Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 169 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR5108DP-T1-RE3 SIR5108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5108dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3 SIR5108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5108dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDY-T1-E3 DG413HSDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDY-T1-E3 DG413HSDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.66 грн
10+195.09 грн
25+179.28 грн
100+151.94 грн
250+144.17 грн
500+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDY-T1-E3 DG441BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDY-T1-E3 DG441BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.25 грн
10+114.60 грн
25+104.63 грн
100+87.91 грн
250+82.99 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441LEDJ-GE3 DG441LEDJ-GE3 Vishay Siliconix dg441le.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 26OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 6.6pC
Crosstalk: -114dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDN-T1-E4 DG441BDN-T1-E4 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDN-T1-E4 DG441BDN-T1-E4 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.59 грн
10+181.63 грн
25+166.79 грн
100+141.19 грн
250+133.88 грн
500+132.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3 SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf920dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3 SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf920dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.96 грн
10+122.85 грн
100+84.23 грн
500+63.56 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5623dn.pdf Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.70 грн
6000+46.71 грн
9000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5623dn.pdf Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 26193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.11 грн
10+110.75 грн
100+75.72 грн
500+56.99 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix sihf9z14.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix sihf9z14.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+83.82 грн
100+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+192.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.55 грн
10+305.69 грн
100+226.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.42 грн
10+257.80 грн
100+185.02 грн
500+144.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp050n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.86 грн
10+481.34 грн
100+358.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF IRL640STRRPBF Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF IRL640STRRPBF Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.81 грн
10+164.83 грн
100+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32441DNP-T1-GE4 SIP32441DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32441_Web.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32461EVB SiP32461EVB Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32461
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32461
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32468EVB SiP32468EVB Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32468
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32468
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32452EVB Vishay Siliconix sip32452.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32452
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32452
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32451EVB Vishay Siliconix sip32452.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32451
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32451
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3 SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2347ds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3 SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2347ds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
17+18.61 грн
100+9.74 грн
500+8.25 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.73 грн
6000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.91 грн
10+54.77 грн
100+42.57 грн
500+33.86 грн
1000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk085n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+259.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk085n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.10 грн
10+392.61 грн
100+288.65 грн
500+234.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 SiSS28DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss28dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 SiSS28DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss28dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.91 грн
10+62.33 грн
100+41.42 грн
500+30.42 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
10+132.31 грн
100+91.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDY-T1-E3 DG418BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDY-T1-E3 DG418BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.67 грн
10+153.41 грн
25+140.43 грн
100+118.38 грн
250+111.98 грн
500+108.13 грн
1000+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3 SISS4402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss4402dn.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.57 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3 SISS4402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss4402dn.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.04 грн
10+106.66 грн
100+72.80 грн
500+54.72 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3 SIA456DJ-T3-GE3 Vishay Siliconix sia456dj.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN1-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2750.pdf Description: LOW VOLTAGE DUAL ANALAOG SWITCH
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish103dn.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.59 грн
6000+21.94 грн
9000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish103dn.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.05 грн
10+57.87 грн
100+38.26 грн
500+28.00 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF Vishay Siliconix irfi9610g.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.18 грн
10+120.88 грн
100+83.39 грн
500+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.84 грн
10+52.42 грн
100+36.30 грн
500+28.46 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_GE3 SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs840en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_GE3 SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs840en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.12 грн
10+62.03 грн
100+41.17 грн
500+30.22 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_BE3 SQS840EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs840en.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_BE3 SQS840EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs840en.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.12 грн
10+62.03 грн
100+41.17 грн
500+30.22 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis888dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.89 грн
6000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis888dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
10+89.26 грн
100+60.59 грн
500+45.63 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_BE3 SQS850EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs850en.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_BE3 SQS850EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs850en.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.83 грн
10+71.71 грн
100+47.94 грн
500+35.41 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.42 грн
10+272.93 грн
100+196.54 грн
500+153.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.92 грн
10+261.36 грн
100+187.72 грн
500+146.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEN-T1-GE3 DG506BEN-T1-GE3 Vishay Siliconix dg506b.pdf Description: IC MUX 16:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEN-T1-GE3 DG506BEN-T1-GE3 Vishay Siliconix dg506b.pdf Description: IC MUX 16:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.20 грн
10+366.81 грн
25+346.79 грн
100+282.04 грн
250+267.58 грн
500+240.10 грн
1000+199.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DJ DG406DJ Vishay Siliconix dg406.pdf Description: IC MUX 16:1 100OHM 28DIP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-PDIP
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Charge Injection: 15pC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3 sir5108dp.pdf
SIR5108DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3 sir5108dp.pdf
SIR5108DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDY-T1-E3 dg411.pdf
DG413HSDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDY-T1-E3 dg411.pdf
DG413HSDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.66 грн
10+195.09 грн
25+179.28 грн
100+151.94 грн
250+144.17 грн
500+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDY-T1-E3 72625.pdf
DG441BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDY-T1-E3 72625.pdf
DG441BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.25 грн
10+114.60 грн
25+104.63 грн
100+87.91 грн
250+82.99 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441LEDJ-GE3 dg441le.pdf
DG441LEDJ-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 26OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 6.6pC
Crosstalk: -114dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDN-T1-E4 72625.pdf
DG441BDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDN-T1-E4 72625.pdf
DG441BDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.59 грн
10+181.63 грн
25+166.79 грн
100+141.19 грн
250+133.88 грн
500+132.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3 sizf920dt.pdf
SIZF920DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3 sizf920dt.pdf
SIZF920DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.96 грн
10+122.85 грн
100+84.23 грн
500+63.56 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 siss5623dn.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+51.70 грн
6000+46.71 грн
9000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 siss5623dn.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 26193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.11 грн
10+110.75 грн
100+75.72 грн
500+56.99 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.91 грн
10+83.82 грн
100+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 sihh125n60ef.pdf
SIHH125N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+192.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 sihh125n60ef.pdf
SIHH125N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+470.55 грн
10+305.69 грн
100+226.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 sihp125n60ef.pdf
SIHP125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+401.42 грн
10+257.80 грн
100+185.02 грн
500+144.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+725.86 грн
10+481.34 грн
100+358.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF sihl640s.pdf
IRL640STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF sihl640s.pdf
IRL640STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+260.81 грн
10+164.83 грн
100+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32441DNP-T1-GE4 SIP32441_Web.pdf
SIP32441DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 38mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32461EVB sip32461.pdf
SiP32461EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32461
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32461
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32468EVB sip32467.pdf
SiP32468EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32468
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32468
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32452EVB sip32452.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32452
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32452
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiP32451EVB sip32452.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32451
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32451
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-BE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.42 грн
17+18.61 грн
100+9.74 грн
500+8.25 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3 si2337ds.pdf
SI2337DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.73 грн
6000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-BE3 si2337ds.pdf
SI2337DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.91 грн
10+54.77 грн
100+42.57 грн
500+33.86 грн
1000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 sihk085n60ef.pdf
SIHK085N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+259.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 sihk085n60ef.pdf
SIHK085N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+560.10 грн
10+392.61 грн
100+288.65 грн
500+234.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 siss28dn.pdf
SiSS28DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 siss28dn.pdf
SiSS28DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.91 грн
10+62.33 грн
100+41.42 грн
500+30.42 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.10 грн
10+132.31 грн
100+91.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG418BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG418BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.67 грн
10+153.41 грн
25+140.43 грн
100+118.38 грн
250+111.98 грн
500+108.13 грн
1000+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3 siss4402dn.pdf
SISS4402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.57 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3 siss4402dn.pdf
SISS4402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.04 грн
10+106.66 грн
100+72.80 грн
500+54.72 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3 sia456dj.pdf
SIA456DJ-T3-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN1-T1-GE4 dg2750.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOW VOLTAGE DUAL ANALAOG SWITCH
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3 sish103dn.pdf
SISH103DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+24.59 грн
6000+21.94 грн
9000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3 sish103dn.pdf
SISH103DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.05 грн
10+57.87 грн
100+38.26 грн
500+28.00 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9610GPBF irfi9610g.pdf
IRFI9610GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.18 грн
10+120.88 грн
100+83.39 грн
500+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3 si3437dv.pdf
SI3437DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3 si3437dv.pdf
SI3437DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.84 грн
10+52.42 грн
100+36.30 грн
500+28.46 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 sir626adp.pdf
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_GE3 sqs840en.pdf
SQS840EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_GE3 sqs840en.pdf
SQS840EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.12 грн
10+62.03 грн
100+41.17 грн
500+30.22 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_BE3 sqs840en.pdf
SQS840EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS840EN-T1_BE3 sqs840en.pdf
SQS840EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.12 грн
10+62.03 грн
100+41.17 грн
500+30.22 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 sis888dn.pdf
SIS888DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.89 грн
6000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 sis888dn.pdf
SIS888DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.54 грн
10+89.26 грн
100+60.59 грн
500+45.63 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_BE3 sqs850en.pdf
SQS850EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS850EN-T1_BE3 sqs850en.pdf
SQS850EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.83 грн
10+71.71 грн
100+47.94 грн
500+35.41 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80E-GE3 sihb17n80e.pdf
SIHB17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+423.42 грн
10+272.93 грн
100+196.54 грн
500+153.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+406.92 грн
10+261.36 грн
100+187.72 грн
500+146.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEN-T1-GE3 dg506b.pdf
DG506BEN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEN-T1-GE3 dg506b.pdf
DG506BEN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+424.20 грн
10+366.81 грн
25+346.79 грн
100+282.04 грн
250+267.58 грн
500+240.10 грн
1000+199.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DJ dg406.pdf
DG406DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 100OHM 28DIP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-PDIP
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Charge Injection: 15pC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]