Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 160 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIC789CD-T1-GE3 SIC789CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic789a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+192.13 грн
25+181.67 грн
100+147.76 грн
250+140.18 грн
500+125.78 грн
1000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq112er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq112er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
10+226.90 грн
100+161.29 грн
500+125.09 грн
1000+116.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3 SQJQ112E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq112e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3 SQJA80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3 SQJA80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.70 грн
6000+32.07 грн
9000+30.89 грн
15000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.10 грн
100+53.85 грн
500+39.98 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC468EVB-E SIC468EVB-E Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC468
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 15V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC468
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AEVB-A SIC431AEVB-A Vishay Siliconix sic431.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC431
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 24V
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC467EVB-D SIC467EVB-D Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC467
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 15V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC467
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC466ED-T1-GE3 SIC466ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC466ED-T1-GE3 SIC466ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.78 грн
10+273.94 грн
25+252.75 грн
100+215.33 грн
250+206.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC478ED-T1-GE3 SIC478ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Max): 24V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 55V
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC478ED-T1-GE3 SIC478ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Max): 24V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 55V
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB-A SIC461EVB-A Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC451EVB-A SIC451EVB-A Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC451
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SIC451
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 500mW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC474EVB-B SIC474EVB-B Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC474
Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SIC474
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Current - Output: 3A
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473EVB-B SIC473EVB-B Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC473
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 5A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC473
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2581.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472EVB-A SIC472EVB-A Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC472
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 8A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC472
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2503.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AEVB-B SIC437AEVB-B Vishay Siliconix sic437.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC437
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 28V
Current - Output: 12A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC437
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BEVB-A SIC431BEVB-A Vishay Siliconix sic431.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC431
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 24V
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC471EVB-A SIC471EVB-A Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC471
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 12A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC471
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF-BE3 IRFR320PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431EVB Vishay Siliconix sic431.pdf Description: 3-24V,24V MICROBUCK DEMOBOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 3V ~ 24V
Current - Output: 24A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1408EEN-T1-GE4 DG1408EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1408.pdf Description: IC MUX 8:1 4.7OHM 16QFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 89pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 100pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
-3db Bandwidth: 46MHz
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1408EEN-T1-GE4 DG1408EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1408.pdf Description: IC MUX 8:1 4.7OHM 16QFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 89pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 100pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
-3db Bandwidth: 46MHz
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.90 грн
10+388.52 грн
25+359.99 грн
100+308.45 грн
250+294.44 грн
500+286.00 грн
1000+274.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32434ADN-T1E4 SIP32434ADN-T1E4 Vishay Siliconix sip32434.pdf Description: 6 A, 33 M, 2.8 V TO 23 V,EFUSE W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.98 грн
5000+46.09 грн
7500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32434ADN-T1E4 SIP32434ADN-T1E4 Vishay Siliconix sip32434.pdf Description: 6 A, 33 M, 2.8 V TO 23 V,EFUSE W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+69.78 грн
25+63.24 грн
100+52.65 грн
250+49.45 грн
500+47.53 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3443ddv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+6.68 грн
9000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3443ddv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.49 грн
100+12.98 грн
500+9.14 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50N04-4m0L_GE3 SQM50N04-4m0L_GE3 Vishay Siliconix sqm50n04.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04_4M5LT4GE3 SQD50N04_4M5LT4GE3 Vishay Siliconix sqd50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh105n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh105n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.72 грн
10+323.00 грн
100+243.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3493bdv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3493bdv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3 SIHFR120-GE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
75+32.51 грн
150+28.89 грн
525+22.28 грн
1050+20.18 грн
2025+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3 SIHG052N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg052n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.11 грн
10+345.59 грн
100+253.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1330ED.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1330ED.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.73 грн
100+21.78 грн
500+15.60 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3 SI7230DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7230dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3 SI7230DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7230dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2337es.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.99 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2337es.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.85 грн
100+28.02 грн
500+20.31 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3 SQ2303ES-T1_BE3 Vishay Siliconix doc?67023 Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3 SQ2303ES-T1_BE3 Vishay Siliconix doc?67023 Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
10+29.91 грн
100+20.81 грн
500+15.24 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.86 грн
100+20.55 грн
500+14.73 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3 SQ2362ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2362es.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3 SQ2362ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2362es.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.47 грн
100+24.37 грн
500+17.57 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3 SQ2398ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3 SQ2398ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.16 грн
100+26.21 грн
500+18.95 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+14.18 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.11 грн
6000+16.07 грн
9000+15.37 грн
15000+13.69 грн
21000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.35 грн
100+28.93 грн
500+20.92 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.31 грн
6000+13.55 грн
9000+12.94 грн
15000+11.50 грн
21000+11.12 грн
30000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.22 грн
100+24.78 грн
500+17.82 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC789CD-T1-GE3 sic789a.pdf
SIC789CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.12 грн
10+192.13 грн
25+181.67 грн
100+147.76 грн
250+140.18 грн
500+125.78 грн
1000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 sqjq112er.pdf
SQJQ112ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 sqjq112er.pdf
SQJQ112ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.70 грн
10+226.90 грн
100+161.29 грн
500+125.09 грн
1000+116.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3 sqjq112e.pdf
SQJQ112E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3 sqja80ep-.pdf
SQJA80EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3 sqja80ep-.pdf
SQJA80EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 sqs460en.pdf
SQS460EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.70 грн
6000+32.07 грн
9000+30.89 грн
15000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_BE3 sqs460en.pdf
SQS460EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.25 грн
10+80.10 грн
100+53.85 грн
500+39.98 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC468EVB-E sic46x.pdf
SIC468EVB-E
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC468
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 15V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC468
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AEVB-A sic431.pdf
SIC431AEVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC431
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 24V
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC467EVB-D sic46x.pdf
SIC467EVB-D
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC467
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 15V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC467
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC466ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC466ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC466ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC466ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 10A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.78 грн
10+273.94 грн
25+252.75 грн
100+215.33 грн
250+206.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC478ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC478ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Max): 24V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 55V
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC478ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC478ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Max): 24V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 55V
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB-A sic46x.pdf
SIC461EVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Output: 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC451EVB-A sic450_sic451_sic453.pdf
SIC451EVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC451
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SIC451
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 500mW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC474EVB-B sic47x.pdf
SIC474EVB-B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC474
Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SIC474
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Current - Output: 3A
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473EVB-B sic47x.pdf
SIC473EVB-B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC473
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 5A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC473
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2581.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472EVB-A sic47x.pdf
SIC472EVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC472
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 8A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC472
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2503.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AEVB-B sic437.pdf
SIC437AEVB-B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC437
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 28V
Current - Output: 12A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC437
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431BEVB-A sic431.pdf
SIC431BEVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC431
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 4.5V ~ 24V
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC471EVB-A sic47x.pdf
SIC471EVB-A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC471
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 50V
Voltage - Input: 4.5V ~ 55V
Current - Output: 12A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC471
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2538.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF-BE3 sihfr320.pdf
IRFR320PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431EVB sic431.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 3-24V,24V MICROBUCK DEMOBOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Voltage - Input: 3V ~ 24V
Current - Output: 24A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiC431
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1408EEN-T1-GE4 dg1408.pdf
DG1408EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 4.7OHM 16QFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 89pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 100pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
-3db Bandwidth: 46MHz
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1408EEN-T1-GE4 dg1408.pdf
DG1408EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 4.7OHM 16QFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 14pF, 89pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 100pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
-3db Bandwidth: 46MHz
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+521.90 грн
10+388.52 грн
25+359.99 грн
100+308.45 грн
250+294.44 грн
500+286.00 грн
1000+274.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32434ADN-T1E4 sip32434.pdf
SIP32434ADN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 6 A, 33 M, 2.8 V TO 23 V,EFUSE W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.98 грн
5000+46.09 грн
7500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32434ADN-T1E4 sip32434.pdf
SIP32434ADN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 6 A, 33 M, 2.8 V TO 23 V,EFUSE W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+69.78 грн
25+63.24 грн
100+52.65 грн
250+49.45 грн
500+47.53 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 si3443ddv.pdf
SI3443DDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.63 грн
6000+6.68 грн
9000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 si3443ddv.pdf
SI3443DDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.49 грн
100+12.98 грн
500+9.14 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50N04-4m0L_GE3 sqm50n04.pdf
SQM50N04-4m0L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04_4M5LT4GE3 sqd50n04.pdf
SQD50N04_4M5LT4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
SIHH105N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
SIHH105N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.72 грн
10+323.00 грн
100+243.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3 si3493bdv.pdf
SI3493BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3 si3493bdv.pdf
SI3493BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3 sihfr120.pdf
SIHFR120-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.44 грн
75+32.51 грн
150+28.89 грн
525+22.28 грн
1050+20.18 грн
2025+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3 sihg052n60ef.pdf
SIHG052N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+528.11 грн
10+345.59 грн
100+253.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+33.73 грн
100+21.78 грн
500+15.60 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3 si7230dn.pdf
SI7230DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7230DN-T1-E3 si7230dn.pdf
SI7230DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.99 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.45 грн
10+42.85 грн
100+28.02 грн
500+20.31 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3 doc?67023
SQ2303ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.26 грн
6000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3 doc?67023
SQ2303ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
10+29.91 грн
100+20.81 грн
500+15.24 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.60 грн
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.81 грн
10+31.86 грн
100+20.55 грн
500+14.73 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3 sq2362es.pdf
SQ2362ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3 sq2362es.pdf
SQ2362ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+37.47 грн
100+24.37 грн
500+17.57 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.40 грн
6000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.79 грн
10+40.16 грн
100+26.21 грн
500+18.95 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3
SQ2309ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.51 грн
6000+14.18 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 sq2361es.pdf
SQ2361ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.11 грн
6000+16.07 грн
9000+15.37 грн
15000+13.69 грн
21000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 sq2361es.pdf
SQ2361ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.78 грн
10+44.35 грн
100+28.93 грн
500+20.92 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.31 грн
6000+13.55 грн
9000+12.94 грн
15000+11.50 грн
21000+11.12 грн
30000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.68 грн
10+38.22 грн
100+24.78 грн
500+17.82 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]