Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126523) > Сторінка 2092 з 2109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021DV33-10BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BFP540H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 80mA; 0.25W; SOT343 Type of transistor: NPN Collector current: 80mA Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 4.5V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Technology: SIEGET™ Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape Case: SOT343 Frequency: 33GHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BFP540ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S25HS512TDPBHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 1.7...2V Case: BGA24 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S25HS512TDPMHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 1.7...2V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S25HS512TFABHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 166MHz Operating voltage: 1.7...2V Case: BGA24 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S25HS512TFANHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 166MHz Operating voltage: 1.7...2V Case: WSON8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3380 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S25HS512TFANHI013 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 166MHz Operating voltage: 1.7...2V Case: WSON8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPT60R065S7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ S7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 137mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPLK60R360PFD7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R185P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 81W Case: VSON4 On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 122W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPL60R085P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 154W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R075CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 189W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 67nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 59W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R650P6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.7A Power dissipation: 56.8W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R140CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R180P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22.4A Power dissipation: 176W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 85W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.346Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16.4A Power dissipation: 139W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 26.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R299CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.1A Power dissipation: 96W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R2K1C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.3A Power dissipation: 21.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 46W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL65R065CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPA20N65C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 32A Power dissipation: 284W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BC848CE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ITS4100SSJNXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SMBD914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW Reverse recovery time: 4ns Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.25V Power dissipation: 0.37W Features of semiconductor devices: fast switching Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 0.25A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Type of diode: switching |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.5/-1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 949 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| F475R12KS4B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-ECONO2C Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W Technology: EconoPACK™ 2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| F475R12KS4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 100A Case: AG-ECONO2B Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R12PT4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 500W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO4-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD60R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Power dissipation: 53W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W Mounting: SMD Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 82W Gate charge: 20.5nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 6.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 On-state resistance: 0.65Ω |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Power dissipation: 49W Gate charge: 9.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R280CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.536Ω Mounting: SMD Power dissipation: 51W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 386mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R170CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Power dissipation: 76W Gate charge: 28nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R280P7S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Power dissipation: 53W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD600N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.219Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1021DV33-10BVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP540H6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 80mA; 0.25W; SOT343
Type of transistor: NPN
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 33GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 80mA; 0.25W; SOT343
Type of transistor: NPN
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 33GHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP540ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S25HS512TDPBHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S25HS512TDPMHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S25HS512TFABHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S25HS512TFANHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3380 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S25HS512TFANHI013 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 166MHz; 1.7÷2V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 166MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT60R065S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R165CFDAUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R104C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 400.10 грн |
| 5+ | 285.98 грн |
| 10+ | 259.14 грн |
| 25+ | 228.11 грн |
| 50+ | 220.56 грн |
| IPL60R085P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 154W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 154W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R075CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 189W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 189W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R105P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R125P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R210P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R285P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R650P6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R060CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R065C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R075CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R095CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R125C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R140CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R180P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R199CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R299CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R2K1C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R365P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R065CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R095CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R115CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R130CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R200CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 557.25 грн |
| 5+ | 448.68 грн |
| BC848CE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS4100SSJNXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBD914E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.79 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.19 грн |
| 12+ | 34.97 грн |
| 50+ | 25.83 грн |
| 60+ | 24.99 грн |
| 100+ | 22.73 грн |
| 500+ | 18.95 грн |
| F475R12KS4B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| F475R12KS4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO4-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO4-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 142.70 грн |
| 10+ | 84.70 грн |
| 50+ | 75.48 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.65Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.65Ω
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 46.96 грн |
| 25+ | 41.60 грн |
| 100+ | 40.26 грн |
| IPD60R1K5CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R170CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280P7S |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R600PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
















