Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 79 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52N65X IXTH52N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_2n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.34 грн
50+168.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.71 грн
70+115.49 грн
140+104.79 грн
560+82.79 грн
1050+77.33 грн
2030+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.46 грн
50+153.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.36 грн
70+134.43 грн
140+122.29 грн
560+97.12 грн
1050+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2519.92 грн
10+1793.95 грн
100+1578.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2 IXTK102N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1263.81 грн
25+814.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRL IXFA3N120-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfa3n120_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRL IXFA3N120-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfa3n120_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 IXTA12N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7753 pF @ 25 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1114.07 грн
30+658.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.37 грн
30+345.57 грн
120+291.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.89 грн
30+463.70 грн
120+395.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2 IXTR102N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1586.40 грн
30+967.40 грн
120+884.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH62N65X2 IXTH62N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.27 грн
30+533.36 грн
120+456.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1794.32 грн
30+1106.67 грн
120+1035.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n65x2-datasheet?assetguid=ede493f0-5090-499f-a616-d1203f9ff1d0 Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1837.11 грн
30+1135.16 грн
120+1066.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n65x2-datasheet?assetguid=ede493f0-5090-499f-a616-d1203f9ff1d0 Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1837.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfb150n65x2-datasheet?assetguid=b8b62745-2f0f-4cd8-9094-0ecae8e86cbd Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2454.89 грн
25+1583.97 грн
100+1534.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450 IXYL60N450 IXYS Description: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9093.12 грн
25+7505.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-80n65x2-datasheet?assetguid=2fa3fab3-abe9-4d9e-8e6a-191651df7b8b Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn120n65x2-datasheet?assetguid=54d1d045-9d44-4ee8-b007-7676b03dfc69 Description: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3242.10 грн
10+2345.84 грн
100+2171.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn150n65x2-datasheet?assetguid=267ded7c-8437-4232-a994-db49420e4872 Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3851.33 грн
10+2813.94 грн
100+2681.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HR DMA50P1200HR IXYS DMA50P1200HR.pdf Description: DIODE RECTIFIER 1.2KV 50A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HJ IXYS DPF60C200HB.pdf Description: DIODE RECT FAST 1.2KV 30A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA320A100NB IXYS Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A TO227
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA600A150NB IXYS Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMM150-0075X2F FMM150-0075X2F IXYS DS100186-(FMM150-0075X2F).pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.59 грн
10+1823.36 грн
100+1557.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA220I650NA IXYS IXA220I650NA.pdf Description: IGBT MODULE 650V SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA27IF1200HJ IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa27if1200hj_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 43A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS247™
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.48 грн
10+746.76 грн
100+645.83 грн
500+549.26 грн
1000+503.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NA IXB80IF600NA IXYS IXYS_Shortform2013.pdf Description: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300 IXYS DS100325A(IXBF42N300).pdf Description: IGBT 3000V TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n300hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL20N300C IXBL20N300C IXYS DS100553(IXBL20N300C).pdf Description: IGBT 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXYS IXBOD2.pdf Description: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-05 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-06 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-07 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-08 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13 IXYS IXBOD2.pdf Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15R IXYS Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R IXYS Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R IXYS Description: THYRISTOR RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HV IXBT12N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300hv-datasheet?assetguid=ab24dcf4-1e21-4218-9669-c9c01e669b5c Description: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3402.97 грн
30+2296.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HV IXBT42N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n300hv-datasheet?assetguid=20c4ef2a-9fc3-4089-942f-b22c5f632b7e Description: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4022.47 грн
30+2825.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250 IXBX64N250 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_64n250_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n60x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X IXFA30N60X IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=e5a02550-1092-4b38-a4a0-e89434b415e8&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixf-30n60x-2of2-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 IXYS DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3 IXFB40N110Q3 IXYS Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTH52N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_2n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP2N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.34 грн
50+168.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.71 грн
70+115.49 грн
140+104.79 грн
560+82.79 грн
1050+77.33 грн
2030+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.46 грн
50+153.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.36 грн
70+134.43 грн
140+122.29 грн
560+97.12 грн
1050+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2519.92 грн
10+1793.95 грн
100+1578.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTK102N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1263.81 грн
25+814.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfa3n120_datasheet.pdf.pdf
IXFA3N120-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfa3n120_datasheet.pdf.pdf
IXFA3N120-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP12N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA12N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTH80N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7753 pF @ 25 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1114.07 грн
30+658.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.37 грн
30+345.57 грн
120+291.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.89 грн
30+463.70 грн
120+395.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTR102N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1586.40 грн
30+967.40 грн
120+884.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH62N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTH62N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.27 грн
30+533.36 грн
120+456.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 ixty2n65x2.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1794.32 грн
30+1106.67 грн
120+1035.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n65x2-datasheet?assetguid=ede493f0-5090-499f-a616-d1203f9ff1d0
IXFX120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1837.11 грн
30+1135.16 грн
120+1066.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n65x2-datasheet?assetguid=ede493f0-5090-499f-a616-d1203f9ff1d0
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1837.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfb150n65x2-datasheet?assetguid=b8b62745-2f0f-4cd8-9094-0ecae8e86cbd
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2454.89 грн
25+1583.97 грн
100+1534.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450
IXYL60N450
Виробник: IXYS
Description: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9093.12 грн
25+7505.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-80n65x2-datasheet?assetguid=2fa3fab3-abe9-4d9e-8e6a-191651df7b8b
IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn120n65x2-datasheet?assetguid=54d1d045-9d44-4ee8-b007-7676b03dfc69
IXFN120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3242.10 грн
10+2345.84 грн
100+2171.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn150n65x2-datasheet?assetguid=267ded7c-8437-4232-a994-db49420e4872
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3851.33 грн
10+2813.94 грн
100+2681.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HR DMA50P1200HR.pdf
DMA50P1200HR
Виробник: IXYS
Description: DIODE RECTIFIER 1.2KV 50A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPF60C200HJ DPF60C200HB.pdf
DPF60C200HJ
Виробник: IXYS
Description: DIODE RECT FAST 1.2KV 30A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA320A100NB
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A TO227
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA600A150NB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMM150-0075X2F DS100186-(FMM150-0075X2F).pdf
FMM150-0075X2F
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2053.59 грн
10+1823.36 грн
100+1557.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA220I650NA IXA220I650NA.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 650V SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA27IF1200HJ littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa27if1200hj_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 43A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS247™
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.48 грн
10+746.76 грн
100+645.83 грн
500+549.26 грн
1000+503.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NA IXYS_Shortform2013.pdf
IXB80IF600NA
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300 DS100325A(IXBF42N300).pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n300hv_datasheet.pdf.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL20N300C DS100553(IXBL20N300C).pdf
IXBL20N300C
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-05 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-06 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-07 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-08 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15R
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50R
Виробник: IXYS
Description: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56R
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300hv-datasheet?assetguid=ab24dcf4-1e21-4218-9669-c9c01e669b5c
IXBT12N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3402.97 грн
30+2296.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n300hv-datasheet?assetguid=20c4ef2a-9fc3-4089-942f-b22c5f632b7e
IXBT42N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4022.47 грн
30+2825.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_64n250_datasheet.pdf.pdf
IXBX64N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n60x_datasheet.pdf.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60X media?resourcetype=datasheets&itemid=e5a02550-1092-4b38-a4a0-e89434b415e8&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixf-30n60x-2of2-datasheet
IXFA30N60X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3
IXFB40N110Q3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]