Продукція > IMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5388.42 грн
5+ 5052.25 грн
10+ 4715.34 грн
50+ 4300.14 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+5782.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 374 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+5388.75 грн
10+ 4813.98 грн
25+ 4041.56 грн
50+ 3897.05 грн
100+ 3753.21 грн
240+ 3716.59 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4560.62 грн
30+ 3842.73 грн
120+ 3568.25 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425447
товар відсутній
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4015.1 грн
10+ 3840.02 грн
25+ 3643.94 грн
50+ 3327.71 грн
100+ 2911 грн
Мінімальне замовлення: 3
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3728.31 грн
10+ 3565.73 грн
25+ 3383.65 грн
50+ 3090.02 грн
100+ 2703.07 грн
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2863.74 грн
10+ 2515.74 грн
25+ 2057.07 грн
50+ 1988.48 грн
100+ 1919.89 грн
240+ 1851.3 грн
480+ 1765.39 грн
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2416.82 грн
30+ 1929.34 грн
120+ 1808.76 грн
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3334.87 грн
50+ 3187.8 грн
100+ 3040.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425449
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2160.63 грн
IMW120R014M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2927.81 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R014M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1667.64 грн
30+ 1331.32 грн
120+ 1248.1 грн
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005448291
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1934.02 грн
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2082.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1811.79 грн
10+ 1586.79 грн
25+ 1287.25 грн
50+ 1247.3 грн
100+ 1207.34 грн
240+ 1126.1 грн
480+ 1035.53 грн
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.21 грн
25+ 1090.31 грн
50+ 1044.79 грн
100+ 928.75 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.15 грн
10+ 1140.31 грн
25+ 911 грн
50+ 905.01 грн
100+ 875.71 грн
240+ 853.06 грн
480+ 827.09 грн
IMW120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1134.5 грн
25+ 1122.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1862.38 грн
5+ 1789.92 грн
10+ 1717.45 грн
50+ 1478.93 грн
100+ 1257.59 грн
250+ 1151.94 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1173.37 грн
25+ 1145.45 грн
50+ 1103.17 грн
100+ 992.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1205.31 грн
25+ 1174.18 грн
50+ 1125.16 грн
100+ 1000.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1145 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.46 грн
25+ 1042.63 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1626.58 грн
10+ 1392.08 грн
100+ 1217.57 грн
500+ 975.05 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.33 грн
IMW120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.81 грн
25+ 1061.93 грн
50+ 1022.73 грн
100+ 919.89 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1507.61 грн
9+ 1351.98 грн
10+ 1313.08 грн
240+ 1191.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.47 грн
30+ 914.71 грн
120+ 860.91 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+803.34 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1537.57 грн
10+ 1433.3 грн
25+ 1366.38 грн
50+ 1252.3 грн
100+ 1098.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1427.74 грн
10+ 1330.92 грн
25+ 1268.78 грн
50+ 1162.85 грн
100+ 1019.94 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1450.52 грн
10+ 1259.78 грн
25+ 1066.16 грн
50+ 1006.23 грн
100+ 946.96 грн
240+ 916.99 грн
480+ 858.39 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1605.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.73 грн
5+ 1295.37 грн
10+ 1196.02 грн
50+ 1048.15 грн
100+ 910.54 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1172.83 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R045M1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1484.82 грн
10+ 1354.04 грн
100+ 1177.02 грн
480+ 989.36 грн
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 228
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1567.3 грн
5+ 1504.54 грн
10+ 1441.05 грн
50+ 1243.77 грн
100+ 1060.37 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1599.04 грн
10+ 1458.2 грн
100+ 1267.56 грн
480+ 1065.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.64 грн
10+ 1141.66 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.79 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1480.04 грн
10+ 1285.82 грн
25+ 1087.47 грн
50+ 1026.87 грн
100+ 966.94 грн
240+ 936.31 грн
480+ 875.71 грн
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1121.88 грн
10+ 952.69 грн
100+ 737.19 грн
480+ 569.37 грн
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.29 грн
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товар відсутній
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.73 грн
IMW120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.42 грн
10+ 595.05 грн
25+ 405.55 грн
100+ 385.58 грн
240+ 381.58 грн
480+ 354.94 грн
1200+ 346.29 грн
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.78 грн
5+ 704.46 грн
10+ 595.39 грн
50+ 515.41 грн
100+ 441.18 грн
250+ 413.65 грн
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.83 грн
30+ 479.57 грн
120+ 429.08 грн
IMW120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.65 грн
5+ 568.5 грн
10+ 479.6 грн
50+ 412.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.01 грн
10+ 476.63 грн
100+ 397.22 грн
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.19 грн
10+ 596.58 грн
25+ 424.2 грн
100+ 384.24 грн
240+ 359.61 грн
480+ 307.66 грн
1200+ 293.68 грн
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.29 грн
10+ 543.74 грн
25+ 435.52 грн
100+ 394.23 грн
240+ 364.93 грн
480+ 312.99 грн
1200+ 299.01 грн
IMW120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.71 грн
5+ 647.69 грн
10+ 591.66 грн
50+ 502.23 грн
100+ 419.41 грн
250+ 365.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.3 грн
30+ 340.2 грн
120+ 304.39 грн
510+ 252.05 грн
1020+ 226.84 грн
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+464.34 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.08 грн
10+ 466.18 грн
25+ 452.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 662mΩ
Drain current: 4.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 30W
Technology: CoolSiC™; SiC
Case: TO247
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.67 грн
10+ 447.24 грн
100+ 340.29 грн
480+ 281.02 грн
1200+ 271.7 грн
IMW120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 662mΩ
Drain current: 4.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 30W
Technology: CoolSiC™; SiC
Case: TO247
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.59 грн
5+ 386.97 грн
10+ 353.35 грн
50+ 308 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.45 грн
30+ 314.19 грн
120+ 281.11 грн
510+ 232.78 грн
1020+ 209.5 грн
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R020M2HXKSA1
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1274.16 грн
10+ 1153.33 грн
25+ 884.36 грн
50+ 883.7 грн
100+ 832.42 грн
240+ 817.77 грн
480+ 753.84 грн
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1517.77 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.75 грн
30+ 914.37 грн
120+ 860.57 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.2 грн
5+ 1122.06 грн
10+ 1030.92 грн
50+ 904.56 грн
100+ 760.7 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1250.85 грн
10+ 1086.71 грн
25+ 918.99 грн
50+ 868.38 грн
100+ 817.1 грн
240+ 791.13 грн
480+ 739.85 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1760.5 грн
10+ 1663.23 грн
50+ 1481.9 грн
100+ 1293.97 грн
240+ 1192.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.14 грн
30+ 897.76 грн
120+ 844.95 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1022.61 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.24 грн
10+ 843.2 грн
25+ 828.75 грн
50+ 771.22 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.11 грн
30+ 723.03 грн
120+ 680.49 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+895.2 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+979.19 грн
13+ 908.07 грн
25+ 892.5 грн
50+ 830.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.35 грн
5+ 1119.07 грн
10+ 1063.04 грн
50+ 921.9 грн
100+ 790.16 грн
250+ 707.56 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.89 грн
10+ 875.34 грн
25+ 740.52 грн
50+ 699.23 грн
100+ 658.61 грн
240+ 636.63 грн
480+ 596.01 грн
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.32 грн
25+ 513.87 грн
1200+ 438.19 грн
2640+ 418.21 грн
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.96 грн
5+ 817.27 грн
10+ 739.57 грн
50+ 656.22 грн
100+ 577.57 грн
250+ 528.91 грн
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Case: TO247
Mounting: THT
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.78 грн
30+ 416.23 грн
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1517.92 грн
10+ 1230.21 грн
11+ 1150.84 грн
50+ 985.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Case: TO247
Mounting: THT
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
товар відсутній
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.32 грн
30+ 557.35 грн
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.19 грн
10+ 851.6 грн
100+ 630.64 грн
480+ 524.09 грн
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.68 грн
5+ 844.16 грн
10+ 785.89 грн
50+ 672.87 грн
100+ 568.61 грн
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1353.64 грн
2+ 825.76 грн
4+ 780.81 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+698.46 грн
10+ 590.45 грн
25+ 446.84 грн
100+ 416.21 грн
240+ 402.23 грн
480+ 339.63 грн
2640+ 323.64 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+644.51 грн
10+ 617.34 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.4 грн
30+ 544.17 грн
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+644 грн
30+ 494.92 грн
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.61 грн
5+ 739.57 грн
10+ 686.53 грн
50+ 590.32 грн
100+ 501.37 грн
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.22 грн
10+ 596.58 грн
25+ 470.82 грн
100+ 432.19 грн
240+ 406.22 грн
480+ 380.92 грн
1200+ 342.96 грн
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.47 грн
30+ 407.03 грн
120+ 364.17 грн
510+ 301.56 грн
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.77 грн
5+ 616.31 грн
10+ 543.85 грн
50+ 465.46 грн
100+ 392.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.71 грн
10+ 526.89 грн
25+ 382.25 грн
100+ 346.95 грн
240+ 340.96 грн
480+ 279.03 грн
1200+ 261.71 грн
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товар відсутній
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товар відсутній
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+1832.77 грн
10+ 1582.2 грн
25+ 1359.17 грн
50+ 1273.93 грн
100+ 1231.31 грн
250+ 1163.39 грн
500+ 1129.43 грн
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товар відсутній
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товар відсутній
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товар відсутній
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товар відсутній
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товар відсутній
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товар відсутній