Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 402 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKWH50N67PR7XKSA1 IKWH50N67PR7XKSA1 INFINEON 4421313.pdf Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.54 грн
10+205.15 грн
100+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 INFINEON Infineon-BSC009N04LSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4cadb130ebc Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+837.60 грн
5+708.60 грн
10+578.71 грн
50+487.46 грн
100+403.12 грн
250+395.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+645.00 грн
50+568.98 грн
100+482.21 грн
250+454.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-004A CYUSB3ACC-004A INFINEON Infineon-CYUSB3ACC-004A_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01758018e1 Description: INFINEON - CYUSB3ACC-004A - Anschlussplatine, Halbleiter-Bildsensorplatinen, Anschlussplatine, Bildsensor
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Anschlussplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Bildsensorplatinen von ON Semiconductor
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5615.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1 IMZC120R026M2HXKSA1 INFINEON 4421306.pdf Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.00 грн
5+1183.40 грн
10+1007.81 грн
50+883.42 грн
100+764.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.77 грн
10+107.50 грн
50+90.48 грн
200+68.29 грн
500+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.06 грн
200+71.87 грн
500+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+809.83 грн
5+762.35 грн
10+713.98 грн
50+653.83 грн
100+551.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+713.98 грн
50+653.83 грн
100+551.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGNFI101 S25FS128SAGNFI101 INFINEON 1773000.pdf Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI101 - Flash-Speicher, NOR, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.44 грн
10+173.79 грн
25+160.35 грн
50+137.25 грн
100+123.62 грн
250+122.09 грн
500+119.02 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGMFB100 S25FS128SAGMFB100 INFINEON 3797077.pdf Description: INFINEON - S25FS128SAGMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.25 грн
10+231.12 грн
25+224.85 грн
50+203.80 грн
100+183.52 грн
250+177.38 грн
500+172.77 грн
1000+168.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGMFV101 S25FS128SAGMFV101 INFINEON 3797077.pdf Description: INFINEON - S25FS128SAGMFV101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+221.27 грн
10+206.94 грн
25+205.15 грн
50+188.83 грн
100+172.77 грн
250+161.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.90 грн
10+238.29 грн
100+182.75 грн
500+144.74 грн
1000+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.75 грн
500+144.74 грн
1000+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM015TOBO1 KITLGPWRBOM015TOBO1 INFINEON Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e Description: INFINEON - KITLGPWRBOM015TOBO1 - Power-Board, Demoboards für skalierbare LVD-Stromversorgung, Niederspannungsantrieb
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: LVD-Demoboards von Infineon für skalierbare Stromversorgung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5490.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 FS33MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON FS33MR12W1M1H_B70_Rev0.20_8-16-23.pdf Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85044095
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10886.17 грн
5+10369.27 грн
10+9851.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 INFINEON 4425898.pdf Description: INFINEON - TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 - Evaluationsboard, XMC4700, Wireless-Lade-IC, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4700
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Wireless-Ladegerät
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5315.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-EVAL CYBLE-416045-EVAL INFINEON 2786505.pdf Description: INFINEON - CYBLE-416045-EVAL - Evaluationsboard, EX-BLE Creator-Modul, Bluetooth Smart, Arduino-kompatibel, IoT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-416045-02
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-BLE Evaluationsboard CYBLE-416045-02 Modul, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4171.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF IR2125STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.35 грн
10+252.62 грн
25+232.02 грн
50+205.47 грн
100+179.68 грн
250+169.70 грн
500+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF IR2125STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.68 грн
250+169.70 грн
500+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-EVAL CYBLE-212006-EVAL INFINEON Infineon-CYBLE-212006-EVAL_EZ-BLE_PRoC_Evaluation_Board_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efeef6e15a3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1637.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55513IUBGT CYW55513IUBGT INFINEON 4423404.pdf Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.50 грн
5+799.08 грн
10+756.98 грн
50+646.34 грн
100+550.55 грн
250+484.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55511IUBGTXTMA1 CYW55511IUBGTXTMA1 INFINEON 4423404.pdf Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+843.88 грн
5+729.21 грн
10+690.69 грн
50+589.78 грн
100+502.18 грн
250+442.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1255.06 грн
5+1113.52 грн
10+971.98 грн
50+884.25 грн
100+798.57 грн
250+782.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+971.98 грн
50+884.25 грн
100+798.57 грн
250+782.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+422.83 грн
10+318.92 грн
50+306.38 грн
200+228.76 грн
500+209.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+306.38 грн
200+228.76 грн
500+209.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1 FF750R17ME7DPB11BPSA1 INFINEON 4421302.pdf Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3886.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3886.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 INFINEON SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5499.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4003.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.54 грн
10+144.23 грн
100+130.79 грн
500+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21223-24SXI CY8C21223-24SXI INFINEON 2082020.pdf description Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.81 грн
10+241.88 грн
25+211.42 грн
50+180.51 грн
100+155.11 грн
250+149.73 грн
500+145.89 грн
1000+142.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 FS13MR12W2M1HB70BPSA1 INFINEON 4068204.pdf Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18027.75 грн
5+17667.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 FF2600UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4421929.pdf Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531139.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4421928.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701168.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1CM610N3TOBO2 EVALM1CM610N3TOBO2 INFINEON 2869868.pdf Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9430.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1 AIMW120R035M1HXKSA1 INFINEON 3215550.pdf Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2839.79 грн
5+2470.71 грн
10+2100.73 грн
50+1949.85 грн
100+1628.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1 AIMBG75R040M1HXTMA1 INFINEON 4015359.pdf Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+679.04 грн
50+556.50 грн
100+445.36 грн
250+436.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1 AIMZH120R160M1TXKSA1 INFINEON 4127462.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+877.92 грн
5+781.17 грн
10+683.52 грн
50+591.44 грн
100+505.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1 AIMZHN120R060M1TXKSA1 INFINEON 4127467.pdf Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1189.67 грн
5+1118.90 грн
10+1047.23 грн
50+893.40 грн
100+751.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESSHIELDTOBO1 TLE94112ESSHIELDTOBO1 INFINEON TLE94112ESSHIELDTOBO1.pdf Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1666.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 INFINEON Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6 Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65238.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23896.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1600R12IP7BOSA1 FF1600R12IP7BOSA1 INFINEON 4159878.pdf Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47511.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HHPSA1 FF1MR12KM1HHPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43562.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 FF1MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4018768.pdf Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47560.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 INFINEON Infineon-MEMS_AudioHub_Nano-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8ac8b54a18f1 Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13000.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 TLE8251VSJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+177.38 грн
10+131.69 грн
50+120.94 грн
100+91.50 грн
250+80.62 грн
500+77.55 грн
1000+74.87 грн
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 TLE8251VSJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.50 грн
250+80.62 грн
500+77.55 грн
1000+74.87 грн
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999C4HALA1 TLE4999C4HALA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.58 грн
10+298.31 грн
25+282.19 грн
50+232.08 грн
100+206.55 грн
250+198.11 грн
500+189.66 грн
1000+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1 AIMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON Infineon-AIMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6acbb010e90 Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.96 грн
10+302.79 грн
100+255.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N67PR7XKSA1 4421313.pdf
IKWH50N67PR7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.54 грн
10+205.15 грн
100+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 Infineon-BSC009N04LSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4cadb130ebc
BSC009N04LSSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+837.60 грн
5+708.60 грн
10+578.71 грн
50+487.46 грн
100+403.12 грн
250+395.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+645.00 грн
50+568.98 грн
100+482.21 грн
250+454.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-004A Infineon-CYUSB3ACC-004A_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01758018e1
CYUSB3ACC-004A
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-004A - Anschlussplatine, Halbleiter-Bildsensorplatinen, Anschlussplatine, Bildsensor
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Anschlussplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Bildsensorplatinen von ON Semiconductor
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5615.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1 4421306.pdf
IMZC120R026M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.00 грн
5+1183.40 грн
10+1007.81 грн
50+883.42 грн
100+764.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.77 грн
10+107.50 грн
50+90.48 грн
200+68.29 грн
500+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.06 грн
200+71.87 грн
500+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 4423395.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+809.83 грн
5+762.35 грн
10+713.98 грн
50+653.83 грн
100+551.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 4423395.pdf
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+713.98 грн
50+653.83 грн
100+551.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGNFI101 1773000.pdf
S25FS128SAGNFI101
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI101 - Flash-Speicher, NOR, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.44 грн
10+173.79 грн
25+160.35 грн
50+137.25 грн
100+123.62 грн
250+122.09 грн
500+119.02 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGMFB100 3797077.pdf
S25FS128SAGMFB100
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.25 грн
10+231.12 грн
25+224.85 грн
50+203.80 грн
100+183.52 грн
250+177.38 грн
500+172.77 грн
1000+168.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGMFV101 3797077.pdf
S25FS128SAGMFV101
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFV101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+221.27 грн
10+206.94 грн
25+205.15 грн
50+188.83 грн
100+172.77 грн
250+161.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R125C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.90 грн
10+238.29 грн
100+182.75 грн
500+144.74 грн
1000+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R125C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.75 грн
500+144.74 грн
1000+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM015TOBO1 Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e
KITLGPWRBOM015TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM015TOBO1 - Power-Board, Demoboards für skalierbare LVD-Stromversorgung, Niederspannungsantrieb
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: LVD-Demoboards von Infineon für skalierbare Stromversorgung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5490.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 FS33MR12W1M1H_B70_Rev0.20_8-16-23.pdf
FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85044095
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10886.17 грн
5+10369.27 грн
10+9851.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 4425898.pdf
TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 - Evaluationsboard, XMC4700, Wireless-Lade-IC, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4700
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Wireless-Ladegerät
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5315.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-EVAL 2786505.pdf
CYBLE-416045-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-416045-EVAL - Evaluationsboard, EX-BLE Creator-Modul, Bluetooth Smart, Arduino-kompatibel, IoT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-416045-02
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-BLE Evaluationsboard CYBLE-416045-02 Modul, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4171.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2125STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.35 грн
10+252.62 грн
25+232.02 грн
50+205.47 грн
100+179.68 грн
250+169.70 грн
500+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2125STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.68 грн
250+169.70 грн
500+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-EVAL Infineon-CYBLE-212006-EVAL_EZ-BLE_PRoC_Evaluation_Board_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efeef6e15a3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
CYBLE-212006-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1637.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55513IUBGT 4423404.pdf
CYW55513IUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.50 грн
5+799.08 грн
10+756.98 грн
50+646.34 грн
100+550.55 грн
250+484.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55511IUBGTXTMA1 4423404.pdf
CYW55511IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+843.88 грн
5+729.21 грн
10+690.69 грн
50+589.78 грн
100+502.18 грн
250+442.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 4159863.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1255.06 грн
5+1113.52 грн
10+971.98 грн
50+884.25 грн
100+798.57 грн
250+782.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 4159863.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+971.98 грн
50+884.25 грн
100+798.57 грн
250+782.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+422.83 грн
10+318.92 грн
50+306.38 грн
200+228.76 грн
500+209.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+306.38 грн
200+228.76 грн
500+209.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1 4421302.pdf
FF750R17ME7DPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+29277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3886.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3868.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3886.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5499.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4003.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 3732402.pdf
IRFB4229PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.54 грн
10+144.23 грн
100+130.79 грн
500+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21223-24SXI description 2082020.pdf
CY8C21223-24SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+319.81 грн
10+241.88 грн
25+211.42 грн
50+180.51 грн
100+155.11 грн
250+149.73 грн
500+145.89 грн
1000+142.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 4068204.pdf
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18027.75 грн
5+17667.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 4421929.pdf
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531139.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 4421928.pdf
FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+701168.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1CM610N3TOBO2 2869868.pdf
EVALM1CM610N3TOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9430.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1 3215550.pdf
AIMW120R035M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2839.79 грн
5+2470.71 грн
10+2100.73 грн
50+1949.85 грн
100+1628.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1 4015359.pdf
AIMBG75R040M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+679.04 грн
50+556.50 грн
100+445.36 грн
250+436.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1 4127462.pdf
AIMZH120R160M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+877.92 грн
5+781.17 грн
10+683.52 грн
50+591.44 грн
100+505.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1 4127467.pdf
AIMZHN120R060M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1189.67 грн
5+1118.90 грн
10+1047.23 грн
50+893.40 грн
100+751.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESSHIELDTOBO1 TLE94112ESSHIELDTOBO1.pdf
TLE94112ESSHIELDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1666.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+65238.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23896.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1600R12IP7BOSA1 4159878.pdf
FF1600R12IP7BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+47511.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HHPSA1
FF1MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+43562.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 4018768.pdf
FF1MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+47560.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 Infineon-MEMS_AudioHub_Nano-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8ac8b54a18f1
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13000.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+177.38 грн
10+131.69 грн
50+120.94 грн
100+91.50 грн
250+80.62 грн
500+77.55 грн
1000+74.87 грн
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.50 грн
250+80.62 грн
500+77.55 грн
1000+74.87 грн
2500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999C4HALA1 3758284.pdf
TLE4999C4HALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.58 грн
10+298.31 грн
25+282.19 грн
50+232.08 грн
100+206.55 грн
250+198.11 грн
500+189.66 грн
1000+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6acbb010e90
AIMZA75R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+481.96 грн
10+302.79 грн
100+255.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]