Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 230 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 246 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040CFD7XKSA1 INFINEON 2643897.pdf Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+803.38 грн
5+684.97 грн
10+566.56 грн
50+482.57 грн
100+405.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 INFINEON INFNS16356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.89 грн
5+845.32 грн
10+639.75 грн
50+588.71 грн
100+538.49 грн
250+527.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4 Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1263.05 грн
5+1262.23 грн
10+1260.58 грн
50+747.53 грн
100+611.79 грн
250+611.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON INFNS17427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.99 грн
5+1040.21 грн
10+974.42 грн
50+655.14 грн
100+559.63 грн
250+558.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80 Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.92 грн
10+365.10 грн
100+233.53 грн
500+184.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON 2372020.pdf Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.94 грн
5+684.15 грн
10+544.36 грн
50+456.61 грн
100+387.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 INFINEON 2718793.pdf Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.75 грн
10+351.94 грн
100+225.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF INFINEON 1916268.pdf description Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
DC-Kollektorstrom: 49
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF INFINEON 2331892.pdf Description: INFINEON - IRG4BC20KDPBF - IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.27
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF INFINEON irg4ibc30wpbf.pdf Description: INFINEON - IRG4IBC30WPBF - IGBT, 17 A, 2.1 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 17
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXI-LP096 CY8C5888AXI-LP096 INFINEON CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5888AXI-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C58LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2167.57 грн
5+1960.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTI-LP097 CY8C5888LTI-LP097 INFINEON 3760299.pdf Description: INFINEON - CY8C5888LTI-LP097 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1898.68 грн
5+1841.94 грн
10+1483.42 грн
25+1295.76 грн
50+1172.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 BFQ790H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.22 грн
10+158.70 грн
100+110.19 грн
500+81.70 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 CY8C4025AZI-S413 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.17 грн
10+148.84 грн
25+136.50 грн
50+116.82 грн
100+97.27 грн
250+92.33 грн
500+91.63 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 CY8C4025LQI-S411 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S411 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+129.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S412 CY8C4025LQI-S412 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S412 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-32
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: PSoC 4000S
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.13 грн
10+142.26 грн
25+129.92 грн
50+114.53 грн
100+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.76 грн
50+62.41 грн
250+54.11 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 FS35R12KT3BPSA1 INFINEON 2882451.pdf Description: INFINEON - FS35R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10291.86 грн
5+9648.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.22 грн
5+538.60 грн
10+397.99 грн
50+349.71 грн
100+304.48 грн
250+298.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.74 грн
50+16.61 грн
250+8.47 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3FKSA1 SPW24N60C3FKSA1 INFINEON 1849674.html Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.40 грн
10+469.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON INFNS29923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.51 грн
10+154.59 грн
100+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.83 грн
50+45.23 грн
250+29.44 грн
1000+18.94 грн
2000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 INFINEON INFNS14370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+746.65 грн
5+594.52 грн
10+441.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF IRFP4768PBF INFINEON 2332087.pdf Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.69 грн
10+216.26 грн
100+179.26 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.25 грн
10+225.31 грн
50+192.42 грн
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF INFINEON 137515.pdf description Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
50+60.27 грн
250+39.63 грн
1000+25.96 грн
2000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.94 грн
10+180.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON 2354552.pdf Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.09 грн
10+108.54 грн
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4428SPBF IRS4428SPBF INFINEON 2064150.pdf Description: INFINEON - IRS4428SPBF - MOSFET-Treiber, zweifach, Low-Side, 6V-20V Versorgung, 2.3Aout, CMOS, 50ns Verzögerung, NSOIC-8
Sinkstrom: 3.3
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Quellstrom: 2.3
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 50
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Description: INFINEON - SPA15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.43 грн
10+177.62 грн
100+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 INFINEON Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.55 грн
10+194.88 грн
100+115.94 грн
500+98.50 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1 IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON Infineon-I80P03P4L_04-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7&ack=t Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 137
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 INFINEON ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1_Web.pdf Description: INFINEON - ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 - Zubehör für Development Kit, Drehknopf für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 90319000
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2086.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
15+55.34 грн
50+45.80 грн
200+33.67 грн
500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF771E6327HTSA1 INFINEON BF%20771.pdf Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.75 грн
73+11.35 грн
108+7.67 грн
500+6.48 грн
1000+5.80 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF771E6327HTSA1 INFINEON BF%20771.pdf Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.48 грн
1000+5.80 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QI-20LPXC CY15B104QI-20LPXC INFINEON 2843376.pdf Description: INFINEON - CY15B104QI-20LPXC - FRAM, 4MB, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1947.20 грн
5+1879.77 грн
10+1811.52 грн
25+1392.74 грн
50+1260.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QI-20LPXI CY15B108QI-20LPXI INFINEON 2843377.pdf Description: INFINEON - CY15B108QI-20LPXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2817.19 грн
5+2725.91 грн
10+2634.64 грн
25+2366.28 грн
50+2126.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF IRF6665TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.17 грн
10+103.61 грн
100+76.23 грн
500+60.40 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF INFINEON 139872.pdf Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.21 грн
10+245.04 грн
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBF IRLS3036-7PPBF INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON 2327416.pdf Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.26 грн
12+72.03 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL AUIPS6031RTRL INFINEON 2064119.pdf Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL AUIPS6031RTRL INFINEON 2064119.pdf Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 BGSX22G6U10E6327XTSA1 INFINEON 3328471.pdf Description: INFINEON - BGSX22G6U10E6327XTSA1 - HF-Switch, 400MHz bis 7.125GHz, PG-ULGA-10, 1.6V bis 3.6V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP02N120XKSA1 SGP02N120XKSA1 INFINEON 1648178.pdf Description: INFINEON - SGP02N120XKSA1 - IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 6.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 62
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.04 грн
10+177.62 грн
100+142.26 грн
500+125.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743PBF IRLR8743PBF INFINEON 28241.pdf description Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.72 грн
10+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R125CFD7XKSA1 INFINEON 2643888.pdf Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.98 грн
10+231.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2 IPI90R1K2C3XKSA2 INFINEON 83160.pdf Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.70 грн
10+143.08 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 INFINEON Infineon-IPA90R1K2C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3c4d240098 Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+129.10 грн
100+89.63 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 INFINEON Infineon-Evaluation_board_EVAL_100W_DRIVE_CFD2_how_to_measure_motor_parameters-ATI-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece6705b33 Description: INFINEON - EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CFD-Superjunction-MOSFET, Motortreiber, 100W, BLDC, PMSM
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPD65R1K4CFD
Kit-Anwendungsbereich: Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPD65R1K4CFD
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasiger bürstenloser DC-Motor & PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.53 грн
50+101.96 грн
100+68.74 грн
500+50.70 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI010 S29AL008J70TFI010 INFINEON S29AL008D_00.pdf Description: INFINEON - S29AL008J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.80 грн
10+233.53 грн
25+224.49 грн
50+202.34 грн
100+180.44 грн
250+179.73 грн
500+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
REFPSSICDP2TOBO1 REFPSSICDP2TOBO1 INFINEON 3049629.pdf Description: INFINEON - REFPSSICDP2TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC60H12AH/IMZ120R045M1, bipolare Stromversorgungsfunktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, bipolare Stromversorgung, 1EDC60H12AH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC60H12AH, IMZ120R045M1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4987.23 грн
2+4363.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040CFD7XKSA1 2643897.pdf
IPW60R040CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+803.38 грн
5+684.97 грн
10+566.56 грн
50+482.57 грн
100+405.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 2371114.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+867.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 INFNS16356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1050.89 грн
5+845.32 грн
10+639.75 грн
50+588.71 грн
100+538.49 грн
250+527.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4
IPW60R045CPAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1263.05 грн
5+1262.23 грн
10+1260.58 грн
50+747.53 грн
100+611.79 грн
250+611.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 INFNS17427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1105.99 грн
5+1040.21 грн
10+974.42 грн
50+655.14 грн
100+559.63 грн
250+558.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80
IPW60R060C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+365.92 грн
10+365.10 грн
100+233.53 грн
500+184.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 2372020.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+823.94 грн
5+684.15 грн
10+544.36 грн
50+456.61 грн
100+387.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 2718793.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+477.75 грн
10+351.94 грн
100+225.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF description 1916268.pdf
IRG4BC40FPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
DC-Kollektorstrom: 49
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20KDPBF 2331892.pdf
IRG4BC20KDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4BC20KDPBF - IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.27
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF irg4ibc30wpbf.pdf
IRG4IBC30WPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4IBC30WPBF - IGBT, 17 A, 2.1 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 17
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXI-LP096 CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5888AXI-LP096
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888AXI-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C58LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2167.57 грн
5+1960.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTI-LP097 3760299.pdf
CY8C5888LTI-LP097
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888LTI-LP097 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1898.68 грн
5+1841.94 грн
10+1483.42 грн
25+1295.76 грн
50+1172.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFQ790H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+207.22 грн
10+158.70 грн
100+110.19 грн
500+81.70 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025AZI-S413
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.17 грн
10+148.84 грн
25+136.50 грн
50+116.82 грн
100+97.27 грн
250+92.33 грн
500+91.63 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025LQI-S411
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S411 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.15 грн
10+129.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S412 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025LQI-S412
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S412 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-32
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: PSoC 4000S
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+189.13 грн
10+142.26 грн
25+129.92 грн
50+114.53 грн
100+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+79.76 грн
50+62.41 грн
250+54.11 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 2882451.pdf
FS35R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10291.86 грн
5+9648.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+679.22 грн
5+538.60 грн
10+397.99 грн
50+349.71 грн
100+304.48 грн
250+298.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
BSS7728NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+25.74 грн
50+16.61 грн
250+8.47 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3FKSA1 1849674.html
SPW24N60C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+479.40 грн
10+469.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 INFNS29923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+284.51 грн
10+154.59 грн
100+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.83 грн
50+45.23 грн
250+29.44 грн
1000+18.94 грн
2000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU024NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 INFNS14370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+746.65 грн
5+594.52 грн
10+441.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF 2332087.pdf
IRFP4768PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+246.69 грн
10+216.26 грн
100+179.26 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+341.25 грн
10+225.31 грн
50+192.42 грн
100+147.37 грн
250+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description 137515.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
50+60.27 грн
250+39.63 грн
1000+25.96 грн
2000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.94 грн
10+180.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 2354552.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.09 грн
10+108.54 грн
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4428SPBF 2064150.pdf
IRS4428SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS4428SPBF - MOSFET-Treiber, zweifach, Low-Side, 6V-20V Versorgung, 2.3Aout, CMOS, 50ns Verzögerung, NSOIC-8
Sinkstrom: 3.3
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Quellstrom: 2.3
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 50
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+303.43 грн
10+177.62 грн
100+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPP80P03P4L04AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+219.55 грн
10+194.88 грн
100+115.94 грн
500+98.50 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1 Infineon-I80P03P4L_04-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7&ack=t
IPP80P03P4L04AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 137
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1_Web.pdf
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 - Zubehör für Development Kit, Drehknopf für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 90319000
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2086.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
15+55.34 грн
50+45.80 грн
200+33.67 грн
500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF%20771.pdf
BF771E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+18.75 грн
73+11.35 грн
108+7.67 грн
500+6.48 грн
1000+5.80 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF%20771.pdf
BF771E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+6.48 грн
1000+5.80 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QI-20LPXC 2843376.pdf
CY15B104QI-20LPXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QI-20LPXC - FRAM, 4MB, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1947.20 грн
5+1879.77 грн
10+1811.52 грн
25+1392.74 грн
50+1260.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QI-20LPXI 2843377.pdf
CY15B108QI-20LPXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B108QI-20LPXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2817.19 грн
5+2725.91 грн
10+2634.64 грн
25+2366.28 грн
50+2126.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6665TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.17 грн
10+103.61 грн
100+76.23 грн
500+60.40 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF 139872.pdf
IRFR18N15DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+369.21 грн
10+245.04 грн
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBF description INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036-7PPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 2327416.pdf
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+142.26 грн
12+72.03 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL 2064119.pdf
AUIPS6031RTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL 2064119.pdf
AUIPS6031RTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 3328471.pdf
BGSX22G6U10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX22G6U10E6327XTSA1 - HF-Switch, 400MHz bis 7.125GHz, PG-ULGA-10, 1.6V bis 3.6V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP02N120XKSA1 1648178.pdf
SGP02N120XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SGP02N120XKSA1 - IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 6.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 62
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.04 грн
10+177.62 грн
100+142.26 грн
500+125.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743PBF description 28241.pdf
IRLR8743PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 INFN-S-A0001300424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+380.72 грн
10+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CFD7XKSA1 2643888.pdf
IPA60R125CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+249.98 грн
10+231.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2 83160.pdf
IPI90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+158.70 грн
10+143.08 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon-IPA90R1K2C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3c4d240098
IPA90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+129.10 грн
100+89.63 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_100W_DRIVE_CFD2_how_to_measure_motor_parameters-ATI-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece6705b33
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CFD-Superjunction-MOSFET, Motortreiber, 100W, BLDC, PMSM
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPD65R1K4CFD
Kit-Anwendungsbereich: Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPD65R1K4CFD
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasiger bürstenloser DC-Motor & PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.53 грн
50+101.96 грн
100+68.74 грн
500+50.70 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI010 S29AL008D_00.pdf
S29AL008J70TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+250.80 грн
10+233.53 грн
25+224.49 грн
50+202.34 грн
100+180.44 грн
250+179.73 грн
500+179.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
REFPSSICDP2TOBO1 3049629.pdf
REFPSSICDP2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFPSSICDP2TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC60H12AH/IMZ120R045M1, bipolare Stromversorgungsfunktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, bipolare Stromversorgung, 1EDC60H12AH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC60H12AH, IMZ120R045M1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4987.23 грн
2+4363.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 246 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]