Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.58 грн
10+360.76 грн
100+254.03 грн
500+225.72 грн
1000+218.83 грн
3000+185.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1723.48 грн
10+1649.94 грн
25+1610.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2048.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1608.58 грн
10+1539.94 грн
25+1502.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2585.36 грн
10+2329.98 грн
25+2214.83 грн
100+1911.85 грн
250+1690.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.78 грн
5+826.58 грн
10+779.37 грн
50+695.80 грн
100+606.23 грн
250+603.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.62 грн
10+793.68 грн
100+522.59 грн
500+504.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557209
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+779.37 грн
50+695.80 грн
100+606.23 грн
250+603.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2770.02 грн
10+2496.40 грн
25+2373.03 грн
100+2048.42 грн
250+1811.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+875.35 грн
25+857.26 грн
100+770.35 грн
250+709.25 грн
500+676.66 грн
1000+672.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.78 грн
10+334.75 грн
100+264.37 грн
500+219.18 грн
1000+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.51 грн
10+937.88 грн
25+918.50 грн
100+825.37 грн
250+759.91 грн
500+724.99 грн
1000+720.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+334.75 грн
100+264.37 грн
500+219.18 грн
1000+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.75 грн
10+363.40 грн
25+283.10 грн
100+249.44 грн
250+239.49 грн
500+224.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+387.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.92 грн
10+387.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557217
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesSP005562629
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.53 грн
10+374.84 грн
100+263.21 грн
500+234.13 грн
1000+200.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+668.64 грн
10+586.24 грн
100+511.57 грн
500+428.00 грн
1000+366.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+586.24 грн
100+511.57 грн
500+428.00 грн
1000+366.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.92 грн
10+308.69 грн
100+227.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.02 грн
10+461.78 грн
100+403.42 грн
500+337.14 грн
1000+289.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.88 грн
10+309.73 грн
100+217.30 грн
500+193.58 грн
1000+187.46 грн
3000+159.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+461.78 грн
100+403.42 грн
500+337.14 грн
1000+289.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+284.97 грн
500+238.31 грн
1000+204.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.78 грн
10+225.26 грн
100+150.73 грн
500+133.90 грн
1000+127.01 грн
3000+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.38 грн
10+327.02 грн
100+284.97 грн
500+238.31 грн
1000+204.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.59 грн
10+224.52 грн
100+159.67 грн
500+140.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.62 грн
10+249.78 грн
100+199.13 грн
500+155.42 грн
1000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.13 грн
500+155.42 грн
1000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.65 грн
10+201.50 грн
100+128.54 грн
500+114.01 грн
1000+107.89 грн
3000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.78 грн
10+497.83 грн
100+437.75 грн
500+370.62 грн
1000+311.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+437.75 грн
500+370.62 грн
1000+311.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.19 грн
10+398.27 грн
100+350.20 грн
500+296.49 грн
1000+249.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.87 грн
10+298.29 грн
25+258.62 грн
100+189.76 грн
500+164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+350.20 грн
500+296.49 грн
1000+249.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.66 грн
10+298.70 грн
100+242.05 грн
500+199.26 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.05 грн
500+199.26 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.22 грн
10+245.88 грн
100+176.01 грн
500+137.22 грн
1000+130.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.78 грн
10+305.33 грн
25+250.20 грн
100+214.24 грн
250+202.76 грн
500+190.52 грн
1000+163.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.92 грн
10+296.12 грн
100+239.48 грн
500+197.66 грн
1000+155.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.37 грн
10+190.94 грн
100+130.07 грн
500+108.65 грн
1000+97.94 грн
5000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+239.48 грн
500+197.66 грн
1000+155.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.03 грн
10+138.15 грн
100+85.70 грн
500+71.62 грн
1000+66.18 грн
5000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.10 грн
10+115.27 грн
100+68.40 грн
500+56.62 грн
1000+52.41 грн
5000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.70 грн
10+159.26 грн
100+110.18 грн
500+92.58 грн
1000+79.57 грн
2500+75.60 грн
5000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.25 грн
10+128.75 грн
100+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.89 грн
10+116.15 грн
100+68.40 грн
500+57.54 грн
1000+53.33 грн
5000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.36 грн
10+111.58 грн
100+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.82 грн
10+105.59 грн
100+63.89 грн
500+54.17 грн
1000+46.06 грн
5000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.81 грн
10+721.53 грн
100+523.36 грн
500+481.27 грн
1800+416.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+844.60 грн
50+698.19 грн
100+617.26 грн
250+587.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.29 грн
10+600.98 грн
100+436.13 грн
500+388.69 грн
1000+345.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+746.75 грн
50+626.46 грн
100+512.79 грн
250+497.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.40 грн
10+448.76 грн
100+325.19 грн
500+289.99 грн
1000+272.39 грн
1800+257.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.54 грн
5+826.58 грн
10+746.75 грн
50+626.46 грн
100+512.79 грн
250+497.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.50 грн
10+366.92 грн
100+257.85 грн
500+229.54 грн
1000+196.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 201-210 дні (днів)
1+512.39 грн
10+432.92 грн
25+341.25 грн
100+313.71 грн
250+295.35 грн
500+276.98 грн
1000+249.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.