Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144954) > Сторінка 372 з 2416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FAN3224CMX FAN3224CMX onsemi FAN3223-D.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3226TMX FAN3226TMX onsemi fan3229t_f085-d.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Last Time Buy
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.31 грн
5000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX onsemi FAN3223-D.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.93 грн
10+95.32 грн
25+86.81 грн
100+72.71 грн
250+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3226TMX FAN3226TMX onsemi fan3229t_f085-d.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Last Time Buy
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.03 грн
10+100.73 грн
25+84.97 грн
100+63.01 грн
250+54.79 грн
500+49.74 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3637HV3-GT2 CAT3637HV3-GT2 onsemi cat3637-d.pdf Description: IC LED DRV RGLT MULT-STEP 16TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 800kHz ~ 1.1MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Dimming: Multi-Step
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F onsemi FDA24N40F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.46 грн
30+189.21 грн
120+156.68 грн
510+124.66 грн
1020+118.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N FDC855N onsemi fdc855n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20F FDP18N20F onsemi fdpf18n20ft-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40 FDP26N40 onsemi fdp26n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TU FGH80N60FD2TU onsemi fgh80n60fd2-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF50N30TTU FGPF50N30TTU onsemi FGPF50N30T.pdf Description: IGBT TRENCH 300V TO-220F-3
Power - Max: 46.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 97 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD420 FOD420 onsemi fod4218-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.81 грн
10+201.09 грн
100+164.68 грн
500+130.28 грн
1000+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4208 FOD4208 onsemi fod4218-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
50+186.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4218 FOD4218 onsemi fod4218-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 1.3mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.04 грн
10+279.59 грн
100+229.02 грн
500+181.19 грн
1000+166.19 грн
2000+159.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB20CH60C FSBB20CH60C onsemi fsbb20ch60c-d.pdf Description: IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Packaging: Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1542.54 грн
60+880.09 грн
120+870.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C FSBB30CH60C onsemi fsbb30ch60c-d.pdf Description: IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Not For New Designs
Current: 30 A
Voltage: 600 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1675.70 грн
10+1172.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N FDC855N onsemi fdc855n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.20 грн
10+39.80 грн
100+26.00 грн
500+18.82 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.22 грн
10+62.93 грн
100+44.07 грн
500+33.43 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.05 грн
10+136.24 грн
100+104.52 грн
500+83.12 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOII4SM6600A-QDC NOII4SM6600A-QDC onsemi noii4sm6600a-d.pdf Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 68-LCC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20611.83 грн
9+18607.54 грн
18+17987.31 грн
27+16298.33 грн
45+16007.28 грн
81+15483.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SE0300-EVAL onsemi CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf Description: BOARD EVAL IMAGE SENSOR LUPA-300
Sensing Range: VGA
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-300
Sensor Type: CMOS Imaging, Color (RGB)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 250fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM0300-EVAL CYIL1SM0300-EVAL onsemi CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf Description: BOARD EVAL IMAGE SENSOR LUPA-300
Sensing Range: VGA
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-300
Sensor Type: CMOS Imaging, Monochrome
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 250fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM0300AA-QDC CYIL1SM0300AA-QDC onsemi CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-LCC
Frames per Second: 250
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
Active Pixel Array: 640H x 480V
Pixel Size: 9.9µm x 9.9µm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Type: CMOS
Package / Case: 48-LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM4000-EVAL CYIL1SM4000-EVAL onsemi lupa_4000_8.pdf Description: BOARD EVAL IMAGE SENS LUPA-4000
Sensing Range: 4 Megapixel
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-4000
Sensor Type: CMOS Imaging, Monochrome
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 15fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3648HV3-GT2 CAT3648HV3-GT2 onsemi Description: IC LED DRV RGLT MULT-STEP 16TQFN
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Dimming: Multi-Step
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1MHz ~ 1.3MHz
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 7V
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3021SR2M MOC3021SR2M onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+37.43 грн
100+27.40 грн
500+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023SR2VM MOC3023SR2VM onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+43.51 грн
100+32.01 грн
500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3083SR2M MOC3083SR2M onsemi moc3083m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 500µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 600V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 35943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.51 грн
10+52.92 грн
100+39.31 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.52 грн
10+128.31 грн
100+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.52 грн
10+128.08 грн
100+88.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.20 грн
10+39.73 грн
100+25.92 грн
500+18.75 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 92735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+38.84 грн
100+25.22 грн
500+18.16 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L FDC6323L onsemi fdc6323l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Voltage - Load: 3V ~ 8V
Input Type: Non-Inverting
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L onsemi FDC6324L-D.PDF Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
12+25.87 грн
25+23.13 грн
100+18.89 грн
250+17.56 грн
500+16.75 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L FDC6329L onsemi FDC6329L-D.PDF Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 27578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.26 грн
10+33.95 грн
25+30.51 грн
100+25.06 грн
250+23.36 грн
500+22.34 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.35 грн
10+43.44 грн
100+28.48 грн
500+20.67 грн
1000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 14050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.43 грн
10+39.14 грн
100+25.54 грн
500+18.47 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 9064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.57 грн
10+30.76 грн
100+19.80 грн
500+14.15 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P onsemi fdg6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C FDG6321C onsemi fdg6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
11+27.35 грн
100+18.66 грн
500+13.77 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C FDG6332C onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.41 грн
12+26.68 грн
100+17.09 грн
500+12.15 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ onsemi FDN304PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 31724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+38.69 грн
100+25.12 грн
500+18.09 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 33487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+29.87 грн
100+19.18 грн
500+13.68 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A FDS6570A onsemi fds6570a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A onsemi fds6890a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.24 грн
10+83.54 грн
100+56.35 грн
500+41.93 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910 FDS6910 onsemi fds6910-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A FDS6961A onsemi FDS6961A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+48.18 грн
100+31.73 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A FDS9431A onsemi fds9431a-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 30388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.59 грн
10+49.51 грн
100+32.52 грн
500+23.68 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+63.23 грн
100+44.18 грн
500+33.46 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N FDT439N onsemi fdt439n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 11616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.75 грн
10+52.92 грн
100+35.00 грн
500+25.62 грн
1000+23.29 грн
2000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi FDV305N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 109630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
15+20.98 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.89 грн
10+112.00 грн
100+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi fqb22p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
10+122.82 грн
100+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
10+124.90 грн
100+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+68.12 грн
100+45.44 грн
500+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TM FQD2N100TM onsemi fqu2n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3223-D.PDF
FAN3224CMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3226TMX fan3229t_f085-d.pdf
FAN3226TMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Last Time Buy
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.31 грн
5000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3223-D.PDF
FAN3224CMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.93 грн
10+95.32 грн
25+86.81 грн
100+72.71 грн
250+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3226TMX fan3229t_f085-d.pdf
FAN3226TMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Last Time Buy
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.03 грн
10+100.73 грн
25+84.97 грн
100+63.01 грн
250+54.79 грн
500+49.74 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3637HV3-GT2 cat3637-d.pdf
CAT3637HV3-GT2
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLT MULT-STEP 16TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 800kHz ~ 1.1MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Dimming: Multi-Step
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F-D.PDF
FDA24N40F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+349.46 грн
30+189.21 грн
120+156.68 грн
510+124.66 грн
1020+118.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N fdc855n-d.pdf
FDC855N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20F fdpf18n20ft-d.pdf
FDP18N20F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40 fdp26n40-d.pdf
FDP26N40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TU fgh80n60fd2-d.pdf
FGH80N60FD2TU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF50N30TTU FGPF50N30T.pdf
FGPF50N30TTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH 300V TO-220F-3
Power - Max: 46.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 97 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD420 fod4218-d.pdf
FOD420
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 600 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.81 грн
10+201.09 грн
100+164.68 грн
500+130.28 грн
1000+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4208 fod4218-d.pdf
FOD4208
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 2mA
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.53 грн
50+186.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4218 fod4218-d.pdf
FOD4218
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Voltage - Off State: 800 V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 1.3mA
Static dV/dt (Min): 10kV/µs
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On Time: 60µs
Current - Hold (Ih): 500µA
Approval Agency: cUL, FIMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.28V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.04 грн
10+279.59 грн
100+229.02 грн
500+181.19 грн
1000+166.19 грн
2000+159.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB20CH60C fsbb20ch60c-d.pdf
FSBB20CH60C
Виробник: onsemi
Description: IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Packaging: Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1542.54 грн
60+880.09 грн
120+870.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C fsbb30ch60c-d.pdf
FSBB30CH60C
Виробник: onsemi
Description: IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Not For New Designs
Current: 30 A
Voltage: 600 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1675.70 грн
10+1172.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N fdc855n-d.pdf
FDC855N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.20 грн
10+39.80 грн
100+26.00 грн
500+18.82 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.22 грн
10+62.93 грн
100+44.07 грн
500+33.43 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.05 грн
10+136.24 грн
100+104.52 грн
500+83.12 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOII4SM6600A-QDC noii4sm6600a-d.pdf
NOII4SM6600A-QDC
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 68-LCC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20611.83 грн
9+18607.54 грн
18+17987.31 грн
27+16298.33 грн
45+16007.28 грн
81+15483.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SE0300-EVAL CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf
Виробник: onsemi
Description: BOARD EVAL IMAGE SENSOR LUPA-300
Sensing Range: VGA
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-300
Sensor Type: CMOS Imaging, Color (RGB)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 250fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM0300-EVAL CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf
CYIL1SM0300-EVAL
Виробник: onsemi
Description: BOARD EVAL IMAGE SENSOR LUPA-300
Sensing Range: VGA
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-300
Sensor Type: CMOS Imaging, Monochrome
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 250fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM0300AA-QDC CYIL1SM0300AA, LUPA-300.pdf
CYIL1SM0300AA-QDC
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-LCC
Frames per Second: 250
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
Active Pixel Array: 640H x 480V
Pixel Size: 9.9µm x 9.9µm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Type: CMOS
Package / Case: 48-LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYIL1SM4000-EVAL lupa_4000_8.pdf
CYIL1SM4000-EVAL
Виробник: onsemi
Description: BOARD EVAL IMAGE SENS LUPA-4000
Sensing Range: 4 Megapixel
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: LUPA-4000
Sensor Type: CMOS Imaging, Monochrome
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Interface: SPI
Sensitivity: 15fps
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3648HV3-GT2
CAT3648HV3-GT2
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLT MULT-STEP 16TQFN
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.5V
Dimming: Multi-Step
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1MHz ~ 1.3MHz
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 7V
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3021SR2M moc3023m-d.pdf
MOC3021SR2M
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.19 грн
10+37.43 грн
100+27.40 грн
500+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023SR2VM moc3023m-d.pdf
MOC3023SR2VM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.66 грн
10+43.51 грн
100+32.01 грн
500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3083SR2M moc3083m-d.pdf
MOC3083SR2M
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 500µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 600V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 35943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.51 грн
10+52.92 грн
100+39.31 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.52 грн
10+128.31 грн
100+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 fdp3652-d.pdf
FDB3652
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.52 грн
10+128.08 грн
100+88.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.20 грн
10+39.73 грн
100+25.92 грн
500+18.75 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C-D.PDF
FDC6321C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 92735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.66 грн
10+38.84 грн
100+25.22 грн
500+18.16 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L fdc6323l-d.pdf
FDC6323L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Voltage - Load: 3V ~ 8V
Input Type: Non-Inverting
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L-D.PDF
FDC6324L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
12+25.87 грн
25+23.13 грн
100+18.89 грн
250+17.56 грн
500+16.75 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L FDC6329L-D.PDF
FDC6329L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 27578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.26 грн
10+33.95 грн
25+30.51 грн
100+25.06 грн
250+23.36 грн
500+22.34 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.35 грн
10+43.44 грн
100+28.48 грн
500+20.67 грн
1000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 14050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.43 грн
10+39.14 грн
100+25.54 грн
500+18.47 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 9064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.57 грн
10+30.76 грн
100+19.80 грн
500+14.15 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P fdg6306p-d.pdf
FDG6306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C fdg6321c-d.pdf
FDG6321C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
11+27.35 грн
100+18.66 грн
500+13.77 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C fdg6332c-d.pdf
FDG6332C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.41 грн
12+26.68 грн
100+17.09 грн
500+12.15 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 31724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.66 грн
10+38.69 грн
100+25.12 грн
500+18.09 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
FDN352AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 33487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.03 грн
10+29.87 грн
100+19.18 грн
500+13.68 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A fds6570a-d.pdf
FDS6570A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890a-d.pdf
FDS6890A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.24 грн
10+83.54 грн
100+56.35 грн
500+41.93 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910 fds6910-d.pdf
FDS6910
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6961A FDS6961A.pdf
FDS6961A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
FDS8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.28 грн
10+48.18 грн
100+31.73 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A fds9431a-d.pdf
FDS9431A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 30388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.59 грн
10+49.51 грн
100+32.52 грн
500+23.68 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+63.23 грн
100+44.18 грн
500+33.46 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439N fdt439n-d.pdf
FDT439N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 11616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.75 грн
10+52.92 грн
100+35.00 грн
500+25.62 грн
1000+23.29 грн
2000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 109630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
15+20.98 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.89 грн
10+112.00 грн
100+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.82 грн
10+122.82 грн
100+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.13 грн
10+124.90 грн
100+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+68.12 грн
100+45.44 грн
500+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TM fqu2n100-d.pdf
FQD2N100TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]