Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149483) > Сторінка 2483 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
21+20.01 грн
24+17.30 грн
50+11.73 грн
100+9.92 грн
500+6.89 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFC2DCB6C4F3D1&compId=IFF450B12ME4PB11.pdf?ci_sign=c9d3db6b276df40fc2814b42a9a6055838d01d84 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Technology: EconoDUAL™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONOD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA093N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N03S4L02.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 136W
Drain current: 90A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 110nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.40 грн
10+205.83 грн
100+190.25 грн
250+182.05 грн
500+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.82 грн
10+187.79 грн
20+166.47 грн
30+154.99 грн
120+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.12 грн
10+123.01 грн
25+111.53 грн
100+95.13 грн
250+94.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS5202VH6327XTSA1 BAS5202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS5202VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 45V; 0.75A; 500mW
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.75A
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 45V
Case: SC79
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
24+17.55 грн
27+15.58 грн
50+11.81 грн
100+10.50 грн
500+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452 INFINEON TECHNOLOGIES ISP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5216H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3ECE7EAA411C&compId=BSZ520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=4334bb1e8d31b9ce8d1cb4da0d0f9340350c816c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6561A525011C&compId=BSC520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=fb4d680c37f940e2565f9ae51fea56efe2625137 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 136A; 250W; TO263-7; SMT
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 150V
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.64 грн
10+164.83 грн
100+130.39 грн
250+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.85 грн
6+73.81 грн
25+59.04 грн
250+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Current gain: 25
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR12.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...26GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 150mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1011DV33-10BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1011DV33_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2e6f737e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBADCC38FBBEFA8&compId=IDW20G120C5B-DTE.pdf?ci_sign=04ecd26329ddad1567e3bca1198215120340dc7c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Leakage current: 12µA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 180A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29666-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C29466-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 44
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Case: SSOP48
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1820.15 грн
3+1520.39 грн
10+1409.68 грн
30+1343.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: 7 inch reel
Case: SOT223-4
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.9Ω
Output voltage: 42V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: 13 inch reel
Case: SOT223-4
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.9Ω
Output voltage: 42V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.32 грн
10+190.25 грн
20+184.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+398.30 грн
3+332.94 грн
10+291.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB1121F18CC11C&compId=IPP034N08N5-DTE.pdf?ci_sign=1dda73ae20d4521fd3f3e2996dc6f9936161321f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD540N26K DD540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DD540N2xK.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 540A
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 16.5kA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI020 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBF IRF7749L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A98A20BC1FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7749l2pbf.pdf?ci_sign=b464ed5cc7d209a4bc1050ee64b1542e1151909c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AA377C7252F1A303005056AB0C4F&compId=irf7759l2pbf.pdf?ci_sign=d4e941edcf85e33880fdc73e03ad22892cf18692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F672CDB9B16F1A303005056AB0C4F&compId=irf6216pbf.pdf?ci_sign=9ad0f60fd0f5dd2bab877d7a145bd99db3800a4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC8D93D3E8D5EA&compId=IRF7749L1TRPBF.pdf?ci_sign=ac4cf3f56b24f673218007a1d83cc26fc9837f08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42712GATMA1 TLE42712GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698BB0584C64469&compId=TLE4271-2G.pdf?ci_sign=7a8f05af902fbc92a2cda1d4ba88edc4035a1995 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.55A
Output voltage: 5V
Voltage drop: 0.35V
Input voltage: 6...40V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.58 грн
10+126.29 грн
25+121.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD088N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD088N06N3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b2351db4d5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD3543DCCA11C&compId=IPB036N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=f6e85fe1d433fdb0362bcc3083d1806c0c8f5354 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB68318E8811C&compId=IPB038N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1ce7670095e99e047c4caf194cc03ca588fb26fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon_IRFP4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363303.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+84.78 грн
7+66.10 грн
10+61.01 грн
20+56.42 грн
50+51.17 грн
100+47.89 грн
200+45.02 грн
500+42.07 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 BAT6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E02D7CE8486469&compId=BAT6302VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=37345c6b5c4c72fa5d20b81471d690570a6d7645 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 3V; 0.1A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.98 грн
15+28.05 грн
18+23.78 грн
100+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC240P06LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e4b2c536ec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 236A; 188W
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 188W
Pulsed drain current: 236A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224 IRF250P224 INFINEON TECHNOLOGIES IRF250P224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
21+20.01 грн
24+17.30 грн
50+11.73 грн
100+9.92 грн
500+6.89 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFC2DCB6C4F3D1&compId=IFF450B12ME4PB11.pdf?ci_sign=c9d3db6b276df40fc2814b42a9a6055838d01d84
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Technology: EconoDUAL™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONOD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3G-DTE.pdf
IPA093N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 136W
Drain current: 90A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 110nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.40 грн
10+205.83 грн
100+190.25 грн
250+182.05 грн
500+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.82 грн
10+187.79 грн
20+166.47 грн
30+154.99 грн
120+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.12 грн
10+123.01 грн
25+111.53 грн
100+95.13 грн
250+94.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS5202VH6327XTSA1 BAS5202VH6327XTSA1.pdf
BAS5202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 45V; 0.75A; 500mW
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.75A
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 45V
Case: SC79
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
24+17.55 грн
27+15.58 грн
50+11.81 грн
100+10.50 грн
500+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5-DTE.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3G-DTE.pdf
IPB017N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452.pdf
ISP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5216H6433XTMA1 infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3ECE7EAA411C&compId=BSZ520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=4334bb1e8d31b9ce8d1cb4da0d0f9340350c816c
BSZ520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6561A525011C&compId=BSC520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=fb4d680c37f940e2565f9ae51fea56efe2625137
BSC520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 136A; 250W; TO263-7; SMT
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 150V
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.64 грн
10+164.83 грн
100+130.39 грн
250+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.85 грн
6+73.81 грн
25+59.04 грн
250+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316H6327XTSA1 infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Current gain: 25
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12.pdf
BGT24MTR12E6327XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11.pdf
BGT24MTR11E6327XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...26GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 150mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1011DV33-10BVXI Infineon-CY7C1011DV33_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2e6f737e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G120C5BFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBADCC38FBBEFA8&compId=IDW20G120C5B-DTE.pdf?ci_sign=04ecd26329ddad1567e3bca1198215120340dc7c
IDW20G120C5BFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Leakage current: 12µA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 180A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29666-24PVXI CY8C29466-24PVXI.pdf
CY8C29666-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP48; 3÷5.25VDC; Core: 8-bit
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 44
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH; 512kB SRAM
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Case: SSOP48
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1820.15 грн
3+1520.39 грн
10+1409.68 грн
30+1343.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUSA1 Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: 7 inch reel
Case: SOT223-4
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.9Ω
Output voltage: 42V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: 13 inch reel
Case: SOT223-4
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.9Ω
Output voltage: 42V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.32 грн
10+190.25 грн
20+184.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5.pdf
IHW30N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5-DTE.pdf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9
IGW30N65L5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5.pdf
IKP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+398.30 грн
3+332.94 грн
10+291.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB1121F18CC11C&compId=IPP034N08N5-DTE.pdf?ci_sign=1dda73ae20d4521fd3f3e2996dc6f9936161321f
IPP034N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD540N26K DD540N2xK.pdf
DD540N26K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.48V
Load current: 540A
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 16.5kA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI020 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A98A20BC1FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7749l2pbf.pdf?ci_sign=b464ed5cc7d209a4bc1050ee64b1542e1151909c
IRF7749L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AA377C7252F1A303005056AB0C4F&compId=irf7759l2pbf.pdf?ci_sign=d4e941edcf85e33880fdc73e03ad22892cf18692
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6216TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F672CDB9B16F1A303005056AB0C4F&compId=irf6216pbf.pdf?ci_sign=9ad0f60fd0f5dd2bab877d7a145bd99db3800a4b
IRF6216TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC8D93D3E8D5EA&compId=IRF7749L1TRPBF.pdf?ci_sign=ac4cf3f56b24f673218007a1d83cc26fc9837f08
IRF7749L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42712GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698BB0584C64469&compId=TLE4271-2G.pdf?ci_sign=7a8f05af902fbc92a2cda1d4ba88edc4035a1995
TLE42712GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.55A
Output voltage: 5V
Voltage drop: 0.35V
Input voltage: 6...40V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.58 грн
10+126.29 грн
25+121.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD088N06N3GATMA1 Infineon-IPD088N06N3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b2351db4d5c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD3543DCCA11C&compId=IPB036N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=f6e85fe1d433fdb0362bcc3083d1806c0c8f5354
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB68318E8811C&compId=IPB038N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1ce7670095e99e047c4caf194cc03ca588fb26fa
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788
IPB031NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon_IRFP4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363303.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.78 грн
7+66.10 грн
10+61.01 грн
20+56.42 грн
50+51.17 грн
100+47.89 грн
200+45.02 грн
500+42.07 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E02D7CE8486469&compId=BAT6302VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=37345c6b5c4c72fa5d20b81471d690570a6d7645
BAT6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 3V; 0.1A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.98 грн
15+28.05 грн
18+23.78 грн
100+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 Infineon-ISC240P06LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e4b2c536ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 236A; 188W
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 188W
Pulsed drain current: 236A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224 IRF250P224.pdf
IRF250P224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]