Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 163 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis4608dn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+50.97 грн
100+35.26 грн
500+27.65 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3 SIS184LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3 SIS184LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+97.90 грн
100+77.89 грн
500+61.85 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3 SIR184LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3 SIR184LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.49 грн
10+94.62 грн
50+71.46 грн
100+60.07 грн
500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5708dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5708dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+93.63 грн
100+63.32 грн
500+47.25 грн
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA602CEJW-T1_GE3 SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa602cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA602CEJW-T1_GE3 SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa602cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+28.87 грн
50+21.06 грн
100+17.37 грн
500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA444CEJW-T1_GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa444cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA444CEJW-T1_GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa444cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
11+28.27 грн
100+19.63 грн
500+14.39 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.30 грн
10+246.92 грн
50+193.54 грн
100+165.52 грн
500+137.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix siha150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.62 грн
10+215.38 грн
50+167.88 грн
100+143.22 грн
500+118.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.74 грн
10+220.48 грн
50+172.06 грн
100+146.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs142enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.51 грн
6000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs142enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+56.07 грн
100+38.79 грн
500+30.42 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3 SQ4005EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4005ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3 SQ4005EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4005ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
10+54.17 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir1309dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir1309dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+55.01 грн
100+37.83 грн
500+28.32 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3 SIHL620S-GE3 Vishay Siliconix sihl620s.pdf Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.02 грн
50+48.21 грн
100+42.89 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-GE3 SIE810DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie810df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-GE3 SIE810DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie810df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3 SQ4080EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4080ey.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3 SQ4080EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4080ey.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+86.70 грн
100+67.63 грн
500+52.43 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-BE3 SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-BE3 SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.87 грн
100+45.87 грн
500+33.80 грн
1000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T2_GE3 SQJ461EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T2_GE3 SQJ461EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+114.43 грн
100+91.11 грн
500+72.35 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.45 грн
6000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.40 грн
6000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+67.42 грн
100+52.45 грн
500+41.72 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320 IRFU320 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N65EF-E3 SIHA21N65EF-E3 Vishay Siliconix siha21n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
14+22.09 грн
100+14.06 грн
500+9.93 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz998dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.89 грн
9000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sisf02dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sisf02dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+93.71 грн
50+70.85 грн
100+59.57 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3 SQ7414AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7414aen.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3 SQ7414AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7414aen.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3 SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3 SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3 SQ7414AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7414aenw.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3 SQ7414AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7414aenw.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60E-GE3 SIHA22N60E-GE3 Vishay Siliconix siha22n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.66 грн
10+213.47 грн
100+151.79 грн
500+134.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+76.11 грн
100+50.92 грн
500+37.66 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 SI4426DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4426dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 SI4426DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4426dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBF-BE3 IRFR010PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr010.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3 SIS478DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis478dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3 SIS478DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis478dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEQ-T1-GE4 DG613EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 115OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Charge Injection: 1.4pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 115Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEQ-T1-GE4 DG613EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 115OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Charge Injection: 1.4pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 115Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.01 грн
50+229.52 грн
100+213.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30adn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.84 грн
6000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 sis4608dn.pdf
SIS4608DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+50.97 грн
100+35.26 грн
500+27.65 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3 sis184ldn.pdf
SIS184LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3 sis184ldn.pdf
SIS184LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.63 грн
10+97.90 грн
100+77.89 грн
500+61.85 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3 sir184ldp.pdf
SIR184LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3 sir184ldp.pdf
SIR184LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.49 грн
10+94.62 грн
50+71.46 грн
100+60.07 грн
500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
SIR5708DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
SIR5708DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.69 грн
10+93.63 грн
100+63.32 грн
500+47.25 грн
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA602CEJW-T1_GE3 sqa602cejw.pdf
SQA602CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA602CEJW-T1_GE3 sqa602cejw.pdf
SQA602CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
11+28.87 грн
50+21.06 грн
100+17.37 грн
500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA444CEJW-T1_GE3 sqa444cejw.pdf
SQA444CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA444CEJW-T1_GE3 sqa444cejw.pdf
SQA444CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.81 грн
11+28.27 грн
100+19.63 грн
500+14.39 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.30 грн
10+246.92 грн
50+193.54 грн
100+165.52 грн
500+137.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.62 грн
10+215.38 грн
50+167.88 грн
100+143.22 грн
500+118.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.74 грн
10+220.48 грн
50+172.06 грн
100+146.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 sqs142enw.pdf
SQS142ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.51 грн
6000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 sqs142enw.pdf
SQS142ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.25 грн
10+56.07 грн
100+38.79 грн
500+30.42 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3 sq4005ey.pdf
SQ4005EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3 sq4005ey.pdf
SQ4005EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.83 грн
10+54.17 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 sir1309dp.pdf
SIR1309DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 sir1309dp.pdf
SIR1309DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+55.01 грн
100+37.83 грн
500+28.32 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3 sihl620s.pdf
SIHL620S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.02 грн
50+48.21 грн
100+42.89 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-GE3 sie810df.pdf
SIE810DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-GE3 sie810df.pdf
SIE810DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3 sq4080ey.pdf
SQ4080EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3 sq4080ey.pdf
SQ4080EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.48 грн
10+86.70 грн
100+67.63 грн
500+52.43 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-BE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-BE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+68.87 грн
100+45.87 грн
500+33.80 грн
1000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T2_GE3 sqj461ep.pdf
SQJ461EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T2_GE3 sqj461ep.pdf
SQJ461EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.20 грн
10+114.43 грн
100+91.11 грн
500+72.35 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.45 грн
6000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.55 грн
10+67.96 грн
100+45.25 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.40 грн
6000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.45 грн
10+67.42 грн
100+52.45 грн
500+41.72 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320 sihfr320.pdf
IRFU320
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N65EF-E3 siha21n65ef.pdf
SIHA21N65EF-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.98 грн
14+22.09 грн
100+14.06 грн
500+9.93 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 siz998dt.pdf
SIZ998DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.89 грн
9000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 tf-sisf02dn-t1-ge3.pdf
SISF02DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 tf-sisf02dn-t1-ge3.pdf
SISF02DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.69 грн
10+93.71 грн
50+70.85 грн
100+59.57 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3 sq7414aen.pdf
SQ7414AEN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3 sq7414aen.pdf
SQ7414AEN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3
SQ7414AEN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3
SQ7414AEN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3 sq7414aenw.pdf
SQ7414AENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3 sq7414aenw.pdf
SQ7414AENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60E-GE3 siha22n60e.pdf
SIHA22N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.66 грн
10+213.47 грн
100+151.79 грн
500+134.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.00 грн
10+76.11 грн
100+50.92 грн
500+37.66 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 si4426dy.pdf
SI4426DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 si4426dy.pdf
SI4426DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR010PBF-BE3 sihfr010.pdf
IRFR010PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3 sis478dn.pdf
SIS478DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3 sis478dn.pdf
SIS478DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG613EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 115OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Charge Injection: 1.4pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 115Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG613EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 115OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Charge Injection: 1.4pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 115Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N65EF-GE3 siha24n65ef.pdf
SIHA24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.01 грн
50+229.52 грн
100+213.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 siss30adn.pdf
SISS30ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.84 грн
6000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]