Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 121 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.29 грн
10+50.01 грн
100+32.73 грн
500+23.73 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3426ev.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+47.34 грн
100+32.79 грн
500+25.71 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
10+76.28 грн
100+52.20 грн
500+38.69 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.58 грн
10+55.28 грн
100+42.45 грн
500+31.17 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3 SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj423ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.66 грн
10+64.01 грн
100+49.79 грн
500+39.61 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH20N50E-T1-GE3 SiHH20N50E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 147mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2063 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2525DN-T1-GE4 DG2525DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2525.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 10785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+57.64 грн
25+52.15 грн
100+43.25 грн
250+40.54 грн
500+38.90 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+80.76 грн
100+53.05 грн
500+46.88 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3 SQJ148EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj148ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
10+41.52 грн
100+28.75 грн
500+22.54 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3 SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj946ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj974ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
10+81.31 грн
100+63.24 грн
500+50.30 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ990EP-T1_GE3 SQJ990EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj990ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.14 грн
10+99.00 грн
100+77.21 грн
500+59.86 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1912eh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
12+28.15 грн
100+17.96 грн
500+12.74 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq100e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.73 грн
10+191.24 грн
100+134.48 грн
500+103.45 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.59 грн
10+71.64 грн
100+47.68 грн
500+35.09 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+74.23 грн
100+57.90 грн
500+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3 SQJA94EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja94ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3 SQJA96EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja96ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+74.23 грн
100+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja92ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.99 грн
10+84.38 грн
100+65.79 грн
500+51.01 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4143dy.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.99 грн
5000+18.65 грн
7500+17.85 грн
12500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4776DY-T1-GE3 SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4776dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
6000+12.67 грн
9000+11.81 грн
15000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj963ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ968EP-T1_GE3 SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj968ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_GE3 SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj980ap.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg23n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3 SQD90P04-9m4L_GE3 Vishay Siliconix sqd90p04-9m4l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.66 грн
10+169.14 грн
100+117.85 грн
500+90.05 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.09 грн
10+219.00 грн
100+155.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix sqm50p03.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.04 грн
10+162.07 грн
100+112.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4143dy.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+49.23 грн
100+32.33 грн
500+23.54 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4776DY-T1-GE3 SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4776dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
15+21.47 грн
100+17.77 грн
500+15.26 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
10+34.60 грн
100+23.86 грн
500+17.09 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj963ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
10+120.23 грн
100+82.38 грн
500+62.10 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ968EP-T1_GE3 SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj968ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+77.93 грн
100+60.74 грн
500+47.08 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_GE3 SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj980ap.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.56 грн
10+172.92 грн
100+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix sq40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.33 грн
10+145.16 грн
100+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788ADN-T1-GE4 DG2788ADN-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg2788adn-t1-ge4.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 54274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+33.03 грн
25+29.63 грн
100+24.33 грн
250+22.66 грн
500+21.66 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3 SQD90P04-9m4L_GE3 Vishay Siliconix sqd90p04-9m4l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.44 грн
1600+59.00 грн
2400+56.65 грн
4000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj407ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq466e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix sug90090e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.73 грн
25+200.77 грн
100+183.66 грн
500+140.81 грн
1000+130.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj407ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.96 грн
10+85.00 грн
100+60.53 грн
500+45.13 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.68 грн
100+58.96 грн
500+43.78 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.79 грн
10+65.74 грн
100+43.52 грн
500+31.91 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+74.00 грн
100+57.55 грн
500+45.78 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+79.58 грн
100+62.07 грн
500+48.12 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq466e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.55 грн
10+165.37 грн
100+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
10+88.70 грн
100+59.64 грн
500+44.30 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.42 грн
10+187.31 грн
100+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 sq2319ads.pdf
SQ2319ADS-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.29 грн
10+50.01 грн
100+32.73 грн
500+23.73 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 sq3426ev.pdf
SQ3426EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.35 грн
10+47.34 грн
100+32.79 грн
500+25.71 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.32 грн
10+76.28 грн
100+52.20 грн
500+38.69 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.58 грн
10+55.28 грн
100+42.45 грн
500+31.17 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3 sqj423ep.pdf
SQJ423EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.66 грн
10+64.01 грн
100+49.79 грн
500+39.61 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH20N50E-T1-GE3 sihh20n50e.pdf
SiHH20N50E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 147mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2063 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2525DN-T1-GE4 dg2525.pdf
DG2525DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 10785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+57.64 грн
25+52.15 грн
100+43.25 грн
250+40.54 грн
500+38.90 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
SQJ403BEEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+80.76 грн
100+53.05 грн
500+46.88 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3 sqj148ep.pdf
SQJ148EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
10+41.52 грн
100+28.75 грн
500+22.54 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3 sqj946ep.pdf
SQJ946EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.71 грн
10+81.31 грн
100+63.24 грн
500+50.30 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ990EP-T1_GE3 sqj990ep.pdf
SQJ990EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.14 грн
10+99.00 грн
100+77.21 грн
500+59.86 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3 sq1912eh.pdf
SQ1912EH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.36 грн
12+28.15 грн
100+17.96 грн
500+12.74 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 sqjq100e.pdf
SQJQ100E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.73 грн
10+191.24 грн
100+134.48 грн
500+103.45 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
SQJA00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.59 грн
10+71.64 грн
100+47.68 грн
500+35.09 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+74.23 грн
100+57.90 грн
500+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3 sqja94ep.pdf
SQJA94EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3 sqja96ep.pdf
SQJA96EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+74.23 грн
100+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 sqja92ep.pdf
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.99 грн
10+84.38 грн
100+65.79 грн
500+51.01 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3 sqjb42ep.pdf
SQJB42EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.99 грн
5000+18.65 грн
7500+17.85 грн
12500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4776DY-T1-GE3 si4776dy.pdf
SI4776DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.06 грн
6000+12.67 грн
9000+11.81 грн
15000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 sqj963ep.pdf
SQJ963EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ968EP-T1_GE3 sqj968ep.pdf
SQJ968EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_GE3 sqj980ap.pdf
SQJ980AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG23N60E-GE3 sihg23n60e.pdf
SiHG23N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3 sqd90p04-9m4l.pdf
SQD90P04-9m4L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.66 грн
10+169.14 грн
100+117.85 грн
500+90.05 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.09 грн
10+219.00 грн
100+155.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 sqm50p03.pdf
SQM50P03-07_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.04 грн
10+162.07 грн
100+112.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.94 грн
10+49.23 грн
100+32.33 грн
500+23.54 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4776DY-T1-GE3 si4776dy.pdf
SI4776DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
15+21.47 грн
100+17.77 грн
500+15.26 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.18 грн
10+34.60 грн
100+23.86 грн
500+17.09 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 sqj963ep.pdf
SQJ963EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.53 грн
10+120.23 грн
100+82.38 грн
500+62.10 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ968EP-T1_GE3 sqj968ep.pdf
SQJ968EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
10+77.93 грн
100+60.74 грн
500+47.08 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ980AEP-T1_GE3 sqj980ap.pdf
SQJ980AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+72.66 грн
100+56.55 грн
500+44.98 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.56 грн
10+172.92 грн
100+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 sq40031el.pdf
SQM40031EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.33 грн
10+145.16 грн
100+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788ADN-T1-GE4 tf-dg2788adn-t1-ge4.pdf
DG2788ADN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 54274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.00 грн
10+33.03 грн
25+29.63 грн
100+24.33 грн
250+22.66 грн
500+21.66 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3 sqd90p04-9m4l.pdf
SQD90P04-9m4L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
SUM70060E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.44 грн
1600+59.00 грн
2400+56.65 грн
4000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 sqj407ep.pdf
SQJ407EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 siz926dt.pdf
SIZ926DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 sqja06ep.pdf
SQJA06EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 sqjq466e.pdf
SQJQ466E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 sqj454ep.pdf
SQJ454EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 sug90090e.pdf
SUG90090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.73 грн
25+200.77 грн
100+183.66 грн
500+140.81 грн
1000+130.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 sqj407ep.pdf
SQJ407EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.96 грн
10+85.00 грн
100+60.53 грн
500+45.13 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 siz926dt.pdf
SIZ926DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+87.68 грн
100+58.96 грн
500+43.78 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.79 грн
10+65.74 грн
100+43.52 грн
500+31.91 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+74.00 грн
100+57.55 грн
500+45.78 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 sqja06ep.pdf
SQJA06EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+79.58 грн
100+62.07 грн
500+48.12 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 sqjq466e.pdf
SQJQ466E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.55 грн
10+165.37 грн
100+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 sqj454ep.pdf
SQJ454EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.54 грн
10+88.70 грн
100+59.64 грн
500+44.30 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.42 грн
10+187.31 грн
100+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]