Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 402 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2125STRPBF IR2125STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.85 грн
10+230.96 грн
25+212.12 грн
50+187.84 грн
100+164.27 грн
250+155.14 грн
500+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF IR2125STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.27 грн
250+155.14 грн
500+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-EVAL CYBLE-212006-EVAL INFINEON Infineon-CYBLE-212006-EVAL_EZ-BLE_PRoC_Evaluation_Board_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efeef6e15a3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1497.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55513IUBGT CYW55513IUBGT INFINEON Infineon-AIROC_TM_CYW55513_2_1_Wi-Fi_Bluetooth_R_combo_PRODUCT_BRIEF-ProductBrief-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019024f63c0f3e31 Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.51 грн
5+677.31 грн
10+639.64 грн
50+546.04 грн
100+466.13 грн
250+424.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55511IUBGTXTMA1 CYW55511IUBGTXTMA1 INFINEON Infineon-AIROC_TM_CYW55513_2_1_Wi-Fi_Bluetooth_R_combo_PRODUCT_BRIEF-ProductBrief-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019024f63c0f3e31 Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.17 грн
5+619.16 грн
10+584.77 грн
50+499.65 грн
100+426.11 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.42 грн
5+1018.02 грн
10+888.62 грн
50+808.41 грн
100+730.08 грн
250+715.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+888.62 грн
50+808.41 грн
100+730.08 грн
250+715.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.57 грн
10+291.56 грн
50+280.10 грн
200+209.14 грн
500+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+280.10 грн
200+209.14 грн
500+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1 FF750R17ME7DPB11BPSA1 INFINEON 4421302.pdf Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26766.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3552.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3552.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 INFINEON SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5027.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3660.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.34 грн
10+131.86 грн
100+119.57 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21223-24SXI CY8C21223-24SXI INFINEON 2082020.pdf description Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.56 грн
10+220.31 грн
25+193.28 грн
50+165.03 грн
100+141.10 грн
250+136.19 грн
500+132.68 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 FS13MR12W2M1HB70BPSA1 INFINEON 4068204.pdf Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16481.56 грн
5+16152.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 FF2600UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4421929.pdf Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485585.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4421928.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617280.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1CM610N3TOBO2 EVALM1CM610N3TOBO2 INFINEON 2869868.pdf Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8621.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1 AIMW120R035M1HXKSA1 INFINEON 3215550.pdf Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2596.23 грн
5+2258.80 грн
10+1920.56 грн
50+1782.61 грн
100+1488.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1 AIMBG75R040M1HXTMA1 INFINEON 4015359.pdf Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+620.80 грн
50+508.77 грн
100+407.16 грн
250+398.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1 AIMZH120R160M1TXKSA1 INFINEON 4127462.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.62 грн
5+714.17 грн
10+624.90 грн
50+540.72 грн
100+461.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1 AIMZHN120R060M1TXKSA1 INFINEON 4127467.pdf Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.63 грн
5+1022.93 грн
10+957.41 грн
50+816.78 грн
100+687.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESSHIELDTOBO1 TLE94112ESSHIELDTOBO1 INFINEON TLE94112ESSHIELDTOBO1.pdf Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1523.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 INFINEON Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6 Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+59642.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21846.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1600R12IP7BOSA1 FF1600R12IP7BOSA1 INFINEON 4159878.pdf Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56420.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HHPSA1 FF1MR12KM1HHPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39826.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 FF1MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4018768.pdf Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43481.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 INFINEON Infineon-MEMS_AudioHub_Nano-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8ac8b54a18f1 Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11885.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 TLE8251VSJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.16 грн
10+120.39 грн
50+110.56 грн
100+83.66 грн
250+73.71 грн
500+70.90 грн
1000+68.44 грн
2500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 TLE8251VSJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.66 грн
250+73.71 грн
500+70.90 грн
1000+68.44 грн
2500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999C4HALA1 TLE4999C4HALA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.77 грн
10+272.73 грн
25+257.98 грн
50+212.18 грн
100+188.84 грн
250+181.12 грн
500+173.39 грн
1000+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1 AIMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON Infineon-AIMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6acbb010e90 Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.62 грн
10+276.82 грн
100+233.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4780BZS114W1TOBO1 REF5AR4780BZS114W1TOBO1 INFINEON 4417819.pdf Description: INFINEON - REF5AR4780BZS114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4780BZS, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4780BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4780BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9659.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1590.50 грн
5+1448.81 грн
10+1306.30 грн
50+1140.75 грн
100+995.44 грн
250+956.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1306.30 грн
50+1140.75 грн
100+995.44 грн
250+956.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1 IPQC60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159465.pdf Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+777.23 грн
50+698.90 грн
100+593.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1 IPDQ60R015CFD7XTMA1 INFINEON 3983242.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.20 грн
5+1343.98 грн
10+1126.94 грн
50+947.58 грн
100+782.73 грн
250+767.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 INFINEON 4421056.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2311.22 грн
5+1868.96 грн
10+1596.23 грн
50+1395.52 грн
100+1199.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 INFINEON 4163373.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.00 грн
5+867.32 грн
10+733.82 грн
50+679.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T010S7AXTMA1 IPDQ60T010S7AXTMA1 INFINEON 4421055.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2311.22 грн
5+1868.96 грн
10+1596.23 грн
50+1395.52 грн
100+1199.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1 IPQC60T017S7XTMA1 INFINEON 4163374.pdf Description: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+751.84 грн
50+676.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1 IMDQ75R020M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0efb1af2c65 Description: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.63 грн
5+1058.97 грн
10+944.31 грн
50+831.23 грн
100+724.46 грн
250+709.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1 IMDQ75R090M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R090M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef11d36ff2d25 Description: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.15 грн
10+344.80 грн
100+289.11 грн
500+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 INFINEON 4163373.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+733.82 грн
50+679.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159463.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+758.39 грн
50+703.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1 IPQC60T010S7XTMA1 INFINEON 4421054.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2223.58 грн
5+1797.70 грн
10+1535.62 грн
50+1343.04 грн
100+1153.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1 IPDQ60R015CFD7XTMA1 INFINEON 3983242.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1126.94 грн
50+947.58 грн
100+782.73 грн
250+767.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1 IPQC60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159465.pdf Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.79 грн
5+875.51 грн
10+777.23 грн
50+698.90 грн
100+593.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON 4013782.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.46 грн
10+325.96 грн
100+282.56 грн
500+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 INFINEON Infineon-EZ-USB_TM_FX3_camera_kit_DEMO_FX3_U3V_CAM01_Quick_start_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c3a5e7730011 Description: INFINEON - DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 - Kamera-Kit, CYUSB3014-BZXI, USB-Peripherie-Controller, FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYUSB3014-BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard, SuperSpeed-USB-C-Kabel, Kurzanleitung, Gehäuse, Schaumstoff
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Peripherie-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19879.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920820M2EVB-01 CYW920820M2EVB-01 INFINEON 3760595.pdf Description: INFINEON - CYW920820M2EVB-01 - EVALUATIONSKIT, BLUETOOTH LOW ENERGY
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: CYW20820
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4291.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2125STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.85 грн
10+230.96 грн
25+212.12 грн
50+187.84 грн
100+164.27 грн
250+155.14 грн
500+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125STRPBF INFN-S-A0008993249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2125STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.27 грн
250+155.14 грн
500+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-EVAL Infineon-CYBLE-212006-EVAL_EZ-BLE_PRoC_Evaluation_Board_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efeef6e15a3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
CYBLE-212006-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1497.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55513IUBGT Infineon-AIROC_TM_CYW55513_2_1_Wi-Fi_Bluetooth_R_combo_PRODUCT_BRIEF-ProductBrief-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019024f63c0f3e31
CYW55513IUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+780.51 грн
5+677.31 грн
10+639.64 грн
50+546.04 грн
100+466.13 грн
250+424.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55511IUBGTXTMA1 Infineon-AIROC_TM_CYW55513_2_1_Wi-Fi_Bluetooth_R_combo_PRODUCT_BRIEF-ProductBrief-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019024f63c0f3e31
CYW55511IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+714.17 грн
5+619.16 грн
10+584.77 грн
50+499.65 грн
100+426.11 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 4159863.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1147.42 грн
5+1018.02 грн
10+888.62 грн
50+808.41 грн
100+730.08 грн
250+715.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 4159863.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+888.62 грн
50+808.41 грн
100+730.08 грн
250+715.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.57 грн
10+291.56 грн
50+280.10 грн
200+209.14 грн
500+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+280.10 грн
200+209.14 грн
500+191.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1 4421302.pdf
FF750R17ME7DPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26766.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3552.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3552.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5027.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 4180409.pdf
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3660.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 3732402.pdf
IRFB4229PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.34 грн
10+131.86 грн
100+119.57 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21223-24SXI description 2082020.pdf
CY8C21223-24SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.56 грн
10+220.31 грн
25+193.28 грн
50+165.03 грн
100+141.10 грн
250+136.19 грн
500+132.68 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 4068204.pdf
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16481.56 грн
5+16152.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 4421929.pdf
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485585.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 4421928.pdf
FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617280.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1CM610N3TOBO2 2869868.pdf
EVALM1CM610N3TOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8621.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1 3215550.pdf
AIMW120R035M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2596.23 грн
5+2258.80 грн
10+1920.56 грн
50+1782.61 грн
100+1488.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1 4015359.pdf
AIMBG75R040M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+620.80 грн
50+508.77 грн
100+407.16 грн
250+398.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1 4127462.pdf
AIMZH120R160M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+802.62 грн
5+714.17 грн
10+624.90 грн
50+540.72 грн
100+461.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1 4127467.pdf
AIMZHN120R060M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1087.63 грн
5+1022.93 грн
10+957.41 грн
50+816.78 грн
100+687.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE94112ESSHIELDTOBO1 TLE94112ESSHIELDTOBO1.pdf
TLE94112ESSHIELDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+59642.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21846.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1600R12IP7BOSA1 4159878.pdf
FF1600R12IP7BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+56420.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HHPSA1
FF1MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39826.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 4018768.pdf
FF1MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+43481.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 Infineon-MEMS_AudioHub_Nano-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8ac8b54a18f1
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11885.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.16 грн
10+120.39 грн
50+110.56 грн
100+83.66 грн
250+73.71 грн
500+70.90 грн
1000+68.44 грн
2500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8251VSJXUMA1 INFN-S-A0002299925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.66 грн
250+73.71 грн
500+70.90 грн
1000+68.44 грн
2500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999C4HALA1 3758284.pdf
TLE4999C4HALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+317.77 грн
10+272.73 грн
25+257.98 грн
50+212.18 грн
100+188.84 грн
250+181.12 грн
500+173.39 грн
1000+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6acbb010e90
AIMZA75R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.62 грн
10+276.82 грн
100+233.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4780BZS114W1TOBO1 4417819.pdf
REF5AR4780BZS114W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4780BZS114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4780BZS, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4780BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4780BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9659.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf
IPDQ60R010S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1590.50 грн
5+1448.81 грн
10+1306.30 грн
50+1140.75 грн
100+995.44 грн
250+956.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf
IPDQ60R010S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1306.30 грн
50+1140.75 грн
100+995.44 грн
250+956.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1 4159465.pdf
IPQC60T017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+777.23 грн
50+698.90 грн
100+593.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1 3983242.pdf
IPDQ60R015CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1560.20 грн
5+1343.98 грн
10+1126.94 грн
50+947.58 грн
100+782.73 грн
250+767.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 4421056.pdf
IPQC60T010S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2311.22 грн
5+1868.96 грн
10+1596.23 грн
50+1395.52 грн
100+1199.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1 4163373.pdf
IPDQ60T017S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1000.00 грн
5+867.32 грн
10+733.82 грн
50+679.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T010S7AXTMA1 4421055.pdf
IPDQ60T010S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2311.22 грн
5+1868.96 грн
10+1596.23 грн
50+1395.52 грн
100+1199.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1 4163374.pdf
IPQC60T017S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+751.84 грн
50+676.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0efb1af2c65
IMDQ75R020M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1173.63 грн
5+1058.97 грн
10+944.31 грн
50+831.23 грн
100+724.46 грн
250+709.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R090M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef11d36ff2d25
IMDQ75R090M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.15 грн
10+344.80 грн
100+289.11 грн
500+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1 4163373.pdf
IPDQ60T017S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+733.82 грн
50+679.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1 4159463.pdf
IPDQ60T017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+758.39 грн
50+703.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1 4421054.pdf
IPQC60T010S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2223.58 грн
5+1797.70 грн
10+1535.62 грн
50+1343.04 грн
100+1153.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1 3983242.pdf
IPDQ60R015CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1126.94 грн
50+947.58 грн
100+782.73 грн
250+767.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1 4159465.pdf
IPQC60T017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.79 грн
5+875.51 грн
10+777.23 грн
50+698.90 грн
100+593.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 4013782.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.46 грн
10+325.96 грн
100+282.56 грн
500+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 Infineon-EZ-USB_TM_FX3_camera_kit_DEMO_FX3_U3V_CAM01_Quick_start_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c3a5e7730011
DEMOFX3U3VCAM01TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 - Kamera-Kit, CYUSB3014-BZXI, USB-Peripherie-Controller, FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYUSB3014-BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard, SuperSpeed-USB-C-Kabel, Kurzanleitung, Gehäuse, Schaumstoff
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Peripherie-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19879.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920820M2EVB-01 3760595.pdf
CYW920820M2EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920820M2EVB-01 - EVALUATIONSKIT, BLUETOOTH LOW ENERGY
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: CYW20820
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4291.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]