Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 120 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQD90P04-9m4L_GE3 SQD90P04-9m4L_GE3 Vishay Siliconix sqd90p04-9m4l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.11 грн
1600+57.27 грн
2400+54.99 грн
4000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj407ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq466e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.88 грн
6000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.19 грн
1600+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix sug90090e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.43 грн
25+213.53 грн
100+176.13 грн
500+137.20 грн
1000+128.17 грн
2000+121.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj407ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+80.84 грн
100+57.56 грн
500+42.92 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.39 грн
100+56.08 грн
500+41.64 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.52 грн
100+41.39 грн
500+30.35 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja04ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+70.37 грн
100+54.73 грн
500+43.54 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja06ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+75.68 грн
100+59.03 грн
500+45.77 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq466e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.64 грн
100+112.55 грн
500+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.56 грн
100+55.57 грн
500+41.27 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+162.59 грн
100+114.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQP90142E_GE3 SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix sqp90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd9n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
50+319.52 грн
100+293.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 SQJA88EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja88ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 SQJA88EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja88ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401ej.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80E-E3 SIHA17N80E-E3 Vishay Siliconix siha17n80e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 DG2535EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.27 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2001EDV-T1-GE3 DG2001EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2001e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 26ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2012EDL-T1-GE3 DG2012EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2012e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 16pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 5nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 83400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.18 грн
6000+24.59 грн
9000+24.28 грн
15000+22.47 грн
21000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2715EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3 DG2716EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 DG3157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg3157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 DG4599EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4599e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
6000+18.15 грн
9000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 DG9411EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9411e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
6000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 DG9421EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 DG9422EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9421e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.63 грн
6000+59.06 грн
9000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.32 грн
5000+60.59 грн
7500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 DG2535EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 15682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+90.19 грн
25+82.06 грн
100+68.62 грн
250+64.62 грн
500+62.21 грн
1000+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
6000+11.39 грн
9000+11.23 грн
15000+10.37 грн
21000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 DG3257DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg3257.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+18.92 грн
25+16.90 грн
100+13.75 грн
250+12.73 грн
500+12.12 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 DG2733EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 120MHz
On-State Resistance (Max): 300Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+83.91 грн
25+76.25 грн
100+63.62 грн
250+59.84 грн
500+57.55 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Charge Injection: -19.4pC
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+98.42 грн
25+89.65 грн
100+75.11 грн
250+70.79 грн
500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 DG2517EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Number of Circuits: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Charge Injection: -19.4pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+114.80 грн
25+104.82 грн
100+88.02 грн
250+83.08 грн
500+80.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+310.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.92 грн
5000+53.59 грн
7500+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 DG2519EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2591.pdf Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 DG406BDW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406b.pdf Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 DG406DW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406.pdf Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+312.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF IRF634STRLPBF Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3 sqd90p04-9m4l.pdf
SQD90P04-9m4L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
SUM70060E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+64.11 грн
1600+57.27 грн
2400+54.99 грн
4000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 sqj407ep.pdf
SQJ407EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 siz926dt.pdf
SIZ926DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 sqja06ep.pdf
SQJA06EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 sqjq466e.pdf
SQJQ466E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+84.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 sqj454ep.pdf
SQJ454EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.88 грн
6000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+92.19 грн
1600+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 sug90090e.pdf
SUG90090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+384.43 грн
25+213.53 грн
100+176.13 грн
500+137.20 грн
1000+128.17 грн
2000+121.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 sqj407ep.pdf
SQJ407EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.28 грн
10+80.84 грн
100+57.56 грн
500+42.92 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 siz926dt.pdf
SIZ926DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.91 грн
10+83.39 грн
100+56.08 грн
500+41.64 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.52 грн
10+62.52 грн
100+41.39 грн
500+30.35 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA04EP-T1_GE3 sqja04ep.pdf
SQJA04EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.31 грн
10+70.37 грн
100+54.73 грн
500+43.54 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA06EP-T1_GE3 sqja06ep.pdf
SQJA06EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+75.68 грн
100+59.03 грн
500+45.77 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3 sqjq466e.pdf
SQJQ466E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+160.64 грн
100+112.55 грн
500+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3 sqj454ep.pdf
SQJ454EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+82.56 грн
100+55.57 грн
500+41.27 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.84 грн
10+162.59 грн
100+114.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQP90142E_GE3 sqp90142e.pdf
SQP90142E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 sihp065n60e.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.88 грн
50+319.52 грн
100+293.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 sqja88ep.pdf
SQJA88EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3 sqja88ep.pdf
SQJA88EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 sqa401ej.pdf
SQA401EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80E-E3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
SIHG17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 sihp11n80e.pdf
SIHP11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.27 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2001EDV-T1-GE3 dg2001e.pdf
DG2001EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 26ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2012EDL-T1-GE3 dg2012e.pdf
DG2012EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.6OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -63dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 16pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 5nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 83400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.18 грн
6000+24.59 грн
9000+24.28 грн
15000+22.47 грн
21000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2715EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2716EDL-T1-GE3
DG2716EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157EDL-T1-GE3 dg3157e.pdf
DG3157EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 9OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 580MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 1.3pC
Crosstalk: -61dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 90mOhm
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.63 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4599EDL-T1-GE3 dg4599e.pdf
DG4599EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 60OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.34 грн
6000+18.15 грн
9000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411EDL-T1-GE3 dg9411e.pdf
DG9411EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 24ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.34 грн
6000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9421EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9421EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9422EDV-T1-GE3 dg9421e.pdf
DG9422EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 3.2OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 3.2Ohm
-3db Bandwidth: 161MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 19pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 36ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 34pF, 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+62.63 грн
6000+59.06 грн
9000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.32 грн
5000+60.59 грн
7500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 500MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 15682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.37 грн
10+90.19 грн
25+82.06 грн
100+68.62 грн
250+64.62 грн
500+62.21 грн
1000+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.17 грн
6000+11.39 грн
9000+11.23 грн
15000+10.37 грн
21000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG3257DN-T1-GE4 dg3257.pdf
DG3257DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 6OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 6Ohm
-3db Bandwidth: 714MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -32dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 9pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.96 грн
16+18.92 грн
25+16.90 грн
100+13.75 грн
250+12.73 грн
500+12.12 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2733EDQ-T1-GE3 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2733EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 300OHM 10MSOP
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 120MHz
On-State Resistance (Max): 300Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.82 грн
10+83.91 грн
25+76.25 грн
100+63.62 грн
250+59.84 грн
500+57.55 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 dg2517.pdf
DG2517EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Charge Injection: -19.4pC
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.24 грн
10+98.42 грн
25+89.65 грн
100+75.11 грн
250+70.79 грн
500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 dg2517.pdf
DG2517EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Part Status: Active
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Number of Circuits: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Charge Injection: -19.4pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
-3db Bandwidth: 221MHz
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.76 грн
10+114.80 грн
25+104.82 грн
100+88.02 грн
250+83.08 грн
500+80.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+315.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+310.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.92 грн
5000+53.59 грн
7500+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf
DG2519EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2591DN-T1-GE4 DG2591.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 1:1 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 dg406b.pdf
DG406BDW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG406DW-T1-E3 dg406.pdf
DG406DW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 100OHM 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 15pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+312.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBF sihf634s.pdf
IRF634STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]