Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 164 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.83 грн
10+48.06 грн
100+36.65 грн
500+28.43 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3 SQJA60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja60ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3 SQJA60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja60ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+84.31 грн
10+66.92 грн
100+52.01 грн
500+41.38 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj170elp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj170elp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.82 грн
10+79.79 грн
100+62.20 грн
500+48.22 грн
1000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir880bdp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir880bdp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.26 грн
10+83.40 грн
100+56.05 грн
500+41.63 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.69 грн
10+117.92 грн
100+83.21 грн
500+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR450DP-T1-RE3 SIR450DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR450DP-T1-RE3 SIR450DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.00 грн
10+86.11 грн
100+60.80 грн
500+46.46 грн
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 SIHB28N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 SIHB28N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.15 грн
10+326.96 грн
100+237.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.57 грн
10+39.36 грн
100+25.45 грн
500+18.25 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish536dn.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish536dn.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.50 грн
10+39.53 грн
100+27.41 грн
500+19.74 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3 SISS5710DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5710dn.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3 SISS5710DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5710dn.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.15 грн
10+104.64 грн
100+83.33 грн
500+66.16 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3 SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5710dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3 SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5710dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 SI2323DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
6000+14.20 грн
9000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 SI2323DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
10+39.61 грн
100+26.72 грн
500+19.19 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.87 грн
6000+17.84 грн
9000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.13 грн
10+44.78 грн
100+29.10 грн
500+22.46 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir178dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.10 грн
6000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+166.06 грн
10+143.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir460bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115 Vishay Siliconix 2n5114-5116_DS.pdf 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3 SQS405CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs405cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3 SQS405CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs405cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.97 грн
10+55.85 грн
100+36.62 грн
500+26.62 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1563aeh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1563aeh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.51 грн
16+21.32 грн
25+18.99 грн
100+15.41 грн
250+14.26 грн
500+13.57 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N60EF-GE3 SIHA21N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha21n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.82 грн
10+227.98 грн
100+162.31 грн
500+126.05 грн
1000+117.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa413cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa413cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.21 грн
13+27.23 грн
100+18.94 грн
500+13.87 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir582dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir582dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.37 грн
10+122.43 грн
100+98.40 грн
500+75.87 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG412HSDY-T1-E3 DG412HSDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3 SQJ474EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.38 грн
6000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3 SQJ474EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.24 грн
10+57.90 грн
100+45.01 грн
500+35.80 грн
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT1-GE3 SIHD3N50DT1-GE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT5-GE3 SIHD3N50DT5-GE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT4-GE3 SIHD3N50DT4-GE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 SQD50P06-15L_T4GE3 Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 SQD50P06-15L_T4GE3 Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.95 грн
10+99.15 грн
100+67.33 грн
500+50.38 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_T4GE3 SQD15N06-42L_T4GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_T4GE3 SQD15N06-42L_T4GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+62.16 грн
100+43.17 грн
500+32.33 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_BE3 SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_BE3 SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+70.20 грн
100+54.56 грн
500+43.40 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira84dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira84dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+36.57 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3 SI2316BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3 SI2316BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.24 грн
10+42.64 грн
100+32.68 грн
500+24.24 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3 SI2399DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3 SI2399DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 SQSA84CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa84cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf
SISHA12ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.83 грн
10+48.06 грн
100+36.65 грн
500+28.43 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3 sqja60ep.pdf
SQJA60EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3 sqja60ep.pdf
SQJA60EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.31 грн
10+66.92 грн
100+52.01 грн
500+41.38 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
SQJ170ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
SQJ170ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.82 грн
10+79.79 грн
100+62.20 грн
500+48.22 грн
1000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 sir880bdp.pdf
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 sir880bdp.pdf
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.26 грн
10+83.40 грн
100+56.05 грн
500+41.63 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 sir5802dp.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 sir5802dp.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.69 грн
10+117.92 грн
100+83.21 грн
500+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR450DP-T1-RE3 sir450dp.pdf
SIR450DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR450DP-T1-RE3 sir450dp.pdf
SIR450DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+86.11 грн
100+60.80 грн
500+46.46 грн
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+205.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.15 грн
10+326.96 грн
100+237.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
SI5935CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
SI5935CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.57 грн
10+39.36 грн
100+25.45 грн
500+18.25 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 sish536dn.pdf
SISH536DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 sish536dn.pdf
SISH536DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.50 грн
10+39.53 грн
100+27.41 грн
500+19.74 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3 siss5710dn.pdf
SISS5710DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3 siss5710dn.pdf
SISS5710DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.15 грн
10+104.64 грн
100+83.33 грн
500+66.16 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3 sir5710dp.pdf
SIR5710DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3 sir5710dp.pdf
SIR5710DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.92 грн
6000+14.20 грн
9000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-BE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
10+39.61 грн
100+26.72 грн
500+19.19 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.87 грн
6000+17.84 грн
9000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.13 грн
10+44.78 грн
100+29.10 грн
500+22.46 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 sir178dp.pdf
SIR178DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.10 грн
6000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 sira54adp.pdf
SIRA54ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 sira54adp.pdf
SIRA54ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.06 грн
10+143.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3 sir460bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5115 2n5114-5116_DS.pdf 124387-lds-0006
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3 sqs405cenw.pdf
SQS405CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405CENW-T1_GE3 sqs405cenw.pdf
SQS405CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
10+55.85 грн
100+36.62 грн
500+26.62 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 sq1563aeh.pdf
SQ1563AEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 sq1563aeh.pdf
SQ1563AEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.51 грн
16+21.32 грн
25+18.99 грн
100+15.41 грн
250+14.26 грн
500+13.57 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N60EF-GE3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.82 грн
10+227.98 грн
100+162.31 грн
500+126.05 грн
1000+117.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
SQA413CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
SQA413CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.21 грн
13+27.23 грн
100+18.94 грн
500+13.87 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 sir582dp.pdf
SIR582DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 sir582dp.pdf
SIR582DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.37 грн
10+122.43 грн
100+98.40 грн
500+75.87 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG412HSDY-T1-E3 dg411hs.pdf
DG412HSDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3 sqj474ep.pdf
SQJ474EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.38 грн
6000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3 sqj474ep.pdf
SQJ474EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.24 грн
10+57.90 грн
100+45.01 грн
500+35.80 грн
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT1-GE3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50DT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT5-GE3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50DT5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50DT4-GE3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50DT4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.95 грн
10+99.15 грн
100+67.33 грн
500+50.38 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_T4GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_T4GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.08 грн
10+62.16 грн
100+43.17 грн
500+32.33 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_BE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_BE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.57 грн
10+70.20 грн
100+54.56 грн
500+43.40 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 sira84dp.pdf
SIRA84DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 sira84dp.pdf
SIRA84DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+36.57 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.24 грн
10+42.64 грн
100+32.68 грн
500+24.24 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 sqsa84cenw.pdf
SQSA84CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]