Результат пошуку "7n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOTF7N65 Код товару: 153855
Додати до обраних
Обраний товар
|
A&O |
![]() Корпус: TO-220F Uds,V: 650 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 887/19 Монтаж: THT |
у наявності: 37 шт
26 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
![]() |
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AOT7N65 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF7N65 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF7N65 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP7N65D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP7N65D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP7N65P | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP7N65P | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DI5A7N65D1K-AQ | Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F085 | onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F155 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP067N65S3 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF067N65S3 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | onsemi |
![]() |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTH4L027N65S3F | onsemi |
![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | onsemi |
![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTHL027N65S3HF | onsemi |
![]() |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTHL067N65S3H | onsemi |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTP067N65S3H | onsemi |
![]() |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVH4L027N65S3F | onsemi |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | onsemi |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHJ7N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N65C3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD7N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD7N65M6 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: MDmesh™ V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK17N65W,S1F | Toshiba |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TW027N65C,S1F | Toshiba |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TW107N65C,S1F | Toshiba |
![]() |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMF07N65C4 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SJMOS™ C4 |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMK07N65C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMO07N65C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
24G62587N65 | N/A | 2006 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB7N65C | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB7N65C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB7N65C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB7N65CTM | FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB7N65CTM | fairchild |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQPF7N65 |
на замовлення 87090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MDF7N65BTH |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MDF7N65BTH=FQPF7N65C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MDP7N65BTH |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
AOTF7N65 Код товару: 153855
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
26 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 36.00 грн |
AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 57.68 грн |
21+ | 44.44 грн |
58+ | 42.00 грн |
AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.50 грн |
5+ | 71.87 грн |
21+ | 53.33 грн |
58+ | 50.40 грн |
1000+ | 49.45 грн |
AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 41.84 грн |
AOTF7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 41.84 грн |
AOTF7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 56.04 грн |
BXP7N65CF |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 49.22 грн |
12+ | 35.22 грн |
25+ | 28.44 грн |
47+ | 19.86 грн |
129+ | 18.83 грн |
BXP7N65CF |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 59.06 грн |
10+ | 43.89 грн |
25+ | 34.13 грн |
47+ | 23.83 грн |
129+ | 22.60 грн |
1000+ | 21.65 грн |
BXP7N65D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.00 грн |
11+ | 36.09 грн |
25+ | 29.15 грн |
49+ | 19.15 грн |
133+ | 18.12 грн |
1000+ | 17.49 грн |
BXP7N65D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.20 грн |
10+ | 44.97 грн |
25+ | 34.98 грн |
49+ | 22.98 грн |
133+ | 21.75 грн |
1000+ | 20.99 грн |
2500+ | 20.90 грн |
BXP7N65P |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 52.61 грн |
12+ | 33.33 грн |
25+ | 29.78 грн |
39+ | 24.19 грн |
106+ | 22.85 грн |
250+ | 22.53 грн |
500+ | 21.90 грн |
BXP7N65P |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.13 грн |
10+ | 41.53 грн |
25+ | 35.74 грн |
39+ | 29.03 грн |
106+ | 27.42 грн |
250+ | 27.04 грн |
500+ | 26.29 грн |
DI5A7N65D1K-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.21 грн |
10+ | 177.46 грн |
100+ | 92.28 грн |
1000+ | 89.26 грн |
2500+ | 78.67 грн |
5000+ | 73.52 грн |
10000+ | 63.92 грн |
FCH067N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 449.19 грн |
10+ | 364.48 грн |
120+ | 271.55 грн |
510+ | 255.67 грн |
FCH077N65F-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 708.64 грн |
10+ | 535.85 грн |
120+ | 406.20 грн |
FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 778.35 грн |
10+ | 482.78 грн |
120+ | 419.06 грн |
1020+ | 406.95 грн |
FCP067N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 392.71 грн |
10+ | 270.53 грн |
100+ | 232.22 грн |
1000+ | 228.44 грн |
FCPF067N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 562.15 грн |
10+ | 285.32 грн |
100+ | 242.81 грн |
NTH027N65S3F-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1227.54 грн |
10+ | 1170.86 грн |
120+ | 999.23 грн |
NTH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1864.70 грн |
10+ | 1331.79 грн |
120+ | 1094.54 грн |
NTH4LN067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 791.59 грн |
10+ | 611.53 грн |
120+ | 380.48 грн |
510+ | 335.09 грн |
NTHL027N65S3HF |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1591.13 грн |
10+ | 1073.43 грн |
NTHL067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 500.37 грн |
10+ | 423.63 грн |
NTP067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 530.38 грн |
10+ | 414.93 грн |
100+ | 315.43 грн |
500+ | 295.00 грн |
NVH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1668.79 грн |
10+ | 1037.77 грн |
120+ | 851.73 грн |
NVHL027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1622.90 грн |
10+ | 1131.72 грн |
120+ | 935.69 грн |
SIHG47N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 636.27 грн |
10+ | 512.36 грн |
100+ | 371.40 грн |
500+ | 337.36 грн |
1000+ | 332.07 грн |
SIHJ7N65E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.80 грн |
10+ | 167.89 грн |
100+ | 109.68 грн |
500+ | 89.26 грн |
1000+ | 83.21 грн |
3000+ | 80.18 грн |
SPW47N65C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1201.95 грн |
10+ | 1128.24 грн |
25+ | 893.33 грн |
100+ | 856.27 грн |
240+ | 485.62 грн |
STB57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 856.90 грн |
10+ | 675.90 грн |
100+ | 490.16 грн |
500+ | 445.53 грн |
1000+ | 388.04 грн |
STD7N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.07 грн |
10+ | 73.42 грн |
100+ | 62.93 грн |
500+ | 53.40 грн |
1000+ | 45.46 грн |
2500+ | 38.58 грн |
STD7N65M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.32 грн |
10+ | 116.56 грн |
100+ | 69.44 грн |
STF57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 672.46 грн |
10+ | 382.75 грн |
100+ | 332.07 грн |
STL57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 941.62 грн |
10+ | 654.15 грн |
100+ | 487.89 грн |
1000+ | 414.52 грн |
3000+ | 413.76 грн |
STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 763.35 грн |
10+ | 432.33 грн |
100+ | 358.54 грн |
500+ | 336.61 грн |
STW57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 681.28 грн |
10+ | 441.03 грн |
100+ | 372.16 грн |
600+ | 346.44 грн |
1200+ | 310.89 грн |
STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1038.62 грн |
2+ | 572.83 грн |
3+ | 572.04 грн |
5+ | 541.31 грн |
STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1246.35 грн |
2+ | 713.83 грн |
3+ | 686.45 грн |
5+ | 649.57 грн |
STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 999.59 грн |
2+ | 856.49 грн |
3+ | 810.00 грн |
5+ | 802.12 грн |
10+ | 778.48 грн |
STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1199.51 грн |
2+ | 1067.31 грн |
3+ | 972.00 грн |
5+ | 962.54 грн |
10+ | 934.18 грн |
STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1206.36 грн |
10+ | 722.00 грн |
100+ | 625.56 грн |
TK17N65W,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 443.89 грн |
10+ | 303.59 грн |
120+ | 173.98 грн |
510+ | 152.80 грн |
TW027N65C,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2167.39 грн |
10+ | 1598.84 грн |
120+ | 1234.48 грн |
TW107N65C,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 963.68 грн |
10+ | 773.32 грн |
120+ | 584.71 грн |
WMF07N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 45.82 грн |
11+ | 38.37 грн |
13+ | 32.31 грн |
25+ | 28.37 грн |
40+ | 23.72 грн |
108+ | 22.38 грн |
1000+ | 22.30 грн |
WMK07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 67.04 грн |
8+ | 52.24 грн |
10+ | 41.13 грн |
25+ | 30.81 грн |
36+ | 25.84 грн |
99+ | 24.50 грн |
WMO07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 39.03 грн |
18+ | 22.06 грн |
25+ | 20.01 грн |
43+ | 19.93 грн |
24G62587N65 |
Виробник: N/A
2006
2006
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FCH077N65F-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB7N65C |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB7N65C |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB7N65C |
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB7N65CTM |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB7N65CTM |
![]() |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MDF7N65BTH=FQPF7N65C |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTH027N65S3F-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]