Результат пошуку "100n0" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 15000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
100N03LS | infineon | 08+ |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
100N03MS | infineon | 08+ |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
381LL682M100N062 | Cornell Dubilier - CDE | Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 18594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 39800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 14346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8 |
на замовлення 2618 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 9186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 16227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06NS | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 18857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 34377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI100N04PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HSMH-A100-N00J1 | BROADCOM (AVAGO) |
Category: SMD colour LEDs Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA Mounting: SMD Operating voltage: 1.9...2.6V LED colour: red Type of diode: LED Wavelength: 637nm LED lens: transparent Luminosity: 28.5...50mcd LED current: 20mA Viewing angle: 120° Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm Case: 3528; PLCC2 Power: 60mW кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6L014ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 8925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6L020ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 20373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6L020ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6L025ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 7204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6N022ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 3248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6N022ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N04S6N028ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N08S5N031ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 3635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC100N08S5N043ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 19938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30/40V |
на замовлення 12898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 18651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30/40V |
на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 39890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC100N04S5L2R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 16140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD100N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 11806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD100N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
на замовлення 4741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD100N06S403ATMA2 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP100N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP100N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP100N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 34ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP100N04T2 | IXYS | MOSFET 100 Amps 40V |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LQM21FN100N00L | MURATA |
Category: SMD 0805 inductors Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM Type of inductor: ferrite Mounting: SMD Case - inch: 0805 Case - mm: 2012 Inductance: 10µH Operating current: 60mA Resistance: 0.65Ω Tolerance: ±30% Resonant frequency: 15MHz Operating temperature: -40...85°C Manufacturer series: LQM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LQM21FN100N00L | Murata Electronics | Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 0.06A 0.65Ohm DCR 0805 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
381LL682M100N062 |
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1430.32 грн |
10+ | 1381.55 грн |
20+ | 1000.9 грн |
50+ | 895.02 грн |
BSC100N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.91 грн |
BSC100N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 18594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.78 грн |
10+ | 34.23 грн |
100+ | 22.58 грн |
500+ | 19.65 грн |
1000+ | 16.12 грн |
BSC100N06LS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.13 грн |
10+ | 67.7 грн |
100+ | 45.82 грн |
500+ | 38.82 грн |
1000+ | 31.63 грн |
2500+ | 29.77 грн |
5000+ | 28.37 грн |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 91.14 грн |
7+ | 49.81 грн |
22+ | 38.13 грн |
58+ | 36.05 грн |
500+ | 35.59 грн |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.37 грн |
5+ | 62.07 грн |
22+ | 45.76 грн |
58+ | 43.26 грн |
500+ | 42.7 грн |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 39800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.91 грн |
10+ | 67.78 грн |
100+ | 45.88 грн |
500+ | 38.89 грн |
1000+ | 30.77 грн |
2500+ | 30.3 грн |
5000+ | 29.23 грн |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 16.86 грн |
BSZ100N03LS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.63 грн |
10+ | 48.55 грн |
100+ | 28.77 грн |
500+ | 24.11 грн |
1000+ | 20.51 грн |
2500+ | 18.58 грн |
5000+ | 17.25 грн |
BSZ100N03LSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 14.45 грн |
BSZ100N03MS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.28 грн |
10+ | 51.39 грн |
100+ | 30.5 грн |
500+ | 25.44 грн |
1000+ | 21.71 грн |
2500+ | 21.51 грн |
5000+ | 18.25 грн |
BSZ100N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 12.74 грн |
BSZ100N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 14346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.75 грн |
10+ | 45.11 грн |
100+ | 28.04 грн |
500+ | 23.77 грн |
1000+ | 18.65 грн |
2500+ | 18.31 грн |
5000+ | 18.18 грн |
BSZ100N06LS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 26.47 грн |
26+ | 24.69 грн |
100+ | 22.93 грн |
BSZ100N06LS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.25 грн |
10+ | 64.79 грн |
100+ | 43.82 грн |
500+ | 37.16 грн |
1000+ | 30.3 грн |
2500+ | 28.5 грн |
5000+ | 27.1 грн |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 17.17 грн |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.02 грн |
10+ | 64.87 грн |
100+ | 43.89 грн |
500+ | 37.23 грн |
1000+ | 28.57 грн |
5000+ | 27.1 грн |
10000+ | 26.9 грн |
BSZ100N06NS |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 18857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.68 грн |
10+ | 49.09 грн |
100+ | 33.23 грн |
500+ | 28.17 грн |
1000+ | 22.97 грн |
5000+ | 20.38 грн |
BSZ100N06NSATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 34377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.98 грн |
10+ | 49.01 грн |
100+ | 33.16 грн |
500+ | 28.1 грн |
1000+ | 21.64 грн |
2500+ | 21.58 грн |
5000+ | 20.51 грн |
DI100N04PQ-AQ |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.64 грн |
10+ | 97.26 грн |
100+ | 50.88 грн |
500+ | 50.34 грн |
1000+ | 48.75 грн |
2500+ | 43.09 грн |
5000+ | 40.56 грн |
HSMH-A100-N00J1 |
Виробник: BROADCOM (AVAGO)
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 39.09 грн |
25+ | 22.91 грн |
70+ | 14.15 грн |
190+ | 13.32 грн |
IAUC100N04S6L014ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.99 грн |
10+ | 81.94 грн |
100+ | 57.8 грн |
500+ | 49.95 грн |
1000+ | 38.36 грн |
2500+ | 38.29 грн |
5000+ | 36.09 грн |
IAUC100N04S6L020ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 20373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.9 грн |
10+ | 75.51 грн |
100+ | 50.88 грн |
500+ | 43.15 грн |
1000+ | 33.16 грн |
2500+ | 33.1 грн |
5000+ | 31.5 грн |
IAUC100N04S6L020ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 31.54 грн |
IAUC100N04S6L025ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.47 грн |
10+ | 63.49 грн |
100+ | 42.89 грн |
500+ | 36.43 грн |
1000+ | 27.97 грн |
2500+ | 27.9 грн |
5000+ | 26.57 грн |
IAUC100N04S6N015ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.77 грн |
10+ | 87.3 грн |
100+ | 58.94 грн |
500+ | 50.01 грн |
1000+ | 38.36 грн |
5000+ | 36.49 грн |
IAUC100N04S6N022ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.23 грн |
10+ | 75.51 грн |
100+ | 50.88 грн |
500+ | 43.15 грн |
1000+ | 33.16 грн |
2500+ | 33.1 грн |
5000+ | 31.5 грн |
IAUC100N04S6N022ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 31.54 грн |
IAUC100N04S6N028ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.47 грн |
10+ | 63.49 грн |
100+ | 42.89 грн |
500+ | 36.43 грн |
1000+ | 27.97 грн |
2500+ | 27.9 грн |
5000+ | 26.57 грн |
IAUC100N08S5N031ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.47 грн |
10+ | 147.04 грн |
100+ | 101.89 грн |
250+ | 99.89 грн |
500+ | 85.91 грн |
1000+ | 69.26 грн |
5000+ | 66.59 грн |
IAUC100N08S5N043ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.06 грн |
10+ | 119.47 грн |
100+ | 83.24 грн |
250+ | 82.58 грн |
500+ | 69.92 грн |
1000+ | 56.47 грн |
5000+ | 54.61 грн |
IPB100N04S204ATMA4 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 294.45 грн |
10+ | 243.53 грн |
25+ | 209.77 грн |
100+ | 171.15 грн |
250+ | 170.48 грн |
500+ | 152.5 грн |
1000+ | 129.86 грн |
IPB100N04S4-H2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.34 грн |
10+ | 161.59 грн |
100+ | 111.21 грн |
250+ | 102.55 грн |
500+ | 93.9 грн |
1000+ | 79.25 грн |
2000+ | 75.92 грн |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.97 грн |
10+ | 109.51 грн |
100+ | 82.58 грн |
250+ | 81.91 грн |
500+ | 73.92 грн |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 74.66 грн |
IPB100N06S205ATMA4 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 121.98 грн |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.14 грн |
10+ | 134.79 грн |
100+ | 100.56 грн |
250+ | 92.57 грн |
500+ | 83.91 грн |
1000+ | 68.59 грн |
5000+ | 66.39 грн |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 266.78 грн |
IPC100N04S51R7ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.07 грн |
10+ | 114.11 грн |
100+ | 78.58 грн |
250+ | 72.59 грн |
500+ | 65.66 грн |
1000+ | 56.6 грн |
2500+ | 53.81 грн |
IPC100N04S51R9ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 12898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.8 грн |
10+ | 70.69 грн |
100+ | 52.88 грн |
250+ | 52.34 грн |
500+ | 48.61 грн |
5000+ | 42.95 грн |
IPC100N04S52R8ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 33.49 грн |
IPC100N04S52R8ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 18651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.89 грн |
10+ | 74.06 грн |
100+ | 53.08 грн |
500+ | 45.88 грн |
1000+ | 35.23 грн |
2500+ | 35.16 грн |
5000+ | 33.16 грн |
IPC100N04S5L1R1ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.4 грн |
10+ | 120.23 грн |
100+ | 87.24 грн |
500+ | 77.91 грн |
1000+ | 68.59 грн |
2500+ | 67.26 грн |
5000+ | 66.39 грн |
IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 39890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.8 грн |
10+ | 66.09 грн |
100+ | 45.75 грн |
500+ | 42.95 грн |
IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.89 грн |
10+ | 69.69 грн |
100+ | 52.28 грн |
500+ | 45.88 грн |
1000+ | 35.23 грн |
2500+ | 35.16 грн |
5000+ | 33.16 грн |
IPD100N04S4-02 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.93 грн |
10+ | 126.36 грн |
100+ | 93.23 грн |
250+ | 85.91 грн |
500+ | 77.91 грн |
1000+ | 66.59 грн |
2500+ | 62.53 грн |
IPD100N04S402ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 62.15 грн |
IPD100N04S4L02ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.69 грн |
10+ | 152.4 грн |
100+ | 105.22 грн |
250+ | 97.23 грн |
500+ | 87.9 грн |
1000+ | 75.25 грн |
2500+ | 71.92 грн |
IPD100N06S403ATMA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.16 грн |
10+ | 121.77 грн |
100+ | 88.57 грн |
250+ | 81.91 грн |
500+ | 74.58 грн |
1000+ | 63.8 грн |
2500+ | 60.6 грн |
IPD100N06S403ATMA2 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 184.69 грн |
IPP100N04S303AKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IPP100N06S2L05AKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 285.13 грн |
10+ | 235.87 грн |
25+ | 193.79 грн |
100+ | 165.82 грн |
250+ | 156.49 грн |
500+ | 142.51 грн |
1000+ | 118.54 грн |
IPP100N08N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.53 грн |
IPP100N08N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.16 грн |
5+ | 91.63 грн |
15+ | 65.76 грн |
41+ | 61.6 грн |
1000+ | 59.1 грн |
IXTP100N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.19 грн |
3+ | 133.99 грн |
10+ | 102.39 грн |
26+ | 96.56 грн |
250+ | 94.9 грн |
IXTP100N04T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
MOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.9 грн |
10+ | 152.4 грн |
100+ | 108.55 грн |
250+ | 103.89 грн |
500+ | 91.9 грн |
1000+ | 79.91 грн |
LQM21FN100N00L |
Виробник: MURATA
Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Tolerance: ±30%
Resonant frequency: 15MHz
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Tolerance: ±30%
Resonant frequency: 15MHz
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.68 грн |
100+ | 5.66 грн |
240+ | 4.11 грн |
650+ | 3.88 грн |
LQM21FN100N00L |
Виробник: Murata Electronics
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 0.06A 0.65Ohm DCR 0805 T/R
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 0.06A 0.65Ohm DCR 0805 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 3.36 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]