Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 38 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SS387,L3F 1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387.pdf Description: DIODE STANDARD 80V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 92048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
48+6.68 грн
100+4.38 грн
500+3.30 грн
1000+3.01 грн
2000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,H3F 1SS389,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389(TL3,F,D) 1SS389(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS405,H3F 1SS405,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22692&prodName=1SS405 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 30717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
47+6.76 грн
100+5.37 грн
500+3.26 грн
1000+2.97 грн
2000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416,L3M 1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=344&prodName=1SS416 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 31315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.88 грн
38+8.34 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.11 грн
2000+2.98 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF 2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF 2SA1586SU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-Y,LF 2SA1586SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586_datasheet_en_20210706.pdf?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF 2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
42+7.63 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 2SC2712S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 6473.pdf Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-GR,LF 2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
49+6.45 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116SU-Y,LF 2SC4116SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8FS,L3M DF2S6.8FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22219&prodName=DF2S6.8FS Description: TVS DIODE 5VWM 9VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 462549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
64+4.95 грн
174+1.82 грн
500+1.57 грн
1000+1.43 грн
2000+1.40 грн
5000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF RN1302SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
40+7.94 грн
100+4.93 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404S,LF RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF RN1405S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
37+8.57 грн
100+5.30 грн
500+3.63 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF RN2402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LF SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11220&prodName=SSM3K36FS Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
34+9.28 грн
100+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
15+21.39 грн
100+15.15 грн
500+11.43 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LF SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF TC7SB3157CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9306FC(TE85L TC7WPB9306FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 CST8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L TC7WPB9307FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FK(T5L,F TC7WPB9307FK(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9306FK_datasheet_en_20220907.pdf?did=12388&prodName=TC7WPB9306FK Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MB3125CFK-EL(M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6994&prodName=TC7MB3125CFK Description: IC BUS SWITCH LOCAP QUAD 14VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MB3125CFT-EL(M) TC7MB3125CFT-EL(M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6994&prodName=TC7MB3125CFK Description: IC BUS SWITCH LOCAP QUAD 14TSSOP
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK-EL TC7MBL3257CFK-EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11481&prodName=TC7MBL3257CFK Description: IC MUX/DEMUX QUAD 1:2 16VSSOP
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB221FT(EL,M) TC7USB221FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22004&prodName=TC7USB221FT Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 14-TSSOP
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS352(TH3,F,D) 1SS352(TH3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SWITCHING 80V 0.1A USC
на замовлення 61303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389(TL3,F,D) 1SS389(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF 2SA1586SU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 2SC2712S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 6473.pdf Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF RN1302SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF RN1405S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF RN2402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF TC7SB3157CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L TC7WPB9307FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.53 грн
50+172.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12796&prodName=TK22E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11929&prodName=TK40E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.64 грн
50+134.59 грн
100+122.35 грн
500+107.94 грн
1000+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.75 грн
50+177.84 грн
100+169.94 грн
500+142.15 грн
1000+140.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF 1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13102&prodName=CES388 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7074&prodName=CES520 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.50 грн
16000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.32 грн
16000+1.94 грн
24000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+2.36 грн
9000+2.31 грн
15000+2.05 грн
21000+2.04 грн
30000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS387,L3F 1SS387.pdf
1SS387,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 92048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
48+6.68 грн
100+4.38 грн
500+3.30 грн
1000+3.01 грн
2000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,H3F
1SS389,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389(TL3,F,D) 1SS389_en_datasheet_071101.pdf
1SS389(TL3,F,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS405,H3F docget.jsp?did=22692&prodName=1SS405
1SS405,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 30717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
47+6.76 грн
100+5.37 грн
500+3.26 грн
1000+2.97 грн
2000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416,L3M docget.jsp?did=344&prodName=1SS416
1SS416,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 31315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
38+8.34 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.11 грн
2000+2.98 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162S-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586
2SA1586SU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-Y,LF 2SA1586_datasheet_en_20210706.pdf?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586SU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
42+7.63 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 6473.pdf
2SC2712S-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-GR,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
49+6.45 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116SU-Y,LF 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116SU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL4,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8FS,L3M docget.jsp?did=22219&prodName=DF2S6.8FS
DF2S6.8FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 462549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.35 грн
64+4.95 грн
174+1.82 грн
500+1.57 грн
1000+1.43 грн
2000+1.40 грн
5000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF
DF3A6.8LSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302
RN1302SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1401,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
40+7.94 грн
100+4.93 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404S,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1404S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401
RN1405S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1406,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
37+8.57 грн
100+5.30 грн
500+3.63 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LF
SSM3K17SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF docget.jsp?did=11220&prodName=SSM3K36FS
SSM3K36FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
34+9.28 грн
100+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF SSM3K7002BS.pdf
SSM3K7002BS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU
SSM6J501NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.93 грн
15+21.39 грн
100+15.15 грн
500+11.43 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LF SSM6N7002BFU.pdf
SSM6N7002BFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU
TC7SB3157CFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9306FC(TE85L
TC7WPB9306FC(TE85L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 CST8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK
TC7WPB9307FC(TE85L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FK(T5L,F TC7WPB9306FK_datasheet_en_20220907.pdf?did=12388&prodName=TC7WPB9306FK
TC7WPB9307FK(T5L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MB3125CFK-EL(M) docget.jsp?did=6994&prodName=TC7MB3125CFK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH LOCAP QUAD 14VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MB3125CFT-EL(M) docget.jsp?did=6994&prodName=TC7MB3125CFK
TC7MB3125CFT-EL(M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH LOCAP QUAD 14TSSOP
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK-EL docget.jsp?did=11481&prodName=TC7MBL3257CFK
TC7MBL3257CFK-EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX QUAD 1:2 16VSSOP
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB221FT(EL,M) docget.jsp?did=22004&prodName=TC7USB221FT
TC7USB221FT(EL,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 14-TSSOP
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS352(TH3,F,D) 1SS352_en_datasheet_071101.pdf
1SS352(TH3,F,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SWITCHING 80V 0.1A USC
на замовлення 61303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389(TL3,F,D) 1SS389_en_datasheet_071101.pdf
1SS389(TL3,F,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586
2SA1586SU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 6473.pdf
2SC2712S-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL4,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF
DF3A6.8LSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302
RN1302SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401
RN1405S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU
TC7SB3157CFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK
TC7WPB9307FC(TE85L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1
TK100E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.53 грн
50+172.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X docget.jsp?did=12796&prodName=TK22E10N1
TK22E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X TK40E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11929&prodName=TK40E10N1
TK40E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1
TK65E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.64 грн
50+134.59 грн
100+122.35 грн
500+107.94 грн
1000+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1
TK100E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.75 грн
50+177.84 грн
100+169.94 грн
500+142.15 грн
1000+140.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF
1SS393SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F docget.jsp?did=13102&prodName=CES388
CES388,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F docget.jsp?did=7074&prodName=CES520
CES520,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.50 грн
16000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521
CES521,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.32 грн
16000+1.94 грн
24000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU
SSM6P49NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.07 грн
6000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30
CUS551V30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
6000+2.36 грн
9000+2.31 грн
15000+2.05 грн
21000+2.04 грн
30000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU
TC75S63TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]