A
Pulsed drain current: 676A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1098W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG ONSEMI nxh003p120m3f2ptng-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 435A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 435A
Pulsed drain current: 870A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1482W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG ONSEMI nxh006p120m3f2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHG ONSEMI nxh004p120m3f2pthg-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 284A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 568A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 785W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG ONSEMI nxh006p120mnf2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG ONSEMI nxh007f120m3f2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15.9mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 353W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG ONSEMI nxh008t120m3f2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 127A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 387A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 371W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG ONSEMI nxh011f120m3f2pt-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 21.9mΩ
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 316A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 244W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG ONSEMI nxh011t120m3f2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28.1mΩ
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 273A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 272W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG ONSEMI nxh400n100h4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM42
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35SVM ONSEMI 4n37m-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SMD6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
Max. off-state voltage: 6V
Number of pins: 6
Manufacturer series: 4N35
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DTRK-5.0G MC33269DTRK-5.0G ONSEMI MC33269.PDF description Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.8A; DPAK; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.8A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
18+24.09 грн
25+22.48 грн
100+20.19 грн
250+18.75 грн
500+17.56 грн
1000+16.37 грн
2500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DT-3.3G MC33269DT-3.3G ONSEMI MC33269.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.03 грн
13+34.11 грн
15+28.51 грн
75+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269D-3.3G MC33269D-3.3G ONSEMI MC33269.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SO8; SMD; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.51 грн
14+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2G MC33269DR2G ONSEMI MC33269.PDF Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷18.65V; 0.8A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.25...18.65V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269ST-3.3T3G ONSEMI mc33269-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2-3.3G ONSEMI mc33269-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269T-3.3G ONSEMI mc33269-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; TO220AB; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2-5.0G ONSEMI mc33269-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.8A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 MMBT5401 ONSEMI MMBT5401.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADR2G-Q ONSEMI mc74hc14a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI RFD16N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.21 грн
6+78.05 грн
10+69.57 грн
50+52.60 грн
100+46.66 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N ONSEMI NDC7002N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.86 грн
13+34.28 грн
15+30.12 грн
50+21.21 грн
100+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI RFD16N06LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.84 грн
5+111.99 грн
10+100.11 грн
25+85.69 грн
50+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907A.pdf
MMBT2907A
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G nss40501uw3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M 6N137.pdf
6N137M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: gate; CTR@If: 19-50%@16mA; 1Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: gate
Transfer rate: 1Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 75ns
CTR@If: 19-50%@16mA
Slew rate: 2.5kV/μs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X NC7SZ74-D.pdf
NC7SZ74L8X
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; UQFN8; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: UQFN8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+20.10 грн
28+15.61 грн
31+14.00 грн
36+12.05 грн
100+10.01 грн
250+9.59 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS3100T3G MBRS3100T3G-DTE.PDF
MBRS3100T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.62V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.37 грн
18+24.43 грн
20+21.89 грн
50+17.99 грн
100+17.05 грн
500+15.36 грн
1000+14.17 грн
2500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM.pdf
CNY17F4TVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.37 грн
26+16.80 грн
31+13.83 грн
100+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M.pdf
CNY171M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+51.17 грн
18+24.77 грн
26+16.46 грн
100+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+127.91 грн
5+105.20 грн
25+93.32 грн
100+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2545CTG mbrf2545ct-d.pdf
MBRF2545CTG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 12.5Ax2; TO220FP; tube
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 12.5A x2
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 150A
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+114.53 грн
5+99.26 грн
10+78.90 грн
50+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS39 SS32_SS39.pdf
SS39
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 90V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+53.91 грн
10+45.30 грн
11+42.25 грн
25+38.01 грн
100+31.48 грн
250+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54CTT1G bat54ctt1-d.pdf
SBAT54CTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 FDS2582.pdf
FDS2582
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+114.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 fdms86202et120-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
H11G2M H11G2M.pdf
H11G2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Mounting: THT
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: DIP6
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.65 грн
11+40.55 грн
13+33.85 грн
25+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF44H11G-DTE.PDF
MJF45H11G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+141.62 грн
5+105.20 грн
10+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11G1SR2M H11G1SR2M.pdf
H11G1SR2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 100V
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 100V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: Gull wing 6
Kind of output: transistor
Type of optocoupler: optocoupler
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
H11G2SR2M H11G1M-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Manufacturer series: H11G_
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 1000%@10mA
Insulation voltage: 4.17kV
Case: PDIP6
Kind of output: Darlington
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 0.1ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G mjb44h11-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTG NXH020U90MNF2PTG.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM20
Gate-source voltage: -8...18V
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 352W
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHG nxh003p120m3f2pthg-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 350A
Pulsed drain current: 700A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 979W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 338A
Pulsed drain current: 676A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1098W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG nxh003p120m3f2ptng-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 435A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 435A
Pulsed drain current: 870A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1482W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG nxh006p120m3f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHG nxh004p120m3f2pthg-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 284A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 568A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 785W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG nxh006p120mnf2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG nxh007f120m3f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15.9mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 353W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG nxh008t120m3f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 127A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 387A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 371W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG nxh011f120m3f2pt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 21.9mΩ
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 316A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 244W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG nxh011t120m3f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28.1mΩ
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 273A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 272W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM42
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35SVM 4n37m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SMD6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
Max. off-state voltage: 6V
Number of pins: 6
Manufacturer series: 4N35
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DTRK-5.0G description MC33269.PDF
MC33269DTRK-5.0G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.8A; DPAK; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.8A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+36.55 грн
18+24.09 грн
25+22.48 грн
100+20.19 грн
250+18.75 грн
500+17.56 грн
1000+16.37 грн
2500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DT-3.3G MC33269.PDF
MC33269DT-3.3G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+42.03 грн
13+34.11 грн
15+28.51 грн
75+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269D-3.3G MC33269.PDF
MC33269D-3.3G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SO8; SMD; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+47.51 грн
14+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2G MC33269.PDF
MC33269DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷18.65V; 0.8A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.25...18.65V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 1.35...10V
Manufacturer series: MC33269
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269ST-3.3T3G mc33269-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2-3.3G mc33269-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269T-3.3G mc33269-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; TO220AB; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33269DR2-5.0G mc33269-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.8A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 MMBT5401.pdf
MMBT5401
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADR2G-Q mc74hc14a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+114.21 грн
6+78.05 грн
10+69.57 грн
50+52.60 грн
100+46.66 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N.pdf
NDC7002N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
13+34.28 грн
15+30.12 грн
50+21.21 грн
100+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+149.84 грн
5+111.99 грн
10+100.11 грн
25+85.69 грн
50+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1920 2160 2398 2399 2400 2401 2402 2403