Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 121 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.97 грн
10+81.02 грн
100+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.81 грн
10+164.46 грн
100+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQP90142E_GE3 SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix sqp90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd9n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.03 грн
50+313.39 грн
100+288.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 SQJA88EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja88ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 SQJA88EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja88ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401ej.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80E-E3 SIHA17N80E-E3 Vishay Siliconix siha17n80e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.58 грн
10+193.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 DG2535EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2001EDV-T1-GE3 DG2001EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2001e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 26ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2012EDL-T1-GE3 DG2012EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2012e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 16pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 5nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.47 грн
6000+21.09 грн
9000+20.82 грн
15000+19.26 грн
21000+19.10 грн
30000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2715EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3 DG2716EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 DG3157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg3157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.74 грн
6000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 DG4599EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4599e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.56 грн
6000+18.35 грн
9000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 DG9411EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9411e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.56 грн
6000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 DG9421EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.27 грн
6000+52.09 грн
9000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 DG9422EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.27 грн
6000+52.09 грн
9000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.87 грн
5000+52.61 грн
7500+52.01 грн
12500+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 29835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.34 грн
10+78.98 грн
25+71.71 грн
100+59.83 грн
250+56.27 грн
500+54.13 грн
1000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+11.52 грн
9000+11.36 грн
15000+10.49 грн
21000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.28 грн
16+19.14 грн
25+17.10 грн
100+13.91 грн
250+12.88 грн
500+12.26 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 DG2733EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 120MHz
On-State Resistance (Max): 300Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.19 грн
10+84.88 грн
25+77.13 грн
100+64.35 грн
250+60.52 грн
500+58.21 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Charge Injection: -19.4pC
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.62 грн
10+83.97 грн
25+76.37 грн
100+63.81 грн
250+60.06 грн
500+57.81 грн
1000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 DG2517EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Number of Circuits: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Charge Injection: -19.4pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.47 грн
10+97.96 грн
25+89.23 грн
100+74.77 грн
250+70.49 грн
500+67.91 грн
1000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+272.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+312.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+268.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
5000+45.84 грн
7500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 DG2519EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2591.pdf Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 DG406BDW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406b.pdf Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 DG406DW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406.pdf Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+259.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF IRF634STRLPBF Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix 91316.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1002r.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DDL-T1-GE3 SI1539DDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1539ddl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.81 грн
5000+13.07 грн
7500+12.46 грн
12500+11.06 грн
17500+10.68 грн
25000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.50 грн
5000+11.00 грн
7500+10.47 грн
12500+9.27 грн
17500+8.94 грн
25000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8819edb.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8902aedb.pdf Description: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia413adj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia445edjt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia485dj.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic634.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 55A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay Siliconix siha18n60e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-E3 SIHA22N60EL-E3 Vishay Siliconix siha22n60el.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 Vishay Siliconix doc?91486 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET5-GE3 SIHB12N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb12n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb15n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 sqj454ep.pdf
SQJ454EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.97 грн
10+81.02 грн
100+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+260.81 грн
10+164.46 грн
100+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQP90142E_GE3 sqp90142e.pdf
SQP90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 sihp065n60e.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+597.03 грн
50+313.39 грн
100+288.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 sqja88ep.pdf
SQJA88EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 sqja88ep.pdf
SQJA88EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 sqa401ej.pdf
SQA401EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80E-E3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
SIHG17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 sihp11n80e.pdf
SIHP11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+305.58 грн
10+193.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2001EDV-T1-GE3 dg2001e.pdf
DG2001EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 26ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2012EDL-T1-GE3 dg2012e.pdf
DG2012EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 16pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 5nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+22.47 грн
6000+21.09 грн
9000+20.82 грн
15000+19.26 грн
21000+19.10 грн
30000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2715EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3
DG2716EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 dg3157e.pdf
DG3157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.74 грн
6000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 dg4599e.pdf
DG4599EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.56 грн
6000+18.35 грн
9000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 dg9411e.pdf
DG9411EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.56 грн
6000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9421EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+55.27 грн
6000+52.09 грн
9000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9422EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+55.27 грн
6000+52.09 грн
9000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+55.87 грн
5000+52.61 грн
7500+52.01 грн
12500+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 29835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.34 грн
10+78.98 грн
25+71.71 грн
100+59.83 грн
250+56.27 грн
500+54.13 грн
1000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.31 грн
6000+11.52 грн
9000+11.36 грн
15000+10.49 грн
21000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.28 грн
16+19.14 грн
25+17.10 грн
100+13.91 грн
250+12.88 грн
500+12.26 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2733EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 120MHz
On-State Resistance (Max): 300Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.19 грн
10+84.88 грн
25+77.13 грн
100+64.35 грн
250+60.52 грн
500+58.21 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 dg2517.pdf
DG2517EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Charge Injection: -19.4pC
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.62 грн
10+83.97 грн
25+76.37 грн
100+63.81 грн
250+60.06 грн
500+57.81 грн
1000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 dg2517.pdf
DG2517EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Number of Circuits: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Charge Injection: -19.4pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.47 грн
10+97.96 грн
25+89.23 грн
100+74.77 грн
250+70.49 грн
500+67.91 грн
1000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+272.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+312.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+268.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+48.72 грн
5000+45.84 грн
7500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf
DG2519EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 DG2591.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 dg406b.pdf
DG406BDW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 dg406.pdf
DG406DW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+259.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF sihf634s.pdf
IRF634STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBF 91316.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3 si1002r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DDL-T1-GE3 si1539ddl.pdf
SI1539DDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+14.81 грн
5000+13.07 грн
7500+12.46 грн
12500+11.06 грн
17500+10.68 грн
25000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+12.50 грн
5000+11.00 грн
7500+10.47 грн
12500+9.27 грн
17500+8.94 грн
25000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
SIA413ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
SiA445EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
SIA485DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 sic634.pdf
SIC634CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Technology: Power MOSFET
Current - Peak Output: 55A
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-E3 siha22n60el.pdf
SIHA22N60EL-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
SIHB12N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET5-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 sihb15n65e.pdf
SIHB15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]