Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.11 грн
10+220.28 грн
100+147.52 грн
250+144.58 грн
500+143.85 грн
800+143.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild fdd2670-d.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.24 грн
10+120.69 грн
100+77.79 грн
500+63.56 грн
1000+60.69 грн
2500+55.56 грн
5000+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild fdmc2523p-d.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.73 грн
10+90.31 грн
100+60.69 грн
250+60.55 грн
500+57.69 грн
1000+56.29 грн
3000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF FQA13N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.85 грн
10+119.38 грн
100+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.40 грн
10+465.89 грн
30+320.72 грн
120+270.08 грн
270+255.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.59 грн
3+393.71 грн
7+372.31 грн
30+364.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.48 грн
10+602.61 грн
30+338.33 грн
120+300.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 onsemi / Fairchild fqa40n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.63 грн
10+281.89 грн
30+174.67 грн
120+151.19 грн
510+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild fqa70n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.98 грн
30+113.10 грн
120+96.88 грн
510+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild fqa8n100c-d.pdf MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.45 грн
10+241.38 грн
30+187.15 грн
120+184.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.90 грн
5+108.56 грн
11+83.33 грн
30+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 18844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.23 грн
10+134.20 грн
100+86.60 грн
500+65.61 грн
800+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.97 грн
5+94.03 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild fqb19n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.43 грн
10+106.34 грн
100+65.54 грн
250+65.46 грн
500+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild fqb19n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.61 грн
10+151.92 грн
100+90.27 грн
800+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.19 грн
10+104.73 грн
12+77.98 грн
32+74.16 грн
500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild fqb22p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 44854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.53 грн
10+135.88 грн
25+116.69 грн
100+85.13 грн
500+71.12 грн
800+59.59 грн
2400+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild fqb27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.35 грн
10+140.95 грн
25+114.49 грн
100+84.40 грн
500+81.46 грн
800+60.84 грн
2400+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.65 грн
5+171.25 грн
7+131.49 грн
19+124.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10CN-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.54 грн
10+182.30 грн
100+129.17 грн
800+99.08 грн
2400+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi / Fairchild FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.43 грн
10+104.66 грн
100+77.79 грн
500+71.85 грн
800+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.15 грн
500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.72 грн
10+124.32 грн
100+97.15 грн
500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.69 грн
6+159.78 грн
16+151.37 грн
50+149.08 грн
100+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild fqb47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.12 грн
10+216.06 грн
100+146.05 грн
500+135.77 грн
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild fqi4n80-d.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.25 грн
10+124.07 грн
25+107.15 грн
100+84.40 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.54 грн
10+98.62 грн
25+93.27 грн
250+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.83 грн
10+134.20 грн
50+113.61 грн
100+86.39 грн
250+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.39 грн
250+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003590373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.95 грн
10+136.73 грн
100+88.80 грн
500+82.93 грн
800+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.06 грн
5+164.37 грн
8+126.91 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild fqb5n90-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.81 грн
10+167.11 грн
100+117.43 грн
800+104.95 грн
2400+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.98 грн
10+56.34 грн
23+40.59 грн
61+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.14 грн
50+83.15 грн
100+56.97 грн
500+42.51 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.97 грн
500+42.51 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.04 грн
10+50.00 грн
33+27.67 грн
89+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 27383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.75 грн
10+64.73 грн
25+54.97 грн
100+36.48 грн
500+28.77 грн
1000+26.13 грн
2500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.69 грн
10+39.91 грн
39+23.47 грн
105+22.17 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.69 грн
10+50.13 грн
25+43.52 грн
100+29.87 грн
500+23.71 грн
1000+21.28 грн
2500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.39 грн
10+43.42 грн
42+21.48 грн
115+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild fqu13n10l-d.pdf c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 241336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.83 грн
10+52.16 грн
100+30.46 грн
250+30.09 грн
500+24.66 грн
1000+21.94 грн
2500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi / Fairchild FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
10+41.02 грн
100+31.63 грн
500+30.16 грн
1000+27.01 грн
2500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.86 грн
10+52.06 грн
24+38.99 грн
64+36.70 грн
500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.15 грн
50+62.98 грн
100+49.81 грн
500+39.75 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
500+39.75 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi / Fairchild FQU17P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 18988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.32 грн
10+75.45 грн
25+63.78 грн
100+46.68 грн
500+36.70 грн
1000+33.47 грн
2500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.21 грн
10+71.10 грн
19+48.93 грн
51+45.87 грн
500+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild fqd18n20v2-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 26179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.74 грн
10+85.24 грн
100+54.31 грн
500+46.24 грн
1000+42.57 грн
2500+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+57.18 грн
25+36.85 грн
67+34.78 грн
500+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.31 грн
10+73.34 грн
100+45.21 грн
500+36.77 грн
1000+32.81 грн
2500+29.06 грн
5000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.11 грн
10+220.28 грн
100+147.52 грн
250+144.58 грн
500+143.85 грн
800+143.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 fdd2670-d.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.24 грн
10+120.69 грн
100+77.79 грн
500+63.56 грн
1000+60.69 грн
2500+55.56 грн
5000+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+90.31 грн
100+60.69 грн
250+60.55 грн
500+57.69 грн
1000+56.29 грн
3000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA13N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.85 грн
10+119.38 грн
100+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.40 грн
10+465.89 грн
30+320.72 грн
120+270.08 грн
270+255.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.59 грн
3+393.71 грн
7+372.31 грн
30+364.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.48 грн
10+602.61 грн
30+338.33 грн
120+300.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.63 грн
10+281.89 грн
30+174.67 грн
120+151.19 грн
510+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.98 грн
30+113.10 грн
120+96.88 грн
510+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.45 грн
10+241.38 грн
30+187.15 грн
120+184.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.90 грн
5+108.56 грн
11+83.33 грн
30+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 18844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.23 грн
10+134.20 грн
100+86.60 грн
500+65.61 грн
800+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.97 грн
5+94.03 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.43 грн
10+106.34 грн
100+65.54 грн
250+65.46 грн
500+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.61 грн
10+151.92 грн
100+90.27 грн
800+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.19 грн
10+104.73 грн
12+77.98 грн
32+74.16 грн
500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 44854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.53 грн
10+135.88 грн
25+116.69 грн
100+85.13 грн
500+71.12 грн
800+59.59 грн
2400+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.35 грн
10+140.95 грн
25+114.49 грн
100+84.40 грн
500+81.46 грн
800+60.84 грн
2400+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.65 грн
5+171.25 грн
7+131.49 грн
19+124.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.54 грн
10+182.30 грн
100+129.17 грн
800+99.08 грн
2400+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB44N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.43 грн
10+104.66 грн
100+77.79 грн
500+71.85 грн
800+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.15 грн
500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.72 грн
10+124.32 грн
100+97.15 грн
500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.69 грн
6+159.78 грн
16+151.37 грн
50+149.08 грн
100+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.12 грн
10+216.06 грн
100+146.05 грн
500+135.77 грн
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.25 грн
10+124.07 грн
25+107.15 грн
100+84.40 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.54 грн
10+98.62 грн
25+93.27 грн
250+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.83 грн
10+134.20 грн
50+113.61 грн
100+86.39 грн
250+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.39 грн
250+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM ONSM-S-A0003590373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.95 грн
10+136.73 грн
100+88.80 грн
500+82.93 грн
800+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.06 грн
5+164.37 грн
8+126.91 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.81 грн
10+167.11 грн
100+117.43 грн
800+104.95 грн
2400+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
10+56.34 грн
23+40.59 грн
61+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.14 грн
50+83.15 грн
100+56.97 грн
500+42.51 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.97 грн
500+42.51 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.04 грн
10+50.00 грн
33+27.67 грн
89+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 27383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.75 грн
10+64.73 грн
25+54.97 грн
100+36.48 грн
500+28.77 грн
1000+26.13 грн
2500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.69 грн
10+39.91 грн
39+23.47 грн
105+22.17 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.69 грн
10+50.13 грн
25+43.52 грн
100+29.87 грн
500+23.71 грн
1000+21.28 грн
2500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.39 грн
10+43.42 грн
42+21.48 грн
115+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 241336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.83 грн
10+52.16 грн
100+30.46 грн
250+30.09 грн
500+24.66 грн
1000+21.94 грн
2500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD13N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.66 грн
10+41.02 грн
100+31.63 грн
500+30.16 грн
1000+27.01 грн
2500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.86 грн
10+52.06 грн
24+38.99 грн
64+36.70 грн
500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.15 грн
50+62.98 грн
100+49.81 грн
500+39.75 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
500+39.75 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 18988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+75.45 грн
25+63.78 грн
100+46.68 грн
500+36.70 грн
1000+33.47 грн
2500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.21 грн
10+71.10 грн
19+48.93 грн
51+45.87 грн
500+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 26179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.74 грн
10+85.24 грн
100+54.31 грн
500+46.24 грн
1000+42.57 грн
2500+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.03 грн
10+57.18 грн
25+36.85 грн
67+34.78 грн
500+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM ONSM-S-A0003584396-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD19N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.31 грн
10+73.34 грн
100+45.21 грн
500+36.77 грн
1000+32.81 грн
2500+29.06 грн
5000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]