Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148913) > Сторінка 2482 з 2482

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2477 2478 2479 2480 2481 2482
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY9BF324MPMC-G-MNE2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY9B320M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edbd0465f0c Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY9BF324MPMC-G-MNE2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
119+469.32 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
CY62187EV30LL-55BAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb SRAM
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM06F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -6÷6A
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 23.6W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -6...6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R1K4CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R225C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.96 грн
7+133.80 грн
19+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7430TRL7PP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.18 грн
8+117.36 грн
21+110.63 грн
500+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.93 грн
10+109.14 грн
15+60.55 грн
40+57.56 грн
2000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3504ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES auirfr3504.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.71 грн
37+10.32 грн
51+7.40 грн
100+6.38 грн
245+3.60 грн
672+3.41 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDC10I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxI12MH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.38 грн
5+184.63 грн
13+177.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.64 грн
15+26.24 грн
25+22.28 грн
47+19.14 грн
127+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+794.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002782763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+635.95 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR22PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr22pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406a036a02fe Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.00 грн
18+51.58 грн
48+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD180N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 226A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.48 грн
10+84.47 грн
12+74.00 грн
33+70.26 грн
150+69.52 грн
200+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.13 грн
9+43.95 грн
25+39.02 грн
26+34.09 грн
72+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.03 грн
5+162.96 грн
15+157.72 грн
20+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDC20H12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60H12AHXUMA1 1EDC60H12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF324MPMC-G-MNE2 Infineon-CY9B320M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edbd0465f0c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY9BF324MPMC-G-MNE2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
119+469.32 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
CY62187EV30LL-55BAXIT Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb SRAM
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GA.pdf
IGCM06F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -6÷6A
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 23.6W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -6...6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFD-DTE.pdf
IPD65R1K4CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7-DTE.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6-DTE.pdf
IPD65R250C6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6-DTE.pdf
IPD65R250E6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CP-DTE.pdf
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.96 грн
7+133.80 грн
19+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CP-DTE.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6-DTE.pdf
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6-DTE.pdf
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CP-DTE.pdf
IPI60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3G-DTE.pdf
IPI032N06N3GAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP.pdf
IRFS7430TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.18 грн
8+117.36 грн
21+110.63 грн
500+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.93 грн
10+109.14 грн
15+60.55 грн
40+57.56 грн
2000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF.pdf
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z auirfr3504.pdf
AUIRFR3504Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+17.71 грн
37+10.32 грн
51+7.40 грн
100+6.38 грн
245+3.60 грн
672+3.41 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDCxxI12MH.pdf
1EDC10I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.38 грн
5+184.63 грн
13+177.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.64 грн
15+26.24 грн
25+22.28 грн
47+19.14 грн
127+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+794.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF INFN-S-A0002782763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+635.95 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7-DTE.pdf
IPA65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7-DTE.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR22PNH6327XTSA1 bcr22pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406a036a02fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.00 грн
18+51.58 грн
48+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 226A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7.pdf
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.48 грн
10+84.47 грн
12+74.00 грн
33+70.26 грн
150+69.52 грн
200+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7.pdf
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.13 грн
9+43.95 грн
25+39.02 грн
26+34.09 грн
72+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.03 грн
5+162.96 грн
15+157.72 грн
20+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC20H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60H12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC60H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2477 2478 2479 2480 2481 2482