Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 39 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SS389(TL3,F,D) 1SS389(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF 2SA1586SU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 2SC2712S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 6473.pdf Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF RN1302SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF RN1405S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF RN2402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF TC7SB3157CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L TC7WPB9307FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.48 грн
50+180.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK22E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12796&prodName=TK22E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
50+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11929&prodName=TK40E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.58 грн
50+131.17 грн
100+119.23 грн
500+105.20 грн
1000+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.26 грн
50+184.58 грн
100+164.39 грн
500+148.97 грн
1000+147.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF 1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13102&prodName=CES388 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7074&prodName=CES520 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.46 грн
16000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.26 грн
16000+1.89 грн
24000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.76 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+2.30 грн
9000+2.25 грн
15000+1.99 грн
30000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M1ACT,L3F DF2B6.8M1ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT_datasheet_en_20180202.pdf?did=13209&prodName=DF2B6.8M1ACT Description: TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.26 грн
20000+2.92 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH TC7LX1104WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M2SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SC2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 22560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
6000+4.24 грн
9000+3.75 грн
15000+3.45 грн
21000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.45 грн
9000+2.02 грн
15000+1.89 грн
21000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R_datasheet_en_20211022.pdf?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
6000+5.41 грн
9000+5.15 грн
15000+4.56 грн
21000+4.40 грн
30000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
15000+3.40 грн
21000+3.26 грн
30000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF 1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
17+18.93 грн
100+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13102&prodName=CES388 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 23038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
21+15.10 грн
100+6.65 грн
500+5.71 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH TC7LX1104WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R_datasheet_en_20211022.pdf?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 49703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
21+14.64 грн
100+9.86 грн
500+7.15 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
11+28.74 грн
100+19.57 грн
500+13.77 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.41 грн
100+8.38 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389(TL3,F,D) 1SS389_en_datasheet_071101.pdf
1SS389(TL3,F,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 0.1A ESC
на замовлення 37125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586SU-GR,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586
2SA1586SU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712S-Y,LF 6473.pdf
2SC2712S-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8FS(TPL4,D) DF2B6.8FS.pdf
DF2B6.8FS(TPL4,D)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 8.5VC FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LSU,LF
DF3A6.8LSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302SU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302
RN1302SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 10784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401
RN1405S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402S,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157CFU,LF docget.jsp?did=2603&prodName=TC7SB3157CFU
TC7SB3157CFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX SGL 1:2 US6
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPB9307FC(TE85L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPB9306FK
TC7WPB9307FC(TE85L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E08N1,S1X docget.jsp?did=12754&prodName=TK100E08N1
TK100E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.48 грн
50+180.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X TK22E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12796&prodName=TK22E10N1
TK22E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.88 грн
50+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E10N1,S1X TK40E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11929&prodName=TK40E10N1
TK40E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1
TK65E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.58 грн
50+131.17 грн
100+119.23 грн
500+105.20 грн
1000+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1
TK100E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.26 грн
50+184.58 грн
100+164.39 грн
500+148.97 грн
1000+147.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF
1SS393SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F docget.jsp?did=13102&prodName=CES388
CES388,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F docget.jsp?did=7074&prodName=CES520
CES520,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.46 грн
16000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521
CES521,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.26 грн
16000+1.89 грн
24000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU
SSM6P49NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.76 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30
CUS551V30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.61 грн
6000+2.30 грн
9000+2.25 грн
15000+1.99 грн
30000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU
TC75S63TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M1ACT,L3F DF2B6.8M1ACT_datasheet_en_20180202.pdf?did=13209&prodName=DF2B6.8M1ACT
DF2B6.8M1ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.26 грн
20000+2.92 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH
TC7LX1104WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC.pdf
DF2B6.8M2SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SC2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf
TC7LX1108WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf
DSF01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK
TC7WBD125AFKT5LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R
SSM3J332R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 22560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.78 грн
6000+4.24 грн
9000+3.75 грн
15000+3.45 грн
21000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS
SSM3K15AFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.62 грн
6000+2.45 грн
9000+2.02 грн
15000+1.89 грн
21000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R
SSM3K329R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R_datasheet_en_20211022.pdf?did=6736&prodName=SSM3K333R
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.13 грн
6000+5.41 грн
9000+5.15 грн
15000+4.56 грн
21000+4.40 грн
30000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
SSM6N15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
15000+3.40 грн
21000+3.26 грн
30000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF
1SS393SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
17+18.93 грн
100+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F docget.jsp?did=13102&prodName=CES388
CES388,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R
SSM3J332R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 23038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
21+15.10 грн
100+6.65 грн
500+5.71 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH
TC7LX1104WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R_datasheet_en_20211022.pdf?did=6736&prodName=SSM3K333R
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 49703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+14.64 грн
100+9.86 грн
500+7.15 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf
TC7LX1108WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+28.74 грн
100+19.57 грн
500+13.77 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
SSM6N15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.41 грн
100+8.38 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK
TC7WBD125AFKT5LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]