Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.19 грн
10+328.75 грн
100+231.48 грн
500+205.68 грн
1000+199.41 грн
3000+168.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.85 грн
10+304.63 грн
100+220.80 грн
500+195.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R080D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.02 грн
10+238.31 грн
100+170.84 грн
500+155.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.76 грн
10+257.05 грн
100+184.65 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R080D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.65 грн
500+166.17 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.73 грн
10+253.38 грн
100+158.27 грн
500+153.39 грн
3000+130.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.58 грн
10+185.66 грн
100+134.25 грн
500+112.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.97 грн
10+198.05 грн
100+132.47 грн
500+111.56 грн
3000+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.50 грн
10+175.60 грн
100+107.37 грн
500+92.04 грн
1000+90.64 грн
3000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.08 грн
10+155.68 грн
100+108.99 грн
500+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2183.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1714.00 грн
10+1640.86 грн
25+1601.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1836.42 грн
10+1758.06 грн
25+1715.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+448.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+793.92 грн
5+731.28 грн
10+667.84 грн
50+592.19 грн
100+420.43 грн
250+412.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2951.56 грн
10+2660.00 грн
25+2528.54 грн
100+2182.66 грн
250+1930.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+667.84 грн
50+592.19 грн
100+420.43 грн
250+412.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2754.78 грн
10+2482.67 грн
25+2359.97 грн
100+2037.15 грн
250+1801.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.45 грн
10+723.24 грн
100+476.21 грн
500+459.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+351.41 грн
100+321.31 грн
500+284.76 грн
1000+202.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+932.72 грн
25+913.44 грн
100+820.83 грн
250+755.73 грн
500+721.00 грн
1000+716.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.50 грн
10+351.41 грн
100+321.31 грн
500+284.76 грн
1000+202.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.03 грн
10+999.34 грн
25+978.69 грн
100+879.46 грн
250+809.71 грн
500+772.50 грн
1000+768.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+366.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.82 грн
10+366.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.02 грн
10+331.15 грн
25+257.98 грн
100+227.30 грн
250+218.23 грн
500+204.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.97 грн
10+314.30 грн
100+228.23 грн
500+203.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.67 грн
10+555.58 грн
100+484.81 грн
500+405.62 грн
1000+347.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+555.58 грн
100+484.81 грн
500+405.62 грн
1000+347.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.42 грн
10+341.58 грн
100+239.85 грн
500+213.35 грн
1000+182.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.85 грн
500+202.43 грн
1000+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.05 грн
10+262.20 грн
100+163.85 грн
500+159.67 грн
1000+151.30 грн
3000+135.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.53 грн
10+260.52 грн
100+187.09 грн
500+160.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.06 грн
10+303.41 грн
100+244.85 грн
500+202.43 грн
1000+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.36 грн
10+205.27 грн
100+137.36 грн
500+122.02 грн
1000+115.74 грн
3000+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+270.06 грн
500+225.85 грн
1000+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.25 грн
10+203.11 грн
100+143.74 грн
500+116.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.85 грн
10+309.92 грн
100+270.06 грн
500+225.85 грн
1000+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.44 грн
10+236.71 грн
100+188.72 грн
500+147.29 грн
1000+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.44 грн
10+174.00 грн
100+105.98 грн
500+94.13 грн
3000+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.75 грн
10+172.97 грн
100+121.31 грн
500+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.72 грн
500+147.29 грн
1000+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.55 грн
10+471.80 грн
100+414.86 грн
500+351.23 грн
1000+295.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+414.86 грн
500+351.23 грн
1000+295.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.65 грн
10+271.82 грн
25+235.67 грн
100+172.91 грн
500+149.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.80 грн
10+377.44 грн
100+331.88 грн
500+280.99 грн
1000+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+331.88 грн
500+280.99 грн
1000+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.22 грн
10+283.08 грн
100+229.39 грн
500+188.83 грн
1000+149.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.14 грн
10+278.23 грн
25+228.00 грн
100+195.23 грн
250+184.77 грн
500+173.61 грн
1000+149.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.17 грн
10+233.02 грн
100+166.80 грн
500+130.04 грн
1000+123.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.39 грн
500+188.83 грн
1000+149.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.51 грн
10+280.64 грн
100+226.95 грн
500+187.32 грн
1000+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.42 грн
10+165.18 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+86.46 грн
5000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.95 грн
500+187.32 грн
1000+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.63 грн
10+163.76 грн
100+114.49 грн
500+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.39 грн
10+118.89 грн
100+81.64 грн
500+61.66 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.09 грн
10+119.47 грн
100+73.91 грн
500+61.78 грн
1000+57.59 грн
5000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.29 грн
10+103.10 грн
100+70.25 грн
500+52.72 грн
1000+48.48 грн
2000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.94 грн
10+105.04 грн
100+62.33 грн
500+51.60 грн
1000+47.76 грн
5000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.55 грн
10+129.89 грн
100+82.97 грн
500+69.58 грн
1000+65.96 грн
5000+56.34 грн
10000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.57 грн
10+105.84 грн
100+62.33 грн
500+52.43 грн
1000+48.60 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.82 грн
10+122.02 грн
100+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.93 грн
10+96.22 грн
100+58.22 грн
500+49.36 грн
1000+41.97 грн
5000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.23 грн
10+105.75 грн
100+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.17 грн
10+93.51 грн
100+63.41 грн
500+47.39 грн
1000+43.50 грн
2000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.31 грн
10+611.79 грн
100+426.01 грн
1000+361.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.01 грн
10+472.84 грн
100+361.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+800.43 грн
50+661.68 грн
100+584.98 грн
250+556.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.56 грн
10+522.79 грн
100+379.30 грн
500+337.46 грн
1000+300.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.04 грн
10+374.19 грн
100+274.59 грн
500+253.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+707.69 грн
50+593.70 грн
100+485.97 грн
250+471.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.18 грн
5+783.34 грн
10+707.69 грн
50+593.70 грн
100+485.97 грн
250+471.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.27 грн
10+390.49 грн
100+282.38 грн
500+265.65 грн
1800+225.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.23 грн
10+527.83 грн
100+414.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon Technologies CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+351.74 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.33 грн
10+334.36 грн
100+234.97 грн
500+209.17 грн
1000+179.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.69 грн
10+309.46 грн
100+224.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.48 грн
10+202.06 грн
100+135.26 грн
500+119.92 грн
1000+103.19 грн
1800+99.01 грн
3600+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
10+199.94 грн
100+141.42 грн
500+114.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.