Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11884) > Сторінка 119 з 199

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG2715EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?75025 Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3 DG2716EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 DG3157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg3157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
6000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 DG4599EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4599e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.46 грн
6000+22.97 грн
9000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 DG9411EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9411e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.71 грн
6000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 DG9421EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.17 грн
6000+62.39 грн
9000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 DG9422EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.14 грн
6000+66.14 грн
9000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.57 грн
5000+66.48 грн
7500+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 24462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.23 грн
10+93.33 грн
25+84.94 грн
100+71.02 грн
250+66.88 грн
500+64.39 грн
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
13+24.55 грн
25+21.96 грн
100+17.89 грн
250+16.59 грн
500+15.81 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 DG2733EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.65 грн
10+92.34 грн
25+83.99 грн
100+70.25 грн
250+66.15 грн
500+63.68 грн
1000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.32 грн
10+101.87 грн
25+92.81 грн
100+77.74 грн
250+73.27 грн
500+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 DG2517EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.28 грн
10+118.87 грн
25+108.48 грн
100+91.10 грн
250+85.99 грн
500+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+345.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+340.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.68 грн
5000+53.36 грн
7500+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2591.pdf Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 DG406BDW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406b.pdf Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 DG406DW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406.pdf Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+322.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF IRF634STRLPBF Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix 91316.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1002r.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DDL-T1-GE3 SI1539DDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1539ddl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.47 грн
7500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.16 грн
7500+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8819edb.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8902aedb.pdf Description: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia413adj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia445edjt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.57 грн
9000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia485dj.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic634.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay Siliconix siha18n60e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-E3 SIHA22N60EL-E3 Vishay Siliconix siha22n60el.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 Vishay Siliconix doc?91486 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET5-GE3 SIHB12N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb12n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb15n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb18n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60EL-GE3 SIHB22N60EL-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60el.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET5-GE3 SIHB22N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65ET1-GE3 SiHB24N65ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65ET5-GE3 SiHB24N65ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET1-GE3 SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET4-GE3 SIHD6N65ET4-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET5-GE3 SIHD6N65ET5-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET4-GE3 SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET5-GE3 SIHD7N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3 SIHFB11N50A-E3 Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3 SIHFB20N50K-E3 Vishay Siliconix irfb20n50k.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3 SIHFS11N50A-GE3 Vishay Siliconix 91286.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2715EDL-T1-GE3 doc?75025
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3
DG2716EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 dg3157e.pdf
DG3157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.74 грн
6000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 dg4599e.pdf
DG4599EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.46 грн
6000+22.97 грн
9000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 dg9411e.pdf
DG9411EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.71 грн
6000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9421EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+66.17 грн
6000+62.39 грн
9000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9422EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+70.14 грн
6000+66.14 грн
9000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.57 грн
5000+66.48 грн
7500+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 24462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.23 грн
10+93.33 грн
25+84.94 грн
100+71.02 грн
250+66.88 грн
500+64.39 грн
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.42 грн
13+24.55 грн
25+21.96 грн
100+17.89 грн
250+16.59 грн
500+15.81 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2733EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.65 грн
10+92.34 грн
25+83.99 грн
100+70.25 грн
250+66.15 грн
500+63.68 грн
1000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 dg2517.pdf
DG2517EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.32 грн
10+101.87 грн
25+92.81 грн
100+77.74 грн
250+73.27 грн
500+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 dg2517.pdf
DG2517EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.28 грн
10+118.87 грн
25+108.48 грн
100+91.10 грн
250+85.99 грн
500+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+345.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+340.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.68 грн
5000+53.36 грн
7500+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 DG2591.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 dg406b.pdf
DG406BDW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 dg406.pdf
DG406DW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+322.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF sihf634s.pdf
IRF634STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBF 91316.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3 si1002r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DDL-T1-GE3 si1539ddl.pdf
SI1539DDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.47 грн
7500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.16 грн
7500+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
SIA413ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
SiA445EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.57 грн
9000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
SIA485DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 sic634.pdf
SIC634CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-E3 siha22n60el.pdf
SIHA22N60EL-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
SIHB12N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET5-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 sihb15n65e.pdf
SIHB15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60EL-GE3 sihb22n60el.pdf
SIHB22N60EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET5-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65ET1-GE3 sihb24n65e.pdf
SiHB24N65ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65ET5-GE3 sihb24n65e.pdf
SiHB24N65ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60ET1-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET1-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET4-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET5-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET4-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60ET4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET5-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3 91094.pdf
SIHFB11N50A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3 irfb20n50k.pdf
SIHFB20N50K-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 sihfr1n6.pdf
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3 91286.pdf
SIHFS11N50A-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.