Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 168 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHU7N60E-GE3 SIHU7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihu7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.12 грн
50+87.69 грн
100+73.99 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirs5100dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirs5100dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.36 грн
10+184.22 грн
100+130.06 грн
500+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir403edp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir403edp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.43 грн
10+63.54 грн
50+47.39 грн
100+39.57 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh085n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh085n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.02 грн
10+409.58 грн
100+301.09 грн
500+244.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK185N60EF-T1GE3 SIHK185N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk185n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+139.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK185N60EF-T1GE3 SIHK185N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk185n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.37 грн
10+254.54 грн
50+199.99 грн
100+171.19 грн
500+154.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3 SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr220dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.93 грн
10+150.39 грн
100+104.89 грн
500+85.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3 SIDR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3 SIDR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr608dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.70 грн
10+174.85 грн
100+122.38 грн
500+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3 SQM47N10-24L_GE3 Vishay Siliconix sqm47n10-24l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3 SQM47N10-24L_GE3 Vishay Siliconix sqm47n10-24l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.94 грн
10+133.25 грн
100+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7434dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7434dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia907edjt.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia907edjt.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.75 грн
10+79.08 грн
50+59.49 грн
100+49.86 грн
500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.80 грн
25+328.15 грн
50+299.20 грн
100+257.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392bds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.08 грн
9000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392bds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.46 грн
10+39.92 грн
50+29.36 грн
100+24.34 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh600e.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh600e.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.18 грн
10+375.83 грн
100+274.81 грн
500+219.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa409cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa409cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+33.90 грн
100+21.89 грн
500+15.69 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LC IRFP460LC Vishay Siliconix 91235.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460NPBF IRFP460NPBF Vishay Siliconix IRFP460N%2CSiHFP460N.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460A IRFP460A Vishay Siliconix sihfp460.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460P IRFP460P Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450LC IRFP450LC Vishay Siliconix 91231.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDG41905 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3 IRFR320TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.76 грн
10+113.14 грн
100+77.41 грн
500+58.29 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8406db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8406db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
10+31.62 грн
100+21.62 грн
500+16.01 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906EL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906EL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.22 грн
10+156.49 грн
50+120.45 грн
100+102.16 грн
500+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450 IRFP450 Vishay Siliconix 91233.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450NPBF IRFP450NPBF Vishay Siliconix IRFP450N%2CSiHFP450N.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450A IRFP450A Vishay Siliconix 91230.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.31 грн
10+318.76 грн
50+252.69 грн
100+217.20 грн
500+182.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF IRF620STRRPBF Vishay Siliconix sihf620s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF IRF620STRRPBF Vishay Siliconix sihf620s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.96 грн
10+125.25 грн
50+95.67 грн
100+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE882DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie882df.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE882DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie882df.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.06 грн
10+139.65 грн
100+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix sihp5n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihll110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihll110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+39.08 грн
100+25.42 грн
500+18.31 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg333a.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg333a.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.67 грн
10+381.16 грн
25+353.05 грн
100+302.33 грн
250+294.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 SI4420BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4420bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 SI4420BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4420bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.22 грн
10+59.58 грн
100+58.22 грн
500+53.71 грн
1000+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2801DY-T1-E3 SIP2801DY-T1-E3 Vishay Siliconix sip2800.pdf Description: IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 46kHz
Topology: Buck, Boost, Buck-Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2801DY-T1-E3 SIP2801DY-T1-E3 Vishay Siliconix sip2800.pdf Description: IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 46kHz
Topology: Buck, Boost, Buck-Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BEVB-B SIC437BEVB-B Vishay Siliconix sic437.pdf Description: SIC437B EVALUATION BOARD
Part Status: Active
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SiC437
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Current - Output: 12A
Voltage - Input: 4.5V ~ 28V
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2503DB-T2-GE1 DG2503DB-T2-GE1 Vishay Siliconix vis-dg2503db-t2-ge1.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix sqr70090elr.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix sqr70090elr.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.18 грн
10+87.61 грн
100+69.69 грн
500+55.34 грн
1000+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU7N60E-GE3 sihu7n60e.pdf
SIHU7N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.92 грн
10+115.12 грн
50+87.69 грн
100+73.99 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 sirs5100dp.pdf
SIRS5100DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 sirs5100dp.pdf
SIRS5100DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.36 грн
10+184.22 грн
100+130.06 грн
500+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 sir403edp.pdf
SIR403EDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 sir403edp.pdf
SIR403EDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.43 грн
10+63.54 грн
50+47.39 грн
100+39.57 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 sihh085n60ef.pdf
SIHH085N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 sihh085n60ef.pdf
SIHH085N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+625.02 грн
10+409.58 грн
100+301.09 грн
500+244.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK185N60EF-T1GE3 sihk185n60ef.pdf
SIHK185N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+139.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK185N60EF-T1GE3 sihk185n60ef.pdf
SIHK185N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.37 грн
10+254.54 грн
50+199.99 грн
100+171.19 грн
500+154.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3 sidr220dp.pdf
SIDR220DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.93 грн
10+150.39 грн
100+104.89 грн
500+85.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3 sidr608dp.pdf
SIDR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3 sidr608dp.pdf
SIDR608DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.70 грн
10+174.85 грн
100+122.38 грн
500+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3 sqm47n10-24l.pdf
SQM47N10-24L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM47N10-24L_GE3 sqm47n10-24l.pdf
SQM47N10-24L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.94 грн
10+133.25 грн
100+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
SI7434DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
SI7434DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 sia907edjt.pdf
SIA907EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 sia907edjt.pdf
SIA907EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.75 грн
10+79.08 грн
50+59.49 грн
100+49.86 грн
500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.80 грн
25+328.15 грн
50+299.20 грн
100+257.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 si2392bds.pdf
SI2392BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.08 грн
9000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 si2392bds.pdf
SI2392BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.46 грн
10+39.92 грн
50+29.36 грн
100+24.34 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
SIJH600E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
SIJH600E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+575.18 грн
10+375.83 грн
100+274.81 грн
500+219.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 sqa409cejw.pdf
SQA409CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3 sqa409cejw.pdf
SQA409CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+33.90 грн
100+21.89 грн
500+15.69 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LC description 91235.pdf
IRFP460LC
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460NPBF IRFP460N%2CSiHFP460N.pdf
IRFP460NPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460A description sihfp460.pdf
IRFP460A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460P
IRFP460P
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450LC 91231.pdf
IRFP450LC
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDG41905
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3 sihfr320.pdf
IRFR320TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.76 грн
10+113.14 грн
100+77.41 грн
500+58.29 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
10+31.62 грн
100+21.62 грн
500+16.01 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL.pdf
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL.pdf
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.22 грн
10+156.49 грн
50+120.45 грн
100+102.16 грн
500+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450 description 91233.pdf
IRFP450
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450NPBF IRFP450N%2CSiHFP450N.pdf
IRFP450NPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450A description 91230.pdf
IRFP450A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+491.31 грн
10+318.76 грн
50+252.69 грн
100+217.20 грн
500+182.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF sihf620s.pdf
IRF620STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF sihf620s.pdf
IRF620STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.96 грн
10+125.25 грн
50+95.67 грн
100+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE882DF-T1-GE3 sie882df.pdf
SIE882DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE882DF-T1-GE3 sie882df.pdf
SIE882DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.06 грн
10+139.65 грн
100+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+39.08 грн
100+25.42 грн
500+18.31 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDQ-T1-E3 dg333a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDQ-T1-E3 dg333a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.67 грн
10+381.16 грн
25+353.05 грн
100+302.33 грн
250+294.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 si4420bd.pdf
SI4420BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 si4420bd.pdf
SI4420BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.22 грн
10+59.58 грн
100+58.22 грн
500+53.71 грн
1000+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2801DY-T1-E3 sip2800.pdf
SIP2801DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 46kHz
Topology: Buck, Boost, Buck-Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2801DY-T1-E3 sip2800.pdf
SIP2801DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 46kHz
Topology: Buck, Boost, Buck-Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437BEVB-B sic437.pdf
SIC437BEVB-B
Виробник: Vishay Siliconix
Description: SIC437B EVALUATION BOARD
Part Status: Active
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SiC437
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Current - Output: 12A
Voltage - Input: 4.5V ~ 28V
Voltage - Output: 0.6V ~ 20V
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2503DB-T2-GE1 vis-dg2503db-t2-ge1.pdf
DG2503DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 sqr70090elr.pdf
SQR70090ELR_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR70090ELR_GE3 sqr70090elr.pdf
SQR70090ELR_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.18 грн
10+87.61 грн
100+69.69 грн
500+55.34 грн
1000+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]