Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11081) > Сторінка 153 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3 SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626lep.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3 SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626lep.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.40 грн
10+194.93 грн
100+137.78 грн
500+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish892bdn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.88 грн
6000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish892bdn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.15 грн
10+53.00 грн
100+33.73 грн
500+26.10 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3 SIDR140DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3 SIDR140DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.17 грн
10+92.43 грн
100+84.84 грн
500+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3 SIDR390DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3 SIDR390DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3 SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3 SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix sqw44n65ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.77 грн
10+401.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.23 грн
10+108.22 грн
100+84.34 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3 SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3 SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.23 грн
10+108.22 грн
100+84.34 грн
500+65.38 грн
1000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-GE3 SUM120N04-1M7L-GE3 Vishay Siliconix SUM120N04-1m7L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 SIHP052N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp052n60ef.pdf Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.84 грн
50+221.05 грн
100+212.10 грн
500+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2387ds.pdf Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+8.64 грн
9000+7.88 грн
15000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2387ds.pdf Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 15439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.84 грн
13+25.71 грн
100+16.41 грн
500+11.64 грн
1000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3 SI1427EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1427ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3 SI1427EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1427ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.84 грн
13+25.78 грн
100+16.39 грн
500+11.58 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIC453ED-T1-GE3 SIC453ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC450ED-T1-GE3 SIC450ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+267.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC450ED-T1-GE3 SIC450ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.09 грн
10+349.64 грн
25+323.45 грн
100+276.43 грн
250+263.52 грн
500+255.74 грн
1000+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDV-T1-GE3 DG9431EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDV-T1-GE3 DG9431EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.07 грн
10+109.01 грн
25+99.24 грн
100+83.10 грн
250+78.31 грн
500+75.42 грн
1000+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3 SQ4064EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4064ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3 SQ4064EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4064ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+61.33 грн
100+42.81 грн
500+32.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4064ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4064ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+61.33 грн
100+42.81 грн
500+32.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906E_Web.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906E_Web.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.52 грн
10+153.92 грн
100+107.12 грн
500+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3 SQ4005EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4005ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3 SQ4005EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4005ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+59.58 грн
100+44.98 грн
500+33.13 грн
1000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-GE3 SIHS36N50D-GE3 Vishay Siliconix sihs36n50d.pdf Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.73 грн
30+329.49 грн
120+276.90 грн
510+226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
92042022C Vishay Siliconix Description: IC MUX DUAL 4:1 100 OHM 20LCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEY-T1-GE4 DG613EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEY-T1-GE4 DG613EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.57 грн
10+66.88 грн
25+60.65 грн
100+50.39 грн
250+47.29 грн
500+45.43 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG1409EEN-T1-GE4 DG1409EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1408e.pdf Description: IC MUX DUAL 4:1 4.2OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4.2Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Charge Injection: 103pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 270mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 105ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 13pF, 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1409EEN-T1-GE4 DG1409EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1408e.pdf Description: IC MUX DUAL 4:1 4.2OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4.2Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Charge Injection: 103pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 270mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 105ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 13pF, 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.56 грн
10+514.83 грн
25+490.85 грн
100+399.98 грн
250+382.00 грн
500+348.29 грн
1000+298.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj174ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj174ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.43 грн
10+115.99 грн
100+80.51 грн
500+60.73 грн
1000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N80AE-GE3 SIHA21N80AE-GE3 Vishay Siliconix doc?92342 Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.45 грн
10+177.96 грн
100+141.63 грн
500+112.47 грн
1000+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk045n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk045n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.16 грн
10+512.13 грн
100+425.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.90 грн
13+24.52 грн
100+16.58 грн
500+12.15 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIS782DN-T1-GE3 SIS782DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis782dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS782DN-T1-GE3 SIS782DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis782dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40020E_GE3 SQD40020E_GE3 Vishay Siliconix sqd40020e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40020E_GE3 SQD40020E_GE3 Vishay Siliconix sqd40020e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj460ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj460ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.18 грн
10+88.70 грн
100+60.00 грн
500+44.76 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3 SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419aeev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3 SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419aeev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.45 грн
10+48.40 грн
100+32.30 грн
500+23.44 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3 SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3419ev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.90 грн
6000+17.24 грн
9000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3 sidr626ldp.pdf
SIDR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3 sidr626lep.pdf
SIDR626LEP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3 sidr626lep.pdf
SIDR626LEP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.40 грн
10+194.93 грн
100+137.78 грн
500+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 sidr680adp.pdf
SIDR680ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
SISH892BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.88 грн
6000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
SISH892BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.15 грн
10+53.00 грн
100+33.73 грн
500+26.10 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3 sidr140dp.pdf
SIDR140DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3 sidr140dp.pdf
SIDR140DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3 sidr390dp.pdf
SIDR390DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3 sidr390dp.pdf
SIDR390DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.17 грн
10+92.43 грн
100+84.84 грн
500+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3 sidr390dp.pdf
SIDR390DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3 sidr390dp.pdf
SIDR390DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3 sidr610dp.pdf
SIDR610DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3 sidr610dp.pdf
SIDR610DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQW44N65EF-GE3 sqw44n65ef.pdf
SQW44N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.77 грн
10+401.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 sq4282ey.pdf
SQ4282EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 sq4282ey.pdf
SQ4282EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.23 грн
10+108.22 грн
100+84.34 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3
SQ4282EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3
SQ4282EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.23 грн
10+108.22 грн
100+84.34 грн
500+65.38 грн
1000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-GE3 SUM120N04-1m7L.pdf
SUM120N04-1M7L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 sihp052n60ef.pdf
SIHP052N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.84 грн
50+221.05 грн
100+212.10 грн
500+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 si2387ds.pdf
SI2387DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.83 грн
6000+8.64 грн
9000+7.88 грн
15000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 si2387ds.pdf
SI2387DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 15439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.84 грн
13+25.71 грн
100+16.41 грн
500+11.64 грн
1000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3 si1427ed.pdf
SI1427EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3 si1427ed.pdf
SI1427EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.84 грн
13+25.78 грн
100+16.39 грн
500+11.58 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIC453ED-T1-GE3 sic450_sic451_sic453.pdf
SIC453ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC450ED-T1-GE3 sic450_sic451_sic453.pdf
SIC450ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+267.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC450ED-T1-GE3 sic450_sic451_sic453.pdf
SIC450ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.09 грн
10+349.64 грн
25+323.45 грн
100+276.43 грн
250+263.52 грн
500+255.74 грн
1000+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDV-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDV-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.07 грн
10+109.01 грн
25+99.24 грн
100+83.10 грн
250+78.31 грн
500+75.42 грн
1000+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3 sq4064ey.pdf
SQ4064EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3 sq4064ey.pdf
SQ4064EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
10+61.33 грн
100+42.81 грн
500+32.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3 sq4064ey.pdf
SQ4064EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3 sq4064ey.pdf
SQ4064EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
10+61.33 грн
100+42.81 грн
500+32.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E_Web.pdf
SQJQ906E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E_Web.pdf
SQJQ906E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.52 грн
10+153.92 грн
100+107.12 грн
500+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3 sq4005ey.pdf
SQ4005EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3 sq4005ey.pdf
SQ4005EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+59.58 грн
100+44.98 грн
500+33.13 грн
1000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-GE3 sihs36n50d.pdf
SIHS36N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.73 грн
30+329.49 грн
120+276.90 грн
510+226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
92042022C
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX DUAL 4:1 100 OHM 20LCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG613EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG613EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.57 грн
10+66.88 грн
25+60.65 грн
100+50.39 грн
250+47.29 грн
500+45.43 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG1409EEN-T1-GE4 dg1408e.pdf
DG1409EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX DUAL 4:1 4.2OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4.2Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Charge Injection: 103pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 270mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 105ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 13pF, 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1409EEN-T1-GE4 dg1408e.pdf
DG1409EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX DUAL 4:1 4.2OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 4.2Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 16.5V
Charge Injection: 103pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 270mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 105ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 13pF, 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.56 грн
10+514.83 грн
25+490.85 грн
100+399.98 грн
250+382.00 грн
500+348.29 грн
1000+298.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 sqj174ep.pdf
SQJ174EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 sqj174ep.pdf
SQJ174EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.43 грн
10+115.99 грн
100+80.51 грн
500+60.73 грн
1000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N80AE-GE3 doc?92342
SIHA21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.45 грн
10+177.96 грн
100+141.63 грн
500+112.47 грн
1000+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
SIHK045N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
SIHK045N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.16 грн
10+512.13 грн
100+425.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.90 грн
13+24.52 грн
100+16.58 грн
500+12.15 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIS782DN-T1-GE3 sis782dn.pdf
SIS782DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS782DN-T1-GE3 sis782dn.pdf
SIS782DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40020E_GE3 sqd40020e.pdf
SQD40020E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40020E_GE3 sqd40020e.pdf
SQD40020E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ460AEP-T1_GE3 sqj460ep.pdf
SQJ460AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ460AEP-T1_GE3 sqj460ep.pdf
SQJ460AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.18 грн
10+88.70 грн
100+60.00 грн
500+44.76 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3 sq3419aeev.pdf
SQ3419AEEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3 sq3419aeev.pdf
SQ3419AEEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.45 грн
10+48.40 грн
100+32.30 грн
500+23.44 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3 sq3419ev.pdf
SQ3419EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.90 грн
6000+17.24 грн
9000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]