Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 402 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.34 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.59 грн
10+322.34 грн
100+261.49 грн
500+215.32 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+261.49 грн
500+215.32 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.95 грн
500+31.76 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 FF6MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4018771.pdf Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16410.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812022.pdf Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.20 грн
10+143.90 грн
100+98.68 грн
500+74.37 грн
1000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812022.pdf Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.68 грн
500+74.37 грн
1000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON 4417792.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON 4417792.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.93 грн
10+155.41 грн
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.98 грн
250+47.72 грн
500+45.81 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.54 грн
11+80.42 грн
50+72.61 грн
100+54.98 грн
250+47.72 грн
500+45.81 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.40 грн
20+43.17 грн
100+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.44 грн
10+114.30 грн
100+77.54 грн
500+57.34 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.54 грн
500+57.34 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.46 грн
10+93.74 грн
50+85.52 грн
100+70.17 грн
250+60.97 грн
500+58.64 грн
1000+56.74 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.46 грн
10+93.74 грн
50+85.52 грн
100+70.17 грн
250+60.97 грн
500+58.64 грн
1000+56.74 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.38 грн
10+193.24 грн
100+134.86 грн
500+110.72 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.38 грн
10+193.24 грн
100+134.86 грн
500+110.72 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.21 грн
500+104.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.25 грн
10+173.50 грн
100+133.21 грн
500+104.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.42 грн
10+288.63 грн
100+207.22 грн
500+187.07 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON 4409637.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.02 грн
10+331.39 грн
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409628.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.33 грн
500+180.20 грн
1000+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON 4409637.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.22 грн
500+187.07 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409628.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.66 грн
10+287.80 грн
100+211.33 грн
500+180.20 грн
1000+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.99 грн
250+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80 Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.01 грн
10+254.91 грн
100+202.28 грн
500+167.22 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.67 грн
10+219.55 грн
100+164.46 грн
500+135.15 грн
1000+107.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.84 грн
250+11.18 грн
1000+6.47 грн
22500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50E65E7XKSA1 IDWD50E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD50E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59e94e58f0 Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 228A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 94ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.09 грн
10+149.66 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXXUMA1 TLE9564QXXUMA1 INFINEON 3328501.pdf Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.03 грн
250+129.69 грн
500+125.46 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 INFINEON Infineon-PSOC_CONTROL_C3_MainLine_PSC3P5XD_PSC3M5XD_datasheet-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01941ab1660d7a3b Description: INFINEON - PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSOC Control C3
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 115°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.52 грн
10+462.95 грн
25+437.46 грн
50+390.94 грн
100+346.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 IMT65R015M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6 Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+939.06 грн
50+839.15 грн
100+743.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 1ED3141MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Eingang: Logik
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.70 грн
10+88.81 грн
50+81.33 грн
100+66.96 грн
250+58.08 грн
500+55.89 грн
1000+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 1ED3145MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.68 грн
250+81.76 грн
500+71.89 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 1ED3141MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.08 грн
250+88.81 грн
500+77.53 грн
1000+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MU12FXUMA1 1ED3141MU12FXUMA1 INFINEON 4425921.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.44 грн
250+55.96 грн
500+53.78 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 1ED3145MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.08 грн
250+88.81 грн
500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQXQLA1 CYPD717339BFXQXQLA1 INFINEON 4554355.pdf Description: INFINEON - CYPD717339BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.63 грн
10+276.29 грн
25+254.91 грн
50+226.01 грн
100+198.06 грн
250+187.48 грн
500+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQTXUMA1 CYPD717339BFXQTXUMA1 INFINEON 4554355.pdf Description: INFINEON - CYPD717339BFXQTXUMA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.52 грн
10+273.00 грн
25+251.62 грн
50+222.96 грн
100+195.94 грн
250+186.07 грн
500+179.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.19 грн
500+80.17 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.94 грн
500+89.34 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.90 грн
10+97.03 грн
100+73.43 грн
500+64.14 грн
1000+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 GS0650182LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+418.55 грн
50+361.93 грн
100+310.12 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 GS0650182LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+449.80 грн
50+390.18 грн
100+335.50 грн
250+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479 Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.24 грн
10+272.18 грн
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 GS0650182LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.87 грн
5+576.43 грн
10+449.80 грн
50+390.18 грн
100+335.50 грн
250+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479 Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 GS0650182LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.61 грн
5+515.58 грн
10+418.55 грн
50+361.93 грн
100+310.12 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON INFNS17481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA20N60CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.7 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.47 грн
10+244.22 грн
100+198.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM66D132HV01FLEXTOBO1 KITIM66D132HV01FLEXTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KITIM66D132HV01FLEXTOBO1 - Evaluationsboard, IM66D132HV01 MEMS-Mikrofon, 1.6V bis 3.465V, PDM
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: IM66D132HV01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM66D132HV01, Adapterplatine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5464.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60992ESXUMA1 TLD60992ESXUMA1 INFINEON Infineon-TLD6099-2ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920541649b3331 Description: INFINEON - TLD60992ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Flyback, SEPIC, 2.2MHz, 4.5-58V, nicht isoliert, TSSOP-EP-24,
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 70V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 58V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.92 грн
250+57.40 грн
1000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.32 грн
50+96.21 грн
250+67.92 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.21 грн
250+67.92 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+123.34 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+390.59 грн
10+322.34 грн
100+261.49 грн
500+215.32 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+261.49 грн
500+215.32 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1
ISZ033N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.95 грн
500+31.76 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 4018771.pdf
FF6MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+16410.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 3812022.pdf
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+221.20 грн
10+143.90 грн
100+98.68 грн
500+74.37 грн
1000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 3812022.pdf
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+98.68 грн
500+74.37 грн
1000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 4417792.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 4417792.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+240.93 грн
10+155.41 грн
100+106.08 грн
500+78.65 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.98 грн
250+47.72 грн
500+45.81 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+108.54 грн
11+80.42 грн
50+72.61 грн
100+54.98 грн
250+47.72 грн
500+45.81 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+57.40 грн
20+43.17 грн
100+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+178.44 грн
10+114.30 грн
100+77.54 грн
500+57.34 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+77.54 грн
500+57.34 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+127.46 грн
10+93.74 грн
50+85.52 грн
100+70.17 грн
250+60.97 грн
500+58.64 грн
1000+56.74 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+127.46 грн
10+93.74 грн
50+85.52 грн
100+70.17 грн
250+60.97 грн
500+58.64 грн
1000+56.74 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+294.38 грн
10+193.24 грн
100+134.86 грн
500+110.72 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
IPB175N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+294.38 грн
10+193.24 грн
100+134.86 грн
500+110.72 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+133.21 грн
500+104.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+267.25 грн
10+173.50 грн
100+133.21 грн
500+104.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+428.42 грн
10+288.63 грн
100+207.22 грн
500+187.07 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 4409637.pdf
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+495.02 грн
10+331.39 грн
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 4409628.pdf
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+211.33 грн
500+180.20 грн
1000+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 4409637.pdf
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+240.11 грн
500+203.87 грн
1000+181.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+207.22 грн
500+187.07 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 4409628.pdf
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+422.66 грн
10+287.80 грн
100+211.33 грн
500+180.20 грн
1000+160.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+83.99 грн
250+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80
IAUCN08S7N016TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+384.01 грн
10+254.91 грн
100+202.28 грн
500+167.22 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc
IAUCN08S7N019TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+334.67 грн
10+219.55 грн
100+164.46 грн
500+135.15 грн
1000+107.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 1932448.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.84 грн
250+11.18 грн
1000+6.47 грн
22500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50E65E7XKSA1 Infineon-IDWD50E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59e94e58f0
IDWD50E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 228A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 94ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+254.09 грн
10+149.66 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXXUMA1 3328501.pdf
TLE9564QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+136.03 грн
250+129.69 грн
500+125.46 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 Infineon-PSOC_CONTROL_C3_MainLine_PSC3P5XD_PSC3M5XD_datasheet-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01941ab1660d7a3b
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSOC Control C3
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 115°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+557.52 грн
10+462.95 грн
25+437.46 грн
50+390.94 грн
100+346.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6
IMT65R015M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+939.06 грн
50+839.15 грн
100+743.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3141MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Eingang: Logik
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.70 грн
10+88.81 грн
50+81.33 грн
100+66.96 грн
250+58.08 грн
500+55.89 грн
1000+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3145MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.68 грн
250+81.76 грн
500+71.89 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3141MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+103.08 грн
250+88.81 грн
500+77.53 грн
1000+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MU12FXUMA1 4425921.pdf
1ED3141MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+64.44 грн
250+55.96 грн
500+53.78 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3145MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3142MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+103.08 грн
250+88.81 грн
500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQXQLA1 4554355.pdf
CYPD717339BFXQXQLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD717339BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+362.63 грн
10+276.29 грн
25+254.91 грн
50+226.01 грн
100+198.06 грн
250+187.48 грн
500+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQTXUMA1 4554355.pdf
CYPD717339BFXQTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD717339BFXQTXUMA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+358.52 грн
10+273.00 грн
25+251.62 грн
50+222.96 грн
100+195.94 грн
250+186.07 грн
500+179.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1 Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913
IPL60R185C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+110.19 грн
500+80.17 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7480MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.94 грн
500+89.34 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4
IAUCN04S6N013TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.90 грн
10+97.03 грн
100+73.43 грн
500+64.14 грн
1000+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+418.55 грн
50+361.93 грн
100+310.12 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+449.80 грн
50+390.18 грн
100+335.50 грн
250+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+392.24 грн
10+272.18 грн
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+754.87 грн
5+576.43 грн
10+449.80 грн
50+390.18 грн
100+335.50 грн
250+329.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+612.61 грн
5+515.58 грн
10+418.55 грн
50+361.93 грн
100+310.12 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 INFNS17481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA20N60CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.7 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+312.47 грн
10+244.22 грн
100+198.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM66D132HV01FLEXTOBO1
KITIM66D132HV01FLEXTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITIM66D132HV01FLEXTOBO1 - Evaluationsboard, IM66D132HV01 MEMS-Mikrofon, 1.6V bis 3.465V, PDM
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: IM66D132HV01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM66D132HV01, Adapterplatine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5464.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60992ESXUMA1 Infineon-TLD6099-2ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920541649b3331
TLD60992ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD60992ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Flyback, SEPIC, 2.2MHz, 4.5-58V, nicht isoliert, TSSOP-EP-24,
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 70V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 58V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.92 грн
250+57.40 грн
1000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+137.32 грн
50+96.21 грн
250+67.92 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+96.21 грн
250+67.92 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]