Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119485) > Сторінка 1954 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.85 грн
10+43.03 грн
100+34.74 грн
250+31.47 грн
500+29.05 грн
1000+26.62 грн
2000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.60 грн
10+70.48 грн
25+62.19 грн
50+56.59 грн
100+51.56 грн
250+45.54 грн
500+41.43 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.23 грн
37+11.47 грн
100+7.52 грн
500+5.62 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.32 грн
13+34.65 грн
50+32.39 грн
100+30.97 грн
500+29.46 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.58 грн
10+82.87 грн
25+63.62 грн
50+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
8+55.25 грн
10+50.22 грн
50+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+328.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.68 грн
10+342.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5010pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.87 грн
3+192.52 грн
10+169.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.16 грн
10+215.13 грн
100+174.11 грн
250+158.21 грн
500+146.49 грн
1000+145.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+336.24 грн
10+236.89 грн
100+210.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.86 грн
10+120.54 грн
20+111.33 грн
50+100.45 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.82 грн
51+8.29 грн
67+6.29 грн
100+5.63 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.79 грн
6+80.36 грн
10+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM31256-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM3164_31256-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Kind of interface: serial
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 32kx8bit
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+987.99 грн
3+850.46 грн
10+825.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
88+5.16 грн
100+4.32 грн
250+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.51 грн
3+259.49 грн
10+232.70 грн
50+216.80 грн
250+215.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.03 грн
30+14.06 грн
35+11.97 грн
45+9.46 грн
53+7.95 грн
100+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.95 грн
22+19.75 грн
100+12.22 грн
250+9.96 грн
500+8.62 грн
1000+7.45 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.63A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.23 грн
38+11.22 грн
56+7.55 грн
100+6.35 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.93 грн
33+13.06 грн
50+9.04 грн
100+7.66 грн
500+5.33 грн
1000+4.59 грн
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.55 грн
19+22.60 грн
22+19.42 грн
100+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.13 грн
37+11.47 грн
55+7.67 грн
100+6.41 грн
500+4.37 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.77 грн
10+46.62 грн
50+39.43 грн
100+37.17 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.54 грн
10+57.00 грн
25+50.47 грн
100+42.27 грн
250+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.48 грн
10+70.06 грн
50+53.82 грн
100+48.05 грн
200+42.77 грн
500+36.66 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.41 грн
90+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.82 грн
56+7.53 грн
61+6.95 грн
100+5.44 грн
500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Mounting: SMD
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 33A
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Case: DPAK5
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.11 грн
10+150.67 грн
25+142.30 грн
50+135.60 грн
100+128.91 грн
250+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4716.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.43 грн
25+83.71 грн
95+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.32 грн
43+9.96 грн
62+6.80 грн
100+5.73 грн
500+3.99 грн
1000+3.52 грн
3000+2.98 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.03 грн
40+10.71 грн
54+7.87 грн
100+7.00 грн
500+5.46 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.13 грн
41+10.21 грн
57+7.45 грн
100+6.53 грн
500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.71 грн
5+102.96 грн
10+100.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.52 грн
38+11.05 грн
100+7.26 грн
500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 290ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.29 грн
10+79.52 грн
25+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT210N12KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 210A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 6.6kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6895.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.85 грн
10+43.03 грн
100+34.74 грн
250+31.47 грн
500+29.05 грн
1000+26.62 грн
2000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF irfr6215pbf.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.60 грн
10+70.48 грн
25+62.19 грн
50+56.59 грн
100+51.56 грн
250+45.54 грн
500+41.43 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856UE6327.pdf
BC856SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.23 грн
37+11.47 грн
100+7.52 грн
500+5.62 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF irl7833pbf.pdf
IRL7833STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.32 грн
13+34.65 грн
50+32.39 грн
100+30.97 грн
500+29.46 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.58 грн
10+82.87 грн
25+63.62 грн
50+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
8+55.25 грн
10+50.22 грн
50+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+376.68 грн
10+342.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF irfh5010pbf.pdf
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.87 грн
3+192.52 грн
10+169.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.16 грн
10+215.13 грн
100+174.11 грн
250+158.21 грн
500+146.49 грн
1000+145.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.24 грн
10+236.89 грн
100+210.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.86 грн
10+120.54 грн
20+111.33 грн
50+100.45 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.82 грн
51+8.29 грн
67+6.29 грн
100+5.63 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.79 грн
6+80.36 грн
10+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM3164_31256-DTE.pdf
FM31256-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Kind of interface: serial
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 32kx8bit
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.99 грн
3+850.46 грн
10+825.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
88+5.16 грн
100+4.32 грн
250+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.51 грн
3+259.49 грн
10+232.70 грн
50+216.80 грн
250+215.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.03 грн
30+14.06 грн
35+11.97 грн
45+9.46 грн
53+7.95 грн
100+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.95 грн
22+19.75 грн
100+12.22 грн
250+9.96 грн
500+8.62 грн
1000+7.45 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.63A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.23 грн
38+11.22 грн
56+7.55 грн
100+6.35 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.93 грн
33+13.06 грн
50+9.04 грн
100+7.66 грн
500+5.33 грн
1000+4.59 грн
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.55 грн
19+22.60 грн
22+19.42 грн
100+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.13 грн
37+11.47 грн
55+7.67 грн
100+6.41 грн
500+4.37 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.77 грн
10+46.62 грн
50+39.43 грн
100+37.17 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.54 грн
10+57.00 грн
25+50.47 грн
100+42.27 грн
250+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.48 грн
10+70.06 грн
50+53.82 грн
100+48.05 грн
200+42.77 грн
500+36.66 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Power dissipation: 0.15W
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.41 грн
90+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.82 грн
56+7.53 грн
61+6.95 грн
100+5.44 грн
500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Mounting: SMD
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 33A
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Case: DPAK5
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.11 грн
10+150.67 грн
25+142.30 грн
50+135.60 грн
100+128.91 грн
250+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4716.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.43 грн
25+83.71 грн
95+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.32 грн
43+9.96 грн
62+6.80 грн
100+5.73 грн
500+3.99 грн
1000+3.52 грн
3000+2.98 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.03 грн
40+10.71 грн
54+7.87 грн
100+7.00 грн
500+5.46 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.13 грн
41+10.21 грн
57+7.45 грн
100+6.53 грн
500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.71 грн
5+102.96 грн
10+100.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.52 грн
38+11.05 грн
100+7.26 грн
500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 290ns
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.29 грн
10+79.52 грн
25+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF.pdf
TT210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 210A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 6.6kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6895.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]