Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 39 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
11+27.98 грн
100+19.06 грн
500+13.41 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.66 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7074&prodName=CES520 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: CST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 34239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
25+12.09 грн
100+6.60 грн
500+3.81 грн
1000+2.60 грн
2000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.92 грн
500+13.48 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USC
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
на замовлення 50866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
36+8.36 грн
100+4.63 грн
500+3.61 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13393&prodName=TC75S63TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Current - Output / Channel: 4 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Input Offset: 1 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Slew Rate: 1V/µs
Current - Supply: 500µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
24+12.91 грн
27+11.43 грн
100+9.22 грн
250+8.50 грн
500+8.06 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M2SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC58DVG02D5TA00 TC58DVG02D5TA00 Toshiba Semiconductor and Storage NAND_Flash_Memory(SLC_Middle_Capacity)_Web.pdf Description: IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG4S0FTA20 TH58NVG4S0FTA20 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15002&prodName=TH58NVG4S0FTA20 Description: IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13210&prodName=TK30E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
50+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E06N1,S1X TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13463&prodName=TK40E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13212&prodName=TK58E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13459&prodName=TK100E06N1 Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X TK46E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13151&prodName=TK46E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13153&prodName=TK72E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.33 грн
10+157.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12872&prodName=TK34E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4X TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13486&prodName=TK10A60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4X TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13490&prodName=TK16A60W Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.31 грн
100+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+86.63 грн
100+58.53 грн
500+43.64 грн
1000+40.01 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.68 грн
10+109.54 грн
100+74.81 грн
500+56.27 грн
1000+51.79 грн
2000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.08 грн
10+117.98 грн
100+81.29 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2565&prodName=SSM3K15AMFV Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 76953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
28+10.75 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
2000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2565&prodName=SSM3K15AMFV Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.19 грн
16000+2.78 грн
24000+2.64 грн
40000+2.32 грн
56000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFNG,C8,EL TB62218AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13037&prodName=TB62218AFNG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48HTSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6643KQ,8 TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12679&prodName=TB6643KQ Description: IC MOTOR DRIVER 10V-45V 7HSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Exposed Tab
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 45V
Applications: General Purpose
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 10V ~ 45V
Supplier Device Package: 7-HSIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.27 грн
10+209.98 грн
25+193.12 грн
100+163.83 грн
250+155.53 грн
500+150.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6674PG TB6674PG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674F_P_Rev_07_2010_ds.pdf Description: IC MOTOR DRIVER PAR 16DIP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FG,8,EL TB62208FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7125&prodName=TB62208FG Description: IC MTR DRV BIPLR 4.5-5.5V 28HSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,8,EL TB62218AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13039&prodName=TB62218AFTG Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FNG,C8,EL TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB62208FNG Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48HTSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FTG,8,EL TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB62208FTG Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62212FNG,C8,EL TB62212FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FNG.pdf Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48HTSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6552FTG,8,EL TB6552FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 16WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: PWM, Serial
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 13.5V
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf
TC7LX1108WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
11+27.98 грн
100+19.06 грн
500+13.41 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
SSM6N15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.66 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK
TC7WBD125AFKT5LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf
DSF01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F docget.jsp?did=7074&prodName=CES520
CES520,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: CST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS
SSM3K15AFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 34239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521
CES521,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
25+12.09 грн
100+6.60 грн
500+3.81 грн
1000+2.60 грн
2000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU
SSM6P49NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.92 грн
500+13.48 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30
CUS551V30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USC
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
на замовлення 50866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
36+8.36 грн
100+4.63 грн
500+3.61 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF docget.jsp?did=13393&prodName=TC75S63TU
TC75S63TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Current - Output / Channel: 4 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Input Offset: 1 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Slew Rate: 1V/µs
Current - Supply: 500µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
24+12.91 грн
27+11.43 грн
100+9.22 грн
250+8.50 грн
500+8.06 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R
SSM3K329R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC.pdf
DF2B6.8M2SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC58DVG02D5TA00 NAND_Flash_Memory(SLC_Middle_Capacity)_Web.pdf
TC58DVG02D5TA00
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG4S0FTA20 docget.jsp?did=15002&prodName=TH58NVG4S0FTA20
TH58NVG4S0FTA20
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X TK30E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13210&prodName=TK30E06N1
TK30E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
50+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E06N1,S1X docget.jsp?did=13463&prodName=TK40E06N1
TK40E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X docget.jsp?did=13212&prodName=TK58E06N1
TK58E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X docget.jsp?did=13459&prodName=TK100E06N1
TK100E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X docget.jsp?did=13151&prodName=TK46E08N1
TK46E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X docget.jsp?did=13153&prodName=TK72E08N1
TK72E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.33 грн
10+157.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X docget.jsp?did=12872&prodName=TK34E10N1
TK34E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH
TPH14006NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH
TPH7R506NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH
TPH5R906NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH
TPH4R606NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4X TK10A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13486&prodName=TK10A60W
TK10A60W,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4X TK16A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13490&prodName=TK16A60W
TK16A60W,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH
TPH14006NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.31 грн
100+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH
TPH7R506NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+86.63 грн
100+58.53 грн
500+43.64 грн
1000+40.01 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH
TPH5R906NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.68 грн
10+109.54 грн
100+74.81 грн
500+56.27 грн
1000+51.79 грн
2000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH
TPH4R606NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.08 грн
10+117.98 грн
100+81.29 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F docget.jsp?did=2565&prodName=SSM3K15AMFV
SSM3K15AMFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 76953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
28+10.75 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
2000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F docget.jsp?did=2565&prodName=SSM3K15AMFV
SSM3K15AMFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.19 грн
16000+2.78 грн
24000+2.64 грн
40000+2.32 грн
56000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFNG,C8,EL docget.jsp?did=13037&prodName=TB62218AFNG
TB62218AFNG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48HTSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6643KQ,8 docget.jsp?did=12679&prodName=TB6643KQ
TB6643KQ,8
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 10V-45V 7HSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Exposed Tab
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 45V
Applications: General Purpose
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 10V ~ 45V
Supplier Device Package: 7-HSIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.27 грн
10+209.98 грн
25+193.12 грн
100+163.83 грн
250+155.53 грн
500+150.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6674PG TB6674F_P_Rev_07_2010_ds.pdf
TB6674PG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 16DIP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FG,8,EL docget.jsp?did=7125&prodName=TB62208FG
TB62208FG,8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRV BIPLR 4.5-5.5V 28HSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,8,EL docget.jsp?did=13039&prodName=TB62218AFTG
TB62218AFTG,8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FNG,C8,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB62208FNG
TB62208FNG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48HTSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62208FTG,8,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB62208FTG
TB62208FTG,8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 48QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62212FNG,C8,EL TB62212FNG.pdf
TB62212FNG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48HTSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6552FTG,8,EL
TB6552FTG,8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 16WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: PWM, Serial
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 13.5V
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]