Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 160 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISA10BDN-T1-GE3 SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3 SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.91 грн
10+60.29 грн
100+46.98 грн
500+36.43 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 SQJ140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj140elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.23 грн
6000+34.37 грн
9000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 SQJ140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj140elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 11551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.26 грн
10+85.10 грн
100+57.37 грн
500+42.69 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_4GE3 SQD10N30-330H_4GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_4GE3 SQD10N30-330H_4GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.47 грн
10+91.46 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3 SQ3418EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3418ev.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.65 грн
6000+16.10 грн
9000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3 SQ3418EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3418ev.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
10+38.73 грн
100+26.84 грн
500+21.04 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3 SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix sihfr310.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
75+31.47 грн
150+27.97 грн
525+21.56 грн
1050+19.52 грн
2025+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix sup60061el.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.58 грн
10+202.05 грн
100+143.56 грн
500+111.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3 SIHP5N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.04 грн
50+64.66 грн
100+57.90 грн
500+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.30 грн
10+175.65 грн
100+123.79 грн
500+95.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 SI1467DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 SI1467DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.77 грн
10+46.90 грн
100+30.67 грн
500+22.22 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3 SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3 SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.49 грн
13+24.74 грн
100+16.82 грн
500+12.36 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK065N60E-T1-GE3 SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk065n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK065N60E-T1-GE3 SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk065n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.41 грн
10+370.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.99 грн
10+521.89 грн
100+408.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk125n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk125n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.34 грн
10+282.69 грн
100+203.97 грн
500+177.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3 SIHF840LCS-GE3 Vishay Siliconix sihf840l.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-GE3 DG417LEDY-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3 SQ4920EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3 SQ4920EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
10+110.22 грн
100+75.17 грн
500+56.47 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3 SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix sizf5302dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3 SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix sizf5302dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.11 грн
10+118.08 грн
100+81.08 грн
500+61.21 грн
1000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf5300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf5300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.46 грн
10+133.97 грн
100+92.58 грн
500+70.28 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf928dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf928dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.82 грн
10+114.45 грн
100+78.66 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3 SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb48ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3 SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb48ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+84.50 грн
100+65.74 грн
500+52.30 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3 SQJA86EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3 SQJA86EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.99 грн
10+52.27 грн
100+40.64 грн
500+32.34 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3 SQJ910AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj910aep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3 SQJ910AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj910aep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.55 грн
10+70.43 грн
100+54.76 грн
500+43.56 грн
1000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_BE3 SQJ992EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_BE3 SQJ992EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3 SQJB80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb80ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3 SQJB80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb80ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.70 грн
10+64.75 грн
100+50.33 грн
500+40.03 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3 SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj914ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3 SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj914ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb04elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.31 грн
6000+25.33 грн
9000+24.34 грн
15000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb04elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
на замовлення 16695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.43 грн
100+43.54 грн
500+32.03 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T2_GE3 SQJ992EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.37 грн
6000+25.10 грн
9000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T2_GE3 SQJ992EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.99 грн
10+52.12 грн
100+40.55 грн
500+32.26 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3 SQJB46ELP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb46elp.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3 SQJB46ELP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb46elp.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3 SQJB60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3 SQJB60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3 SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj844aep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3 SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj844aep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3 SQJ952EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3 SQJ952EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_BE3 SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3
SISA10BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3
SISA10BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.91 грн
10+60.29 грн
100+46.98 грн
500+36.43 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 sqj140elp.pdf
SQJ140ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.23 грн
6000+34.37 грн
9000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 sqj140elp.pdf
SQJ140ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 11551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.26 грн
10+85.10 грн
100+57.37 грн
500+42.69 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_4GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10N30-330H_4GE3 sqd10n30-330h.pdf
SQD10N30-330H_4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.47 грн
10+91.46 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3 sq3418ev.pdf
SQ3418EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.65 грн
6000+16.10 грн
9000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3 sq3418ev.pdf
SQ3418EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
10+38.73 грн
100+26.84 грн
500+21.04 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3 sihfr310.pdf
SIHFU310-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.20 грн
75+31.47 грн
150+27.97 грн
525+21.56 грн
1050+19.52 грн
2025+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 sup60061el.pdf
SUP60061EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+316.58 грн
10+202.05 грн
100+143.56 грн
500+111.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3 sihp5n80ae.pdf
SIHP5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.04 грн
50+64.66 грн
100+57.90 грн
500+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.30 грн
10+175.65 грн
100+123.79 грн
500+95.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.77 грн
10+46.90 грн
100+30.67 грн
500+22.22 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3 si3476dv.pdf
SI3476DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3 si3476dv.pdf
SI3476DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.49 грн
13+24.74 грн
100+16.82 грн
500+12.36 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK065N60E-T1-GE3 sihk065n60e.pdf
SIHK065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK065N60E-T1-GE3 sihk065n60e.pdf
SIHK065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+478.41 грн
10+370.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+783.99 грн
10+521.89 грн
100+408.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 sihk125n60ef.pdf
SIHK125N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 sihk125n60ef.pdf
SIHK125N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+438.34 грн
10+282.69 грн
100+203.97 грн
500+177.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3 sihf840l.pdf
SIHF840LCS-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-GE3
DG417LEDY-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3 sq4920ey.pdf
SQ4920EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.32 грн
10+110.22 грн
100+75.17 грн
500+56.47 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3 sizf5302dt.pdf
SIZF5302DT-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3 sizf5302dt.pdf
SIZF5302DT-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.11 грн
10+118.08 грн
100+81.08 грн
500+61.21 грн
1000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 sizf5300dt.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 sizf5300dt.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.46 грн
10+133.97 грн
100+92.58 грн
500+70.28 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.82 грн
10+114.45 грн
100+78.66 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 sqjb44ep.pdf
SQJB44EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 sqjb44ep.pdf
SQJB44EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3 sqjb48ep.pdf
SQJB48EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3 sqjb48ep.pdf
SQJB48EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.62 грн
10+84.50 грн
100+65.74 грн
500+52.30 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.99 грн
10+52.27 грн
100+40.64 грн
500+32.34 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.55 грн
10+70.43 грн
100+54.76 грн
500+43.56 грн
1000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_BE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_BE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.70 грн
10+64.75 грн
100+50.33 грн
500+40.03 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3 sqj914ep.pdf
SQJ914EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3 sqj914ep.pdf
SQJ914EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3 sqjb04elp.pdf
SQJB04ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.31 грн
6000+25.33 грн
9000+24.34 грн
15000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3 sqjb04elp.pdf
SQJB04ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
на замовлення 16695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.62 грн
10+65.43 грн
100+43.54 грн
500+32.03 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T2_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.37 грн
6000+25.10 грн
9000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T2_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.99 грн
10+52.12 грн
100+40.55 грн
500+32.26 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3 sqjb46elp.pdf
SQJB46ELP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3 sqjb46elp.pdf
SQJB46ELP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3 sqjb60ep.pdf
SQJB60EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3 sqjb60ep.pdf
SQJB60EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3 sqj844aep.pdf
SQJ844AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3 sqj844aep.pdf
SQJ844AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3 sqj952ep.pdf
SQJ952EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3 sqj952ep.pdf
SQJ952EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_BE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]