Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13496) > Сторінка 39 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC7WBD125AFKT5LF TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
6000+2.46 грн
9000+1.95 грн
15000+1.81 грн
21000+1.80 грн
30000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
6000+6.22 грн
9000+5.90 грн
15000+5.19 грн
21000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
6000+4.44 грн
9000+4.19 грн
15000+3.67 грн
21000+3.51 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF 1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.31 грн
17+20.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13102&prodName=CES388 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 18872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.59 грн
21+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH TC7LX1104WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.45 грн
17+19.90 грн
100+12.57 грн
500+8.82 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.45 грн
11+30.97 грн
100+21.09 грн
500+14.84 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7074&prodName=CES520 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 36572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.15 грн
52+6.36 грн
100+3.66 грн
500+2.62 грн
1000+2.29 грн
2000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T SSM6P47NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 31411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.30 грн
34+9.83 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 58615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
25+13.38 грн
100+7.30 грн
500+4.21 грн
1000+2.87 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.89 грн
11+32.62 грн
100+20.94 грн
500+14.92 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 50866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.58 грн
36+9.25 грн
100+5.12 грн
500+4.00 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.88 грн
12+28.99 грн
25+26.49 грн
100+18.51 грн
250+16.77 грн
500+13.88 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M2SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SC2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8SC.pdf Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F TC7WB126FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC58DVG02D5TA00 TC58DVG02D5TA00 Toshiba Semiconductor and Storage NAND_Flash_Memory(SLC_Middle_Capacity)_Web.pdf Description: IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG4S0FTA20 TH58NVG4S0FTA20 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15002&prodName=TH58NVG4S0FTA20 Description: IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13210&prodName=TK30E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.78 грн
50+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E06N1,S1X TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13463&prodName=TK40E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13459&prodName=TK100E06N1 Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.60 грн
50+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X TK46E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13151&prodName=TK46E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13153&prodName=TK72E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.69 грн
10+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12872&prodName=TK34E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4X TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13486&prodName=TK10A60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK
TC7WBD125AFKT5LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R
SSM3J332R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS
SSM3K15AFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
6000+2.46 грн
9000+1.95 грн
15000+1.81 грн
21000+1.80 грн
30000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R
SSM3K329R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.12 грн
6000+6.22 грн
9000+5.90 грн
15000+5.19 грн
21000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
SSM6N15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
6000+4.44 грн
9000+4.19 грн
15000+3.67 грн
21000+3.51 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS393SU,LF
1SS393SU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.31 грн
17+20.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CES388,L3F docget.jsp?did=13102&prodName=CES388
CES388,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF docget.jsp?did=2620&prodName=SSM3J332R
SSM3J332R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 18872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.59 грн
21+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1104WBG(LC,AH
TC7LX1104WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-WFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.2x1.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.45 грн
17+19.90 грн
100+12.57 грн
500+8.82 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(LC,AH TC7LX1108WBG_Rev1.0_6-17-11.pdf
TC7LX1108WBG(LC,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-UQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
SSM6J503NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
11+30.97 грн
100+21.09 грн
500+14.84 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC CST2
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5875&prodName=SSM6N15AFU
SSM6N15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBD125AFKT5LF docget.jsp?did=2356&prodName=TC7WBD125AFK
TC7WBD125AFKT5LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSF01S30SC(TPL3) DSF01S30SC_Mar01,2014_DS.pdf
DSF01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC(TPL3) docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N37FE
SSM6N37FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N48FU
SSM6N48FU,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CES520,L3F docget.jsp?did=7074&prodName=CES520
CES520,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
на замовлення 36572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.15 грн
52+6.36 грн
100+3.66 грн
500+2.62 грн
1000+2.29 грн
2000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3) SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF docget.jsp?did=5914&prodName=SSM3K15AFS
SSM3K15AFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 31411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.30 грн
34+9.83 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CES521,L3F CES521_datasheet_en_20140414.pdf?did=7054&prodName=CES521
CES521,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 58615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
25+13.38 грн
100+7.30 грн
500+4.21 грн
1000+2.87 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P49NU,LF SSM6P49NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=6578&prodName=SSM6P49NU
SSM6P49NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.89 грн
11+32.62 грн
100+20.94 грн
500+14.92 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CUS551V30,H3F docget.jsp?did=10394&prodName=CUS551V30
CUS551V30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 50866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.58 грн
36+9.25 грн
100+5.12 грн
500+4.00 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S63TU,LF TC75S63TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=13393&prodName=TC75S63TU
TC75S63TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.88 грн
12+28.99 грн
25+26.49 грн
100+18.51 грн
250+16.77 грн
500+13.88 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R
SSM3K329R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6.8M2SC(TPL3) DF2B6.8M2SC.pdf
DF2B6.8M2SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SC2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SC2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
SSM6J502NU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB31FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7USB31FK
TC7USB31FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SPST USB SWITCH US8
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8SC(TPL3) DF2S6.8SC.pdf
DF2S6.8SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WB126FK(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WB126FK
TC7WB126FK(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL BUS SWITCH US8
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC58DVG02D5TA00 NAND_Flash_Memory(SLC_Middle_Capacity)_Web.pdf
TC58DVG02D5TA00
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG4S0FTA20 docget.jsp?did=15002&prodName=TH58NVG4S0FTA20
TH58NVG4S0FTA20
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X TK30E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13210&prodName=TK30E06N1
TK30E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.78 грн
50+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK40E06N1,S1X docget.jsp?did=13463&prodName=TK40E06N1
TK40E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1
TK58E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E06N1,S1X docget.jsp?did=13459&prodName=TK100E06N1
TK100E06N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.60 грн
50+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK46E08N1,S1X docget.jsp?did=13151&prodName=TK46E08N1
TK46E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E08N1,S1X docget.jsp?did=13153&prodName=TK72E08N1
TK72E08N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.69 грн
10+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X docget.jsp?did=12872&prodName=TK34E10N1
TK34E10N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q docget.jsp?did=13356&prodName=TPH14006NH
TPH14006NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q TPH7R506NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13359&prodName=TPH7R506NH
TPH7R506NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH
TPH5R906NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q docget.jsp?did=13357&prodName=TPH4R606NH
TPH4R606NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4X TK10A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13486&prodName=TK10A60W
TK10A60W,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]