Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146220) > Сторінка 375 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8445 FDD8445 onsemi FDD8445-D.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+44.23 грн
100+36.82 грн
500+26.98 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZ FDMA420NZ onsemi FDMA420NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+35.78 грн
100+24.48 грн
500+18.83 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZ FDMA430NZ onsemi fdma430nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.98 грн
100+26.74 грн
500+19.35 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N onsemi FDMB3800N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.51 грн
100+40.96 грн
500+30.16 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C onsemi fds4897c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692Z FDS5692Z onsemi FDS5692Z.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.59 грн
100+49.18 грн
500+36.33 грн
1000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.08 грн
500+28.61 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690 FDS8690 onsemi fds8690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+100.24 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ onsemi fdy100pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ FDY101PZ onsemi fdy101pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDY3000NZ FDY3000NZ onsemi fdy3000nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
13+23.62 грн
100+16.40 грн
500+12.02 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY301NZ FDY301NZ onsemi FDY301NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3180SDV FOD3180SDV onsemi fod3180-d.pdf Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.43V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 55ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Pulse Width Distortion (Max): 65ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 20V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+164.77 грн
100+128.85 грн
500+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD420SD FOD420SD onsemi fod4218-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-SMD
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+241.30 грн
100+191.46 грн
500+159.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063R2 FODM3063R2 onsemi FODM3083-D.PDF Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 4SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 600V/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Hold (Ih): 300µA (Typ)
Approval Agency: cUL, UL
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+100.61 грн
100+76.93 грн
500+62.40 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2125 FPF2125 onsemi ONSM-S-A0003590112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT23-5
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: SOT-23-5
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 125mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA onsemi fqn1n50c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS onsemi fqt1n60ctf-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST ISL9V5045S3ST onsemi isl9v5045s3st-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO263AB
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8050SR2VM MOC8050SR2VM onsemi MOC8021M-D.PDF Description: OPTOISOLTR 4.17KV 1CH DARL 6-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 8.5µs, 95µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+44.53 грн
100+32.82 грн
500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT4101TV-T75 onsemi CAT4101-D.PDF Description: IC LED DRVR LIN PWM 1A D2PAK-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Voltage - Output: 25V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 1A
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 onsemi FDB047N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880 FDMS8880 onsemi fdms8880-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF08S60SNTU FFPF08S60SNTU onsemi ffpf08s60sn-d.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 8A TO220F2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD410 FOD410 onsemi fod4118-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: CSA, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
50+151.15 грн
100+126.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4108 FOD4108 onsemi fod4118-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: CSA, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 19142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
50+195.72 грн
100+160.30 грн
500+126.82 грн
1000+116.32 грн
2000+111.51 грн
5000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A FPF1003A onsemi fpf1004-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (0.96x1.66)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 20mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA642UMX FSA642UMX onsemi Description: IC SWITCH 3PDT 24UMLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: MIPI
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 24-UMLP (3.4x2.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: 3PDT
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 onsemi FDB047N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+186.81 грн
100+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A FPF1003A onsemi fpf1004-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (0.96x1.66)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 20mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+64.31 грн
25+61.02 грн
100+43.97 грн
250+38.86 грн
500+36.82 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50 FDA24N50 onsemi FDA24N50-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 onsemi FDA28N50-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
30+220.77 грн
60+200.76 грн
120+172.61 грн
510+147.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU onsemi fgh60n60sfd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU FGH60N60UFDTU onsemi fgh60n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB104UMX FSUSB104UMX onsemi fsusb104-d.pdf Description: IC USB SWITCH DUAL DPDT 10UMLP
Number of Channels: 1
Switch Circuit: DPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 10-UMLP (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 720MHz
On-State Resistance (Max): 6.5Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: Bi-Directional, USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG6521SZ SG6521SZ onsemi SG6521.pdf Description: IC SUPERVISOR 4 CHANNEL 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB104UMX FSUSB104UMX onsemi fsusb104-d.pdf Description: IC USB SWITCH DUAL DPDT 10UMLP
Number of Channels: 1
Switch Circuit: DPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 10-UMLP (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 720MHz
On-State Resistance (Max): 6.5Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: Bi-Directional, USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+63.10 грн
25+52.68 грн
100+38.37 грн
250+32.94 грн
500+29.60 грн
1000+26.36 грн
2500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG6521SZ SG6521SZ onsemi SG6521.pdf Description: IC SUPERVISOR 4 CHANNEL 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002_NL 1N4002_NL onsemi 1N4001.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004_NL 1N4004_NL onsemi 1N4001.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 400
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WT 1N4448WT onsemi 1N914BWT-D.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5221BTA 1N5221BTA onsemi 1N5221B%20-%2063B.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231C 1N5231C onsemi 1n5221b-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
91+3.32 грн
160+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231CTR 1N5231CTR onsemi 1N5221B-D.PDF Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.94 грн
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BWT 1N914BWT onsemi 1N914BWT-D.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 1384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.86 грн
16000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5245_J35Z 2N5245_J35Z onsemi 2N5245.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5246_J35Z 2N5246_J35Z onsemi 2N5246.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 7mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5247_J35Z 2N5247_J35Z onsemi Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 4dB
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Frequency: 400MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950_J35Z 2N5950_J35Z onsemi 2N5950.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Technology: JFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5951_J35Z 2N5951_J35Z onsemi 2N5951.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 13mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5952_J35Z 2N5952_J35Z onsemi 2N5952.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 8mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5953_J35Z 2N5953_J35Z onsemi 2N5953.pdf Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 5mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002_NB9G002 2N7002_NB9G002 onsemi 2N7000,02(A).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26M_F132 4N26M_F132 onsemi 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32SVM 4N32SVM onsemi til113m-d.pdf Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs (Max)
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N33TVM 4N33TVM onsemi H11B1M-D.pdf Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Darlington with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs (Max)
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35M_F132 4N35M_F132 onsemi 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N37M_F132 4N37M_F132 onsemi 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373BQX 74LCX373BQX onsemi DS_488_74LCX373.pdf Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-DQFN
Supplier Device Package: 20-DQFN (2.5x4.5)
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Circuit: 8:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445-D.pdf
FDD8445
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.49 грн
10+44.23 грн
100+36.82 грн
500+26.98 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA420NZ FDMA420NZ-D.PDF
FDMA420NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+35.78 грн
100+24.48 грн
500+18.83 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA430NZ fdma430nz-d.pdf
FDMA430NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.98 грн
100+26.74 грн
500+19.35 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N-D.PDF
FDMB3800N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.11 грн
10+61.51 грн
100+40.96 грн
500+30.16 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C fds4897c-d.pdf
FDS4897C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692Z FDS5692Z.pdf
FDS5692Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.71 грн
10+73.59 грн
100+49.18 грн
500+36.33 грн
1000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.08 грн
500+28.61 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690 fds8690-d.pdf
FDS8690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.00 грн
10+100.24 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ fdy100pz-d.pdf
FDY100PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ fdy101pz-d.pdf
FDY101PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDY3000NZ fdy3000nz-d.pdf
FDY3000NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
13+23.62 грн
100+16.40 грн
500+12.02 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY301NZ FDY301NZ-D.PDF
FDY301NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3180SDV fod3180-d.pdf
FOD3180SDV
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.43V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 55ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Pulse Width Distortion (Max): 65ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 20V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.36 грн
10+164.77 грн
100+128.85 грн
500+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD420SD fod4218-d.pdf
FOD420SD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-SMD
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.61 грн
10+241.30 грн
100+191.46 грн
500+159.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063R2 FODM3083-D.PDF
FODM3063R2
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 4SMD
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 600V/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Hold (Ih): 300µA (Typ)
Approval Agency: cUL, UL
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.79 грн
10+100.61 грн
100+76.93 грн
500+62.40 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2125 ONSM-S-A0003590112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF2125
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT23-5
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: SOT-23-5
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 125mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS fqt1n60ctf-ws-d.pdf
FQT1N60CTF-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST isl9v5045s3st-d.pdf
ISL9V5045S3ST
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO263AB
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8050SR2VM MOC8021M-D.PDF
MOC8050SR2VM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV 1CH DARL 6-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 8.5µs, 95µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+44.53 грн
100+32.82 грн
500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT4101TV-T75 CAT4101-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRVR LIN PWM 1A D2PAK-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Voltage - Output: 25V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 1A
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8880 fdms8880-d.pdf
FDMS8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF08S60SNTU ffpf08s60sn-d.pdf
FFPF08S60SNTU
Виробник: onsemi
Description: DIODE AVALANCHE 600V 8A TO220F2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD410 fod4118-d.pdf
FOD410
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: CSA, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.82 грн
50+151.15 грн
100+126.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4108 fod4118-d.pdf
FOD4108
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: CSA, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 19142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.88 грн
50+195.72 грн
100+160.30 грн
500+126.82 грн
1000+116.32 грн
2000+111.51 грн
5000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A fpf1004-d.pdf
FPF1003A
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (0.96x1.66)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 20mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA642UMX
FSA642UMX
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH 3PDT 24UMLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: MIPI
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 24-UMLP (3.4x2.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: 3PDT
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.98 грн
10+186.81 грн
100+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A fpf1004-d.pdf
FPF1003A
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (0.96x1.66)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 20mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.46 грн
10+64.31 грн
25+61.02 грн
100+43.97 грн
250+38.86 грн
500+36.82 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50 FDA24N50-D.pdf
FDA24N50
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50-D.pdf
FDA28N50
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.66 грн
30+220.77 грн
60+200.76 грн
120+172.61 грн
510+147.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU fgh60n60ufd-d.pdf
FGH60N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB104UMX fsusb104-d.pdf
FSUSB104UMX
Виробник: onsemi
Description: IC USB SWITCH DUAL DPDT 10UMLP
Number of Channels: 1
Switch Circuit: DPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 10-UMLP (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 720MHz
On-State Resistance (Max): 6.5Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: Bi-Directional, USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG6521SZ SG6521.pdf
SG6521SZ
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 4 CHANNEL 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB104UMX fsusb104-d.pdf
FSUSB104UMX
Виробник: onsemi
Description: IC USB SWITCH DUAL DPDT 10UMLP
Number of Channels: 1
Switch Circuit: DPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 10-UMLP (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 720MHz
On-State Resistance (Max): 6.5Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: Bi-Directional, USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.60 грн
10+63.10 грн
25+52.68 грн
100+38.37 грн
250+32.94 грн
500+29.60 грн
1000+26.36 грн
2500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG6521SZ SG6521.pdf
SG6521SZ
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 4 CHANNEL 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002_NL 1N4001.pdf
1N4002_NL
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004_NL 1N4001.pdf
1N4004_NL
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 400
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448WT 1N914BWT-D.pdf
1N4448WT
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5221BTA 1N5221B%20-%2063B.pdf
1N5221BTA
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231C 1n5221b-d.pdf
1N5231C
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.05 грн
91+3.32 грн
160+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231CTR 1N5221B-D.PDF
1N5231CTR
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.94 грн
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BWT 1N914BWT-D.pdf
1N914BWT
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 1384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.86 грн
16000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5245_J35Z 2N5245.pdf
2N5245_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5246_J35Z 2N5246.pdf
2N5246_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 7mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5247_J35Z
2N5247_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 4dB
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Frequency: 400MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5950_J35Z 2N5950.pdf
2N5950_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V TO92-3
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Technology: JFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5951_J35Z 2N5951.pdf
2N5951_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 13mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5952_J35Z 2N5952.pdf
2N5952_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 8mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5953_J35Z 2N5953.pdf
2N5953_J35Z
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 15V TO92-3
Configuration: N-Channel
Frequency: 1kHz
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 5mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Voltage - Test: 15 V
Voltage - Rated: 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure: 2dB
Technology: JFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002_NB9G002 2N7000,02(A).pdf
2N7002_NB9G002
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26M_F132 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf
4N26M_F132
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32SVM til113m-d.pdf
4N32SVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs (Max)
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N33TVM H11B1M-D.pdf
4N33TVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Darlington with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 100µs (Max)
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35M_F132 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf
4N35M_F132
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N37M_F132 4N25-28_35-37%2C%20H11A1-A5.pdf
4N37M_F132
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373BQX DS_488_74LCX373.pdf
74LCX373BQX
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-DQFN
Supplier Device Package: 20-DQFN (2.5x4.5)
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Circuit: 8:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]