Продукція > IMW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMW120R007M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R020M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon | N-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R030M1H | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 Код товару: 164203
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1H | Infineon | COOLSIC MOSFETS 1200V Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R045M1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 1200V 3-Pin TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R045M1 | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW120R045M1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon | N-Channel 1.2kV 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 Код товару: 172225
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R060M1H | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001808368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001808368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R090M1H | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Eupec | COOLSIC MOSFETS 1200V Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 Код товару: 182112
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon | SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001946184 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R140M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R220M1H | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R220M1H | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V | на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R011M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW40R011M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R011M2HXKSA1 IMW40R011M2H | Infineon | N-Channel 400 V 104A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW40R015M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 94 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R015M2HXKSA1 IMW40R015M2H | Infineon | N-Channel 400 V 94A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U06 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW40R025M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R025M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R036M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW40R036M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW40R036M2HXKSA1 IMW40R036M2H | Infineon | N-Channel 400 V 46A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U06 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW40R045M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW40R045M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R010M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 440W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R026M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 Код товару: 193216
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 298800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R033M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1H | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1H | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R060M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R075M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 139mΩ Drain current: 13A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 75W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 33120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R1K0M1XKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R1K0M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMWH170R1K0M1XKSA1 Packaging: Tray Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): 15V, 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R450M1XKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWH170R450M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMWH170R450M1XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): 15V, 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 1000 V | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R650M1XKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R650M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMWH170R650M1XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): 15V, 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWH170R650M1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWPACBFNH | Amphenol PCD | Description: CAP, MW PLUG CONN, ALU, ROPE, RI Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPACBFXH | Amphenol PCD | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Nickel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPAWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPAWSXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IMWPBCBGXH | Amphenol PCD | Description: CAP, MW PLUG CONN,BRASS, CORD, N Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWFNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWGNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWGXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWSNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWPBWSXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWRAWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWRAWGNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IMWRBWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |