Продукція > IMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3222.69 грн
30+2229.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3926.77 грн
25+3798.87 грн
50+3299.37 грн
240+2858.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4087.32 грн
5+4059.48 грн
10+4031.65 грн
50+2821.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425447
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+4017.78 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425449
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2596.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1964.07 грн
50+1942.95 грн
100+1731.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1857.24 грн
30+1150.48 грн
120+1119.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2255.21 грн
10+2214.71 грн
25+1368.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1923.04 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2357.03 грн
5+2080.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1487.53 грн
30+901.90 грн
120+839.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1642.61 грн
10+1380.74 грн
100+1038.16 грн
480+1037.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1759.92 грн
5+1630.62 грн
10+1501.32 грн
50+1299.86 грн
100+1112.13 грн
250+1089.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005448291
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+719.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.40 грн
5+941.91 грн
10+937.42 грн
50+669.53 грн
100+617.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+912.93 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.08 грн
10+876.86 грн
25+771.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1022.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.31 грн
10+690.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+930.29 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.69 грн
30+653.38 грн
120+574.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+663.64 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.14 грн
10+901.16 грн
25+597.92 грн
100+516.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.81 грн
30+610.30 грн
120+523.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+662.08 грн
10+646.24 грн
25+616.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+853.21 грн
50+818.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+617.94 грн
22+603.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+965.58 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+710.67 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1275.04 грн
5+1130.48 грн
10+985.91 грн
50+853.79 грн
100+731.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+878.92 грн
25+708.42 грн
100+634.48 грн
240+593.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.36 грн
10+786.10 грн
25+528.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+641.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.12 грн
3+285.92 грн
10+285.83 грн
25+273.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.53 грн
10+898.33 грн
25+724.03 грн
50+697.26 грн
100+608.78 грн
240+559.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.18 грн
30+627.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.67 грн
10+430.79 грн
100+351.39 грн
480+344.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.25 грн
30+410.80 грн
120+348.51 грн
510+308.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 75W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+773.11 грн
5+743.48 грн
10+712.95 грн
50+460.25 грн
100+369.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+348.04 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.48 грн
30+346.21 грн
120+291.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.12 грн
10+571.53 грн
25+388.96 грн
50+371.33 грн
100+333.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+526.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.21 грн
5+590.83 грн
10+497.45 грн
50+423.56 грн
100+354.81 грн
250+347.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+531.24 грн
36+361.55 грн
50+345.16 грн
100+309.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.56 грн
10+353.47 грн
480+280.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.55 грн
10+391.00 грн
25+372.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.28 грн
10+343.00 грн
100+297.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.07 грн
10+717.06 грн
25+509.87 грн
100+461.85 грн
240+432.23 грн
480+369.80 грн
1200+352.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.36 грн
30+295.88 грн
120+248.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+504.11 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.56 грн
30+256.53 грн
120+214.03 грн
510+173.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.90 грн
10+268.78 грн
100+198.51 грн
480+184.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.24 грн
10+282.84 грн
100+242.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+256.60 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.15 грн
10+359.91 грн
25+238.53 грн
240+237.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+423.82 грн
10+395.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+369.09 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+252.53 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.47 грн
30+226.76 грн
120+188.37 грн
510+150.35 грн
1020+149.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.49 грн
10+585.43 грн
100+425.03 грн
480+377.80 грн
1200+336.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R007M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1990.25 грн
10+1833.13 грн
25+1790.89 грн
100+1687.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2291.63 грн
10+1516.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2132.42 грн
10+1964.07 грн
25+1918.81 грн
100+1808.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2078.04 грн
30+1297.94 грн
120+1283.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2202.78 грн
1440+2066.41 грн
2160+1960.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2441.44 грн
5+2434.25 грн
10+2427.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1577.58 грн
30+961.10 грн
120+904.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1800.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1714.12 грн
5+1618.94 грн
10+1522.87 грн
50+1325.71 грн
100+1142.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1680.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1745.33 грн
10+1467.27 грн
100+1103.79 грн
480+1102.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1532.74 грн
5+1477.97 грн
10+1422.30 грн
50+953.01 грн
100+821.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1130.52 грн
3840+1053.40 грн
5760+994.96 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.59 грн
10+1139.88 грн
25+938.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1418.49 грн
10+1371.53 грн
25+813.24 грн
100+762.81 грн
240+762.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+826.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.02 грн
30+840.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1115.08 грн
50+1106.64 грн
200+936.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1107.53 грн
10+665.52 грн
100+521.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1165.77 грн
15+903.89 грн
100+895.45 грн
200+768.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.23 грн
30+605.60 грн
120+524.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R020M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+751.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.90 грн
5+1140.35 грн
10+1074.81 грн
50+746.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+918.84 грн
3360+856.16 грн
5040+808.66 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.91 грн
5+925.75 грн
10+865.59 грн
50+749.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+890.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.72 грн
10+784.26 грн
100+568.30 грн
480+505.87 грн
1200+430.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.09 грн
30+515.83 грн
120+441.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.87 грн
10+1172.04 грн
25+726.89 грн
50+693.85 грн
100+564.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1027.22 грн
10+619.49 грн
100+482.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1064.40 грн
13+1047.50 грн
200+963.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1081.93 грн
25+671.01 грн
50+640.50 грн
100+521.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.12 грн
30+545.21 грн
120+467.37 грн
510+435.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.80 грн
5+897.92 грн
10+677.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+818.73 грн
149280+762.88 грн
223920+720.55 грн
298560+663.15 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.97 грн
30+508.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.28 грн
5+1013.75 грн
10+982.32 грн
50+585.31 грн
100+469.48 грн
250+467.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+954.58 грн
200+878.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.59 грн
10+581.75 грн
100+444.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+753.58 грн
1920+702.17 грн
2880+663.21 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+647.01 грн
12000+594.08 грн
18000+555.67 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+850.33 грн
5+789.27 грн
10+728.21 грн
50+620.33 грн
100+520.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.85 грн
10+654.47 грн
100+474.65 грн
480+421.83 грн
1200+359.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+754.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.93 грн
30+443.82 грн
120+377.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.32 грн
10+443.68 грн
100+327.38 грн
480+320.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+600.39 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.00 грн
30+403.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+707.91 грн
19+696.08 грн
50+695.24 грн
100+669.59 грн
200+569.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.66 грн
5+564.79 грн
10+511.81 грн
50+426.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+755.15 грн
5+700.38 грн
10+644.70 грн
50+464.42 грн
100+391.75 грн
250+387.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.93 грн
10+466.69 грн
100+377.80 грн
480+336.18 грн
1200+308.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.37 грн
10+534.01 грн
25+439.61 грн
50+404.97 грн
100+356.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.54 грн
30+429.90 грн
120+371.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+518.34 грн
26+498.41 грн
31+410.30 грн
50+377.97 грн
100+332.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1273.71 грн
20+1239.50 грн
50+1166.88 грн
100+1057.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.43 грн
30+378.04 грн
120+319.76 грн
510+279.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+656.38 грн
50+369.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.22 грн
10+391.21 грн
100+306.56 грн
480+295.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+709.35 грн
5+568.38 грн
10+426.51 грн
50+376.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.37 грн
30+331.32 грн
120+278.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+449.41 грн
50+368.32 грн
200+367.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.01 грн
10+364.52 грн
100+312.97 грн
480+296.16 грн
1200+264.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.50 грн
5+597.11 грн
10+547.73 грн
50+371.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.52 грн
10+482.51 грн
25+383.31 грн
50+359.23 грн
100+322.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+505.42 грн
29+450.34 грн
36+357.76 грн
50+335.29 грн
100+301.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.45 грн
10+352.55 грн
100+260.94 грн
480+252.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.50 грн
5+645.60 грн
10+644.70 грн
50+410.22 грн
100+354.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+479.64 грн
960+440.40 грн
1440+411.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+330.89 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.53 грн
30+352.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.43 грн
30+463.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+425.55 грн
100+404.43 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+554.16 грн
50+542.34 грн
100+541.49 грн
200+520.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.48 грн
30+303.16 грн
120+254.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.05 грн
10+411.46 грн
100+298.56 грн
480+265.74 грн
1200+236.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.30 грн
10+457.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+485.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1627.02 грн
2+952.51 грн
4+901.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.98 грн
10+299.16 грн
100+236.13 грн
480+235.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.38 грн
5+604.30 грн
10+552.22 грн
50+316.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+533.89 грн
50+409.71 грн
100+408.86 грн
200+392.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.42 грн
30+299.83 грн
120+251.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+422.50 грн
2400+387.94 грн
3600+362.86 грн
4800+331.77 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.53 грн
30+271.67 грн
120+226.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.53 грн
10+377.40 грн
100+265.74 грн
480+236.13 грн
1200+201.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.79 грн
30+279.23 грн
120+233.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+387.15 грн
12000+355.48 грн
18000+332.50 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.14 грн
10+324.01 грн
100+240.93 грн
480+204.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+344.24 грн
100+327.34 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+477.29 грн
50+464.62 грн
100+462.93 грн
200+445.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.91 грн
10+578.26 грн
100+390.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 33120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+346.96 грн
16800+318.58 грн
25200+297.98 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.32 грн
10+498.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.48 грн
30+260.92 грн
120+217.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+292.50 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.12 грн
10+266.02 грн
100+208.91 грн
480+185.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R1K0M1XKSA1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.33 грн
10+262.89 грн
30+238.46 грн
90+206.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.54 грн
10+305.60 грн
100+221.72 грн
480+196.10 грн
1200+168.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.86 грн
10+423.43 грн
100+307.36 грн
480+286.55 грн
1200+268.14 грн
2640+267.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R450M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 1000 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.63 грн
30+327.06 грн
120+292.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.63 грн
10+400.47 грн
100+340.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R650M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.03 грн
30+275.37 грн
120+243.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.06 грн
10+408.70 грн
25+335.38 грн
100+287.35 грн
240+271.35 грн
480+255.34 грн
1200+218.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFNHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN, ALU, ROPE, RI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFXHAmphenol PCDCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2574.58 грн
10+2276.38 грн
25+1681.70 грн
50+1644.88 грн
100+1604.06 грн
250+1546.43 грн
500+1523.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBCBGXHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN,BRASS, CORD, N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.