Результат пошуку "20n6" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.37 грн
3+ 221.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+317.24 грн
3+ 275.58 грн
5+ 202.79 грн
14+ 191.94 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies 8580ikw20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileidd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.93 грн
10+ 215.74 грн
25+ 176.92 грн
100+ 152.22 грн
240+ 142.87 грн
480+ 134.86 грн
1200+ 114.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw20n60t-ds-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+159.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW20N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361706.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.92 грн
10+ 209.6 грн
25+ 172.91 грн
100+ 147.54 грн
240+ 138.86 грн
480+ 112.16 грн
1200+ 106.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH20N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362364.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.06 грн
10+ 156.62 грн
100+ 111.49 грн
240+ 102.14 грн
480+ 94.13 грн
1200+ 75.44 грн
5040+ 73.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY120N65EH7XKSA1 IKY120N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f IGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.26 грн
10+ 773.13 грн
25+ 654.26 грн
50+ 617.54 грн
100+ 581.49 грн
240+ 563.47 грн
480+ 526.75 грн
IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS media-3320611.pdf IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2032.88 грн
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS media-3319728.pdf IGBT Transistors 320 Amps 600V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2599.13 грн
10+ 2300.96 грн
20+ 1955.44 грн
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.7kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1734.51 грн
2+ 1581.57 грн
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS media-3320611.pdf IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1787.53 грн
IXKC20N60C IXKC20N60C IXYS media-3322953.pdf MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.65 грн
10+ 725.53 грн
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+539.23 грн
3+ 371.78 грн
8+ 338.81 грн
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+405.32 грн
3+ 351.84 грн
4+ 269.55 грн
10+ 255.36 грн
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+726.16 грн
2+ 502.64 грн
3+ 483.18 грн
6+ 457.31 грн
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS media-3323101.pdf MOSFET 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.59 грн
10+ 617.27 грн
30+ 487.36 грн
120+ 447.3 грн
270+ 421.26 грн
510+ 394.56 грн
1020+ 355.17 грн
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS media-3319906.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1679.27 грн
10+ 1487.91 грн
25+ 1206.38 грн
50+ 1168.99 грн
100+ 1130.94 грн
250+ 1074.19 грн
500+ 1043.48 грн
IXTP20N65XM IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 63W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+637.19 грн
3+ 441.11 грн
7+ 401.4 грн
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS media-3319906.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1681.61 грн
10+ 1535.51 грн
30+ 1195.03 грн
60+ 1174.33 грн
120+ 1120.92 грн
270+ 1076.86 грн
510+ 1032.8 грн
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+302.87 грн
3+ 262.58 грн
5+ 201.95 грн
14+ 191.1 грн
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datashe-2530106.pdf IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.2 грн
10+ 835.32 грн
120+ 613.54 грн
270+ 543.44 грн
510+ 503.38 грн
1020+ 475.34 грн
2520+ 463.99 грн
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+238.16 грн
3+ 205.39 грн
7+ 159.39 грн
17+ 150.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS media-3319979.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.04 грн
10+ 219.58 грн
50+ 179.59 грн
100+ 154.22 грн
250+ 145.54 грн
500+ 136.86 грн
1000+ 117.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 Panjit PJMF120N60EC-2902599.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.35 грн
10+ 406.14 грн
25+ 320.45 грн
100+ 295.08 грн
250+ 277.73 грн
500+ 260.37 грн
1000+ 246.35 грн
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit PJMH120N60EC-3049517.pdf MOSFET 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.96 грн
10+ 303.26 грн
30+ 253.03 грн
120+ 212.97 грн
270+ 202.95 грн
510+ 189.6 грн
1020+ 162.23 грн
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 Panjit PJMP120N60EC-2902587.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.9 грн
10+ 402.3 грн
25+ 317.12 грн
100+ 291.75 грн
250+ 274.39 грн
500+ 257.03 грн
1000+ 243.68 грн
SC20N65C3; 20A; 650V; N-канальний; Корпус: TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+668.64 грн
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb120n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.3 грн
10+ 302.5 грн
25+ 248.35 грн
100+ 212.97 грн
250+ 200.95 грн
500+ 189.6 грн
1000+ 164.9 грн
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg120n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.31 грн
10+ 340.12 грн
25+ 270.38 грн
100+ 257.7 грн
500+ 196.28 грн
SIHH120N60E-T1-GE3 SIHH120N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh120n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.49 грн
10+ 351.63 грн
25+ 283.74 грн
100+ 247.68 грн
250+ 233.66 грн
500+ 219.64 грн
1000+ 188.93 грн
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+311.55 грн
10+ 274.86 грн
25+ 212.97 грн
100+ 190.27 грн
250+ 185.6 грн
500+ 174.25 грн
1000+ 153.55 грн
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.6 грн
3+ 226.01 грн
5+ 195.42 грн
12+ 184.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+330.73 грн
3+ 281.65 грн
5+ 234.5 грн
12+ 221.98 грн
SPA20N60C3XKSA1 SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.16 грн
5+ 172.47 грн
13+ 162.73 грн
100+ 162.04 грн
250+ 156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+282.19 грн
5+ 214.92 грн
13+ 195.28 грн
100+ 194.44 грн
250+ 187.77 грн
SPB20N60C3 SPB20N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB20N60C3_DS_v02_08_EN-3363677.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.34 грн
10+ 326.3 грн
25+ 273.05 грн
100+ 230.33 грн
250+ 201.62 грн
500+ 190.94 грн
1000+ 170.24 грн
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies spb20n60c3_rev.2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.42 грн
3+ 187.77 грн
5+ 168.99 грн
10+ 168.29 грн
14+ 159.25 грн
50+ 157.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+274.11 грн
3+ 233.99 грн
5+ 202.79 грн
10+ 201.95 грн
14+ 191.1 грн
50+ 188.6 грн
100+ 184.43 грн
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN-1732176.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.75 грн
10+ 347.79 грн
25+ 243.68 грн
100+ 219.64 грн
500+ 200.95 грн
1000+ 164.9 грн
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP20N60CFDXKSA1 SPP20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP20N60CFD_DS_v02_06_en-1994886.pdf MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.8 грн
10+ 228.02 грн
25+ 189.6 грн
500+ 188.93 грн
5000+ 181.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Infineon Technologies Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf description MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.42 грн
10+ 361.61 грн
25+ 247.68 грн
100+ 220.31 грн
500+ 200.28 грн
1000+ 173.58 грн
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies spp20n60s5_rev.2.8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5XKSA1 Infineon SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+331.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.67 грн
3+ 273.3 грн
9+ 258.7 грн
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+480.81 грн
3+ 340.58 грн
9+ 310.44 грн
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies spp_a_i20n65c3_rev.3.1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N65C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+171.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.51 грн
3+ 285.13 грн
4+ 237.84 грн
10+ 225.32 грн
30+ 221.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+409.81 грн
3+ 355.31 грн
4+ 285.4 грн
10+ 270.38 грн
30+ 266.21 грн
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw20n60c3_rev.2.5_pcn_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.37 грн
3+ 221.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.24 грн
3+ 275.58 грн
5+ 202.79 грн
14+ 191.94 грн
IKW20N60H3FKSA1 8580ikw20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileidd.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.93 грн
10+ 215.74 грн
25+ 176.92 грн
100+ 152.22 грн
240+ 142.87 грн
480+ 134.86 грн
1200+ 114.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 infineon-ikw20n60t-ds-v02_08-en.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+159.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon_IKW20N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361706.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.92 грн
10+ 209.6 грн
25+ 172.91 грн
100+ 147.54 грн
240+ 138.86 грн
480+ 112.16 грн
1200+ 106.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH20N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362364.pdf
IKWH20N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.06 грн
10+ 156.62 грн
100+ 111.49 грн
240+ 102.14 грн
480+ 94.13 грн
1200+ 75.44 грн
5040+ 73.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY120N65EH7XKSA1 Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f
IKY120N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+890.26 грн
10+ 773.13 грн
25+ 654.26 грн
50+ 617.54 грн
100+ 581.49 грн
240+ 563.47 грн
480+ 526.75 грн
IXFX120N65X2 media.pdf
IXFX120N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGK320N60B3 media-3320611.pdf
IXGK320N60B3
Виробник: IXYS
IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2032.88 грн
IXGN320N60A3 media-3319728.pdf
IXGN320N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 320 Amps 600V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2599.13 грн
10+ 2300.96 грн
20+ 1955.44 грн
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.7kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1734.51 грн
2+ 1581.57 грн
IXGX320N60B3 media-3320611.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1787.53 грн
IXKC20N60C media-3322953.pdf
IXKC20N60C
Виробник: IXYS
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+853.65 грн
10+ 725.53 грн
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+539.23 грн
3+ 371.78 грн
8+ 338.81 грн
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+405.32 грн
3+ 351.84 грн
4+ 269.55 грн
10+ 255.36 грн
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.16 грн
2+ 502.64 грн
3+ 483.18 грн
6+ 457.31 грн
IXTH20N65X media-3323101.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.59 грн
10+ 617.27 грн
30+ 487.36 грн
120+ 447.3 грн
270+ 421.26 грн
510+ 394.56 грн
1020+ 355.17 грн
IXTK120N65X2 media-3319906.pdf
IXTK120N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1679.27 грн
10+ 1487.91 грн
25+ 1206.38 грн
50+ 1168.99 грн
100+ 1130.94 грн
250+ 1074.19 грн
500+ 1043.48 грн
IXTP20N65XM IXTP20N65XM.pdf
IXTP20N65XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 63W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+637.19 грн
3+ 441.11 грн
7+ 401.4 грн
IXTX120N65X2 media-3319906.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1681.61 грн
10+ 1535.51 грн
30+ 1195.03 грн
60+ 1174.33 грн
120+ 1120.92 грн
270+ 1076.86 грн
510+ 1032.8 грн
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.87 грн
3+ 262.58 грн
5+ 201.95 грн
14+ 191.1 грн
IXYH120N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datashe-2530106.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+922.2 грн
10+ 835.32 грн
120+ 613.54 грн
270+ 543.44 грн
510+ 503.38 грн
1020+ 475.34 грн
2520+ 463.99 грн
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.16 грн
3+ 205.39 грн
7+ 159.39 грн
17+ 150.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1 ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYP20N65C3D1 media-3319979.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.04 грн
10+ 219.58 грн
50+ 179.59 грн
100+ 154.22 грн
250+ 145.54 грн
500+ 136.86 грн
1000+ 117.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC-2902599.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.35 грн
10+ 406.14 грн
25+ 320.45 грн
100+ 295.08 грн
250+ 277.73 грн
500+ 260.37 грн
1000+ 246.35 грн
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC-3049517.pdf
PJMH120N60EC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+362.96 грн
10+ 303.26 грн
30+ 253.03 грн
120+ 212.97 грн
270+ 202.95 грн
510+ 189.6 грн
1020+ 162.23 грн
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC-2902587.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.9 грн
10+ 402.3 грн
25+ 317.12 грн
100+ 291.75 грн
250+ 274.39 грн
500+ 257.03 грн
1000+ 243.68 грн
SC20N65C3; 20A; 650V; N-канальний; Корпус: TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+668.64 грн
SIHB120N60E-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.3 грн
10+ 302.5 грн
25+ 248.35 грн
100+ 212.97 грн
250+ 200.95 грн
500+ 189.6 грн
1000+ 164.9 грн
SIHG120N60E-GE3 sihg120n60e.pdf
SIHG120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.31 грн
10+ 340.12 грн
25+ 270.38 грн
100+ 257.7 грн
500+ 196.28 грн
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
SIHH120N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.49 грн
10+ 351.63 грн
25+ 283.74 грн
100+ 247.68 грн
250+ 233.66 грн
500+ 219.64 грн
1000+ 188.93 грн
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.55 грн
10+ 274.86 грн
25+ 212.97 грн
100+ 190.27 грн
250+ 185.6 грн
500+ 174.25 грн
1000+ 153.55 грн
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.6 грн
3+ 226.01 грн
5+ 195.42 грн
12+ 184.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+330.73 грн
3+ 281.65 грн
5+ 234.5 грн
12+ 221.98 грн
SPA20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPA20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.16 грн
5+ 172.47 грн
13+ 162.73 грн
100+ 162.04 грн
250+ 156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+282.19 грн
5+ 214.92 грн
13+ 195.28 грн
100+ 194.44 грн
250+ 187.77 грн
SPB20N60C3 Infineon_SPB20N60C3_DS_v02_08_EN-3363677.pdf
SPB20N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+393.34 грн
10+ 326.3 грн
25+ 273.05 грн
100+ 230.33 грн
250+ 201.62 грн
500+ 190.94 грн
1000+ 170.24 грн
SPB20N60C3ATMA1 spb20n60c3_rev.2.5.pdf
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60S5ATMA1 spb20n60s5_rev.2.3.pdf
SPB20N60S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+178.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.42 грн
3+ 187.77 грн
5+ 168.99 грн
10+ 168.29 грн
14+ 159.25 грн
50+ 157.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+274.11 грн
3+ 233.99 грн
5+ 202.79 грн
10+ 201.95 грн
14+ 191.1 грн
50+ 188.6 грн
100+ 184.43 грн
SPP20N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN-1732176.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+370.75 грн
10+ 347.79 грн
25+ 243.68 грн
100+ 219.64 грн
500+ 200.95 грн
1000+ 164.9 грн
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP20N60CFDXKSA1 Infineon_SPP20N60CFD_DS_v02_06_en-1994886.pdf
SPP20N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.8 грн
10+ 228.02 грн
25+ 189.6 грн
500+ 188.93 грн
5000+ 181.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPP20N60S5 description Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf
SPP20N60S5
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.42 грн
10+ 361.61 грн
25+ 247.68 грн
100+ 220.31 грн
500+ 200.28 грн
1000+ 173.58 грн
SPP20N60S5XKSA1 spp20n60s5_rev.2.8.pdf
SPP20N60S5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf
Виробник: Infineon
CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+331.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.67 грн
3+ 273.3 грн
9+ 258.7 грн
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.81 грн
3+ 340.58 грн
9+ 310.44 грн
SPP20N65C3XKSA1 spp_a_i20n65c3_rev.3.1.pdf
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+171.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+341.51 грн
3+ 285.13 грн
4+ 237.84 грн
10+ 225.32 грн
30+ 221.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.81 грн
3+ 355.31 грн
4+ 285.4 грн
10+ 270.38 грн
30+ 266.21 грн
SPW20N60C3FKSA1 spw20n60c3_rev.2.5_pcn_.pdf
SPW20N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]