Продукція > IMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425447
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+3924.56 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3202.68 грн
30+2249.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3703.40 грн
25+3582.78 грн
50+3111.68 грн
240+2695.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3854.81 грн
5+3828.56 грн
10+3802.31 грн
50+2661.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1878.42 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2126.92 грн
10+2088.72 грн
25+1290.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2222.95 грн
5+1962.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425449
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2449.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1844.69 грн
30+1147.02 грн
120+1124.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1918.50 грн
50+1897.87 грн
100+1690.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005448291
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.29 грн
30+844.28 грн
120+792.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.69 грн
10+989.67 грн
100+829.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1676.74 грн
5+1368.49 грн
10+1060.24 грн
50+954.63 грн
100+852.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+908.71 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1020.75 грн
10+651.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+648.25 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+702.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.57 грн
5+888.33 грн
10+884.10 грн
50+631.44 грн
100+582.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+891.75 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.42 грн
10+856.52 грн
25+753.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+998.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.24 грн
30+537.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+603.60 грн
22+589.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+694.18 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+910.66 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.26 грн
30+575.58 грн
120+493.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.45 грн
10+849.90 грн
25+563.91 грн
100+486.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.72 грн
10+631.25 грн
25+602.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+833.41 грн
50+799.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.17 грн
3+279.29 грн
10+279.20 грн
25+267.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.68 грн
30+591.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.48 грн
10+877.49 грн
25+707.24 грн
50+681.08 грн
100+594.66 грн
240+546.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+858.53 грн
25+691.98 грн
100+619.76 грн
240+579.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+831.60 грн
5+770.62 грн
10+710.50 грн
50+603.13 грн
100+508.83 грн
250+508.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+626.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+753.89 грн
10+741.38 грн
25+498.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.08 грн
10+406.29 грн
100+331.40 грн
480+324.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.13 грн
5+701.18 грн
10+672.39 грн
50+434.07 грн
100+348.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.90 грн
30+387.36 грн
120+341.60 грн
510+304.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+518.92 грн
36+353.16 грн
50+337.15 грн
100+302.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.46 грн
10+381.93 грн
25+364.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.90 грн
10+333.36 грн
480+264.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.90 грн
30+305.08 грн
120+292.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+339.97 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.77 грн
10+558.26 грн
25+379.93 грн
50+362.72 грн
100+325.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+514.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.44 грн
5+519.96 грн
10+499.64 грн
50+327.91 грн
100+292.52 грн
250+291.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.93 грн
10+549.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.78 грн
10+676.27 грн
25+480.87 грн
100+435.58 грн
240+407.64 грн
480+348.76 грн
1200+332.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.60 грн
30+279.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.23 грн
10+616.37 грн
25+493.70 грн
100+446.90 грн
240+413.68 грн
480+354.80 грн
1200+338.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.67 грн
10+310.79 грн
100+243.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+492.41 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.28 грн
30+215.98 грн
120+198.36 грн
510+175.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.06 грн
30+236.25 грн
120+198.03 грн
510+158.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+246.67 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+250.64 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.99 грн
10+339.44 грн
25+224.96 грн
240+224.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.71 грн
10+373.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+360.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2151.67 грн
1440+2018.47 грн
2160+1915.42 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2161.27 грн
10+1430.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2302.56 грн
5+2295.78 грн
10+2289.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R007M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1944.08 грн
10+1790.60 грн
25+1749.34 грн
100+1648.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1946.76 грн
30+1215.75 грн
120+1202.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2082.94 грн
10+1918.50 грн
25+1874.29 грн
100+1766.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1641.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.38 грн
30+1088.20 грн
120+993.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1758.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1648.69 грн
10+1329.98 грн
100+1022.13 грн
480+1021.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1616.62 грн
5+1526.85 грн
10+1436.24 грн
50+1250.30 грн
100+1077.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1089.21 грн
50+1080.96 грн
200+915.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1337.80 грн
10+1293.52 грн
25+766.97 грн
100+719.42 грн
240+718.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.55 грн
5+1393.90 грн
10+1341.39 грн
50+898.80 грн
100+775.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1104.29 грн
3840+1028.96 грн
5760+971.87 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1137.57 грн
10+1113.44 грн
25+916.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.98 грн
30+825.64 грн
120+763.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+807.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.23 грн
10+648.49 грн
100+511.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1137.30 грн
5+1075.49 грн
10+1013.67 грн
50+703.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+897.52 грн
3360+836.29 грн
5040+789.90 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.66 грн
30+607.27 грн
120+521.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1138.72 грн
15+882.92 грн
100+874.67 грн
200+750.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R020M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+734.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.74 грн
30+557.52 грн
120+510.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.11 грн
10+739.65 грн
100+535.98 грн
480+477.09 грн
1200+406.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.83 грн
5+873.09 грн
10+816.35 грн
50+706.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+869.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+968.78 грн
10+584.25 грн
100+455.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.37 грн
5+991.65 грн
10+956.93 грн
50+628.29 грн
100+501.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+799.74 грн
149280+745.18 грн
223920+703.84 грн
298560+647.76 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.17 грн
10+1144.85 грн
25+710.03 грн
50+677.75 грн
100+551.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1039.70 грн
13+1023.20 грн
200+940.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.90 грн
30+519.75 грн
120+445.57 грн
510+415.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1056.83 грн
25+655.44 грн
50+625.64 грн
100+509.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+932.43 грн
200+858.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+736.09 грн
1920+685.88 грн
2880+647.82 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.12 грн
30+505.94 грн
120+433.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.87 грн
10+548.66 грн
100+418.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.87 грн
5+956.08 грн
10+926.44 грн
50+552.02 грн
100+442.78 грн
250+440.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+736.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.57 грн
10+617.24 грн
100+447.65 грн
480+397.83 грн
1200+338.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+632.00 грн
12000+580.29 грн
18000+542.77 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+801.96 грн
5+744.37 грн
10+686.79 грн
50+585.04 грн
100+490.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.80 грн
30+504.05 грн
120+451.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+691.48 грн
19+679.93 грн
50+679.11 грн
100+654.06 грн
200+556.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.20 грн
10+428.86 грн
100+327.63 грн
480+323.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.47 грн
5+532.66 грн
10+482.70 грн
50+401.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.64 грн
30+389.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+586.46 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.05 грн
30+405.44 грн
120+350.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.48 грн
10+521.62 грн
25+429.41 грн
50+395.57 грн
100+348.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+506.32 грн
26+486.84 грн
31+400.78 грн
50+369.20 грн
100+324.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.18 грн
10+440.14 грн
100+330.64 грн
480+325.36 грн
1200+300.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.19 грн
5+660.53 грн
10+608.03 грн
50+438.00 грн
100+369.46 грн
250+365.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1244.16 грн
20+1210.74 грн
50+1139.80 грн
100+1033.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+641.15 грн
50+360.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.62 грн
5+650.37 грн
10+623.27 грн
50+405.76 грн
100+317.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.51 грн
30+346.33 грн
120+299.34 грн
510+261.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.88 грн
10+398.47 грн
100+297.43 грн
480+289.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+493.69 грн
29+439.89 грн
36+349.46 грн
50+327.51 грн
100+294.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.36 грн
30+370.16 грн
120+330.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.81 грн
10+348.99 грн
100+278.56 грн
480+277.80 грн
1200+259.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+438.99 грн
50+359.77 грн
200+358.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.72 грн
5+563.15 грн
10+516.57 грн
50+349.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.96 грн
10+471.31 грн
25+374.42 грн
50+350.90 грн
100+315.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.06 грн
10+368.96 грн
100+320.08 грн
480+258.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+415.67 грн
100+395.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+541.30 грн
50+529.75 грн
100+528.93 грн
200+508.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.72 грн
5+608.88 грн
10+608.03 грн
50+386.88 грн
100+334.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+468.51 грн
960+430.18 грн
1440+402.36 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+323.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.33 грн
30+437.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.30 грн
30+344.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.43 грн
10+431.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+474.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.17 грн
30+319.44 грн
120+273.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.37 грн
10+388.05 грн
100+281.58 грн
480+250.63 грн
1200+223.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.66 грн
30+266.42 грн
120+235.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.04 грн
10+296.03 грн
100+227.22 грн
480+224.96 грн
1200+223.45 грн
2640+218.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1227.58 грн
2+898.33 грн
4+849.26 грн
30+847.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+412.70 грн
2400+378.94 грн
3600+354.44 грн
4800+324.07 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.04 грн
5+569.92 грн
10+520.81 грн
50+298.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+521.50 грн
50+400.20 грн
100+399.38 грн
200+383.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.06 грн
10+355.93 грн
100+250.63 грн
480+222.69 грн
1200+190.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+466.22 грн
50+453.84 грн
100+452.19 грн
200+435.24 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.84 грн
10+545.36 грн
100+368.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.81 грн
10+326.42 грн
100+271.76 грн
480+209.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+378.17 грн
12000+347.24 грн
18000+324.78 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+336.25 грн
100+319.75 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+285.71 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.23 грн
30+232.45 грн
120+203.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 33120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+338.91 грн
16800+311.18 грн
25200+291.07 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.46 грн
10+470.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.73 грн
10+263.91 грн
100+208.35 грн
480+187.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R1K0M1XKSA1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.89 грн
10+247.94 грн
30+224.90 грн
90+195.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.22 грн
10+399.34 грн
100+289.88 грн
480+270.25 грн
1200+252.89 грн
2640+252.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R450M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 1000 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.39 грн
30+308.46 грн
120+275.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R650M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.98 грн
30+259.71 грн
120+229.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.43 грн
10+377.69 грн
100+320.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.02 грн
10+385.45 грн
25+316.30 грн
100+271.01 грн
240+255.91 грн
480+240.81 грн
1200+206.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFNHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN, ALU, ROPE, RI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+2077.60 грн
10+1793.56 грн
25+1540.74 грн
50+1444.12 грн
100+1395.80 грн
250+1318.80 грн
500+1280.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBCBGXHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN,BRASS, CORD, N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.