Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 125 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.64 грн
10+72.28 грн
25+65.55 грн
100+54.59 грн
250+51.27 грн
500+49.28 грн
1000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.21 грн
10+89.34 грн
25+81.26 грн
100+67.90 грн
250+63.91 грн
500+61.51 грн
1000+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 DG2519EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 DG2535EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.46 грн
10+69.70 грн
25+63.23 грн
100+52.59 грн
250+49.38 грн
500+47.44 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 DG612EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.28 грн
10+66.64 грн
25+60.43 грн
100+50.22 грн
250+47.13 грн
500+45.27 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 12695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.15 грн
10+74.29 грн
25+67.41 грн
100+56.14 грн
250+52.75 грн
500+50.70 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.97 грн
11+31.15 грн
100+20.06 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.61 грн
13+26.08 грн
100+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic634.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.34 грн
10+122.42 грн
25+111.78 грн
100+93.94 грн
250+88.71 грн
500+85.56 грн
1000+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz346dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.60 грн
10+53.20 грн
100+34.86 грн
500+25.32 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.74 грн
10+240.97 грн
100+172.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3 Vishay Siliconix sup50020e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Vishay Siliconix sup70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.01 грн
50+139.80 грн
100+126.72 грн
500+97.41 грн
1000+90.50 грн
2000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix sum90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.31 грн
1600+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix sum90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.80 грн
10+98.43 грн
100+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh27n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh27n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg73n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 394 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.03 грн
25+505.77 грн
100+430.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay Siliconix siha15n65e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU2N80E-GE3 SIHU2N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu2n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 Vishay Siliconix sihg11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80E-GE3 SIHD2N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd2n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2523DN-T1-GE4 DG2523DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 550MOHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 550mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.42 грн
10+59.00 грн
25+53.38 грн
100+44.27 грн
250+41.49 грн
500+39.82 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEN-T1-GE4 DG4051EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Description: IC MUX 8:1 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 308MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF, 9.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.15 грн
10+74.29 грн
25+67.41 грн
100+56.14 грн
250+52.75 грн
500+50.70 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.45 грн
10+61.09 грн
100+42.99 грн
500+31.63 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3 SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4900dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.00 грн
10+151.39 грн
100+105.35 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V30406-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V30408-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia485dj.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix sqm50p06.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA4N80E-GE3 SIHA4N80E-GE3 Vishay Siliconix siha4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.70 грн
10+111.31 грн
100+76.07 грн
500+57.25 грн
1000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3 SIHP4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU4N80E-GE3 SIHU4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.97 грн
50+161.29 грн
100+146.56 грн
500+113.35 грн
1000+105.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 Vishay Siliconix siha6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.74 грн
10+127.01 грн
100+87.55 грн
500+66.32 грн
1000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.09 грн
10+81.13 грн
100+75.57 грн
500+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80E-GE3 SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.22 грн
4000+35.10 грн
6000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 DGQ2788AEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dgq2788a.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.65 грн
5000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.24 грн
10+83.87 грн
100+56.44 грн
500+41.96 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 DGQ2788AEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dgq2788a.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.06 грн
10+53.12 грн
25+47.90 грн
100+39.59 грн
250+37.04 грн
500+35.50 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.79 грн
10+58.92 грн
100+39.01 грн
500+28.57 грн
1000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.42 грн
10+86.52 грн
100+58.40 грн
500+43.48 грн
1000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 SUM70090E-GE3 Vishay Siliconix sum70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.47 грн
6000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.00 грн
5000+25.34 грн
7500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 10725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.55 грн
10+79.76 грн
100+53.58 грн
500+39.75 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.88 грн
10+51.99 грн
100+40.89 грн
500+32.13 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.40 грн
10+57.63 грн
100+48.84 грн
500+43.16 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 SIC431AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 SIC438BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.61 грн
6000+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 SIC437AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.10 грн
6000+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.64 грн
10+72.28 грн
25+65.55 грн
100+54.59 грн
250+51.27 грн
500+49.28 грн
1000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.21 грн
10+89.34 грн
25+81.26 грн
100+67.90 грн
250+63.91 грн
500+61.51 грн
1000+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf
DG2519EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.46 грн
10+69.70 грн
25+63.23 грн
100+52.59 грн
250+49.38 грн
500+47.44 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.28 грн
10+66.64 грн
25+60.43 грн
100+50.22 грн
250+47.13 грн
500+45.27 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 12695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.15 грн
10+74.29 грн
25+67.41 грн
100+56.14 грн
250+52.75 грн
500+50.70 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.97 грн
11+31.15 грн
100+20.06 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.61 грн
13+26.08 грн
100+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 sic634.pdf
SIC634CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.34 грн
10+122.42 грн
25+111.78 грн
100+93.94 грн
250+88.71 грн
500+85.56 грн
1000+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 siz346dt.pdf
SIZ346DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
10+53.20 грн
100+34.86 грн
500+25.32 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.74 грн
10+240.97 грн
100+172.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
SUP50020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 sup70101el.pdf
SUP70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.01 грн
50+139.80 грн
100+126.72 грн
500+97.41 грн
1000+90.50 грн
2000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
SUM90330E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.31 грн
1600+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
SUM90330E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.80 грн
10+98.43 грн
100+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
SIHH27N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
SIHH27N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 394 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.03 грн
25+505.77 грн
100+430.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU2N80E-GE3 sihu2n80e.pdf
SIHU2N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
SIHG11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80E-GE3 sihd2n80e.pdf
SIHD2N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2523DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2523DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT X 2 550MOHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 550mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.42 грн
10+59.00 грн
25+53.38 грн
100+44.27 грн
250+41.49 грн
500+39.82 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051EEN-T1-GE4 dg4051e.pdf
DG4051EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 308MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF, 9.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.15 грн
10+74.29 грн
25+67.41 грн
100+56.14 грн
250+52.75 грн
500+50.70 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF sihf634s.pdf
IRF634STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.45 грн
10+61.09 грн
100+42.99 грн
500+31.63 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3 si4900dy.pdf
SI4900DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.00 грн
10+151.39 грн
100+105.35 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V30406-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V30408-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
SIA485DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 sqm50p06.pdf
SQM50P06-15L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA4N80E-GE3 siha4n80e.pdf
SIHA4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.70 грн
10+111.31 грн
100+76.07 грн
500+57.25 грн
1000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU4N80E-GE3 sihu4n80e.pdf
SIHU4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.97 грн
50+161.29 грн
100+146.56 грн
500+113.35 грн
1000+105.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 siha6n80e.pdf
SIHA6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.74 грн
10+127.01 грн
100+87.55 грн
500+66.32 грн
1000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.09 грн
10+81.13 грн
100+75.57 грн
500+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80E-GE3 sihu6n80e.pdf
SIHU6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 sqd40131el.pdf
SQD40131EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.22 грн
4000+35.10 грн
6000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 dgq2788a.pdf
DGQ2788AEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.65 грн
5000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 sqj912bep.pdf
SQJ912BEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 sqd40131el.pdf
SQD40131EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.24 грн
10+83.87 грн
100+56.44 грн
500+41.96 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 dgq2788a.pdf
DGQ2788AEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.06 грн
10+53.12 грн
25+47.90 грн
100+39.59 грн
250+37.04 грн
500+35.50 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.79 грн
10+58.92 грн
100+39.01 грн
500+28.57 грн
1000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 sqj912bep.pdf
SQJ912BEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.42 грн
10+86.52 грн
100+58.40 грн
500+43.48 грн
1000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
SUM70090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.47 грн
6000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.00 грн
5000+25.34 грн
7500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 10725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.55 грн
10+79.76 грн
100+53.58 грн
500+39.75 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.88 грн
10+51.99 грн
100+40.89 грн
500+32.13 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.40 грн
10+57.63 грн
100+48.84 грн
500+43.16 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.61 грн
6000+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.10 грн
6000+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]