Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11118) > Сторінка 153 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50034E_GE3 SQD50034E_GE3 Vishay Siliconix sqd50034e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.86 грн
10+97.31 грн
100+75.65 грн
500+60.17 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28-T4_GE3 Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB055N60EF-GE3 SIHB055N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb055n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.56 грн
50+285.82 грн
100+268.14 грн
500+214.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS486CENW-T1_GE3 SQS486CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS486CENW-T1_GE3 SQS486CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+64.71 грн
100+43.83 грн
500+32.12 грн
1000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq141el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq141el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.04 грн
10+222.94 грн
100+157.64 грн
500+121.76 грн
1000+113.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 Vishay Siliconix sqd70140el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.81 грн
4000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 Vishay Siliconix sqd70140el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.21 грн
10+77.27 грн
100+51.86 грн
500+38.43 грн
1000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 SI7469ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7469adp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.06 грн
6000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642ACD-T1-GE3 SIC642ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642ACD-T1-GE3 SIC642ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.40 грн
10+224.80 грн
25+193.04 грн
100+147.42 грн
250+130.81 грн
500+120.57 грн
1000+110.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654CD-T1-GE3 SIC654CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic654.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654CD-T1-GE3 SIC654CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic654.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.03 грн
10+126.93 грн
25+115.77 грн
100+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5102dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5102dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.32 грн
10+180.05 грн
100+128.36 грн
500+100.59 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 SUP70042E-GE3 Vishay Siliconix sup70042e.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir512dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir512dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
10+125.96 грн
100+87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir516dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir516dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir514dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir514dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.48 грн
10+83.62 грн
100+66.56 грн
500+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 SiRA72DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira72dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 SiRA72DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira72dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir4602ldp.pdf Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.94 грн
6000+24.99 грн
9000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir4602ldp.pdf Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 9665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.15 грн
10+64.71 грн
100+43.02 грн
500+31.63 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir4606dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir4606dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.55 грн
10+79.44 грн
100+53.35 грн
500+39.57 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3 SIHG21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg21n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.34 грн
10+138.11 грн
100+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE3 DG417LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk075n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk075n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.84 грн
10+369.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss71dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.10 грн
6000+27.87 грн
9000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss71dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.18 грн
10+70.91 грн
100+47.39 грн
500+35.01 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.97 грн
10+37.43 грн
100+26.01 грн
500+19.06 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1_GE3 SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1_GE3 SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3 SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3425ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3 SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3425ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+49.90 грн
100+38.25 грн
500+28.38 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.01 грн
10+51.59 грн
100+39.57 грн
500+29.36 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj560ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.75 грн
6000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj560ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.27 грн
10+89.98 грн
100+60.85 грн
500+45.38 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.12 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.07 грн
10+117.83 грн
100+91.84 грн
500+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.05 грн
10+265.28 грн
100+190.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.91 грн
10+231.31 грн
100+164.80 грн
500+128.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.18 грн
50+79.99 грн
100+71.70 грн
500+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA5N80AE-GE3 SIHA5N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.80 грн
50+79.29 грн
100+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 sqd50034e.pdf
SQD50034E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.86 грн
10+97.31 грн
100+75.65 грн
500+60.17 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28-T4_GE3 sqd50p08.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB055N60EF-GE3 sihb055n60ef.pdf
SIHB055N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.56 грн
50+285.82 грн
100+268.14 грн
500+214.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS486CENW-T1_GE3
SQS486CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS486CENW-T1_GE3
SQS486CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.76 грн
10+64.71 грн
100+43.83 грн
500+32.12 грн
1000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.04 грн
10+222.94 грн
100+157.64 грн
500+121.76 грн
1000+113.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.81 грн
4000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.21 грн
10+77.27 грн
100+51.86 грн
500+38.43 грн
1000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 si7469adp.pdf
SI7469ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.06 грн
6000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642ACD-T1-GE3
SIC642ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC642ACD-T1-GE3
SIC642ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 16V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.40 грн
10+224.80 грн
25+193.04 грн
100+147.42 грн
250+130.81 грн
500+120.57 грн
1000+110.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654CD-T1-GE3 sic654.pdf
SIC654CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654CD-T1-GE3 sic654.pdf
SIC654CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.03 грн
10+126.93 грн
25+115.77 грн
100+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.32 грн
10+180.05 грн
100+128.36 грн
500+100.59 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 sup70042e.pdf
SUP70042E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3 sir512dp.pdf
SIR512DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3 sir512dp.pdf
SIR512DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+125.96 грн
100+87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
SIR516DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
SIR516DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 sir514dp.pdf
SIR514DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 sir514dp.pdf
SIR514DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.48 грн
10+83.62 грн
100+66.56 грн
500+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 sira72dp.pdf
SiRA72DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 sira72dp.pdf
SiRA72DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
SIR4602LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.94 грн
6000+24.99 грн
9000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
SIR4602LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 9665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.15 грн
10+64.71 грн
100+43.02 грн
500+31.63 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
SIR4606DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
SIR4606DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.55 грн
10+79.44 грн
100+53.35 грн
500+39.57 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3 sihg21n80aef.pdf
SIHG21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.34 грн
10+138.11 грн
100+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE3
DG417LEDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 sihk075n60e.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 sihk075n60e.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.84 грн
10+369.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 siss71dn.pdf
SiSS71DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.10 грн
6000+27.87 грн
9000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 siss71dn.pdf
SiSS71DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.18 грн
10+70.91 грн
100+47.39 грн
500+35.01 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.97 грн
10+37.43 грн
100+26.01 грн
500+19.06 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1_GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1_GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3 sq3425ev.pdf
SQ3425EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3 sq3425ev.pdf
SQ3425EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+49.90 грн
100+38.25 грн
500+28.38 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.01 грн
10+51.59 грн
100+39.57 грн
500+29.36 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3 sqj560ep.pdf
SQJ560EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.75 грн
6000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3 sqj560ep.pdf
SQJ560EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.27 грн
10+89.98 грн
100+60.85 грн
500+45.38 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469EV-T1_GE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469EV-T1_GE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.89 грн
10+46.12 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 sqm30010el.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 sqm30010el.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 sizf916dt.pdf
SIZF916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 sizf916dt.pdf
SIZF916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.07 грн
10+117.83 грн
100+91.84 грн
500+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.05 грн
10+265.28 грн
100+190.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.91 грн
10+231.31 грн
100+164.80 грн
500+128.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB5N80AE-GE3 sihb5n80ae.pdf
SIHB5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.18 грн
50+79.99 грн
100+71.70 грн
500+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA5N80AE-GE3 siha5n80ae.pdf
SIHA5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
50+79.29 грн
100+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3
SQJ128ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3
SQJ128ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3
SQ4182EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3
SQ4182EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]