Продукція > IMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425447
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3753.66 грн
25+3631.41 грн
50+3153.92 грн
240+2732.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3477.08 грн
30+2455.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3907.13 грн
5+3880.52 грн
10+3853.92 грн
50+2697.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+3840.66 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1838.26 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2253.12 грн
5+1988.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425449
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2482.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1877.48 грн
50+1857.30 грн
100+1654.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2155.79 грн
10+2117.07 грн
25+1308.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1980.63 грн
30+1235.97 грн
120+1183.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R014M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005448291
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1630.90 грн
25+1085.81 грн
240+943.42 грн
480+922.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1471.61 грн
30+895.88 грн
120+840.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1297.14 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R020M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1624.82 грн
5+1440.28 грн
10+1254.88 грн
50+993.89 грн
100+894.63 грн
250+860.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+889.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+634.39 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+687.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1034.60 грн
10+659.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.68 грн
5+900.39 грн
10+896.10 грн
50+640.01 грн
100+590.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+872.69 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.84 грн
10+838.21 грн
25+737.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+977.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.21 грн
30+616.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.44 грн
10+861.44 грн
25+571.56 грн
100+493.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+590.70 грн
22+576.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+679.34 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+923.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.66 грн
30+583.40 грн
120+500.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.89 грн
10+617.75 грн
25+589.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+815.60 грн
50+782.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.83 грн
3+273.32 грн
10+273.23 грн
25+261.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.82 грн
30+599.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.53 грн
10+858.73 грн
25+692.12 грн
50+666.52 грн
100+581.95 грн
240+534.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.12 грн
10+751.45 грн
25+504.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+840.18 грн
25+677.19 грн
100+606.51 грн
240+567.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+842.88 грн
5+781.08 грн
10+720.14 грн
50+611.32 грн
100+515.74 грн
250+515.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+613.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.02 грн
5+710.70 грн
10+681.52 грн
50+439.96 грн
100+353.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.09 грн
10+411.80 грн
100+335.90 грн
480+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.46 грн
30+392.61 грн
120+346.24 грн
510+309.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+507.83 грн
36+345.61 грн
50+329.94 грн
100+295.90 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.29 грн
10+373.77 грн
25+356.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.92 грн
30+309.22 грн
120+296.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+332.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.77 грн
10+546.33 грн
25+371.81 грн
50+354.96 грн
100+318.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.07 грн
10+491.87 грн
25+317.53 грн
100+302.23 грн
240+295.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+503.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.76 грн
5+527.02 грн
10+506.42 грн
50+332.36 грн
100+296.49 грн
250+295.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.52 грн
10+685.45 грн
25+487.40 грн
100+441.49 грн
240+413.18 грн
480+353.50 грн
1200+337.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.82 грн
10+557.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.82 грн
30+283.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.63 грн
10+449.77 грн
100+230.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+481.89 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.13 грн
10+624.74 грн
25+500.40 грн
100+452.96 грн
240+419.30 грн
480+359.62 грн
1200+343.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.60 грн
30+218.92 грн
120+201.06 грн
510+177.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.20 грн
10+344.05 грн
25+228.01 грн
240+227.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.98 грн
30+239.45 грн
120+200.72 грн
510+160.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+241.40 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+245.28 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.13 грн
10+378.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+352.82 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMW120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2105.67 грн
1440+1975.32 грн
2160+1874.47 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2333.81 грн
5+2326.94 грн
10+2320.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R007M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1902.52 грн
10+1752.32 грн
25+1711.94 грн
100+1613.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2190.60 грн
10+1450.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2068.37 грн
30+1294.82 грн
120+1286.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2038.41 грн
10+1877.48 грн
25+1834.22 грн
100+1728.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1606.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1671.07 грн
10+1348.03 грн
100+1036.00 грн
480+1035.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1555.21 грн
30+1102.97 грн
120+1007.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1720.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1638.56 грн
5+1547.58 грн
10+1455.73 грн
50+1267.27 грн
100+1091.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1065.93 грн
50+1057.85 грн
200+895.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.18 грн
5+1412.82 грн
10+1359.60 грн
50+911.00 грн
100+785.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1080.68 грн
3840+1006.96 грн
5760+951.10 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.25 грн
10+1089.63 грн
25+896.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1355.96 грн
10+1311.07 грн
25+777.39 грн
100+729.18 грн
240+728.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.53 грн
30+836.85 грн
120+773.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+789.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.74 грн
5+1090.08 грн
10+1027.42 грн
50+713.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+878.33 грн
3360+818.41 грн
5040+773.01 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1090.84 грн
10+657.30 грн
100+518.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.46 грн
30+615.52 грн
120+528.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1114.38 грн
15+864.05 грн
100+855.97 грн
200+734.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R020M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+718.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.44 грн
10+713.61 грн
100+537.13 грн
480+507.29 грн
1200+431.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.17 грн
30+565.43 грн
120+523.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.45 грн
5+884.94 грн
10+827.43 грн
50+716.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+851.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.30 грн
5+1005.11 грн
10+969.92 грн
50+636.82 грн
100+508.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+782.64 грн
149280+729.25 грн
223920+688.79 грн
298560+633.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.24 грн
10+1120.37 грн
25+694.85 грн
50+663.26 грн
100+539.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.93 грн
10+592.18 грн
100+461.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1017.48 грн
13+1001.32 грн
200+920.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.73 грн
30+545.46 грн
120+472.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1034.24 грн
25+641.43 грн
50+612.27 грн
100+498.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+912.50 грн
200+839.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.41 грн
10+556.11 грн
100+424.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+720.36 грн
1920+671.22 грн
2880+633.98 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.96 грн
30+512.81 грн
120+439.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.24 грн
5+969.06 грн
10+939.02 грн
50+559.51 грн
100+448.79 грн
250+446.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+721.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+618.49 грн
12000+567.89 грн
18000+531.17 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+812.84 грн
5+754.48 грн
10+696.11 грн
50+592.99 грн
100+497.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.43 грн
10+644.98 грн
100+467.50 грн
480+416.24 грн
1200+354.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.09 грн
30+510.89 грн
120+457.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+676.70 грн
19+665.40 грн
50+664.59 грн
100+640.07 грн
200+544.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.39 грн
5+539.89 грн
10+489.25 грн
50+407.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.30 грн
10+434.68 грн
100+332.07 грн
480+328.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.15 грн
30+395.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+573.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.99 грн
10+446.12 грн
100+335.13 грн
480+329.78 грн
1200+304.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.84 грн
30+410.95 грн
120+355.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.89 грн
10+510.47 грн
25+420.23 грн
50+387.12 грн
100+340.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+495.49 грн
26+476.44 грн
31+392.21 грн
50+361.31 грн
100+318.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.86 грн
5+669.50 грн
10+616.28 грн
50+443.94 грн
100+374.48 грн
250+370.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1217.56 грн
20+1184.86 грн
50+1115.44 грн
100+1011.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+627.44 грн
50+352.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.31 грн
10+403.88 грн
100+301.47 грн
480+293.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.81 грн
5+659.20 грн
10+631.73 грн
50+411.26 грн
100+322.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.45 грн
30+372.24 грн
120+319.59 грн
510+280.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+483.14 грн
29+430.49 грн
36+341.98 грн
50+320.50 грн
100+288.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.28 грн
30+375.19 грн
120+334.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+429.60 грн
50+352.08 грн
200+351.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.05 грн
10+353.73 грн
100+282.34 грн
480+281.57 грн
1200+263.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.00 грн
5+570.79 грн
10+523.58 грн
50+354.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.65 грн
10+461.24 грн
25+366.41 грн
50+343.40 грн
100+308.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+406.79 грн
100+386.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+529.73 грн
50+518.43 грн
100+517.62 грн
200+497.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.77 грн
10+373.96 грн
100+324.42 грн
480+262.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.00 грн
5+617.14 грн
10+616.28 грн
50+392.14 грн
100+339.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+458.49 грн
960+420.98 грн
1440+393.76 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+316.31 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.71 грн
30+442.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.90 грн
30+336.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.02 грн
10+404.76 грн
100+293.81 грн
480+260.91 грн
1200+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.60 грн
10+436.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+464.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.89 грн
30+323.78 грн
120+277.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.87 грн
2+758.77 грн
4+717.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.44 грн
30+263.42 грн
120+253.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+403.87 грн
2400+370.84 грн
3600+346.86 грн
4800+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.88 грн
10+273.65 грн
100+231.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1244.24 грн
2+945.54 грн
4+860.79 грн
30+827.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.44 грн
5+577.66 грн
10+527.88 грн
50+302.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+510.35 грн
50+391.65 грн
100+390.84 грн
200+375.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+456.25 грн
50+444.14 грн
100+442.52 грн
200+425.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.75 грн
10+330.85 грн
100+275.45 грн
480+211.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.51 грн
10+552.77 грн
100+373.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+370.09 грн
12000+339.81 грн
18000+317.84 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+329.06 грн
100+312.91 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+279.60 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.78 грн
30+245.11 грн
120+215.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 33120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+331.66 грн
16800+304.53 грн
25200+284.84 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.97 грн
10+267.49 грн
100+211.18 грн
480+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.96 грн
10+476.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R1K0M1XKSA1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.49 грн
10+251.30 грн
30+227.95 грн
90+197.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.67 грн
10+424.12 грн
100+306.82 грн
480+270.86 грн
1200+243.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R650M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.43 грн
10+355.63 грн
30+319.47 грн
120+269.58 грн
270+256.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.32 грн
10+382.82 грн
100+325.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.33 грн
10+390.68 грн
25+320.59 грн
100+274.69 грн
240+259.38 грн
480+244.08 грн
1200+208.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFNHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN, ALU, ROPE, RI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+2105.80 грн
10+1817.90 грн
25+1561.66 грн
50+1463.72 грн
100+1414.75 грн
250+1336.70 грн
500+1297.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBCBGXHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN,BRASS, CORD, N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.