Продукція > IMW

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+4484.55 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3484.06 грн
30+2274.32 грн
60+2209.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2192.24 грн
50+2168.67 грн
100+1932.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2146.45 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2031.65 грн
30+1264.99 грн
60+1182.94 грн
120+1058.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1555.87 грн
30+946.37 грн
120+825.60 грн
510+754.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1140.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.15 грн
30+696.54 грн
120+601.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1038.37 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1InfineonIMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1H COOLSIC MOSFETS 1200V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+740.74 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+803.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1018.99 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.25 грн
10+913.48 грн
25+803.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.73 грн
10+673.23 грн
25+642.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+952.33 грн
50+913.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+689.73 грн
22+673.23 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+793.23 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.63 грн
30+552.48 грн
120+473.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1InfineonTrans MOSFET N-CH 1200V 3-Pin TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+981.03 грн
25+790.72 грн
100+708.19 грн
240+662.34 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+715.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1InfineonN-Channel 1.2kV 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.73 грн
30+568.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.81 грн
3+297.86 грн
10+297.77 грн
25+285.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+945.44 грн
10+935.85 грн
25+754.27 грн
50+726.38 грн
100+634.21 грн
240+582.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.40 грн
30+375.13 грн
120+318.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+592.96 грн
36+403.55 грн
50+385.26 грн
100+345.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.19 грн
30+370.60 грн
60+339.04 грн
120+293.26 грн
510+253.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.90 грн
10+407.33 грн
25+388.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+388.47 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1EupecCOOLSIC MOSFETS 1200V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.14 грн
10+595.39 грн
25+405.20 грн
50+386.84 грн
100+346.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.83 грн
30+267.85 грн
120+224.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1InfineonSICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.26 грн
30+232.22 грн
120+193.75 грн
510+157.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+562.68 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+411.97 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
30+205.28 грн
120+170.52 грн
510+136.11 грн
1020+134.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+281.87 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R011M2HXKSA1InfineonIMW40R011M2HXKSA1 IMW40R011M2H N-Channel 400 V 104A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R011M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW40R011M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R015M2HXKSA1InfineonIMW40R015M2HXKSA1 IMW40R015M2H N-Channel 400 V 94A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U06 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 94 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R025M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R036M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW40R036M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R036M2HXKSA1InfineonIMW40R036M2HXKSA1 IMW40R036M2H N-Channel 400 V 46A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U06 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R045M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW40R045M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2221.47 грн
10+2046.09 грн
25+1998.95 грн
100+1883.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]