Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R055D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.60 грн
10+377.40 грн
100+265.74 грн
500+236.13 грн
1000+228.92 грн
3000+193.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R055D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.20 грн
10+317.17 грн
100+231.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.82 грн
10+290.88 грн
100+181.70 грн
500+176.09 грн
3000+149.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R080D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.71 грн
10+283.74 грн
100+203.83 грн
500+183.43 грн
1000+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R080D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.55 грн
10+263.06 грн
100+188.58 грн
500+171.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.83 грн
500+183.43 грн
1000+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.96 грн
10+204.94 грн
100+148.20 грн
500+124.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.52 грн
10+227.36 грн
100+152.08 грн
500+128.07 грн
3000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.74 грн
10+171.84 грн
100+120.31 грн
500+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.76 грн
10+193.30 грн
100+117.66 грн
500+104.06 грн
3000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1802.96 грн
10+1726.03 грн
25+1684.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2143.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1682.76 грн
10+1610.96 грн
25+1572.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2897.77 грн
10+2611.53 грн
25+2482.46 грн
100+2142.88 грн
250+1894.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+495.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+737.19 грн
50+653.68 грн
100+464.09 грн
250+454.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1003.87 грн
10+830.28 грн
100+546.69 грн
500+527.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2704.58 грн
10+2437.43 грн
25+2316.97 грн
100+2000.02 грн
250+1768.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+876.37 грн
5+807.23 грн
10+737.19 грн
50+653.68 грн
100+464.09 грн
250+454.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557209
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+387.90 грн
100+354.68 грн
500+314.33 грн
1000+223.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+915.72 грн
25+896.80 грн
100+805.87 грн
250+741.96 грн
500+707.86 грн
1000+703.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+421.12 грн
10+387.90 грн
100+354.68 грн
500+314.33 грн
1000+223.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.91 грн
10+981.13 грн
25+960.85 грн
100+863.44 грн
250+794.95 грн
500+758.42 грн
1000+754.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.48 грн
10+380.16 грн
25+296.16 грн
100+260.94 грн
250+250.53 грн
500+234.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+404.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.18 грн
10+404.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557217
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesSP005562629
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+613.28 грн
100+535.16 грн
500+447.74 грн
1000+383.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.49 грн
10+392.13 грн
100+275.35 грн
500+244.93 грн
1000+209.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.39 грн
10+329.51 грн
100+242.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.48 грн
10+613.28 грн
100+535.16 грн
500+447.74 грн
1000+383.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+270.27 грн
500+223.45 грн
1000+177.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.07 грн
10+269.56 грн
100+193.55 грн
500+177.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.22 грн
10+301.00 грн
100+188.10 грн
500+183.30 грн
1000+173.69 грн
3000+155.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+418.43 грн
10+334.92 грн
100+270.27 грн
500+223.45 грн
1000+177.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+133.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.59 грн
10+342.11 грн
100+298.11 грн
500+249.30 грн
1000+213.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.59 грн
10+235.65 грн
100+157.68 грн
500+140.08 грн
1000+132.87 грн
3000+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+298.11 грн
500+249.30 грн
1000+213.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.85 грн
10+234.88 грн
100+167.03 грн
500+147.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.32 грн
500+162.59 грн
1000+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.66 грн
10+261.29 грн
100+208.32 грн
500+162.59 грн
1000+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.53 грн
10+177.26 грн
100+124.30 грн
500+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.16 грн
10+199.75 грн
100+121.67 грн
500+108.06 грн
3000+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.54 грн
10+520.79 грн
100+457.94 грн
500+387.71 грн
1000+326.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+457.94 грн
500+387.71 грн
1000+326.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+366.35 грн
500+310.17 грн
1000+260.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.25 грн
10+312.05 грн
25+270.54 грн
100+198.51 грн
500+172.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.81 грн
10+416.63 грн
100+366.35 грн
500+310.17 грн
1000+260.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.21 грн
500+208.44 грн
1000+165.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.89 грн
10+257.22 грн
100+184.12 грн
500+143.54 грн
1000+136.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.80 грн
10+312.48 грн
100+253.21 грн
500+208.44 грн
1000+165.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.74 грн
10+319.41 грн
25+261.74 грн
100+224.12 грн
250+212.11 грн
500+199.31 грн
1000+171.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+250.52 грн
500+206.78 грн
1000+163.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R140D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.15 грн
10+309.78 грн
100+250.52 грн
500+206.78 грн
1000+163.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.22 грн
10+189.62 грн
100+115.26 грн
500+100.85 грн
1000+99.25 грн
5000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.68 грн
10+167.76 грн
100+117.30 грн
500+96.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.78 грн
10+137.15 грн
100+84.85 грн
500+70.92 грн
1000+66.12 грн
5000+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.50 грн
10+120.58 грн
100+71.56 грн
500+59.23 грн
1000+54.83 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+171.44 грн
10+106.14 грн
100+72.31 грн
500+54.28 грн
1000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.52 грн
10+149.12 грн
100+95.25 грн
500+79.88 грн
1000+75.72 грн
5000+64.67 грн
10000+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.56 грн
10+134.69 грн
100+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.37 грн
10+121.51 грн
100+71.56 грн
500+60.19 грн
1000+55.79 грн
5000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.56 грн
10+110.46 грн
100+66.84 грн
500+56.67 грн
1000+48.19 грн
5000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.52 грн
10+116.73 грн
100+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.30 грн
10+754.80 грн
100+565.10 грн
1800+479.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+883.55 грн
50+730.39 грн
100+645.73 грн
250+614.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.09 грн
10+495.77 грн
100+405.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.10 грн
10+600.16 грн
100+435.43 грн
500+387.41 грн
1000+344.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.30 грн
5+864.69 грн
10+781.19 грн
50+655.35 грн
100+536.44 грн
250+520.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.34 грн
10+448.28 грн
100+324.17 грн
500+304.96 грн
1800+258.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+781.19 грн
50+655.35 грн
100+536.44 грн
250+520.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.76 грн
10+543.37 грн
100+456.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon Technologies CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R055D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.94 грн
10+383.85 грн
100+269.74 грн
500+240.13 грн
1000+205.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R055D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.46 грн
10+324.42 грн
100+238.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.89 грн
10+209.70 грн
100+148.26 грн
500+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.99 грн
10+231.96 грн
100+155.28 грн
500+137.67 грн
1000+118.46 грн
1800+113.66 грн
3600+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.