Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 123 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.56 грн
9000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4848ady.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.90 грн
5000+16.75 грн
7500+16.02 грн
12500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.89 грн
6000+14.08 грн
9000+13.46 грн
15000+11.97 грн
21000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 SIC463ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+142.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 SIC464ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.36 грн
6000+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr638dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir182dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.14 грн
6000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.31 грн
6000+37.18 грн
9000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.62 грн
6000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 76600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.03 грн
9000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.10 грн
6000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.69 грн
6000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.99 грн
6000+25.67 грн
9000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 19670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
10+408.79 грн
25+378.90 грн
100+324.75 грн
250+316.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 DG611EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+66.19 грн
25+59.95 грн
100+49.84 грн
250+46.77 грн
500+44.93 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 DG612EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 9633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+63.57 грн
25+57.62 грн
100+47.89 грн
250+44.95 грн
500+43.17 грн
1000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
14+21.69 грн
100+12.59 грн
500+11.78 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4848ady.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.95 грн
100+29.38 грн
500+21.29 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.26 грн
100+25.55 грн
500+18.43 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 SIC463ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+192.05 грн
25+176.44 грн
100+149.44 грн
250+141.75 грн
500+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 SIC464ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+156.23 грн
25+143.11 грн
100+120.80 грн
250+114.36 грн
500+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr638dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.90 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir182dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 15991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.30 грн
100+66.36 грн
500+49.85 грн
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.17 грн
100+61.67 грн
500+46.00 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+109.04 грн
100+76.92 грн
500+57.94 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 77541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+105.90 грн
50+80.40 грн
100+67.73 грн
500+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+111.51 грн
100+89.65 грн
500+69.12 грн
1000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.80 грн
100+40.29 грн
500+29.54 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+113.08 грн
50+86.06 грн
100+72.58 грн
500+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+72.77 грн
100+52.68 грн
500+39.20 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.64 грн
100+31.20 грн
500+22.64 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+47.34 грн
100+36.84 грн
500+29.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+53.32 грн
100+41.47 грн
500+32.99 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DQ-T1-E3 DG413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+129.76 грн
25+118.58 грн
100+99.81 грн
250+94.33 грн
500+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
10+408.79 грн
25+378.90 грн
100+324.75 грн
250+316.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEN-T1-GE4 DG1411EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 18344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+80.40 грн
25+73.02 грн
100+60.93 грн
250+57.31 грн
500+55.13 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+98.42 грн
25+89.65 грн
100+75.11 грн
250+70.79 грн
500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 DG2519EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 DG2535EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+76.81 грн
25+69.76 грн
100+58.17 грн
250+54.69 грн
500+52.59 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 DG612EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+60.50 грн
25+54.86 грн
100+45.61 грн
250+42.80 грн
500+41.11 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 60399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.57 грн
50+26.83 грн
100+22.22 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 100033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.74 грн
100+19.82 грн
500+14.16 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic634.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+113.75 грн
25+103.86 грн
100+87.29 грн
250+82.43 грн
500+79.50 грн
1000+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz346dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+49.43 грн
100+32.39 грн
500+23.53 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 59236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+239.24 грн
50+187.43 грн
100+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3 Vishay Siliconix sup50020e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
SI3440ADV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.16 грн
6000+7.56 грн
9000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
SI4848ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.90 грн
5000+16.75 грн
7500+16.02 грн
12500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
SI7113ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.89 грн
6000+14.08 грн
9000+13.46 грн
15000+11.97 грн
21000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC463ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+142.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC464ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+114.36 грн
6000+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 sidr638dp.pdf
SIDR638DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
SIR182DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.14 грн
6000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
SIR186DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.31 грн
6000+37.18 грн
9000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 sir638adp.pdf
SIR638ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.62 грн
6000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 76600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.03 грн
9000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 sira22dp.pdf
SIRA22DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
SISS26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
SISS64DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.10 грн
6000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.69 грн
6000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 sqj414ep.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 sqj420ep.pdf
SQJ420EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
SQJ868EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.99 грн
6000+25.67 грн
9000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 19670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+549.08 грн
10+408.79 грн
25+378.90 грн
100+324.75 грн
250+316.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG611EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.75 грн
10+66.19 грн
25+59.95 грн
100+49.84 грн
250+46.77 грн
500+44.93 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 9633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.87 грн
10+63.57 грн
25+57.62 грн
100+47.89 грн
250+44.95 грн
500+43.17 грн
1000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
SI3440ADV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.95 грн
14+21.69 грн
100+12.59 грн
500+11.78 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
SI4848ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.56 грн
10+44.95 грн
100+29.38 грн
500+21.29 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
SI7113ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+39.26 грн
100+25.55 грн
500+18.43 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC463ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.06 грн
10+192.05 грн
25+176.44 грн
100+149.44 грн
250+141.75 грн
500+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC464ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.68 грн
10+156.23 грн
25+143.11 грн
100+120.80 грн
250+114.36 грн
500+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 sidr638dp.pdf
SIDR638DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.90 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
SIR182DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 15991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.66 грн
10+97.30 грн
100+66.36 грн
500+49.85 грн
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
SIR186DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.34 грн
10+91.17 грн
100+61.67 грн
500+46.00 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 sir638adp.pdf
SIR638ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.66 грн
10+109.04 грн
100+76.92 грн
500+57.94 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 77541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.86 грн
10+105.90 грн
50+80.40 грн
100+67.73 грн
500+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 sira22dp.pdf
SIRA22DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.92 грн
10+111.51 грн
100+89.65 грн
500+69.12 грн
1000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.19 грн
10+60.80 грн
100+40.29 грн
500+29.54 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
SISS26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.51 грн
10+113.08 грн
50+86.06 грн
100+72.58 грн
500+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
SISS64DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.64 грн
10+72.77 грн
100+52.68 грн
500+39.20 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.22 грн
10+47.64 грн
100+31.20 грн
500+22.64 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 sqj414ep.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 sqj420ep.pdf
SQJ420EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.58 грн
10+47.34 грн
100+36.84 грн
500+29.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
SQJ868EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.57 грн
10+53.32 грн
100+41.47 грн
500+32.99 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DQ-T1-E3 dg411.pdf
DG413DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.96 грн
10+129.76 грн
25+118.58 грн
100+99.81 грн
250+94.33 грн
500+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+549.08 грн
10+408.79 грн
25+378.90 грн
100+324.75 грн
250+316.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 18344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+80.40 грн
25+73.02 грн
100+60.93 грн
250+57.31 грн
500+55.13 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.24 грн
10+98.42 грн
25+89.65 грн
100+75.11 грн
250+70.79 грн
500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf
DG2519EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.51 грн
10+76.81 грн
25+69.76 грн
100+58.17 грн
250+54.69 грн
500+52.59 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+60.50 грн
25+54.86 грн
100+45.61 грн
250+42.80 грн
500+41.11 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 60399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.35 грн
10+36.57 грн
50+26.83 грн
100+22.22 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 100033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.26 грн
10+30.74 грн
100+19.82 грн
500+14.16 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 sic634.pdf
SIC634CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.21 грн
10+113.75 грн
25+103.86 грн
100+87.29 грн
250+82.43 грн
500+79.50 грн
1000+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 siz346dt.pdf
SIZ346DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.32 грн
10+49.43 грн
100+32.39 грн
500+23.53 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 59236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.56 грн
10+239.24 грн
50+187.43 грн
100+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
SUP50020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]