Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 125 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120N10-09_GE3 SQM120N10-09_GE3 Vishay Siliconix sqm120n10-09.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8645 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix sqm120p10-10m1l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqm40p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix sqm50p04.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix sqm50p06.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N20-35_GE3 SQM60N20-35_GE3 Vishay Siliconix sqm60n20-35.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQP100N04-3m6_GE3 SQP100N04-3m6_GE3 Vishay Siliconix sqp100n04-3m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120N10-3m8_GE3 SQP120N10-3m8_GE3 Vishay Siliconix sqp120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120P06-6M7L_GE3 SQP120P06-6M7L_GE3 Vishay Siliconix sqp120p06-6m7l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQR50N04-3m8_GE3 SQR50N04-3m8_GE3 Vishay Siliconix sqr50n04-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401ENW-T1_GE3 SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs401enw.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405EN-T1_GE3 SQS405EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs405en.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.03 грн
6000+29.37 грн
9000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405ENW-T1_GE3 SQS405ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs405en.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQV120N10-3M8_GE3 SQV120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix sqv120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.42 грн
1600+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
6000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+34.33 грн
100+22.17 грн
500+15.88 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj260ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3 SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj262ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3 SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj914ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40014em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj260ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+77.48 грн
100+54.63 грн
500+41.69 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3 SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj262ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.41 грн
10+72.27 грн
100+50.83 грн
500+38.70 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3 SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj914ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+89.43 грн
100+69.70 грн
500+54.03 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40014em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201HSDQ-T1-E3 DG201HSDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg201hs.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 50OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.54 грн
10+258.03 грн
25+237.72 грн
100+202.15 грн
250+192.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDN-T1-E3 DG406BDN-T1-E3 Vishay Siliconix dg406b.pdf Description: IC MUX 16:1 60OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.98 грн
10+426.39 грн
25+395.00 грн
100+338.35 грн
250+322.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG508BEN-T1-GE4 DG508BEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg508b.pdf Description: IC MUX 8:1 380OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 380Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 2pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 240ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.28 грн
10+107.90 грн
100+73.47 грн
500+55.10 грн
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 DG611EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 DG612EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.60 грн
6000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 DG636EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.59 грн
6000+51.42 грн
9000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 22796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
6000+6.58 грн
9000+6.51 грн
15000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+7.75 грн
9000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4848ady.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 SIC463ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 SIC464ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr638dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir182dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.21 грн
6000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.91 грн
6000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.19 грн
6000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.68 грн
6000+26.30 грн
9000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.93 грн
10+376.42 грн
25+348.41 грн
100+298.05 грн
250+284.26 грн
500+275.95 грн
1000+264.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 DG611EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+67.82 грн
25+61.43 грн
100+51.07 грн
250+47.93 грн
500+46.03 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 DG612EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+69.97 грн
25+63.42 грн
100+52.72 грн
250+49.48 грн
500+47.52 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 DG636EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 9017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.41 грн
10+78.09 грн
25+70.84 грн
100+59.01 грн
250+55.44 грн
500+53.29 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-09_GE3 sqm120n10-09.pdf
SQM120N10-09_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8645 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 sqm120p10-10m1l.pdf
SQM120P10_10M1LGE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P04-09L_GE3 sqm50p04.pdf
SQM50P04-09L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6045 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 sqm50p06.pdf
SQM50P06-15L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N20-35_GE3 sqm60n20-35.pdf
SQM60N20-35_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQP100N04-3m6_GE3 sqp100n04-3m6.pdf
SQP100N04-3m6_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120N10-3m8_GE3 sqp120n10-3m8.pdf
SQP120N10-3m8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120P06-6M7L_GE3 sqp120p06-6m7l.pdf
SQP120P06-6M7L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQR50N04-3m8_GE3 sqr50n04-3m8.pdf
SQR50N04-3m8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401ENW-T1_GE3 sqs401enw.pdf
SQS401ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405EN-T1_GE3 sqs405en.pdf
SQS405EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.03 грн
6000+29.37 грн
9000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS405ENW-T1_GE3 sqs405en.pdf
SQS405ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQV120N10-3M8_GE3 sqv120n10-3m8.pdf
SQV120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+146.42 грн
1600+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.57 грн
6000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+34.33 грн
100+22.17 грн
500+15.88 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3 sqj260ep.pdf
SQJ260EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3 sqj262ep.pdf
SQJ262EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3 sqj914ep.pdf
SQJ914EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 sqja68ep.pdf
SQJA68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3 sqj260ep.pdf
SQJ260EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+77.48 грн
100+54.63 грн
500+41.69 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3 sqj262ep.pdf
SQJ262EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.41 грн
10+72.27 грн
100+50.83 грн
500+38.70 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3 sqj914ep.pdf
SQJ914EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+89.43 грн
100+69.70 грн
500+54.03 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 sqja68ep.pdf
SQJA68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201HSDQ-T1-E3 dg201hs.pdf
DG201HSDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 50OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.54 грн
10+258.03 грн
25+237.72 грн
100+202.15 грн
250+192.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDN-T1-E3 dg406b.pdf
DG406BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 60OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.98 грн
10+426.39 грн
25+395.00 грн
100+338.35 грн
250+322.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG508BEN-T1-GE4 dg508b.pdf
DG508BEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 380OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 380Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 2pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 240ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
SI7686DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.28 грн
10+107.90 грн
100+73.47 грн
500+55.10 грн
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 sqj952ep.pdf
SQJ952EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG611EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.60 грн
6000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.59 грн
6000+51.42 грн
9000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 22796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.19 грн
6000+6.58 грн
9000+6.51 грн
15000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
SI3440ADV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.36 грн
6000+7.75 грн
9000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
SI4848ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
SI7113ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC463ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC464ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 sidr638dp.pdf
SIDR638DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
SIR182DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.21 грн
6000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
SIR186DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 sir638adp.pdf
SIR638ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.91 грн
6000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.19 грн
6000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 sira22dp.pdf
SIRA22DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
SISS26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
SISS64DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 sqj414ep.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 sqj420ep.pdf
SQJ420EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
SQJ868EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.68 грн
6000+26.30 грн
9000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.93 грн
10+376.42 грн
25+348.41 грн
100+298.05 грн
250+284.26 грн
500+275.95 грн
1000+264.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG611EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+67.82 грн
25+61.43 грн
100+51.07 грн
250+47.93 грн
500+46.03 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+69.97 грн
25+63.42 грн
100+52.72 грн
250+49.48 грн
500+47.52 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 9017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.41 грн
10+78.09 грн
25+70.84 грн
100+59.01 грн
250+55.44 грн
500+53.29 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]