Результат пошуку "40n6" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFPS40N60K | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXKN40N60C | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 40 Amps 600V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXKR40N60C | IXYS | MOSFET 40 Amps 600V |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH40N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 67ns Turn-off time: 252ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXX140N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW40N65RA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB40N65FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4LN040N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL040N65S3HF | onsemi | MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N65S3F | onsemi | MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVHL040N65S3F | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA240N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHFPS40N60K-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHH240N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CHANNEL |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHJ240N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP240N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD140N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STF40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF40N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF40N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STF40N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL140N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 158W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP140N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP140N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STW40N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW40N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW40N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STW40N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK040N65Z,S1F | Toshiba | MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WG40N65DFWQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WG40N65DFWQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 26 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P |
на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25040N-6A1623G | ATMEL |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
AT25040N-6A1623G | ATMEL | 09+ SO-8 |
на замовлення 1121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCH040N65S3-F155 | ON Semiconductor |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCHD040N65S3-F155 | ON Semiconductor |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGAF40N60UFDTU | ON Semiconductor |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGAF40N60UFTU | ON Semiconductor |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGB40N6S2 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGB40N6S2 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGH40N60SFD | FAIRCHIL |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGH40N60SFD | FAIRCHIL.. | QFN16 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G40N60 | FAIRCHIL | 10+ TO220 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G40N60 | FAIRCHIL | 10+ TO-3P |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G40N60C3 | HARRIS |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
G40N60UFD | FAIRCHILD | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GE40N60D | ST |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HGTG40N60B3 | FAIRCHIL | 05+ BGA |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IGW40N60TP | Infineon technologies |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IKW40N65WR5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.88 грн |
IKWH40N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 386.91 грн |
10+ | 320.88 грн |
25+ | 263.04 грн |
100+ | 225.75 грн |
240+ | 212.43 грн |
480+ | 199.78 грн |
1200+ | 171.15 грн |
IKWH40N65WR6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.76 грн |
10+ | 195.29 грн |
25+ | 147.17 грн |
100+ | 126.53 грн |
240+ | 119.2 грн |
480+ | 114.54 грн |
1200+ | 90.57 грн |
IKZA40N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 469.26 грн |
10+ | 388.27 грн |
25+ | 318.32 грн |
100+ | 273.03 грн |
240+ | 257.05 грн |
480+ | 242.4 грн |
1200+ | 207.77 грн |
IRFPS40N60K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 324.93 грн |
IXKN40N60C |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 40 Amps 600V
Discrete Semiconductor Modules 40 Amps 600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2866.08 грн |
10+ | 2459.83 грн |
20+ | 1995.81 грн |
50+ | 1929.88 грн |
100+ | 1809.35 грн |
200+ | 1747.41 грн |
500+ | 1686.81 грн |
IXKR40N60C |
Виробник: IXYS
MOSFET 40 Amps 600V
MOSFET 40 Amps 600V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1835.87 грн |
10+ | 1608.23 грн |
30+ | 1305.23 грн |
60+ | 1263.28 грн |
120+ | 1259.28 грн |
IXXH40N65B4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 456.29 грн |
3+ | 395.91 грн |
4+ | 303.83 грн |
9+ | 287.18 грн |
IXXX140N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1510.34 грн |
10+ | 1311.86 грн |
30+ | 1110.11 грн |
60+ | 1038.86 грн |
120+ | 1005.56 грн |
270+ | 919.66 грн |
510+ | 881.03 грн |
MIW40N65RA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 351.17 грн |
10+ | 290.25 грн |
25+ | 239.07 грн |
100+ | 204.44 грн |
250+ | 193.12 грн |
500+ | 181.8 грн |
1000+ | 155.16 грн |
NGTB40N65FL2WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T
IGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 465.38 грн |
10+ | 442.65 грн |
30+ | 322.98 грн |
120+ | 270.37 грн |
180+ | 241.07 грн |
540+ | 206.44 грн |
1080+ | 193.79 грн |
NTH4LN040N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
MOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1022.43 грн |
10+ | 926.65 грн |
25+ | 774.48 грн |
50+ | 749.84 грн |
100+ | 738.52 грн |
450+ | 627.98 грн |
900+ | 554.72 грн |
NTHL040N65S3HF |
Виробник: onsemi
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1205.01 грн |
10+ | 1046.88 грн |
25+ | 793.8 грн |
50+ | 759.17 грн |
100+ | 747.18 грн |
450+ | 721.87 грн |
NVH4L040N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 969.6 грн |
10+ | 845.47 грн |
25+ | 672.59 грн |
50+ | 639.96 грн |
100+ | 632.64 грн |
250+ | 578.7 грн |
450+ | 526.75 грн |
NVHL040N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1000.68 грн |
10+ | 951.16 грн |
25+ | 694.57 грн |
100+ | 653.95 грн |
250+ | 650.62 грн |
450+ | 592.02 грн |
900+ | 543.4 грн |
SIHA240N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.11 грн |
10+ | 133.25 грн |
100+ | 99.89 грн |
250+ | 95.23 грн |
500+ | 89.24 грн |
1000+ | 83.24 грн |
SIHFPS40N60K-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 501.12 грн |
10+ | 493.19 грн |
25+ | 343.62 грн |
100+ | 307 грн |
480+ | 270.37 грн |
960+ | 239.07 грн |
SIHG40N60E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 478.59 грн |
10+ | 414.31 грн |
25+ | 318.32 грн |
100+ | 291.01 грн |
250+ | 276.36 грн |
500+ | 257.05 грн |
1000+ | 234.41 грн |
SIHH240N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.7 грн |
10+ | 144.74 грн |
25+ | 123.86 грн |
100+ | 113.87 грн |
250+ | 111.88 грн |
500+ | 101.22 грн |
1000+ | 87.24 грн |
SIHJ240N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.67 грн |
10+ | 163.89 грн |
100+ | 113.21 грн |
250+ | 104.55 грн |
500+ | 94.56 грн |
1000+ | 81.24 грн |
3000+ | 79.91 грн |
SIHP240N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.66 грн |
10+ | 142.44 грн |
100+ | 105.22 грн |
250+ | 95.89 грн |
500+ | 90.57 грн |
1000+ | 83.91 грн |
2000+ | 80.58 грн |
STD140N6F7 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STF40N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.56 грн |
3+ | 272.62 грн |
9+ | 258.05 грн |
STF40N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 511.87 грн |
3+ | 339.72 грн |
9+ | 309.66 грн |
STF40N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.32 грн |
10+ | 359.17 грн |
25+ | 286.35 грн |
100+ | 245.06 грн |
250+ | 237.74 грн |
500+ | 217.76 грн |
1000+ | 186.46 грн |
STF40N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STF40N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 271.92 грн |
10+ | 258.08 грн |
25+ | 209.77 грн |
100+ | 204.44 грн |
500+ | 203.78 грн |
1000+ | 165.15 грн |
2000+ | 164.49 грн |
STL140N6F7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.8 грн |
10+ | 149.34 грн |
100+ | 103.22 грн |
250+ | 101.22 грн |
500+ | 87.24 грн |
1000+ | 74.58 грн |
3000+ | 70.59 грн |
STP140N6F7 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.64 грн |
3+ | 146.95 грн |
9+ | 114.04 грн |
24+ | 108.21 грн |
250+ | 104.05 грн |
STP140N6F7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.48 грн |
10+ | 130.96 грн |
100+ | 93.23 грн |
250+ | 85.91 грн |
500+ | 81.24 грн |
1000+ | 68.59 грн |
2000+ | 65.66 грн |
STP140N6F7 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STW40N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 559.39 грн |
10+ | 534.55 грн |
25+ | 336.3 грн |
100+ | 314.32 грн |
250+ | 301 грн |
600+ | 273.03 грн |
1200+ | 260.38 грн |
STW40N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 290.57 грн |
STW40N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STW40N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 418.76 грн |
10+ | 369.13 грн |
25+ | 285.02 грн |
100+ | 243.73 грн |
250+ | 217.09 грн |
1200+ | 193.12 грн |
3000+ | 174.48 грн |
TK040N65Z,S1F |
Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 799.46 грн |
10+ | 675.46 грн |
WG40N65DFWQ |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.86 грн |
9+ | 95.03 грн |
24+ | 90.18 грн |
WG40N65DFWQ |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.39 грн |
3+ | 155.6 грн |
9+ | 114.04 грн |
24+ | 108.21 грн |
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 192.3 грн |
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 151.14 грн |
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 206.45 грн |
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247 |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.35 грн |
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 69.46 грн |
FCH040N65S3-F155 |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)