Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11065) > Сторінка 169 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5108dn.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.35 грн
6000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5108dn.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.14 грн
10+105.14 грн
100+75.07 грн
500+56.55 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis4604ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.44 грн
6000+24.25 грн
9000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis4604ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.66 грн
10+50.35 грн
100+39.18 грн
500+31.16 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 SQA405CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa405cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 SQA405CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa405cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.99 грн
13+25.29 грн
100+17.17 грн
500+12.62 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3 SQA440CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa440cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3 SQA440CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa440cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
10+37.55 грн
100+28.02 грн
500+20.67 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa407cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa407cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.99 грн
10+32.11 грн
100+22.29 грн
500+16.33 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF IRFP460PBF Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.17 грн
25+247.40 грн
100+241.91 грн
500+222.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3 SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3 SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.01 грн
10+44.45 грн
100+29.00 грн
500+20.97 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir826ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.78 грн
6000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir826ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+87.29 грн
100+63.47 грн
500+47.48 грн
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir876bdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir876bdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.52 грн
10+72.04 грн
100+56.06 грн
500+44.59 грн
1000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja16ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja16ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.55 грн
10+103.84 грн
100+71.12 грн
500+53.35 грн
1000+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis4608ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis4608ldn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+55.02 грн
100+38.09 грн
500+29.87 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 SQD40052EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40052el.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 SQD40052EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40052el.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
10+72.65 грн
100+56.63 грн
500+43.90 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBF IRFPS37N50APBF Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460CENW-T1_GE3 SQS460CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs460cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460CENW-T1_GE3 SQS460CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs460cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+54.41 грн
100+35.81 грн
500+26.08 грн
1000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N80AE-GE3 SIHB6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb6n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.56 грн
50+93.46 грн
100+84.18 грн
500+63.71 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3 SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3 SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+35.02 грн
100+25.96 грн
500+21.04 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1965DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1965DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1416ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1416ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
12+26.75 грн
100+13.17 грн
500+11.74 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4917cey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4917cey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.72 грн
10+79.32 грн
100+53.32 грн
500+39.60 грн
1000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3 SQ3989EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3 SQ3989EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3989ev.pdf Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9634dy.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9634dy.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_BE3 SQJ980AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj980ap.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_BE3 SQJ980AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj980ap.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
10+64.45 грн
100+50.10 грн
500+39.86 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis9634ldn.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.90 грн
6000+36.60 грн
9000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis9634ldn.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.29 грн
10+76.02 грн
100+59.12 грн
500+47.02 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4534dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.32 грн
5000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4534dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+80.62 грн
100+62.69 грн
500+49.87 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433BDN-T1E4 SIP32433BDN-T1E4 Vishay Siliconix sip32433.pdf Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Auto Restart, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433BDN-T1E4 SIP32433BDN-T1E4 Vishay Siliconix sip32433.pdf Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Auto Restart, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+71.81 грн
25+65.05 грн
100+54.10 грн
250+50.77 грн
500+48.77 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460EVB SIP32460EVB Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32460
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32460
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32448DNP-T1-GE4 SIP32448DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SiP32448_SiP32449_RevC_8-24-15.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32448DNP-T1-GE4 SIP32448DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SiP32448_SiP32449_RevC_8-24-15.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.40 грн
10+45.60 грн
25+38.29 грн
100+28.10 грн
250+24.26 грн
500+21.91 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433ADN-T1E4 SIP32433ADN-T1E4 Vishay Siliconix sip32433.pdf Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433ADN-T1E4 SIP32433ADN-T1E4 Vishay Siliconix sip32433.pdf Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+71.81 грн
25+65.05 грн
100+54.10 грн
250+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32462EVB SiP32462EVB Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32462
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32462
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32409EVB Vishay Siliconix sip32408.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32409
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SIP32409
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3129dv.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3129dv.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
10+40.54 грн
100+28.02 грн
500+21.98 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs482en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.54 грн
10+56.94 грн
100+39.66 грн
500+32.24 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3 SI2369DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3 siss5108dn.pdf
SISS5108DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.35 грн
6000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3 siss5108dn.pdf
SISS5108DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
10+105.14 грн
100+75.07 грн
500+56.55 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 sis4604ldn.pdf
SIS4604LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.44 грн
6000+24.25 грн
9000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 sis4604ldn.pdf
SIS4604LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.66 грн
10+50.35 грн
100+39.18 грн
500+31.16 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
SQA405CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
SQA405CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
13+25.29 грн
100+17.17 грн
500+12.62 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3 sqa440cejw.pdf
SQA440CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3 sqa440cejw.pdf
SQA440CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.36 грн
10+37.55 грн
100+28.02 грн
500+20.67 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 sqa407cejw.pdf
SQA407CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3 sqa407cejw.pdf
SQA407CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
10+32.11 грн
100+22.29 грн
500+16.33 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF 91237.pdf
IRFP460PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.17 грн
25+247.40 грн
100+241.91 грн
500+222.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3 si2343ds.pdf
SI2343DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-BE3 si2343ds.pdf
SI2343DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+44.45 грн
100+29.00 грн
500+20.97 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.78 грн
6000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.76 грн
10+87.29 грн
100+63.47 грн
500+47.48 грн
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
SIR876BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
SIR876BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+72.04 грн
100+56.06 грн
500+44.59 грн
1000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 sqja16ep.pdf
SQJA16EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 sqja16ep.pdf
SQJA16EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.55 грн
10+103.84 грн
100+71.12 грн
500+53.35 грн
1000+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 sis4608ldn.pdf
SIS4608LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 sis4608ldn.pdf
SIS4608LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+55.02 грн
100+38.09 грн
500+29.87 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
SQD40052EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
SQD40052EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+72.65 грн
100+56.63 грн
500+43.90 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS37N50APBF
IRFPS37N50APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460CENW-T1_GE3 sqs460cenw.pdf
SQS460CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460CENW-T1_GE3 sqs460cenw.pdf
SQS460CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.41 грн
100+35.81 грн
500+26.08 грн
1000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N80AE-GE3 sihb6n80ae.pdf
SIHB6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.56 грн
50+93.46 грн
100+84.18 грн
500+63.71 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+35.02 грн
100+25.96 грн
500+21.04 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 si1416ed.pdf
SI1416EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 si1416ed.pdf
SI1416EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
12+26.75 грн
100+13.17 грн
500+11.74 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3 sq4917cey.pdf
SQ4917CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3 sq4917cey.pdf
SQ4917CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.32 грн
100+53.32 грн
500+39.60 грн
1000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3 sq3989ev.pdf
SQ3989EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9634DY-T1-GE3 si9634dy.pdf
SI9634DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9634DY-T1-GE3 si9634dy.pdf
SI9634DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_BE3 sqj980ap.pdf
SQJ980AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_BE3 sqj980ap.pdf
SQJ980AEP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.17 грн
10+64.45 грн
100+50.10 грн
500+39.86 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 sis9634ldn.pdf
SIS9634LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.90 грн
6000+36.60 грн
9000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 sis9634ldn.pdf
SIS9634LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+76.02 грн
100+59.12 грн
500+47.02 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 si4534dy.pdf
SI4534DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.32 грн
5000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 si4534dy.pdf
SI4534DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+80.62 грн
100+62.69 грн
500+49.87 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433BDN-T1E4 sip32433.pdf
SIP32433BDN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Auto Restart, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433BDN-T1E4 sip32433.pdf
SIP32433BDN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Auto Restart, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+71.81 грн
25+65.05 грн
100+54.10 грн
250+50.77 грн
500+48.77 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32460EVB sip32461.pdf
SIP32460EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32460
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32460
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1112.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32448DNP-T1-GE4 SiP32448_SiP32449_RevC_8-24-15.pdf
SIP32448DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32448DNP-T1-GE4 SiP32448_SiP32449_RevC_8-24-15.pdf
SIP32448DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+45.60 грн
25+38.29 грн
100+28.10 грн
250+24.26 грн
500+21.91 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433ADN-T1E4 sip32433.pdf
SIP32433ADN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32433ADN-T1E4 sip32433.pdf
SIP32433ADN-T1E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 3.5 A, 78 M, 2.8 V TO 23 V PROGR
Features: Latch Function, Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 78mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+71.81 грн
25+65.05 грн
100+54.10 грн
250+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32462EVB sip32461.pdf
SiP32462EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32462
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32462
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1112.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32409EVB sip32408.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32409
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SIP32409
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
10+40.54 грн
100+28.02 грн
500+21.98 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQS482EN-T1_GE3 sqs482en.pdf
SQS482EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+56.94 грн
100+39.66 грн
500+32.24 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.87 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]