Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11163) > Сторінка 124 з 187

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.71 грн
6000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.69 грн
6000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.46 грн
6000+26.10 грн
9000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 DG1412EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 20312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.90 грн
10+348.54 грн
25+322.57 грн
100+275.96 грн
250+263.19 грн
500+255.50 грн
1000+245.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 DG611EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.35 грн
10+67.30 грн
25+60.96 грн
100+50.68 грн
250+47.56 грн
500+45.68 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 DG612EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 9633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.03 грн
10+62.74 грн
25+56.89 грн
100+47.28 грн
250+44.38 грн
500+42.62 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 DG636EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+69.97 грн
25+63.46 грн
100+52.86 грн
250+49.66 грн
500+47.73 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 107673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.75 грн
15+20.38 грн
100+12.95 грн
500+9.13 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.54 грн
14+22.05 грн
100+12.80 грн
500+11.97 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4848ady.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.71 грн
10+44.57 грн
100+28.69 грн
500+21.79 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 24734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.18 грн
10+37.80 грн
100+24.59 грн
500+17.73 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 SIC463ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.14 грн
10+182.60 грн
25+167.77 грн
100+142.08 грн
250+134.77 грн
500+130.36 грн
1000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 SIC464ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.12 грн
10+148.45 грн
25+136.07 грн
100+114.86 грн
250+108.73 грн
500+105.05 грн
1000+100.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr638dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.91 грн
10+119.47 грн
100+82.26 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir182dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 15991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.32 грн
10+98.94 грн
100+67.48 грн
500+50.69 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.14 грн
10+70.95 грн
100+50.60 грн
500+38.23 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.32 грн
10+110.88 грн
100+78.22 грн
500+58.92 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.78 грн
10+82.89 грн
100+67.28 грн
500+50.52 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.10 грн
10+113.39 грн
100+91.17 грн
500+70.29 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.87 грн
10+60.99 грн
100+46.76 грн
500+34.69 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.80 грн
10+105.25 грн
100+71.98 грн
500+54.20 грн
1000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.19 грн
10+74.00 грн
100+53.57 грн
500+39.86 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.87 грн
10+40.23 грн
100+24.86 грн
500+19.85 грн
1000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.60 грн
10+48.14 грн
100+37.46 грн
500+29.80 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.71 грн
10+54.22 грн
100+42.17 грн
500+33.54 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DQ-T1-E3 DG413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg411-extractor.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.58 грн
10+110.96 грн
25+101.27 грн
100+85.02 грн
250+80.24 грн
500+77.37 грн
1000+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 DG1411EEQ-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
10+346.79 грн
25+320.96 грн
100+274.58 грн
250+261.88 грн
500+254.23 грн
1000+243.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEN-T1-GE4 DG1411EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.84 грн
10+340.48 грн
25+315.03 грн
100+269.41 грн
250+256.91 грн
500+249.38 грн
1000+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.84 грн
10+340.48 грн
25+315.03 грн
100+269.41 грн
250+256.91 грн
500+249.38 грн
1000+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 DG2034EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.93 грн
10+68.52 грн
25+62.15 грн
100+51.75 грн
250+48.61 грн
500+46.71 грн
1000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 DG2519EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2519e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.25 грн
10+84.42 грн
25+76.78 грн
100+64.15 грн
250+60.38 грн
500+58.12 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 DG2519EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 DG2535EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2535e_dg2733e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.98 грн
10+65.86 грн
25+59.74 грн
100+49.69 грн
250+46.66 грн
500+44.83 грн
1000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 DG612EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.66 грн
10+61.52 грн
25+55.79 грн
100+46.38 грн
250+43.52 грн
500+41.81 грн
1000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+69.97 грн
25+63.46 грн
100+52.86 грн
250+49.66 грн
500+47.73 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.44 грн
11+29.43 грн
100+18.96 грн
500+13.54 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.75 грн
11+29.66 грн
100+19.07 грн
500+13.62 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 SIC634CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic634.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.90 грн
10+115.67 грн
25+105.62 грн
100+88.76 грн
250+83.82 грн
500+80.84 грн
1000+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz346dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.71 грн
10+50.27 грн
100+32.94 грн
500+23.93 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.75 грн
10+227.69 грн
100+162.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3 Vishay Siliconix sup50020e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Vishay Siliconix sup70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.99 грн
50+129.09 грн
100+117.01 грн
500+89.95 грн
1000+83.57 грн
2000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix sum90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.71 грн
1600+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix sum90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.05 грн
10+93.01 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh27n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh27n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg73n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 394 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.60 грн
25+473.79 грн
100+403.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay Siliconix siha15n65e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.71 грн
6000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 sira22dp.pdf
SIRA22DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
SISS26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
SISS64DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.69 грн
6000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 sqj414ep.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 sqj420ep.pdf
SQJ420EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
SQJ868EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.46 грн
6000+26.10 грн
9000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 20312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.90 грн
10+348.54 грн
25+322.57 грн
100+275.96 грн
250+263.19 грн
500+255.50 грн
1000+245.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG611EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG611EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.35 грн
10+67.30 грн
25+60.96 грн
100+50.68 грн
250+47.56 грн
500+45.68 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 9633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.03 грн
10+62.74 грн
25+56.89 грн
100+47.28 грн
250+44.38 грн
500+42.62 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEQ-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 56ns, 61ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+69.97 грн
25+63.46 грн
100+52.86 грн
250+49.66 грн
500+47.73 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 107673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.75 грн
15+20.38 грн
100+12.95 грн
500+9.13 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
SI3440ADV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.54 грн
14+22.05 грн
100+12.80 грн
500+11.97 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
SI4848ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+44.57 грн
100+28.69 грн
500+21.79 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
SI7113ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 24734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.18 грн
10+37.80 грн
100+24.59 грн
500+17.73 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC463ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.14 грн
10+182.60 грн
25+167.77 грн
100+142.08 грн
250+134.77 грн
500+130.36 грн
1000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC464ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.12 грн
10+148.45 грн
25+136.07 грн
100+114.86 грн
250+108.73 грн
500+105.05 грн
1000+100.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3 sidr638dp.pdf
SIDR638DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.91 грн
10+119.47 грн
100+82.26 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
SIR182DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 15991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.32 грн
10+98.94 грн
100+67.48 грн
500+50.69 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
SIR186DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.14 грн
10+70.95 грн
100+50.60 грн
500+38.23 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 sir638adp.pdf
SIR638ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
на замовлення 15766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.32 грн
10+110.88 грн
100+78.22 грн
500+58.92 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.78 грн
10+82.89 грн
100+67.28 грн
500+50.52 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3 sira22dp.pdf
SIRA22DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.10 грн
10+113.39 грн
100+91.17 грн
500+70.29 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.87 грн
10+60.99 грн
100+46.76 грн
500+34.69 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
SISS26DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 5943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.80 грн
10+105.25 грн
100+71.98 грн
500+54.20 грн
1000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
SISS64DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.19 грн
10+74.00 грн
100+53.57 грн
500+39.86 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.87 грн
10+40.23 грн
100+24.86 грн
500+19.85 грн
1000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3 sqj414ep.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 sqj420ep.pdf
SQJ420EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.60 грн
10+48.14 грн
100+37.46 грн
500+29.80 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
SQJ868EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+54.22 грн
100+42.17 грн
500+33.54 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG413DQ-T1-E3 dg411-extractor.pdf
DG413DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.58 грн
10+110.96 грн
25+101.27 грн
100+85.02 грн
250+80.24 грн
500+77.37 грн
1000+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEQ-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEQ-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.5OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.53 грн
10+346.79 грн
25+320.96 грн
100+274.58 грн
250+261.88 грн
500+254.23 грн
1000+243.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1411EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.84 грн
10+340.48 грн
25+315.03 грн
100+269.41 грн
250+256.91 грн
500+249.38 грн
1000+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1413EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 11451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.84 грн
10+340.48 грн
25+315.03 грн
100+269.41 грн
250+256.91 грн
500+249.38 грн
1000+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDN-T1-GE4 dg2034e.pdf
DG2034EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.93 грн
10+68.52 грн
25+62.15 грн
100+51.75 грн
250+48.61 грн
500+46.71 грн
1000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDN-T1-GE4 dg2519e.pdf
DG2519EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.25 грн
10+84.42 грн
25+76.78 грн
100+64.15 грн
250+60.38 грн
500+58.12 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG2519EDQ-T1-GE3 tf-dg2519edq-t1-ge3.pdf
DG2519EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 4OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 14pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2535EDN-T1-GE4 dg2535e_dg2733e.pdf
DG2535EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 120MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.98 грн
10+65.86 грн
25+59.74 грн
100+49.69 грн
250+46.66 грн
500+44.83 грн
1000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.66 грн
10+61.52 грн
25+55.79 грн
100+46.38 грн
250+43.52 грн
500+41.81 грн
1000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EEN-T1-GE4 dg636e.pdf
DG636EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+69.97 грн
25+63.46 грн
100+52.86 грн
250+49.66 грн
500+47.73 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.44 грн
11+29.43 грн
100+18.96 грн
500+13.54 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.75 грн
11+29.66 грн
100+19.07 грн
500+13.62 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIC634CD-T1-GE3 sic634.pdf
SIC634CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.90 грн
10+115.67 грн
25+105.62 грн
100+88.76 грн
250+83.82 грн
500+80.84 грн
1000+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 siz346dt.pdf
SIZ346DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.71 грн
10+50.27 грн
100+32.94 грн
500+23.93 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.75 грн
10+227.69 грн
100+162.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
SUP50020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 sup70101el.pdf
SUP70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.99 грн
50+129.09 грн
100+117.01 грн
500+89.95 грн
1000+83.57 грн
2000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
SUM90330E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.71 грн
1600+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
SUM90330E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.05 грн
10+93.01 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
SIHH27N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
SIHH27N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 394 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.60 грн
25+473.79 грн
100+403.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]