Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 174 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFPC40 IRFPC40 Vishay Siliconix VISH-S-A0009487232-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.95 грн
10+159.24 грн
100+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740A IRF740A Vishay Siliconix 91051.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz348dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.77 грн
6000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz348dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.34 грн
10+62.41 грн
100+48.55 грн
500+38.62 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz350dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz350dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.56 грн
10+61.65 грн
100+47.95 грн
500+38.14 грн
1000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 SUD80460E-GE3 Vishay Siliconix sud80460e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.60 грн
4000+21.74 грн
6000+20.94 грн
10000+18.68 грн
14000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 SUD80460E-GE3 Vishay Siliconix sud80460e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.98 грн
10+54.92 грн
100+36.39 грн
500+26.66 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 SIR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir170dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.74 грн
6000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610 IRF610 Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3 SI1480BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1480bdh.pdf Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3 SI1480BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1480bdh.pdf Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3 SIHFL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3 SIHFL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
10+30.71 грн
100+21.70 грн
500+16.75 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+42.96 грн
500+31.58 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3 SQJ416EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj416ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3 SQJ416EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj416ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs152elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs152elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.69 грн
10+76.48 грн
100+51.15 грн
500+37.82 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 28243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.26 грн
10+82.76 грн
100+58.55 грн
500+44.81 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 Si7972DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7972dp.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 22W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3 SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss66dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3 SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss66dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.04 грн
10+92.14 грн
100+62.31 грн
500+46.49 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32433BDN-T1E3 SIPQ32433BDN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 2.8V ~ 22V
Current - Output: 3.5A
Accuracy: ±8%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32433BDN-T1E3 SIPQ32433BDN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 2.8V ~ 22V
Current - Output: 3.5A
Accuracy: ±8%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.12 грн
10+71.94 грн
25+65.36 грн
100+54.46 грн
250+51.19 грн
500+49.22 грн
1000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434BDN-T1E3 SIPQ32434BDN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434BDN-T1E3 SIPQ32434BDN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434ADN-T1E3 SIPQ32434ADN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434ADN-T1E3 SIPQ32434ADN-T1E3 Vishay Siliconix sipq32434.pdf Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 33mOhm
Output Configuration: High Side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3 SQ3418AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3418aeev.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3 SQ3418AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3418aeev.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.42 грн
10+50.76 грн
100+39.45 грн
500+31.39 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss60dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss60dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.41 грн
10+77.46 грн
100+54.61 грн
500+41.69 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs4600dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs4600dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.44 грн
10+223.54 грн
100+158.99 грн
500+123.34 грн
1000+115.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3 SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib4317edk.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
6000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3 SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib4317edk.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.21 грн
12+26.25 грн
100+18.26 грн
500+13.38 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 IRF510 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3 SQ4284EY-T1_BE3 Vishay Siliconix doc?67334 Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3 SQ4284EY-T1_BE3 Vishay Siliconix doc?67334 Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+92.59 грн
100+73.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DY DG412DY Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG403DY DG403DY Vishay Siliconix DG401%2C403%2C405_Rev2009.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX2 45OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.04 грн
75+65.49 грн
150+58.91 грн
525+46.49 грн
1050+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-BE3 Vishay Siliconix 73238.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-BE3 Vishay Siliconix 73238.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+69.75 грн
100+46.45 грн
500+34.21 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3453dv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3453dv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
14+22.92 грн
100+11.97 грн
500+10.26 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+55.15 грн
100+36.29 грн
500+26.46 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.62 грн
10+72.62 грн
100+48.73 грн
500+36.14 грн
1000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.31 грн
6000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
на замовлення 12697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
10+60.90 грн
100+42.58 грн
500+32.25 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3 SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3 SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.18 грн
10+115.66 грн
100+79.25 грн
500+59.74 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40 VISH-S-A0009487232-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFPC40
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.95 грн
10+159.24 грн
100+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740A description 91051.pdf
IRF740A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.77 грн
6000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.34 грн
10+62.41 грн
100+48.55 грн
500+38.62 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 siz350dt.pdf
SIZ350DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 siz350dt.pdf
SIZ350DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.56 грн
10+61.65 грн
100+47.95 грн
500+38.14 грн
1000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 sud80460e.pdf
SUD80460E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+24.60 грн
4000+21.74 грн
6000+20.94 грн
10000+18.68 грн
14000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 sud80460e.pdf
SUD80460E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.98 грн
10+54.92 грн
100+36.39 грн
500+26.66 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 sir170dp.pdf
SIR170DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+60.74 грн
6000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610 description irl620.pdf
IRF610
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3 si1480bdh.pdf
SI1480BDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3 si1480bdh.pdf
SI1480BDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3 sihfl110.pdf
SIHFL110TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3 sihfl110.pdf
SIHFL110TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
10+30.71 грн
100+21.70 грн
500+16.75 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+42.96 грн
500+31.58 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3 sqj416ep.pdf
SQJ416EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3 sqj416ep.pdf
SQJ416EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS152ELP-T1_GE3 sqrs152elp.pdf
SQRS152ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQRS152ELP-T1_GE3 sqrs152elp.pdf
SQRS152ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.69 грн
10+76.48 грн
100+51.15 грн
500+37.82 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3 sqj138ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3 sqj138ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 28243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.26 грн
10+82.76 грн
100+58.55 грн
500+44.81 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Si7972DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 22W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3 siss66dn.pdf
SISS66DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3 siss66dn.pdf
SISS66DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.04 грн
10+92.14 грн
100+62.31 грн
500+46.49 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32433BDN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32433BDN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 2.8V ~ 22V
Current - Output: 3.5A
Accuracy: ±8%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32433BDN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32433BDN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 2.8V ~ 22V
Current - Output: 3.5A
Accuracy: ±8%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.12 грн
10+71.94 грн
25+65.36 грн
100+54.46 грн
250+51.19 грн
500+49.22 грн
1000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434BDN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32434BDN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434BDN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32434BDN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434ADN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32434ADN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 33mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPQ32434ADN-T1E3 sipq32434.pdf
SIPQ32434ADN-T1E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: LOAD SWITCH W/ PROGRAMMABLE OVP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 23V
Voltage - Load: 2.8V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 33mOhm
Output Configuration: High Side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3 sq3418aeev.pdf
SQ3418AEEV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3 sq3418aeev.pdf
SQ3418AEEV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.42 грн
10+50.76 грн
100+39.45 грн
500+31.39 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 siss60dn.pdf
SISS60DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 siss60dn.pdf
SISS60DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.41 грн
10+77.46 грн
100+54.61 грн
500+41.69 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3 sirs4600dp.pdf
SIRS4600DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+126.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3 sirs4600dp.pdf
SIRS4600DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+324.44 грн
10+223.54 грн
100+158.99 грн
500+123.34 грн
1000+115.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3 sib4317edk.pdf
SIB4317EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.76 грн
6000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4317EDK-T1-GE3 sib4317edk.pdf
SIB4317EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.21 грн
12+26.25 грн
100+18.26 грн
500+13.38 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3 doc?67334
SQ4284EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3 doc?67334
SQ4284EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.26 грн
10+92.59 грн
100+73.68 грн
500+58.51 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DY dg411.pdf
DG412DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG403DY DG401%2C403%2C405_Rev2009.pdf
DG403DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX2 45OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.04 грн
75+65.49 грн
150+58.91 грн
525+46.49 грн
1050+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3 73238.pdf
SI2325DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3 73238.pdf
SI2325DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.69 грн
10+69.75 грн
100+46.45 грн
500+34.21 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 si3453dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 si3453dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
14+22.92 грн
100+11.97 грн
500+10.26 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.12 грн
10+55.15 грн
100+36.29 грн
500+26.46 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 si3430dv.pdf
SI3430DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 si3430dv.pdf
SI3430DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.62 грн
10+72.62 грн
100+48.73 грн
500+36.14 грн
1000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 siss30dn.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.31 грн
6000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 siss30dn.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
на замовлення 12697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.48 грн
10+60.90 грн
100+42.58 грн
500+32.25 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+186.18 грн
10+115.66 грн
100+79.25 грн
500+59.74 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]