Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149641) > Сторінка 2484 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB932CE4575B1BF&compId=IPL65R460CFD-DTE.pdf?ci_sign=d4d0007d0996f627373bb3ac4b85d887a9a79876 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196F1536AAXQMA1 XMC4800E196F1536AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-196
Family: XMC4800
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 155
Kind of core: 32-bit
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1536AAXQMA1 XMC4800E196K1536AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-196
Family: XMC4800
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 155
Kind of core: 32-bit
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 170A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C480486A10F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4615pbf.pdf?ci_sign=7b57008704512c411e825a0925361ef7b5ea5cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 TLE9250VSJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B8ED46D599F3D6&compId=TLE9250V.pdf?ci_sign=9527e63d6b8a7c9a9723676138a31f8f8e6d0361 Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.54 грн
21+19.66 грн
24+16.94 грн
50+11.51 грн
100+9.75 грн
500+6.79 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4025LQI-S411
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
490+160.96 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF IRFP4332PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C068F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4332pbf.pdf?ci_sign=e2b517b35bae67aea1d77543e68108c262ec792d description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60C IDD03SG60C INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EAACB6BC99E469&compId=IDD03SG60C.pdf?ci_sign=8b2624b28ac78a1d4298fea6db17d3caae348b6b Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 3A; 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-3
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Leakage current: 0.23µA
Max. forward impulse current: 9.7A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 115A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+137.72 грн
250+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.63 грн
41+9.83 грн
69+5.80 грн
100+4.55 грн
250+3.43 грн
297+3.18 грн
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC847PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR48PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr48pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406c1ce60300 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 70mA
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47/2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47/47kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7441150C01F1A303005056AB0C4F&compId=irf7240pbf.pdf?ci_sign=a0adc4ef5f3f3b20f965900b0b514c00a7c5c9de Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PR 6EDL04N02PR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597E2A9163A8747&compId=6EDL04N02PR.pdf?ci_sign=8bd3da517352d4c6ba4d0d0ba3a732ae80bcef92 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 13...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8C604103FD1BF&compId=IPB65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=ed2a0bd750ba6a4b2d4e4b489e0ca0daa3c18692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFI013 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0017271261-1.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFV013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA000 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128SS25FL256S_128_Mb_(16_MB)256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFB000 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFB003 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...125°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...125°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.77 грн
38+10.55 грн
43+9.43 грн
59+6.87 грн
100+6.07 грн
171+5.51 грн
470+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.21 грн
10+73.53 грн
100+70.34 грн
250+63.14 грн
500+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15L60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb71486178f7 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; PowerDIP24; 15A; 600V; Uin: 13.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: PowerDIP24
Output current: 15A
Output voltage: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 13.5...18.5V
Maximum output current: 15A
Frequency: 20kHz
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+760.05 грн
42+635.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2253B0CCE411C&compId=BSC009NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=cc7dc6f544cdea8ffdc22bc994ff5b04e5a9b00b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 IKCM15H60GAXKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACE685ADE5B3D7&compId=IKCM15H60GA.pdf?ci_sign=b05a44ba28f3534652439353305f4e3dde92d0c0 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 25.2W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.00 грн
2+604.25 грн
3+591.46 грн
5+560.29 грн
10+549.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895cd694e6e Category: Unclassified
Description: BAR9002ELE6327XTMA1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW50N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d8862059d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 82A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+397.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.11 грн
12+34.05 грн
25+30.61 грн
100+27.02 грн
250+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e5c9c6e0d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd752aa46df2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 135A; 100W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.71 грн
50+113.50 грн
100+104.70 грн
250+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP126N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.10 грн
25+16.54 грн
100+9.35 грн
500+6.26 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS150R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311d745388 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+11126.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ100N65H5XKSA1 IGZ100N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B38AF53C07CFA8&compId=IGZ100N65H5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=46f30b547367da2b7884cb375a23f6457f242998 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Pulsed collector current: 400A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.92 грн
11+39.32 грн
12+35.09 грн
50+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDF1FF656693D1&compId=IPN80R600P7.pdf?ci_sign=74698a736421a2fe8081b11c8402fd2740b28ada Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDB6243C3F13D1&compId=IPN80R2K4P7.pdf?ci_sign=fc60aaeba15bb57be6f1214d4477212da724015e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 2.4Ω
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB932CE4575B1BF&compId=IPL65R460CFD-DTE.pdf?ci_sign=d4d0007d0996f627373bb3ac4b85d887a9a79876
IPL65R460CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196F1536AAXQMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a
XMC4800E196F1536AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-196
Family: XMC4800
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 155
Kind of core: 32-bit
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1536AAXQMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a
XMC4800E196K1536AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-196
Family: XMC4800
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 155
Kind of core: 32-bit
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009
BSB012NE2LXIXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 170A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C480486A10F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4615pbf.pdf?ci_sign=7b57008704512c411e825a0925361ef7b5ea5cf5
IRFR4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B8ED46D599F3D6&compId=TLE9250V.pdf?ci_sign=9527e63d6b8a7c9a9723676138a31f8f8e6d0361
TLE9250VSJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.54 грн
21+19.66 грн
24+16.94 грн
50+11.51 грн
100+9.75 грн
500+6.79 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4025LQI-S411
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+160.96 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C068F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4332pbf.pdf?ci_sign=e2b517b35bae67aea1d77543e68108c262ec792d
IRFP4332PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EAACB6BC99E469&compId=IDD03SG60C.pdf?ci_sign=8b2624b28ac78a1d4298fea6db17d3caae348b6b
IDD03SG60C
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 3A; 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-3
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Leakage current: 0.23µA
Max. forward impulse current: 9.7A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 115A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+137.72 грн
250+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.63 грн
41+9.83 грн
69+5.80 грн
100+4.55 грн
250+3.43 грн
297+3.18 грн
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433XTMA1 bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c
BC847PNH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR48PNH6433XTMA1 bcr48pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406c1ce60300
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 70mA
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47/2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47/47kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7441150C01F1A303005056AB0C4F&compId=irf7240pbf.pdf?ci_sign=a0adc4ef5f3f3b20f965900b0b514c00a7c5c9de
IRF7240TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597E2A9163A8747&compId=6EDL04N02PR.pdf?ci_sign=8bd3da517352d4c6ba4d0d0ba3a732ae80bcef92
6EDL04N02PR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 13...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8C604103FD1BF&compId=IPB65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=ed2a0bd750ba6a4b2d4e4b489e0ca0daa3c18692
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFA010 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB010 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFI013 INFN-S-A0017271261-1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFV013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA000 infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA003 Infineon-S25FL128SS25FL256S_128_Mb_(16_MB)256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFB000
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFB003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI010 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI013 001-98283%20Rev%20T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM000 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...125°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Application: automotive
Operating temperature: -40...125°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV000 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFV003 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating frequency: 133MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6433HTMA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.77 грн
38+10.55 грн
43+9.43 грн
59+6.87 грн
100+6.07 грн
171+5.51 грн
470+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5
IRFS7734TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.21 грн
10+73.53 грн
100+70.34 грн
250+63.14 грн
500+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon-IKCM15L60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb71486178f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; PowerDIP24; 15A; 600V; Uin: 13.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: PowerDIP24
Output current: 15A
Output voltage: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 13.5...18.5V
Maximum output current: 15A
Frequency: 20kHz
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+760.05 грн
42+635.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2253B0CCE411C&compId=BSC009NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=cc7dc6f544cdea8ffdc22bc994ff5b04e5a9b00b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACE685ADE5B3D7&compId=IKCM15H60GA.pdf?ci_sign=b05a44ba28f3534652439353305f4e3dde92d0c0
IKCM15H60GAXKMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 25.2W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.00 грн
2+604.25 грн
3+591.46 грн
5+560.29 грн
10+549.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895cd694e6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR9002ELE6327XTMA1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon-IKW50N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d8862059d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 82A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+397.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.11 грн
12+34.05 грн
25+30.61 грн
100+27.02 грн
250+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1 Infineon-ISZ0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e5c9c6e0d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1 Infineon-ISC0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd752aa46df2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 135A; 100W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.71 грн
50+113.50 грн
100+104.70 грн
250+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3G-DTE.pdf
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.10 грн
25+16.54 грн
100+9.35 грн
500+6.26 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KE3BOSA1 Infineon-FS150R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311d745388
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+11126.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ100N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B38AF53C07CFA8&compId=IGZ100N65H5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=46f30b547367da2b7884cb375a23f6457f242998
IGZ100N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Pulsed collector current: 400A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.92 грн
11+39.32 грн
12+35.09 грн
50+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDF1FF656693D1&compId=IPN80R600P7.pdf?ci_sign=74698a736421a2fe8081b11c8402fd2740b28ada
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDB6243C3F13D1&compId=IPN80R2K4P7.pdf?ci_sign=fc60aaeba15bb57be6f1214d4477212da724015e
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 2.4Ω
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]