Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 148 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIC657CD-T1-GE3 SIC657CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic657.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.12 грн
10+179.88 грн
25+170.02 грн
100+138.29 грн
250+131.20 грн
500+117.73 грн
1000+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDN-T1-E4 DG413HSDN-T1-E4 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDN-T1-E4 DG413HSDN-T1-E4 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.91 грн
10+222.86 грн
25+205.04 грн
100+174.06 грн
250+165.30 грн
500+160.02 грн
1000+153.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic820.pdf Description: IC PWR STAGE 80 A CURRENT MONITO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix sud40151el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix sud40151el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.50 грн
10+117.03 грн
100+80.21 грн
500+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb02elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.38 грн
6000+28.12 грн
9000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb02elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.85 грн
10+71.63 грн
100+47.86 грн
500+35.35 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.40 грн
10+82.74 грн
100+55.68 грн
500+41.38 грн
1000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.31 грн
10+40.73 грн
100+28.33 грн
500+20.76 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
50+70.52 грн
100+63.16 грн
500+47.18 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 SQS484CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs484cenw.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 SQS484CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs484cenw.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.40 грн
10+57.06 грн
100+38.90 грн
500+28.99 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4056ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.87 грн
5000+21.24 грн
7500+20.35 грн
12500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4056ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 16341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.94 грн
10+55.37 грн
100+36.49 грн
500+26.66 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SST4416-T1-E3 SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis429dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.77 грн
10+91.19 грн
100+61.36 грн
500+45.59 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.31 грн
6000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.60 грн
10+57.55 грн
100+40.03 грн
500+30.20 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3 SQJ474EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz322dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz322dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 5461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.79 грн
10+59.16 грн
100+39.17 грн
500+28.71 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix sum90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.37 грн
1600+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix sum90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.74 грн
10+194.45 грн
100+137.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77640 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.77 грн
6000+28.22 грн
9000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77640 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+58.59 грн
100+45.58 грн
500+36.26 грн
1000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.87 грн
6000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.92 грн
10+88.05 грн
100+60.18 грн
500+46.09 грн
1000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs414cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.01 грн
6000+18.67 грн
9000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs414cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.86 грн
10+45.64 грн
100+31.12 грн
500+24.20 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.18 грн
6000+26.12 грн
9000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 10417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.33 грн
10+67.21 грн
100+44.77 грн
500+32.98 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.60 грн
6000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.97 грн
10+103.50 грн
100+71.51 грн
500+53.70 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir510dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir510dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.76 грн
10+146.32 грн
100+102.27 грн
500+77.61 грн
1000+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.18 грн
10+152.92 грн
100+106.86 грн
500+81.35 грн
1000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4774dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4774dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_BE3 SQ4840EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+58.75 грн
100+46.84 грн
500+35.22 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.69 грн
10+42.90 грн
100+29.30 грн
500+21.84 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa12cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.65 грн
6000+22.00 грн
9000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa12cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.12 грн
10+57.95 грн
100+38.34 грн
500+28.07 грн
1000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 SiJH440E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh440e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 SiJH440E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh440e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 Si7972DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7972dp.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.75 грн
10+49.90 грн
100+32.63 грн
500+23.64 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC657CD-T1-GE3 sic657.pdf
SIC657CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.12 грн
10+179.88 грн
25+170.02 грн
100+138.29 грн
250+131.20 грн
500+117.73 грн
1000+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
SIR104DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
SIR104DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDN-T1-E4 dg411hs.pdf
DG413HSDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG413HSDN-T1-E4 dg411hs.pdf
DG413HSDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.91 грн
10+222.86 грн
25+205.04 грн
100+174.06 грн
250+165.30 грн
500+160.02 грн
1000+153.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820AED-T1-GE3 sic820.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR STAGE 80 A CURRENT MONITO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 sud40151el.pdf
SUD40151EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 sud40151el.pdf
SUD40151EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.50 грн
10+117.03 грн
100+80.21 грн
500+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3 sqjb02elp.pdf
SQJB02ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.38 грн
6000+28.12 грн
9000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3 sqjb02elp.pdf
SQJB02ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.85 грн
10+71.63 грн
100+47.86 грн
500+35.35 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 sqja80ep-.pdf
SQJA80EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 sqja80ep-.pdf
SQJA80EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.40 грн
10+82.74 грн
100+55.68 грн
500+41.38 грн
1000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3
SQ2309ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.31 грн
10+40.73 грн
100+28.33 грн
500+20.76 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.28 грн
50+70.52 грн
100+63.16 грн
500+47.18 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 sqs484cenw.pdf
SQS484CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484CENW-T1_GE3 sqs484cenw.pdf
SQS484CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.40 грн
10+57.06 грн
100+38.90 грн
500+28.99 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.87 грн
5000+21.24 грн
7500+20.35 грн
12500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 16341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.94 грн
10+55.37 грн
100+36.49 грн
500+26.66 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SST4416-T1-E3 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf
SST4416-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 sis429dnt.pdf
SIS429DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
SI5902BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
SI5902BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.77 грн
10+91.19 грн
100+61.36 грн
500+45.59 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60ET5-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 sqj474ep.pdf
SQJ474EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.31 грн
6000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 sqj474ep.pdf
SQJ474EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
10+57.55 грн
100+40.03 грн
500+30.20 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3 sqj474ep.pdf
SQJ474EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 siz322dt.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 siz322dt.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 sis862adn.pdf
SIS862ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 sis862adn.pdf
SIS862ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 5461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.79 грн
10+59.16 грн
100+39.17 грн
500+28.71 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
SUM90142E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.37 грн
1600+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
SUM90142E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.74 грн
10+194.45 грн
100+137.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
SIRA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.77 грн
6000+28.22 грн
9000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
SIRA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.39 грн
10+58.59 грн
100+45.58 грн
500+36.26 грн
1000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.87 грн
6000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.92 грн
10+88.05 грн
100+60.18 грн
500+46.09 грн
1000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 sqs414cenw.pdf
SQS414CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.01 грн
6000+18.67 грн
9000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 sqs414cenw.pdf
SQS414CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.86 грн
10+45.64 грн
100+31.12 грн
500+24.20 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
SIR186LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.18 грн
6000+26.12 грн
9000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
SIR186LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 10417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.33 грн
10+67.21 грн
100+44.77 грн
500+32.98 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
SIR500DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.60 грн
6000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
SIR500DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.97 грн
10+103.50 грн
100+71.51 грн
500+53.70 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.76 грн
10+146.32 грн
100+102.27 грн
500+77.61 грн
1000+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.18 грн
10+152.92 грн
100+106.86 грн
500+81.35 грн
1000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 si4774dy.pdf
SI4774DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 si4774dy.pdf
SI4774DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_BE3
SQ4840EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
SI3483CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
SI3483CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.77 грн
10+58.75 грн
100+46.84 грн
500+35.22 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.69 грн
10+42.90 грн
100+29.30 грн
500+21.84 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 sqsa12cenw.pdf
SQSA12CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.65 грн
6000+22.00 грн
9000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 sqsa12cenw.pdf
SQSA12CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.12 грн
10+57.95 грн
100+38.34 грн
500+28.07 грн
1000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 sijh440e.pdf
SiJH440E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 sijh440e.pdf
SiJH440E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Si7972DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.75 грн
10+49.90 грн
100+32.63 грн
500+23.64 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]