Результат пошуку "7n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AOTF7N65 AOTF7N65
Код товару: 153855 		A&O aot7n65-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+40 грн
10+ 36 грн
7N65F 7N65F EVVO 7N65F_P.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.94 грн
10+ 66.26 грн
100+ 44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.02 грн
10+ 59.92 грн
100+ 46.58 грн
500+ 37.06 грн
1000+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.25 грн
21+ 42.57 грн
58+ 40.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.98 грн
5+ 68.84 грн
21+ 51.08 грн
58+ 48.27 грн
1000+ 47.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOT7N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOTF7N65 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.71 грн
10+ 41.89 грн
25+ 33.81 грн
45+ 19.77 грн
123+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.25 грн
10+ 52.2 грн
25+ 40.57 грн
45+ 23.73 грн
123+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.89 грн
11+ 36.15 грн
25+ 29.13 грн
49+ 18.26 грн
133+ 17.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.58 грн
10+ 39.62 грн
25+ 35.4 грн
37+ 24 грн
102+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.1 грн
10+ 49.38 грн
25+ 42.48 грн
37+ 28.8 грн
102+ 27.17 грн
1000+ 26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.7 грн
10+ 120.15 грн
100+ 95.62 грн
500+ 75.93 грн
1000+ 64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.53 грн
10+ 238.3 грн
100+ 123.9 грн
500+ 122.45 грн
1000+ 118.82 грн
2500+ 105.06 грн
5000+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi fch067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.73 грн
30+ 341.39 грн
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi / Fairchild FCH067N65S3_D-2311860.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.69 грн
10+ 406.61 грн
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi fch077n65f_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.53 грн
10+ 544.46 грн
100+ 409.1 грн
500+ 365.06 грн
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+467.44 грн
Мінімальне замовлення: 46
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi / Fairchild FCH077N65F_F085_D-2311946.pdf MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
1+767.52 грн
10+ 623.24 грн
25+ 493.41 грн
100+ 407.19 грн
450+ 402.12 грн
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH077N65F_D-2311918.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+830.07 грн
10+ 670.74 грн
25+ 433.27 грн
100+ 368.79 грн
450+ 368.06 грн
2700+ 366.61 грн
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi fch077n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.89 грн
30+ 435.45 грн
120+ 370.64 грн
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi fcp067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.33 грн
50+ 273.16 грн
100+ 250.72 грн
500+ 205.02 грн
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi / Fairchild FCP067N65S3_D-2311746.pdf MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.26 грн
10+ 443.27 грн
25+ 271.7 грн
100+ 249.24 грн
500+ 248.51 грн
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi / Fairchild FCPF067N65S3_D-2311952.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.18 грн
10+ 477.43 грн
25+ 286.19 грн
100+ 264.45 грн
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi fcpf067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.19 грн
50+ 288.03 грн
100+ 264.61 грн
500+ 218.58 грн
FQB7N65CTM FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor FAIRS27372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+109.82 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQP7N65C FQP7N65C Fairchild Semiconductor FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 24690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 370
FQPF7N65C FQPF7N65C onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 22965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 348
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 52651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MCPF07N65-BP MCPF07N65-BP Micro Commercial Co MCPF05N80(TO-220F).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.3 грн
10+ 44.45 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
2000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
MSJU07N65A-TP MSJU07N65A-TP Micro Commercial Co MSJU07N65A(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.16 грн
10+ 85.36 грн
100+ 66.4 грн
500+ 52.82 грн
1000+ 43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi nth027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1637.25 грн
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi NTH027N65S3F_D-2318760.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1524.06 грн
10+ 1398.13 грн
25+ 988.99 грн
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi NTH4L027N65S3F_D-2318653.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1793.7 грн
10+ 1300.65 грн
100+ 986.09 грн
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1633.34 грн
10+ 1137.52 грн
450+ 953.73 грн
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi NTH4LN067N65S3H_D-2318846.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.52 грн
10+ 408.27 грн
450+ 331.84 грн
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.65 грн
30+ 320.86 грн
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.9 грн
30+ 893.34 грн
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi NTHL027N65S3HF_D-2318697.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1614.5 грн
10+ 1415.63 грн
25+ 1147.66 грн
50+ 1112.16 грн
100+ 1075.93 грн
250+ 1012.17 грн
450+ 923.06 грн
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.65 грн
10+ 337.74 грн
100+ 320.86 грн
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi NTHL067N65S3H_D-2318763.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.17 грн
10+ 386.61 грн
25+ 335.46 грн
100+ 331.84 грн
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi NTP067N65S3H_D-2318933.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.83 грн
10+ 526.59 грн
50+ 420.23 грн
100+ 382.55 грн
250+ 371.69 грн
500+ 365.16 грн
800+ 310.1 грн
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.14 грн
10+ 395.85 грн
100+ 291.9 грн
500+ 245.54 грн
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.45 грн
10+ 998.72 грн
100+ 815.58 грн
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi NVHL027N65S3F_D-2319660.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.86 грн
10+ 1124 грн
25+ 876.69 грн
50+ 873.79 грн
100+ 826.69 грн
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.29 грн
10+ 983.18 грн
100+ 800.31 грн
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg47n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.62 грн
10+ 419.25 грн
100+ 309.84 грн
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.99 грн
10+ 516.59 грн
25+ 368.06 грн
100+ 331.84 грн
250+ 330.39 грн
500+ 312.27 грн
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj7n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.42 грн
10+ 159.14 грн
100+ 110.85 грн
250+ 101.43 грн
500+ 92.02 грн
1000+ 79.7 грн
3000+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPI07N65C3XKSA1 SPI07N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 335
SPW47N65C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies Infineon_SPW47N65C3_DS_v01_02_en-3360035.pdf MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1376.98 грн
10+ 1278.98 грн
25+ 1084.63 грн
50+ 991.89 грн
100+ 941.89 грн
240+ 694.83 грн
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.29 грн
10+ 609.29 грн
100+ 507.77 грн
500+ 420.46 грн
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+418.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics stb57n65m5-1850283.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+796.26 грн
10+ 679.07 грн
25+ 559.34 грн
100+ 495.58 грн
250+ 481.09 грн
500+ 444.14 грн
1000+ 399.94 грн
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics std7n65m2-1850610.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.66 грн
10+ 86.65 грн
100+ 66.87 грн
500+ 56.66 грн
1000+ 46.15 грн
2500+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD7N65M6 STD7N65M6 STMicroelectronics std7n65m6-1850735.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.41 грн
100+ 119.98 грн
500+ 65.5 грн
1000+ 56.15 грн
2500+ 46.3 грн
5000+ 44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF57N65M5 STF57N65M5 STMicroelectronics stb57n65m5-1850283.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.2 грн
10+ 599.08 грн
25+ 472.4 грн
100+ 434 грн
250+ 408.64 грн
500+ 382.55 грн
1000+ 344.88 грн
STF57N65M5 STF57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.74 грн
50+ 343.47 грн
100+ 318.27 грн
AOTF7N65
Код товару: 153855		 aot7n65-datasheet.pdf
AOTF7N65
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
7N65F 7N65F_P.pdf
7N65F
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.94 грн
10+ 66.26 грн
100+ 44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.02 грн
10+ 59.92 грн
100+ 46.58 грн
500+ 37.06 грн
1000+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.25 грн
21+ 42.57 грн
58+ 40.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.98 грн
5+ 68.84 грн
21+ 51.08 грн
58+ 48.27 грн
1000+ 47.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOT7N65 TO220.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOTF7N65 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.71 грн
10+ 41.89 грн
25+ 33.81 грн
45+ 19.77 грн
123+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
10+ 52.2 грн
25+ 40.57 грн
45+ 23.73 грн
123+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
BXP7N65D BXP7N65.pdf
BXP7N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+56.89 грн
11+ 36.15 грн
25+ 29.13 грн
49+ 18.26 грн
133+ 17.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62.58 грн
10+ 39.62 грн
25+ 35.4 грн
37+ 24 грн
102+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.1 грн
10+ 49.38 грн
25+ 42.48 грн
37+ 28.8 грн
102+ 27.17 грн
1000+ 26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.7 грн
10+ 120.15 грн
100+ 95.62 грн
500+ 75.93 грн
1000+ 64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+308.53 грн
10+ 238.3 грн
100+ 123.9 грн
500+ 122.45 грн
1000+ 118.82 грн
2500+ 105.06 грн
5000+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+533.73 грн
30+ 341.39 грн
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3_D-2311860.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+449.69 грн
10+ 406.61 грн
FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+813.53 грн
10+ 544.46 грн
100+ 409.1 грн
500+ 365.06 грн
FCH077N65F-F085 FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+467.44 грн
Мінімальне замовлення: 46
FCH077N65F-F085 FCH077N65F_F085_D-2311946.pdf
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.52 грн
10+ 623.24 грн
25+ 493.41 грн
100+ 407.19 грн
450+ 402.12 грн
FCH077N65F-F155 FCH077N65F_D-2311918.pdf
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+830.07 грн
10+ 670.74 грн
25+ 433.27 грн
100+ 368.79 грн
450+ 368.06 грн
2700+ 366.61 грн
FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+757.89 грн
30+ 435.45 грн
120+ 370.64 грн
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.33 грн
50+ 273.16 грн
100+ 250.72 грн
500+ 205.02 грн
FCP067N65S3 FCP067N65S3_D-2311746.pdf
FCP067N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+501.26 грн
10+ 443.27 грн
25+ 271.7 грн
100+ 249.24 грн
500+ 248.51 грн
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3_D-2311952.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.18 грн
10+ 477.43 грн
25+ 286.19 грн
100+ 264.45 грн
FCPF067N65S3 fcpf067n65s3-d.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+550.19 грн
50+ 288.03 грн
100+ 264.61 грн
500+ 218.58 грн
FQB7N65CTM FAIRS27372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB7N65CTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+109.82 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQP7N65C FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP7N65C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 24690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
370+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 370
FQPF7N65C fqpf7n65c-d.pdf
FQPF7N65C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 22965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
348+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 348
FQPF7N65CYDTU fqpf7n65c-d.pdf
FQPF7N65CYDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 52651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MCPF07N65-BP MCPF05N80(TO-220F).pdf
MCPF07N65-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.3 грн
10+ 44.45 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
2000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
MSJU07N65A-TP MSJU07N65A(DPAK).pdf
MSJU07N65A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.16 грн
10+ 85.36 грн
100+ 66.4 грн
500+ 52.82 грн
1000+ 43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
NTH027N65S3F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1637.25 грн
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F_D-2318760.pdf
NTH027N65S3F-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1524.06 грн
10+ 1398.13 грн
25+ 988.99 грн
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F_D-2318653.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1793.7 грн
10+ 1300.65 грн
100+ 986.09 грн
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1633.34 грн
10+ 1137.52 грн
450+ 953.73 грн
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H_D-2318846.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+543.52 грн
10+ 408.27 грн
450+ 331.84 грн
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.65 грн
30+ 320.86 грн
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1123.9 грн
30+ 893.34 грн
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF_D-2318697.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1614.5 грн
10+ 1415.63 грн
25+ 1147.66 грн
50+ 1112.16 грн
100+ 1075.93 грн
250+ 1012.17 грн
450+ 923.06 грн
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.65 грн
10+ 337.74 грн
100+ 320.86 грн
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H_D-2318763.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.17 грн
10+ 386.61 грн
25+ 335.46 грн
100+ 331.84 грн
NTP067N65S3H NTP067N65S3H_D-2318933.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+612.83 грн
10+ 526.59 грн
50+ 420.23 грн
100+ 382.55 грн
250+ 371.69 грн
500+ 365.16 грн
800+ 310.1 грн
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.14 грн
10+ 395.85 грн
100+ 291.9 грн
500+ 245.54 грн
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1444.45 грн
10+ 998.72 грн
100+ 815.58 грн
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F_D-2319660.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1191.86 грн
10+ 1124 грн
25+ 876.69 грн
50+ 873.79 грн
100+ 826.69 грн
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1423.29 грн
10+ 983.18 грн
100+ 800.31 грн
SIHG47N65E-GE3 sihg47n65e.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+635.62 грн
10+ 419.25 грн
100+ 309.84 грн
SIHG47N65E-GE3 sihg47n65e.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.99 грн
10+ 516.59 грн
25+ 368.06 грн
100+ 331.84 грн
250+ 330.39 грн
500+ 312.27 грн
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.42 грн
10+ 159.14 грн
100+ 110.85 грн
250+ 101.43 грн
500+ 92.02 грн
1000+ 79.7 грн
3000+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPI07N65C3XKSA1 INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 335
SPW47N65C3 Infineon_SPW47N65C3_DS_v01_02_en-3360035.pdf
SPW47N65C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1376.98 грн
10+ 1278.98 грн
25+ 1084.63 грн
50+ 991.89 грн
100+ 941.89 грн
240+ 694.83 грн
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+738.29 грн
10+ 609.29 грн
100+ 507.77 грн
500+ 420.46 грн
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+418.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB57N65M5 stb57n65m5-1850283.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+796.26 грн
10+ 679.07 грн
25+ 559.34 грн
100+ 495.58 грн
250+ 481.09 грн
500+ 444.14 грн
1000+ 399.94 грн
STD7N65M2 std7n65m2-1850610.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.66 грн
10+ 86.65 грн
100+ 66.87 грн
500+ 56.66 грн
1000+ 46.15 грн
2500+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD7N65M6 std7n65m6-1850735.pdf
STD7N65M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.41 грн
100+ 119.98 грн
500+ 65.5 грн
1000+ 56.15 грн
2500+ 46.3 грн
5000+ 44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF57N65M5 stb57n65m5-1850283.pdf
STF57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+709.2 грн
10+ 599.08 грн
25+ 472.4 грн
100+ 434 грн
250+ 408.64 грн
500+ 382.55 грн
1000+ 344.88 грн
STF57N65M5 en.DM00049152.pdf
STF57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.74 грн
50+ 343.47 грн
100+ 318.27 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]