Результат пошуку "7n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOTF7N65 Код товару: 153855 |
A&O |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 887/19 Монтаж: THT |
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
|||||||||||||||
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT7N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF7N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 912 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP7N65D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP7N65P | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP7N65P | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 749 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI5A7N65D1K-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH067N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm |
на замовлення 2651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 900 шт: термін постачання 217-226 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP067N65S3 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF067N65S3 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm |
на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L027N65S3F | onsemi | MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4LN067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL027N65S3HF | onsemi | MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTP067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220 |
на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVHL027N65S3F | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG47N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHJ7N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW47N65C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD7N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD7N65M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU7N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package |
на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW77N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK17N65W,S1F | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TW027N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TW107N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO07N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO07N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
24G62587N65 | N/A | 2006 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F155 | ON Semiconductor |
на замовлення 8910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQB7N65C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB7N65C | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB7N65C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB7N65CTM | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB7N65CTM | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF7N65 |
на замовлення 87090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF7N65BTH |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF7N65BTH=FQPF7N65C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
AOTF7N65 Код товару: 153855 |
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
AOT7N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 55.11 грн |
21+ | 42.46 грн |
58+ | 40.13 грн |
AOT7N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.79 грн |
5+ | 68.68 грн |
21+ | 50.96 грн |
58+ | 48.16 грн |
1000+ | 47.25 грн |
AOT7N65 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.64 грн |
AOTF7N65 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.04 грн |
BXP7N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 57.57 грн |
10+ | 41.79 грн |
25+ | 33.66 грн |
45+ | 19.73 грн |
123+ | 18.67 грн |
BXP7N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.08 грн |
10+ | 52.07 грн |
25+ | 40.39 грн |
45+ | 23.67 грн |
123+ | 22.41 грн |
BXP7N65D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 56.76 грн |
11+ | 35.99 грн |
25+ | 29.06 грн |
49+ | 18.22 грн |
133+ | 17.24 грн |
BXP7N65P |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 62.43 грн |
10+ | 39.45 грн |
25+ | 35.24 грн |
37+ | 23.94 грн |
102+ | 22.66 грн |
BXP7N65P |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 74.92 грн |
10+ | 49.16 грн |
25+ | 42.28 грн |
37+ | 28.73 грн |
102+ | 27.2 грн |
1000+ | 26.11 грн |
DI5A7N65D1K-AQ |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 307.79 грн |
10+ | 237.73 грн |
100+ | 123.6 грн |
500+ | 122.15 грн |
1000+ | 118.54 грн |
2500+ | 104.81 грн |
5000+ | 99.02 грн |
FCH067N65S3-F155 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 448.62 грн |
10+ | 405.64 грн |
FCH077N65F-F085 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 765.69 грн |
10+ | 621.75 грн |
25+ | 492.23 грн |
100+ | 406.21 грн |
450+ | 401.15 грн |
FCH077N65F-F155 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 828.09 грн |
10+ | 669.13 грн |
25+ | 432.23 грн |
100+ | 367.91 грн |
450+ | 367.18 грн |
2700+ | 365.74 грн |
FCP067N65S3 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 500.06 грн |
10+ | 442.21 грн |
25+ | 271.05 грн |
100+ | 248.64 грн |
500+ | 247.92 грн |
FCPF067N65S3 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 576.79 грн |
10+ | 476.29 грн |
25+ | 285.51 грн |
100+ | 263.82 грн |
NTH027N65S3F-F155 |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1520.41 грн |
10+ | 1394.79 грн |
25+ | 986.62 грн |
NTH4L027N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1789.41 грн |
10+ | 1297.53 грн |
100+ | 983.73 грн |
NTH4LN067N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 542.22 грн |
10+ | 407.3 грн |
450+ | 331.04 грн |
NTHL027N65S3HF |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1610.64 грн |
10+ | 1412.24 грн |
25+ | 1144.92 грн |
50+ | 1109.5 грн |
100+ | 1073.36 грн |
250+ | 1009.75 грн |
450+ | 920.85 грн |
NTHL067N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 505.96 грн |
10+ | 385.69 грн |
25+ | 334.66 грн |
100+ | 331.04 грн |
NTP067N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 611.37 грн |
10+ | 525.33 грн |
50+ | 419.22 грн |
100+ | 381.64 грн |
250+ | 370.8 грн |
500+ | 364.29 грн |
800+ | 309.36 грн |
NVHL027N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1189.01 грн |
10+ | 1121.32 грн |
25+ | 874.59 грн |
50+ | 871.7 грн |
100+ | 824.71 грн |
SIHG47N65E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 610.53 грн |
10+ | 515.36 грн |
25+ | 367.18 грн |
100+ | 331.04 грн |
250+ | 329.6 грн |
500+ | 311.53 грн |
SIHJ7N65E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.95 грн |
10+ | 158.76 грн |
100+ | 110.59 грн |
250+ | 101.19 грн |
500+ | 91.8 грн |
1000+ | 79.51 грн |
3000+ | 76.62 грн |
SPW47N65C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1373.68 грн |
10+ | 1275.92 грн |
25+ | 1082.03 грн |
50+ | 989.51 грн |
100+ | 939.64 грн |
240+ | 693.17 грн |
STB57N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 794.36 грн |
10+ | 677.44 грн |
25+ | 558 грн |
100+ | 494.4 грн |
250+ | 479.94 грн |
500+ | 443.08 грн |
1000+ | 398.99 грн |
STD7N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 105.41 грн |
10+ | 86.45 грн |
100+ | 66.71 грн |
500+ | 56.52 грн |
1000+ | 46.04 грн |
2500+ | 40.04 грн |
STD7N65M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.12 грн |
100+ | 119.7 грн |
500+ | 65.34 грн |
1000+ | 56.02 грн |
2500+ | 46.19 грн |
5000+ | 44.74 грн |
STF57N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 707.5 грн |
10+ | 597.65 грн |
25+ | 471.27 грн |
100+ | 432.96 грн |
250+ | 407.66 грн |
500+ | 381.64 грн |
1000+ | 344.05 грн |
STF7N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.9 грн |
10+ | 94.76 грн |
100+ | 69.24 грн |
250+ | 67.15 грн |
500+ | 58.26 грн |
1000+ | 48.5 грн |
2000+ | 45.97 грн |
STL57N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 882.06 грн |
10+ | 745.6 грн |
25+ | 587.64 грн |
100+ | 539.93 грн |
250+ | 508.13 грн |
500+ | 476.33 грн |
1000+ | 428.62 грн |
STP57N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 716.78 грн |
50+ | 564.4 грн |
100+ | 438.74 грн |
500+ | 388.14 грн |
1000+ | 348.39 грн |
2000+ | 332.49 грн |
STU7N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.49 грн |
10+ | 99.75 грн |
100+ | 68.59 грн |
500+ | 58.11 грн |
1000+ | 45.18 грн |
3000+ | 43.08 грн |
6000+ | 42.07 грн |
STW57N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 603.78 грн |
10+ | 577.7 грн |
25+ | 413.44 грн |
100+ | 383.08 грн |
600+ | 369.35 грн |
1200+ | 364.29 грн |
STW57N65M5-4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 992.46 грн |
2+ | 850.8 грн |
3+ | 804.87 грн |
10+ | 774 грн |
STW57N65M5-4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1190.95 грн |
2+ | 1060.22 грн |
3+ | 965.84 грн |
10+ | 928.8 грн |
STW77N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1174.67 грн |
10+ | 1023.23 грн |
25+ | 756.05 грн |
50+ | 753.88 грн |
100+ | 699.67 грн |
250+ | 692.44 грн |
600+ | 617.27 грн |
TK17N65W,S1F |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 283.34 грн |
10+ | 234.4 грн |
30+ | 192.26 грн |
60+ | 172.75 грн |
120+ | 162.63 грн |
270+ | 159.74 грн |
510+ | 155.4 грн |
TW027N65C,S1F |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1764.11 грн |
10+ | 1292.55 грн |
60+ | 979.39 грн |
TW107N65C,S1F |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 704.97 грн |
10+ | 542.79 грн |
30+ | 454.64 грн |
60+ | 385.98 грн |
120+ | 360.68 грн |
270+ | 354.17 грн |
510+ | 346.94 грн |
WMF07N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 45.41 грн |
10+ | 38.17 грн |
12+ | 32.22 грн |
25+ | 28.31 грн |
40+ | 22.59 грн |
108+ | 21.31 грн |
WMF07N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 47.57 грн |
10+ | 38.67 грн |
25+ | 33.97 грн |
40+ | 27.1 грн |
108+ | 25.57 грн |
2500+ | 25.39 грн |
WMK07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 67.3 грн |
8+ | 51.95 грн |
10+ | 41.03 грн |
25+ | 30.79 грн |
36+ | 24.62 грн |
99+ | 23.27 грн |
WMK07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.76 грн |
5+ | 64.74 грн |
10+ | 49.24 грн |
25+ | 36.95 грн |
36+ | 29.54 грн |
99+ | 27.92 грн |
1000+ | 26.92 грн |
WMO07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 55.14 грн |
15+ | 25.6 грн |
25+ | 22.44 грн |
41+ | 21.76 грн |
100+ | 20.55 грн |
WMO07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.16 грн |
9+ | 31.9 грн |
25+ | 26.92 грн |
41+ | 26.11 грн |
100+ | 24.67 грн |
500+ | 23.76 грн |
WMP07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 55.14 грн |
18+ | 21.68 грн |
25+ | 19.2 грн |
WMP07N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.16 грн |
11+ | 27.02 грн |
25+ | 23.04 грн |
53+ | 20.33 грн |
144+ | 19.24 грн |
FQB7N65CTM |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]