Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 124 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIP32103DB-T1-GE1 SIP32103DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+58.21 грн
25+52.69 грн
100+43.69 грн
250+40.96 грн
500+39.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.06 грн
5000+41.44 грн
7500+40.95 грн
12500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.74 грн
10+53.41 грн
25+48.30 грн
100+40.04 грн
250+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+64.45 грн
25+58.39 грн
100+48.52 грн
250+45.53 грн
500+43.72 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 26897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+63.16 грн
25+57.17 грн
100+47.50 грн
250+44.57 грн
500+42.81 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.81 грн
10+74.81 грн
25+67.90 грн
100+56.58 грн
250+53.17 грн
500+51.11 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.81 грн
10+74.81 грн
25+67.90 грн
100+56.58 грн
250+53.17 грн
500+51.11 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.81 грн
10+74.97 грн
25+68.05 грн
100+56.71 грн
250+53.30 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 DG419BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
10+166.54 грн
25+152.68 грн
100+128.97 грн
250+122.16 грн
500+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 DG9431EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Charge Injection: 2pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+93.71 грн
25+85.36 грн
100+71.46 грн
250+67.34 грн
500+64.86 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
10+222.46 грн
100+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
10+141.93 грн
50+108.64 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF IRF9Z34STRRPBF Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+187.87 грн
50+145.33 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBF IRFBC20STRLPBF Vishay Siliconix doc?91107 Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF IRFR310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr310.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.62 грн
10+87.00 грн
100+58.85 грн
500+43.92 грн
1000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.83 грн
10+120.37 грн
50+91.88 грн
100+77.57 грн
500+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF Vishay Siliconix sihfz48s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.85 грн
10+189.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.84 грн
11+29.64 грн
100+19.02 грн
500+13.53 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.51 грн
500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.38 грн
10+93.33 грн
100+72.46 грн
500+58.33 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4936BDY.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix sib437ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.87 грн
10+165.25 грн
50+127.60 грн
100+108.35 грн
500+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.35 грн
10+148.64 грн
50+114.31 грн
100+96.89 грн
500+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis447dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+54.55 грн
100+37.73 грн
500+29.59 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis472dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
10+41.06 грн
100+28.41 грн
500+22.28 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz998dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.89 грн
10+105.59 грн
50+80.18 грн
100+67.54 грн
500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1912aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.20 грн
100+33.62 грн
500+24.45 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix sqd25n06-22l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
10+102.17 грн
50+77.42 грн
100+65.17 грн
500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.65 грн
10+96.76 грн
100+65.61 грн
500+49.06 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.81 грн
10+192.37 грн
50+149.31 грн
100+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 Vishay Siliconix sqm60n06-15.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4459bdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.14 грн
6000+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4103dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.39 грн
6000+42.54 грн
9000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix vis-siss04dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.06 грн
6000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.90 грн
6000+30.42 грн
9000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.49 грн
2400+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.32 грн
6000+11.76 грн
9000+11.22 грн
15000+9.96 грн
21000+9.62 грн
30000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
9000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.51 грн
9000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja76ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7434adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia106dj.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.62 грн
6000+24.69 грн
9000+23.72 грн
15000+21.23 грн
21000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.69 грн
9000+14.38 грн
15000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.67 грн
6000+22.67 грн
9000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss12dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32103DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32103DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+58.21 грн
25+52.69 грн
100+43.69 грн
250+40.96 грн
500+39.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.06 грн
5000+41.44 грн
7500+40.95 грн
12500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.74 грн
10+53.41 грн
25+48.30 грн
100+40.04 грн
250+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.77 грн
10+64.45 грн
25+58.39 грн
100+48.52 грн
250+45.53 грн
500+43.72 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 26897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.19 грн
10+63.16 грн
25+57.17 грн
100+47.50 грн
250+44.57 грн
500+42.81 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.81 грн
10+74.81 грн
25+67.90 грн
100+56.58 грн
250+53.17 грн
500+51.11 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.81 грн
10+74.81 грн
25+67.90 грн
100+56.58 грн
250+53.17 грн
500+51.11 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.81 грн
10+74.97 грн
25+68.05 грн
100+56.71 грн
250+53.30 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG419BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.23 грн
10+166.54 грн
25+152.68 грн
100+128.97 грн
250+122.16 грн
500+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Circuit: SPDT
Charge Injection: 2pC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.12 грн
10+93.71 грн
25+85.36 грн
100+71.46 грн
250+67.34 грн
500+64.86 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.90 грн
10+222.46 грн
100+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.85 грн
10+141.93 грн
50+108.64 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.48 грн
10+187.87 грн
50+145.33 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBF doc?91107
IRFBC20STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF sihfr310.pdf
IRFR310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
IRFR9014TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.62 грн
10+87.00 грн
100+58.85 грн
500+43.92 грн
1000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.83 грн
10+120.37 грн
50+91.88 грн
100+77.57 грн
500+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
IRFZ48SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.85 грн
10+189.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
SI1967DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.84 грн
11+29.64 грн
100+19.02 грн
500+13.53 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 si3456ddv.pdf
SI3456DDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.51 грн
500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.38 грн
10+93.33 грн
100+72.46 грн
500+58.33 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 Si4936BDY.PDF
SI4936BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 sib437ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 sihb12n65e.pdf
SIHB12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.87 грн
10+165.25 грн
50+127.60 грн
100+108.35 грн
500+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 sihf12n65e.pdf
SIHF12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.35 грн
10+148.64 грн
50+114.31 грн
100+96.89 грн
500+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 sis447dn.pdf
SIS447DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+54.55 грн
100+37.73 грн
500+29.59 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
SIS472DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
10+41.06 грн
100+28.41 грн
500+22.28 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 siz998dt.pdf
SIZ998DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.89 грн
10+105.59 грн
50+80.18 грн
100+67.54 грн
500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 sq1912aeeh.pdf
SQ1912AEEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.65 грн
10+51.20 грн
100+33.62 грн
500+24.45 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 sqd25n06-22l.pdf
SQD25N06-22L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.35 грн
10+102.17 грн
50+77.42 грн
100+65.17 грн
500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 sqd50n05-11l.pdf
SQD50N05-11L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.65 грн
10+96.76 грн
100+65.61 грн
500+49.06 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.81 грн
10+192.37 грн
50+149.31 грн
100+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 sqm60n06-15.pdf
SQM60N06-15_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
SI4459BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
SI7155DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+69.14 грн
6000+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.39 грн
6000+42.54 грн
9000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.06 грн
6000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.90 грн
6000+30.42 грн
9000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+62.49 грн
2400+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 sq1464eeh.pdf
SQ1464EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.32 грн
6000+11.76 грн
9000+11.22 грн
15000+9.96 грн
21000+9.62 грн
30000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.21 грн
9000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 sqj504ep.pdf
SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.51 грн
9000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 sqja76ep.pdf
SQJA76EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
SI7434ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
SIA106DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.62 грн
6000+24.69 грн
9000+23.72 грн
15000+21.23 грн
21000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.82 грн
6000+14.69 грн
9000+14.38 грн
15000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.67 грн
6000+22.67 грн
9000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
SISS12DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]