| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 37233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SZESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NDC631N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 13785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2004 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NTD360N80S3Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NTD360N80S3Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MC74VHC1G00DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQB3N30TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 822 шт В кошику од. на суму грн. | |
| FDB5690 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 21703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 44535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
TL431BIDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOIC isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% |
на замовлення 5076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MC74F85M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMPtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 526 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
MBRD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD3 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
1N5932BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5932BRLG - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 328067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
PZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| HUF75339S3ST | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 378 шт В кошику од. на суму грн. | |
| HUF75339G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 321 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
NVMYS5D3N04CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NVMYS8D0N04CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NVMYS5D3N04CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NVMYS8D0N04CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - Verlustleistung: 600W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCV612SQ33T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV612SQ33T2G - LDO, FIXED, 3.3V, 0.1A, -40 TO 125DEG CtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
FGY140T120SWD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.153kW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
FGY100T120RWD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.495kW Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
SS16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 720 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 720mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS16T productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
1N5350BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5350BG - Zener-Diode, 13 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 13V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 29767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SBRB20200CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SBRB20200CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
MC34063ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34063ADR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40V/3Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 70°C Wirkungsgrad: 87.7% Schaltfrequenz: 100kHz productTraceability: No Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 33kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSPEMI204FCTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CSPEMI204FCTAG - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EMI8042MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMI8042MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 583675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EMI5208MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMI5208MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2155 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EMI8043MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMI8043MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EMI8132MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMI8132MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1540700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
NCP2811ADTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP2811ADTBR2G - Audioleistungsverstärker, 110mW x 2 bei 16 Ohm, AB, 2 Kanäle, 2.7V bis 5V, TSSOP, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Stereo Versorgungsspannung: 2.7V bis 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 16ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 110mW x 2 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: AB SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NCP3063BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Wirkungsgrad: 85.5% Schaltfrequenz: 150kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 150kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NCP3063DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 70°C Wirkungsgrad: 85.5% Schaltfrequenz: 190kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: 0°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 150kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 19010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NCP3063DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 70°C Wirkungsgrad: 85.5% Schaltfrequenz: 190kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: 0°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 150kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 19010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NCP3063BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Wirkungsgrad: 85.5% Schaltfrequenz: 150kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 150kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NTBG014N120M3P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NTBG014N120M3P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| RURD620S9A-S2457 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RURD620S9A-S2457 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP10C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP10C - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP20J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP20J - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 22510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP20C - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP30A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP30A - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP10F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP10F - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP10K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP10K - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP10B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP10B - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 48285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP20K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP20K - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP20A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP20A - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP30F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP30F - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| EGP30C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGP30C - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
NCP563SQ33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 80mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 80mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
ADP3611MNR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3611MNR2G - EACHtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 64951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MC14049UBDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14049UBDTR2G - Puffer, invertierend, MC14049, 3V bis 18V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 4049 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: MC140 Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MMSZ18T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V |
на замовлення 10952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MMSZ18T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V |
на замовлення 11972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| VN2222LLRL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VN2222LLRL - VN2222LLRL, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
2V7002LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| ESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SZESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDC631N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74VHC1G00DBVT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQB3N30TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB5690 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 21703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 44535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TL431BIDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74F85M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMP
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMP
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBRD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5932BRLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5932BRLG - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1N5932BRLG - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 328067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HUF75339S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HUF75339G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMYS5D3N04CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMYS8D0N04CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMYS5D3N04CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMYS8D0N04CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV612SQ33T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV612SQ33T2G - LDO, FIXED, 3.3V, 0.1A, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV612SQ33T2G - LDO, FIXED, 3.3V, 0.1A, -40 TO 125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGY140T120SWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.153kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.153kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGY100T120RWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.495kW
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.495kW
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 720 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 720mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS16T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS16T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 720 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 720mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS16T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5350BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5350BG - Zener-Diode, 13 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N5350BG - Zener-Diode, 13 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBRB20200CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBRB20200CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SBRB20200CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC34063ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC34063ADR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40V/3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - MC34063ADR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40V/3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSPEMI204FCTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CSPEMI204FCTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CSPEMI204FCTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EMI8042MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMI8042MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EMI8042MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 583675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EMI5208MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMI5208MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EMI5208MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EMI8043MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMI8043MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EMI8043MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EMI8132MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMI8132MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EMI8132MUTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1540700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP2811ADTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP2811ADTBR2G - Audioleistungsverstärker, 110mW x 2 bei 16 Ohm, AB, 2 Kanäle, 2.7V bis 5V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 16ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 110mW x 2 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: AB
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP2811ADTBR2G - Audioleistungsverstärker, 110mW x 2 bei 16 Ohm, AB, 2 Kanäle, 2.7V bis 5V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 16ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 110mW x 2 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: AB
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP3063BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 150kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 150kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP3063DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 190kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 190kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 19010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP3063DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 190kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP3063DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 190kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 19010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP3063BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 150kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP3063BDR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 40Vin, 1.25V-40Vout/1.5Aout, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Wirkungsgrad: 85.5%
Schaltfrequenz: 150kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: NSOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBG014N120M3P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBG014N120M3P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RURD620S9A-S2457 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURD620S9A-S2457 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - RURD620S9A-S2457 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP20J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP20J - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EGP20J - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP20C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP20C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP20C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP30A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP30A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EGP30A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP10F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP10F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP10F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP10K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP10K - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP10K - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP10B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP10B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP10B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP20K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP20K - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EGP20K - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP20A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP20A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EGP20A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP30F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP30F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EGP30F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGP30C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGP30C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - EGP30C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP563SQ33T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ADP3611MNR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3611MNR2G - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ADP3611MNR2G - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC14049UBDTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14049UBDTR2G - Puffer, invertierend, MC14049, 3V bis 18V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4049
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC14049UBDTR2G - Puffer, invertierend, MC14049, 3V bis 18V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4049
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14049
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ18T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ18T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
Description: ONSEMI - MMSZ18T1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VN2222LLRL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VN2222LLRL - VN2222LLRL, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - VN2222LLRL - VN2222LLRL, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2V7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



























