НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
AOK015V65X2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK015V65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK033V120X2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK033V120X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK033V120X2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 17.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2908 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.89 грн
10+961.80 грн
25+867.79 грн
240+670.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK033V120X2QAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 17.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2908 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1593.01 грн
10+1121.71 грн
25+1015.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK033V120X2QALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK033V120X2Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK040A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK040A60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK040A60Alpha & Omega SemiconductorHigh Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK042A60FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9165 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK060V65X2Alpha & Omega SemiconductorAOK060V65X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK060V65X2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 650V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.48 грн
10+417.41 грн
240+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK060V75X2QAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 750V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.66 грн
10+484.08 грн
240+421.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065A60Alpha & Omega SemiconductorHigh Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065A60FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065V120X2QALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK065V120X2Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065V120X2QAlpha & Omega Semiconductor1200V SiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK065V65X2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 187.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 400 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.93 грн
10+693.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK095A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK095A60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK095A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.44 грн
30+272.46 грн
120+227.83 грн
510+183.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK095A60Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK095A60FDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.61 грн
10+332.07 грн
240+229.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK10B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK10B60D THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK10N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK10N90Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK125A60Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK125A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK125A60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK125A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/74ns
Switching Energy: 510µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK15B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK160A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.48 грн
10+320.06 грн
100+262.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK160A60Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK160A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK160A60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK160A60Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK18N65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK18N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20120XSDAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 31A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.71 грн
10+554.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 340mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/152ns
Switching Energy: 940µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 67.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 340 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B120E1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/134ns
Switching Energy: 830µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 60.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B120E2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/123ns
Switching Energy: 820µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 53.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B120E2Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B135D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B135D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B135D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B135D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/156ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.57 грн
30+208.95 грн
120+173.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B135E1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B135E1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1350V 20A 340W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/134ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B60D1 THT IGBT transistors
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.45 грн
7+158.13 грн
19+149.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 40A 180W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/66ns
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 24.6 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 74 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 322 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 470µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 227 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B65M1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/123ns
Switching Energy: 580µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.67 грн
30+179.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK20B65M2 THT IGBT transistors
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.58 грн
6+204.64 грн
15+194.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20B65M2Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20N60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.18 грн
30+209.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK22N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK22N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B120D2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK30B120D2 THT IGBT transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.72 грн
5+255.80 грн
12+241.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B120D2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 1.28mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 340 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B120D2Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135C1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK30B135C1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135C1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/110ns
Switching Energy: 1.45mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135D2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1350V 30A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK30B135W1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/129ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.63 грн
30+231.61 грн
120+192.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B135W1; IGBT+ Diode; 30A; 1350V; 340W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+227.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 111W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 128A
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 137 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/71ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 47 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 128 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 111W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 128A
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 83W; TO247; Eoff: 0.24mJ; Eon: 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 83W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 89ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.24mJ
Turn-on switching energy: 1.1mJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.34 грн
3+173.87 грн
9+130.22 грн
24+123.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 60A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 83W; TO247; Eoff: 0.24mJ; Eon: 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 83W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 89ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.24mJ
Turn-on switching energy: 1.1mJ
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.53 грн
9+108.52 грн
24+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B65M2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 150W; TO247; Eoff: 0.41mJ; Eon: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Turn-off switching energy: 0.41mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.66V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 193ns
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B65M2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 150W; TO247; Eoff: 0.41mJ; Eon: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Turn-off switching energy: 0.41mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.66V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 193ns
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B65M2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 339 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/138ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.79 грн
30+191.07 грн
120+157.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK30B65M2Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Case: TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 128nC
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.63 грн
3+319.73 грн
5+239.05 грн
13+226.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120H1Alpha & Omega Semiconductor1200V, 40A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120H1
Код товару: 175217
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Case: TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 128nC
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.36 грн
3+256.57 грн
5+199.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120H1; IGBT+ Diode; 40A; 1200V; 500W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+306.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/226ns
Switching Energy: 3.87mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120N1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120N1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK40B120N1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120N1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120N1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/146ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120P1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120P1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 202 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 600 W
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/210ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120P1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B120P1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK40B120P1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 138 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/77ns
Switching Energy: 1.72mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63.5 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 312.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK40B60D1 THT IGBT transistors
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.65 грн
5+229.75 грн
14+217.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 127 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/74ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.06 грн
30+198.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65GQ1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK40B65GQ1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65GQ1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.96 грн
3+220.14 грн
5+190.69 грн
14+180.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 346 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.23 грн
10+231.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.55 грн
3+274.33 грн
5+228.82 грн
14+216.73 грн
240+208.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2ALAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.31 грн
3+154.55 грн
10+113.48 грн
27+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.59 грн
4+124.02 грн
10+94.57 грн
27+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2ALAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 315 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H2AL_002Alpha & Omega SemiconductorAOK40B65H2AL_002
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+151.50 грн
8160+139.11 грн
16320+130.11 грн
24480+118.96 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ2Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ3Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65HQ3ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK40B65HQ3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65M3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 365 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/125ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.62 грн
30+194.23 грн
120+160.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65M3Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40N30LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 60nC
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40N30LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 60nC
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40N30LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40N30LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK500V120X2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK500V120X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 100A 312W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/68ns
Switching Energy: 2.37mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 168 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.30 грн
30+216.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK50B60D1 THT IGBT transistors
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.69 грн
4+275.33 грн
11+260.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65GL1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 50A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 282ns/915ns
Switching Energy: 3.37mJ (on), 1.59mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 261 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/141ns
Switching Energy: 1.92mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK50B65H1 THT IGBT transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.61 грн
5+239.98 грн
13+226.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65M2Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 327 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/182ns
Switching Energy: 2.09mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.92 грн
10+299.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65M2ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK50B65M2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3034 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK53S60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK53S60L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK53S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK5N100Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK5N100Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK5N100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK5N100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; Eoff: 0.73mJ; Eon: 3.1mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 3.1mJ
Turn-off switching energy: 0.73mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 120A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 137 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/74ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; Eoff: 0.73mJ; Eon: 3.1mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 3.1mJ
Turn-off switching energy: 0.73mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B60D1; IGBT; With Diode; 60A; 600V; 417W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+697.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 288 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/153ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.42mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.88V
Turn-on time: 118ns
Turn-off time: 268ns
Turn-on switching energy: 2.42mJ
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.44 грн
3+293.78 грн
5+227.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.42mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.88V
Turn-on time: 118ns
Turn-off time: 268ns
Turn-on switching energy: 2.42mJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.73 грн
3+366.09 грн
5+273.47 грн
12+258.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 60A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 318 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/168ns
Switching Energy: 2.36mJ (on), 1.17mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2AL
Код товару: 173446
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK60B65H2AL THT IGBT transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.43 грн
8+154.41 грн
20+146.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2ALAlpha & Omega Semiconductor650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2ALAlpha & Omega Semiconductor650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65H2AL; IGBT+ Diode; 60A; 650V; 416W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA (IRGP4068D)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65HQ3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 60A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/157ns
Switching Energy: 2.21mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65M3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 346 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/166ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 106 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60B65M3ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK60B65M3 THT IGBT transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+506.87 грн
4+307.89 грн
10+291.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60N30LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60N30LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK60N30LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66518ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK66518 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66518Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66613ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66613Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58.5A/120A TO247
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.23 грн
10+313.47 грн
100+256.86 грн
500+205.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66613Alpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66613ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK66914ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK66914 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOK75B60D1 THT IGBT transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.96 грн
3+378.58 грн
8+357.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 150A 500W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 147 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/84ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B65H1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 75A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 295 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/175ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 2.04mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 556 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 278W; TO247; Eoff: 2.04mJ; Eon: 3.77mJ
Case: TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 319ns
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Power dissipation: 278W
Gate-emitter voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Turn-on switching energy: 3.77mJ
Turn-off switching energy: 2.04mJ
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+449.77 грн
3+390.24 грн
4+287.42 грн
11+271.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B65H1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 556W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK75B65H1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 278W; TO247; Eoff: 2.04mJ; Eon: 3.77mJ
Case: TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 319ns
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Power dissipation: 278W
Gate-emitter voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Turn-on switching energy: 3.77mJ
Turn-off switching energy: 2.04mJ
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+374.81 грн
3+313.16 грн
4+239.52 грн
11+226.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK8N80LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK9N90ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS30B60D1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS30B60D1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOKS30B60D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS30B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B60D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/74ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.36 грн
10+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B65H1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B65H2ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.40 грн
3+198.99 грн
8+146.97 грн
21+138.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B65H2ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.68 грн
8+122.47 грн
21+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B65H2ALAlpha & Omega SemiconductorAOKS40B65H2AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOKS40B65H2ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.