Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 126 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.85 грн
10+147.91 грн
100+102.93 грн
500+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V30406-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V30408-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia485dj.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix sqm50p06.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.73 грн
10+145.95 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA4N80E-GE3 SIHA4N80E-GE3 Vishay Siliconix siha4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.75 грн
100+74.32 грн
500+55.94 грн
1000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3 SIHP4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU4N80E-GE3 SIHU4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.64 грн
50+115.66 грн
100+114.24 грн
500+105.00 грн
1000+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 Vishay Siliconix siha6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.27 грн
10+124.09 грн
100+85.54 грн
500+64.79 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+79.26 грн
100+73.83 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80E-GE3 SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.32 грн
4000+34.29 грн
6000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 DGQ2788AEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dgq2788a.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.89 грн
5000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.10 грн
10+81.94 грн
100+55.14 грн
500+41.00 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 DGQ2788AEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dgq2788a.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.31 грн
10+51.90 грн
25+46.80 грн
100+38.68 грн
250+36.19 грн
500+34.69 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+50.25 грн
100+37.85 грн
500+27.72 грн
1000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912bep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.19 грн
10+84.53 грн
100+57.06 грн
500+42.48 грн
1000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 SUM70090E-GE3 Vishay Siliconix sum70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.33 грн
5000+24.75 грн
7500+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.22 грн
10+77.38 грн
100+51.99 грн
500+38.57 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.23 грн
10+50.80 грн
100+39.95 грн
500+31.40 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.58 грн
10+56.30 грн
100+47.72 грн
500+42.17 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 SIC431AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 SIC438BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.52 грн
6000+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 SIC437AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 SIC431AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.86 грн
10+151.53 грн
25+138.74 грн
100+117.06 грн
250+110.78 грн
500+107.00 грн
1000+102.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 SIC438BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 14573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.48 грн
10+122.59 грн
25+112.01 грн
100+94.16 грн
250+88.94 грн
500+85.79 грн
1000+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 SIC437AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.63 грн
10+135.02 грн
25+123.49 грн
100+103.99 грн
250+98.32 грн
500+94.90 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB SIC461EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC462EVB SIC462EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC462
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC462
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463EVB SIC463EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC463
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC463
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464EVB SIC464EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC464
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 2A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC464
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053EEN-T1-GE4 DG4053EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX3 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 930MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3.1pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 15251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+73.60 грн
25+66.78 грн
100+55.62 грн
250+52.26 грн
500+50.23 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4778DY-T1-E3 SI4778DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4778dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3 SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix sqd50n04-5m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.42 грн
10+100.89 грн
100+69.58 грн
500+53.89 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.29 грн
6000+30.79 грн
9000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.57 грн
10+77.22 грн
100+51.84 грн
500+38.44 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir878bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 11711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+57.09 грн
100+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32103DB-T1-GE1 SIP32103DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.89 грн
10+93.03 грн
25+79.14 грн
100+59.55 грн
250+52.37 грн
500+47.98 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.61 грн
5000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+60.00 грн
25+54.23 грн
100+44.95 грн
250+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.39 грн
10+55.04 грн
25+49.76 грн
100+41.24 грн
250+38.64 грн
500+37.07 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.03 грн
10+55.75 грн
25+50.42 грн
100+41.80 грн
250+39.17 грн
500+37.58 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+69.59 грн
25+63.03 грн
100+52.40 грн
250+49.18 грн
500+47.24 грн
1000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.46 грн
10+63.85 грн
25+57.84 грн
100+48.08 грн
250+45.12 грн
500+43.34 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+64.72 грн
25+58.63 грн
100+48.73 грн
250+45.74 грн
500+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 DG419BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.25 грн
10+143.51 грн
25+131.35 грн
100+110.72 грн
250+104.73 грн
500+101.13 грн
1000+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 DG9431EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.37 грн
10+96.72 грн
25+88.10 грн
100+73.76 грн
250+69.51 грн
500+66.95 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.54 грн
10+211.45 грн
100+150.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.15 грн
10+127.62 грн
100+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.85 грн
10+147.91 грн
100+102.93 грн
500+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V30406-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V30408-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
SIA485DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P06-15L_GE3 sqm50p06.pdf
SQM50P06-15L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.73 грн
10+145.95 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA4N80E-GE3 siha4n80e.pdf
SIHA4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.57 грн
10+108.75 грн
100+74.32 грн
500+55.94 грн
1000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU4N80E-GE3 sihu4n80e.pdf
SIHU4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.64 грн
50+115.66 грн
100+114.24 грн
500+105.00 грн
1000+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 siha6n80e.pdf
SIHA6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.27 грн
10+124.09 грн
100+85.54 грн
500+64.79 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+79.26 грн
100+73.83 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80E-GE3 sihu6n80e.pdf
SIHU6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 sqd40131el.pdf
SQD40131EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.32 грн
4000+34.29 грн
6000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 dgq2788a.pdf
DGQ2788AEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.89 грн
5000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 sqj912bep.pdf
SQJ912BEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3 sqd40131el.pdf
SQD40131EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.10 грн
10+81.94 грн
100+55.14 грн
500+41.00 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGQ2788AEN-T1-GE4 dgq2788a.pdf
DGQ2788AEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 338MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -245pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50µs, 1µs
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.31 грн
10+51.90 грн
25+46.80 грн
100+38.68 грн
250+36.19 грн
500+34.69 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.93 грн
10+50.25 грн
100+37.85 грн
500+27.72 грн
1000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3 sqj912bep.pdf
SQJ912BEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.19 грн
10+84.53 грн
100+57.06 грн
500+42.48 грн
1000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
SUM70090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.33 грн
5000+24.75 грн
7500+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.22 грн
10+77.38 грн
100+51.99 грн
500+38.57 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.23 грн
10+50.80 грн
100+39.95 грн
500+31.40 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.58 грн
10+56.30 грн
100+47.72 грн
500+42.17 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.52 грн
6000+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.86 грн
10+151.53 грн
25+138.74 грн
100+117.06 грн
250+110.78 грн
500+107.00 грн
1000+102.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 14573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.48 грн
10+122.59 грн
25+112.01 грн
100+94.16 грн
250+88.94 грн
500+85.79 грн
1000+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.63 грн
10+135.02 грн
25+123.49 грн
100+103.99 грн
250+98.32 грн
500+94.90 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB sic46x.pdf
SIC461EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC462EVB sic46x.pdf
SIC462EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC462
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC462
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463EVB sic46x.pdf
SIC463EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC463
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC463
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464EVB sic46x.pdf
SIC464EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC464
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 2A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC464
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053EEN-T1-GE4 dg4051e.pdf
DG4053EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX3 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 930MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3.1pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 15251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.34 грн
10+73.60 грн
25+66.78 грн
100+55.62 грн
250+52.26 грн
500+50.23 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4778DY-T1-E3 si4778dy.pdf
SI4778DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5m6_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.42 грн
10+100.89 грн
100+69.58 грн
500+53.89 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.29 грн
6000+30.79 грн
9000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.57 грн
10+77.22 грн
100+51.84 грн
500+38.44 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 sir878bdp.pdf
SIR878BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 11711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.14 грн
10+57.09 грн
100+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32103DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32103DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.89 грн
10+93.03 грн
25+79.14 грн
100+59.55 грн
250+52.37 грн
500+47.98 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.61 грн
5000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+60.00 грн
25+54.23 грн
100+44.95 грн
250+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.39 грн
10+55.04 грн
25+49.76 грн
100+41.24 грн
250+38.64 грн
500+37.07 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.03 грн
10+55.75 грн
25+50.42 грн
100+41.80 грн
250+39.17 грн
500+37.58 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.62 грн
10+69.59 грн
25+63.03 грн
100+52.40 грн
250+49.18 грн
500+47.24 грн
1000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
10+63.85 грн
25+57.84 грн
100+48.08 грн
250+45.12 грн
500+43.34 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+64.72 грн
25+58.63 грн
100+48.73 грн
250+45.74 грн
500+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG419BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.25 грн
10+143.51 грн
25+131.35 грн
100+110.72 грн
250+104.73 грн
500+101.13 грн
1000+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.37 грн
10+96.72 грн
25+88.10 грн
100+73.76 грн
250+69.51 грн
500+66.95 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.54 грн
10+211.45 грн
100+150.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.15 грн
10+127.62 грн
100+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]